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一種基于芯片級封裝的led的制作方法

文檔序號:10423074閱讀:340來源:國知局
一種基于芯片級封裝的led的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種LED光學領域,具體涉及一種基于芯片級封裝的LED。
【背景技術】
[0002]隨著上游芯片產能不斷擴產,封裝行業已經步入微利時代,許多企業為了搶奪客戶大打價格牌,激烈的價格競爭和無序的業內生態鏈促使行業開始需求新的封裝工藝,而具有提升發光效率以及提高散熱能力等優勢的倒裝LED芯片技術的革新與應用正是當今封裝企業專注研發的重點。倒裝芯片是一種很久以前就有的芯片結構,與垂直結構、水平結構并列,其特點是有源層朝下,而透明藍寶石層位于有源層上方,具有高光效,低成本,易配光等諸多優勢。

【發明內容】

[0003]本發明所要解決的技術問題是芯片級封裝方式LED應用在背光源領域以及照明成本高、不易二次配光、光效較低的現狀問題。
[0004]為解決上述技術問題,本發明所采用的技術方案是:一種基于晶片級的倒裝封裝方式,出光面為單面出光,
[0005]匯聚原向四周發散光,對非要求發光面采取反光材料涂覆形成單面發光
[0006]—種基于芯片級封裝的LED,包括LED芯片,所述LED芯片頂部設有熒光膠層,所述LED芯片側面設有反光涂布層,所述LED芯片底部設有電極。
[0007]所述LED外形為圓形或方形或菱形。
[0008]所述圓形尺寸為0.2-8mm,所述方形(正方形/長方形)尺寸為0.2_8mm,所述菱形尺寸為0.2_8mm。
[0009]本發明提供一種基于芯片級封裝的LED,具有以下有益效果:
[00?0] 1、無載體方式封裝降低物料成本;
[0011]2、匯聚原四周發散光使其單面出光增加光效;
[0012]3、光線集中,無雜光,利于LED 二次光學的配光;
[0013]4、可滿足大電流,亮度高,溫度低,性能穩定;
[0014]5、發光角度可依據應用端需求進行調整。
【附圖說明】
[0015]圖1:本發明為方形結構示意圖;
[0016]圖2:為本發明為圓形結構不意圖;
[0017]圖3:本發明出光示意圖;
[0018]其中:LED芯片I,熒光膠層2,反光涂布層3,電極4。
【具體實施方式】
[0019]下面結合實施例來進一步說明本實用新型,但本實用新型要求保護的范圍并不局限于實施例表述的范圍。
[0020]實施例1
[0021]—種基于芯片級封裝的LED,包括LED芯片I,所述LED芯片頂部設有熒光膠層2,所述LED芯片I側面設有反光涂布層3,所述LED芯片底部設有電極4。
[0022]所述LED外形為圓形或方形或菱形。
[0023]所述圓形尺寸為0.2-8_,所述方形尺寸為0.2-8_,所述菱形尺寸為0.2-8_。
[0024]制作所述基于芯片級封裝的LED的方法包括以下步驟:
[0025]I)將芯片移動到玻璃載體上使用環氧樹脂以及硅膠混合后的熒光粉涂布在芯片上;
[0026]2)將非出光面使用特殊材料進行涂布,使光線形成內反射;
[0027]3)使用超高精度切割設備對產品外形結構進行切割成型(圓形、方形(正方形/長方形)、菱形等);此階段根據應用端需求確認出具體形狀,并定義尺寸和發光角度。
[0028]上述的實施例僅為本發明的優選技術方案,而不應視為對于本發明的限制,本申請中的實施例及實施例中的特征在不沖突的情況下,可以相互任意組合。本發明的保護范圍應以權利要求記載的技術方案,包括權利要求記載的技術方案中技術特征的等同替換方案為保護范圍。即在此范圍內的等同替換改進,也在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種基于芯片級封裝的LED,包括LED芯片(I),其特征在于:所述LED芯片頂部設有熒光膠層(2),所述LED芯片(I)側面設有反光涂布層(3),所述LED芯片底部設有電極(4),所述LED外形為圓形或方形或菱形,所述圓形尺寸為0.2-8mm,所述方形尺寸為0.2_8mm,所述菱形尺寸為0.2_8mm。
【專利摘要】本實用新型涉及一種LED光學領域,具體涉及一種基于芯片級封裝的LED。一種基于芯片級封裝的LED,包括LED芯片,所述LED芯片頂部設有熒光膠層,所述LED芯片側面設有反光涂布層,所述LED芯片底部設有電極,所述LED外形為圓形或方形或菱形,所述圓形尺寸為0.2-8mm,所述方形尺寸為0.2-8mm,所述菱形尺寸為0.2-8mm。本實用新型提供的基于芯片級封裝的LED無載體方式封裝降低物料成本;匯聚原四周發散光使其單面出光增加光效;發光角度可依據應用端需求進行調整。
【IPC分類】H01L33/60, H01L33/58, H01L33/48
【公開號】CN205335286
【申請號】CN201521121486
【發明人】丁仁雄, 敬鑫清, 楊濤, 朱其
【申請人】宜昌惠科科技有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2015年12月31日
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