一種新型半導體芯片結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體芯片領域，具體地說，特別涉及到一種新型半導體芯片結構。
【背景技術】
[0002]半導體芯片指的是在半導體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現某種功能的半導體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵，鍺等半導體材料。
[0003]現有的半導體芯片的結構為左右分布結構，在半導體片拆上設置的兩塊有源區分別位于半導體芯片的左右兩側，其接觸長度僅為兩者的邊長，因此，采用這種結構的半導體芯片的通流量較低。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型的目的在于針對現有技術中的不足，提供一種新型半導體芯片結構，以解決上述問題。
[0005]本實用新型所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現:
[0006]一種新型半導體芯片結構，包括用作于基板的半導體芯片，在所述半導體片材上設有第一有源區和第二有源區；所述第一有源區的主體為環形，在環形的內部設有空心結構，所述第二有源區位于空心結構內，且第二有源區的四條外邊分別與第一有源區空心結構的四條內邊內邊接觸。
[0007]優選的，所述第一有源區為內部空心的圓環或多邊形。
[0008]與現有技術相比，本實用新型的有益效果如下:
[0009]在保證芯片總面積和每個芯片面積基本不變的情況下，將兩個芯片的接觸長度變為2.75倍，增加了芯片的通流量。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型所述的現有半導體芯片的結構示意圖。
[0011]圖2為本實用新型所述的新型半導體芯片的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0012]為使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合【具體實施方式】，進一步闡述本實用新型。
[0013]參見圖1，以總體尺寸為100μπι*100μπι的芯片為例，若采用現有的左右分布結構，則左邊有源區的尺寸為35 μ m*80 μ m = 2800 μ m2，右邊有源區的尺寸為35 μ m*80 μ m =2800 μ m2，兩者的接觸長度為80 μ m。
[0014]參見圖2，若采用本實用新型所述的新型半導體芯片內結構，半導體芯片I的尺寸為 100 μηι*100 μm 不變，外部有源區 2 的尺寸為 80 μηι*80 μπι-60 μηι*60 μπι = 2800 μπι2，內部有源區3的尺寸為55 μπι*55 μπι = 3025 μπι2。在這種情況下，兩者的接觸長度為4*55 μm=220 μ mo在總體尺寸保持不變的情況下，采用新型芯片結構的半導體芯片的接觸長度為傳統結構半導體芯片的2.75倍，大大增加了芯片的通流量。
[0015]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【主權項】
1.一種新型半導體芯片結構，包括用作于基板的半導體芯片，在所述半導體片材上設有第一有源區和第二有源區；其特征在于:所述第一有源區的主體為環形，在環形的內部設有空心結構，所述第二有源區位于空心結構內，且第二有源區的四條外邊分別與第一有源區空心結構的四條內邊內邊接觸。
2.根據權利要求1所述的新型半導體芯片結構，其特征在于:所述第一有源區為內部空心的圓環或多邊形。
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型半導體芯片結構，包括用作于襯底的半導體芯片，在所述半導體片材上擴散第一有源區和第二有源區；所述第一有源區的主體為環形，在環形的內部設有空心結構，所述第二有源區位于空心結構內，且第二有源區的四條外邊分別與第一有源區空心結構的四條內邊內邊接觸。本實用新型在保證芯片總面積和每個芯片面積基本不變的情況下，將兩個芯片的接觸長度變為2.75倍，增加了芯片的通流量。
【IPC分類】H01L29-06
【公開號】CN204516770
【申請號】CN201520082885
【發明人】李子明
【申請人】上海智晶半導體科技有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年2月5日