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一種半導體框架的制作方法

文檔(dang)序號:9140217閱讀:375來源:國知局
一種半導體框架的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體封裝領域,尤其涉及一種高擊穿電壓的半導體框架。
【背景技術】
[0002]集成電路(IC)產品由芯片、引線和引線框架、粘接材料、封裝材料等幾大部分構成。其中,引線框架的主要功能是為芯片提供機械支撐載體,并作為導電介質連接IC外部電路,傳送電信號,以及與封裝材料一起,向外散發芯片工作時產生的熱量,成為IC中極為關鍵的零部件。
[0003]電介質在足夠強的電場作用下將失去其介電性能成為導體,稱為電介質擊穿,所對應的電壓稱為擊穿電壓。電介質擊穿時的電場強度叫擊穿場強。不同電介質在相同溫度下,其擊穿場強不同。由Ul_U2 = Ed知,決定電容器的擊穿電壓的是擊穿場強E和兩極板的距離d。擊穿場強通常又稱為電介質的介電強度。在半導體封裝領域,比如在豎直方向金屬片與其下方的框架之間,水平方向芯片與芯片之間就形成了一個類似的電容器結構。所述金屬片一般通過助焊劑與芯片焊接,同時金屬片又與引腳電性連接,金屬片實際上起到替代打線的作用。
[0004]如果對這一個類似的電容器結構控制不好,使得擊穿電壓過低,就很容易使得芯片被擊穿,造成短路、器件損毀的嚴重后果。
[0005]現有技術中已有這方面的研究如專利CN 201420101959.X集成電路的雙基島引腳引線框結構,包括基板上設有基島及引線框單元,所述基島上設有芯片,所述芯片設有7個引線管腳,基島之間的間隙距離為0.5mm,引線管腳與基島之間間隙距離為0.4mm ;引線框單元8個為一列,分成若干列設置在所述基板上。該專利解決了在水平方向上微小間距電壓擊穿空氣放電現象,克服傳統SOP雙基島封裝對微小間距電壓擊穿空氣放電的不足。
[0006]但是現有技術中并沒有對豎直方向上金屬片與框架之間的擊穿電壓進行研究。豎直方向上仍然存在擊穿電壓低,安全性差,產品穩定性不高的問題。

【發明內容】

[0007]為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種豎直方向擊穿電壓高的半導體框架,包括框架、芯片2、金屬片3,所述框架包括載體4、切線槽5,
[0008]所述載體4用來安放芯片2,所述芯片2下方與載體4固定連接,所述芯片2上方與金屬片3固定連接,所述框架上的載體4周圍部分是切線槽5,所述切線槽5上焊接有鋁帶6,所述招帶6頂部與金屬片3相抵接。
[0009]優選地,所述鋁帶6中間呈拱形,所述拱形的兩邊為水平部61,水平部61與框架焊接。
[0010]優選地,所述鋁帶6的材質為鋁或者鋁合金中的一種。
[0011]進一步,所述拱形的頂端為一平面,所述鋁帶6與其上方的金屬片3呈面接觸。
[0012]進一步,所述鋁帶6位于框架朝向金屬片3 —側的切線槽5和框架I的邊框上。
[0013]優選地,所述半導體框架還包括設置于框架中央部分的鋁帶6。
[0014]進一步優選地,所述鋁帶6為雙層結構,上層翹起成拱形或梯形,下層為水平狀,下層的兩端頂面與上層焊接,下層的底面與框架焊接。
[0015]更為優選地,雙層結構之間由支柱支撐,所述支柱為條狀或柱狀的金屬片3。
[0016]本實用新型的封裝技術與現有技術相比具有以下有益的技術效果:在本實用新型中,在框架上設置了限制金屬片3與框架之間距離的鋁帶6,通過鋁帶6的支撐作用將金屬片3與框架之間的距離保持住,從而解決了兩者之間距離過小導致的擊穿電壓過小的問題,從而提高了框架整體結構的安全性和穩定性。提高了良品率。
[0017]將拱形頂部改為平面結構,從而將線接觸改為了面接觸,提高了鋁帶6的支撐力,從而可以減少鋁帶6的數量,節約成本,簡化工藝。
[0018]通過鋁帶6雙層帶支柱的結構設計,大大加強了鋁帶6的抗壓性,不容易變形,進一步減少鋁帶6的數量,節約成本。
[0019]框架中央部分設置鋁帶6,從而將金屬片3托起,防止中間部分的下垂,保持金屬片3與框架之間擊穿電壓基本保持一致。
【附圖說明】
[0020]圖1是一種封裝框架的側視圖;
[0021]圖2是一種封裝框架的正視圖;
[0022]圖3是一種鋁帶的結構示意圖一;
[0023]圖4是一種鋁帶的結構示意圖二 ;
[0024]圖5是一種鋁帶的結構示意圖三;
[0025]框架1、芯片2、金屬片3、載體4、切線槽5、鋁帶6、水平部61。
【具體實施方式】
[0026]以下結合附圖和實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
[0027]實施例1
[0028]如圖1、圖2所示,一種半導體框架,包括框架1、芯片2、金屬片3,所述框架I包括載體4、切線槽5,所述載體4用來安放芯片2,所述芯片2下方與載體4固定連接,所述芯片2上方與金屬片3固定連接,所述框架I上的載體4周圍部分是切線槽5,所述切線槽5上接有鋁帶6,所述鋁帶6底部與切線槽5焊接,鋁帶6頂部與金屬片3接觸。
[0029]如圖3所示,所述鋁帶6中間呈拱形,拱形部分的兩邊為水平部61,水平部61與框架焊接。
[0030]所述鋁帶6的材質為鋁或者鋁合金中的一種,并且呈帶狀。所述材質成本較低,強度較好,同時柔韌性也符合要求,易彎折。
[0031]如圖4所示,所述拱形的頂端為一平面,所述鋁帶6與其上方的金屬片3呈面接觸。將拱形的線接觸改為面接觸能有效承受一定的壓力,減少變形,能保持金屬片3與框架的間距。防止兩者間的擊穿電壓過低。
[0032]所述鋁帶6位于框架I朝向金屬片3 —側的切線槽5上。所述鋁帶6位于四個邊角或者四個邊角加上四條邊的中間位置或者四個邊角加上四條邊中間位置再加上框架I的中間位置。所述鋁帶6還設置于框架I的邊框上。
[0033]所述半導體框架還包括設置于框架I中央部分的鋁帶6,所述鋁帶6焊接在框架I中間部分的切線槽5上。
[0034]所述鋁帶6通過熱壓焊、超聲焊、金絲焊中的一種焊接到切線槽5上。
[0035]優選地,所述框架I為銅板或
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