一種臺面型紅外探測器引出電極的結構的制作方法【
技術領域：
】[0001]本實用新型涉及半導體制造工藝領域，具體涉及一種臺面型紅外探測器引出電極結構。【
背景技術：
】[0002]紅外探測器是一種集紅外信息獲取和處理于一體的成像傳感器。經過第一代和第二代持續的發展，紅外探測器已經在空間、軍事和國民經濟等領域發揮了重要作用(RogalskiA,AntoszewskiJ,FaraoneL,Third-generat1ninfraredphotodetectorarrays[J],JournalofAppliedPhysics,105(09)，2009，091101-1)。雙色探測器作為第三代紅外探測器的一個重要分支得到了相當的重視，相繼有單電極結構(R.D.Rajavel,D.M.Jamba,0.K.ffa,J.E.Jensen,HighperformanceHgCdTetwo-colorinfrareddetectorsgrownbymolecularbeamepitaxy,JournalofCrystalGrowth,175/176，1997，653-658)、雙電極單離子注入結構(R.D.Rajavel,D.M.Jamba,J.E.Jensen,MolecularbeamepitaxialgrowthandperformanceofintegratedmultispectralHgCdTephotod1desforthedetect1nofmid-waveinfraredradiat1n,JournalofCrystalGrowth,184,1998,1272-1278)、雙電極雙離子注入結構(R.D.Rajavel,D.M.Jamba,J.E.Jensen,MolecularbeamepitaxialgrowthandperformanceofHgCdTe-basedsimultaneous-modetwo-colordetectors,JournalofElectronicMaterials,27(6),1998,747-751)和環孔結構(R.Breiter,W.Cabanski,PortablesequentialmulticolorthermalimagerbasedonaMCT384x288focalplanearrays,ProceedingofSPIE,4369,2001,579)報道。其中雙電極雙離子注入結構因為可以直接采用單色芯片的成熟工藝，且實現雙波段信號的同時讀取而具有明顯優勢。雙電極雙離子注入結構在制備工藝上需要通過刻蝕或者腐蝕的方法制備臺面，然后從臺面底部引出第二個波段的信號。葉振華(Ye.Z.H，LiY1Huff.D,ChenL,LiaoQ.J,ChenH.L,LinC，HuX.N,DingR.J,HeL,SimultaneousmodeMW/LfftwocolorHgCdTeinfrareddetector,JournalofInfraredandMillimeterWaves,31(6),2012,497-500)等人采用干法刻蝕微臺面成形、爬坡金屬化的方法成功獲得了中心距為50μπι的128X128中波/長波雙電極雙離子注入結構紅外焦平面器件。但是，隨著光敏元中心距的進一步縮小，干法刻蝕獲得的微臺面頂部將沒有足夠的空間來制備兩個引出電極。【
發明內容】[0003]本實用新型的目的是提出一種臺面型紅外探測器引出電極的結構，以滿足臺面型器件臺面頂部和底部兩個非平面引出電極頂點等平面的要求。[0004]本實用新型的電極的結構由引出電極一5和引出電極二6構成，其中:[0005]所述的引出電極一5位于臺面頂部光敏層一4上，引出電極二6位于臺面底部光敏層二2上，引出電極一5和引出電極二6兩電極的頂部處于一個水平高度。[0006]所述的引出電極一5和引出電極二6的材料為金屬或合金。[0007]本實用新型的制備方法如下:首先在臺面底部的光敏層二2上制備引出電極二6下半段，其高度于臺面等高；然后在臺面頂部光敏層一4和已經存在的引出電極二6上同時再次制備引出電極，以實現臺面底部光敏層二2的引出電極二6和臺面頂部光敏層一4的引出電極一5的頂部在一個水平，如圖1所示。[0008]本實用新型的優點在于制備工藝簡單，能夠提高臺面型紅外探測器引出電極的可靠性。【附圖說明】[0009]圖1是本實用新型的結構示意圖。[0010]圖2是本實用新型的技術路徑圖，其中圖(a)是制備引出電極二6下半段，圖(b)是制備引出電極一5和引出電極二6。【具體實施方式】[0011]以下結合附圖對本實用新型進一步詳述:[0012]首先在臺面底部的光敏層二2上制備引出電極二6下半段，其高度與臺面深度相當，如圖2(a)所示；然后在臺面頂部光敏層一4和已經存在的引出電極二6下半段上同時再次制備引出電極。【主權項】1.一種臺面型紅外探測器引出電極的結構，它由引出電極一(5)和引出電極二(6)構成，其特征在于:所述的引出電極一(5)位于臺面頂部光敏層一(4)上，引出電極二(6)位于臺面底部光敏層二(2)上，引出電極一(5)和引出電極二(6)兩電極的頂部處于一個水平高度。2.根據權利要求1所述的一種臺面型紅外探測器引出電極的結構，其特征在于:所述的引出電極一(5)和引出電極二(6)的材料為金屬或合金。【專利摘要】本實用新型公開一種臺面型紅外探測器引出電極的結構，在臺面頂部引出電極一，在臺面底部引出電極二，兩電極的頂部處于一個水平高度。該結構的優點在于制備工藝簡單，能夠提高臺面型紅外探測器引出電極的可靠性。【IPC分類】H01L31-0224【公開號】CN204516778【申請號】CN201520185676【發明人】黃玥,葉振華,馬偉平,陳昱,劉丹,丁瑞軍,何力【申請人】中國科學院上海技術物理研究所【公開日】2015年7月29日【申請日】2015年3月31日