專利名稱：非晶硼碳合金及其光伏應用的制作方法
技術領域：
本發明屬于半導體材料制作范圍，特別涉及到應用于薄膜光伏器件的材料技術。
技術背景近年來，薄膜太陽能光伏電池和大面積模塊或模板(光電組件)的開發已受到世界范圍的 矚目。氫化非晶硅，特別是納米晶硅(納米硅)廣泛應用于商業及住宅光電器件的巨大潛力已經顯示出來。在低于260°C的溫度下制成的氫化硅薄膜光電器件有一個重要特征，就是通 過大面積沉積所述半導體硅薄膜和電接觸層時，使用廉價的薄膜基板材料和精湛的處理方法 和設備，使其同時具有低生產成本和優良性能的優勢。在同一基板上進行的激光刻線制程， 允許多個太陽能電池形成并被單一地電路集成串聯，在薄膜沉積的過程中直接生成大面積光 伏模板。光伏(PV)器件,又稱為太陽能電池或光電轉換裝置，被用于將輻射能(例如太陽光，白熾 光或螢光)轉換成電能。這一轉換的實現被稱為光伏效應。當輻射穿過光電器件并被器件的 活性區吸收時，電子和空穴對產生了。電子和空穴被器件里的電場分離開來，并被外電路收 集。在具有p-i-n型結構的光伏電池中，當光輻射被本征層或i層(吸收層)吸收時，光致電 子空穴對形成。在內置電場的影響下，電子流向n型導電區域，空穴流向p型導電區域，使 它們發生分離，這種基于吸光后的電子空穴流動產生了光伏電池的光電壓與光電流。根據已知的基于非晶硅或納米硅及其合金的太陽能電池的構造，內置電場在由基于非晶 硅(a-Si)或納米硅(nc-Si)材料的p型、i型(本征)和n型膜層組成的結構中形成。以下所指的 硅薄膜(包括硅鍺合金材料)實際上是氫化材料。圖1所示的是一個典型的p-i-n型太陽能電 池，它是由以下部分組成 一個具有高透明度和結構穩定的首層或基板1， 一個在基板1上 形成的透明導電氧化物前電極(前接觸層)2， 一個p層6,—個i層8,—個n層9,另一個透 明導電膜22, —個金屬膜45， 一個密封性的粘合劑46和一個防護板21。透明導電膜22和金 屬膜45 -起構成反光體和背接觸層(背電極)，它們被合稱為反光電極。在操作中，如箭頭所 示，陽光從太陽能電池基板1的外側穿過，雖然有時候p型納米硅(nc-Si)也被使用，但通常 選擇作為p層6的材料是一種硼摻雜的、寬帶隙的非晶硅合金，例如非晶硅碳(a-SiC)，非晶 硅氮(a-SiN)或者非晶硅氧(a-SiO)。光伏"吸收層"或i層8(又稱轉換層)通常由非晶硅、納 米硅或非晶鍺硅合金構成。磷摻雜的n層9通常由非晶硅或納米硅組成。前透明導電氧化物電極層2通常是由氟摻雜的錫氧化物(Sn02:F)組成。透明導電膜22通常是f呂摻雜的氧化鋅 (ZnO:Al)。金屬膜45通常是鋁或銀。因為吸收層或本征i層8相當薄(非晶硅不厚于500納 米，納米硅不厚于2500納米)，前透明導電氧化物電極層2，具有在沉積中形成的起伏紋理 的表面(texture,絨面)。圖1所示的起伏表面，使得入射的光散射開來，增長光在i層8中 的光路徑長度，從而增強i層對長波光的吸收(光陷阱效應)。很重要的一點是用來制造光伏器件的半導體材料能夠將輻射盡可能地吸收，以高產量的 產生電子和空穴，并且轉換為有用的電能，提高轉換效率。在這方面，因為對輻射的吸收率 高，非晶硅相對其他用于制成太陽能電池的材料，例如多晶硅來說，是--種很適合用于光伏 器件的材料。事實上，厚度薄于1微米(1000納米)的非晶硅可比多晶硅多吸收40%以上的輻射。 其他與非晶硅相似的材料,如非晶鍺硅合金、納米硅同樣適用于薄膜光伏電池。以下，硅薄膜 指的就是非晶硅和納米硅薄膜。在目前己知技術的p-i-n型薄膜硅光伏電池中，夾在p層和n層之間的非摻雜的i層遠遠 厚于p層和n層。本征i層的作用是阻止電子空穴在被內置電場分離前復合。如果如圖i所 示，光輻射首先進入到p層，這種結構通常被稱為p-i-n型。如果輻射由n層而進入i層，這 種結構通常被稱為n-i-p型。有的入射光被摻雜層(p層和n層)吸收，因為這些層產生的載流子壽命極短,在被收集前 就迅速復合。因此,在摻雜層的吸收對光伏電池光電流的生成沒有幫助。因此摻雜層的最小吸 收會增強p-i-n型光伏電池的短路電流。具有寬能帶隙p層的功能之一，就是最大限度地減小 p層的光吸收損耗，而不減弱其對內置電場的貢獻。通過調整p層的能帶隙(光帶隙)，p層 的吸收損耗可以通過包括p層帶隙加寬材料(通常包括碳、氮、氧、硫等元素)而最小化。 例如，p層通常由上述的硼摻雜的具有p型導電性的非晶硅碳(a-SiC)組成。但是，對p層 帶隙加寬材料的增加，必然導致了它的電阻率上升。因此，帶隙加寬材料在p層中的濃度(原 子成分百分比)不可太高，它被光電器件的內部電阻的最大許可值所限制。最理想的寬帶隙 的非晶硅合金p層具有最高摻雜效率和導電性，且具有例如大于2. 1-2. 2eV的光帶隙。n的作用是與本征層形成一個整流結。為了增強這一功能，制成一個具有高導電性的n 層是令人期待的。同時，提供一個寬光能帶的n層也是需要的，因為如前所述，n層中產生 的載流子對電池的光電流沒有貢獻。可惜的是，和p層情況相同，對n層的上述帶隙加寬材 料添加導致了n層電阻的加強。因此，通常被加入n層的帶隙加寬材料的原子濃度，受到其 可接納范圍內電阻率的限制。光伏電池應能高效地將光能轉換為電能。為了改善其能量轉換效率，在世界范圍內曾有 多種研究項目被運行實施。 一種已知的成功改善能量轉換效能的技術方法是形成一個疊式太陽能電池，也稱為多結太陽能電池，它可以有效的增加各種能量和波長的被吸收光子的總量。 這可以使光伏器件的輸出光電流最大化。 一個具有更高光吸收性的多結光伏器件由兩個或多 個光伏電池疊加形成。每結電池或每個p-i-n排序被稱為一結。這種多結光伏器件，在技術中 也稱為串接或疊式(tandem)太陽能電池，在美國專利號為4272641和美國專利號為4891074 的專利中公開。這些專利特別講述了多結非品硅太陽能電池的構造中每結電池具有上述p-i-n 結構。比起單結器件，多結太陽能電池提高了基于硅薄膜的、性能持久的光伏器件的轉換效率 和穩定性。基于硅薄膜的太陽能電池通常根據i層(吸收層或轉換層)的材料命名。例如，如 果i層是非晶硅，電池就稱為非晶硅太陽能電池；如果i層是非晶鍺硅，電池就稱為非晶鍺硅 太陽能電池。多結太陽能電池由多個p-i-n結構電池"首尾"連接而組成，前一結的n層置于 后--結的p層之上。比如，非晶硅/非晶鍺硅指的就是由非晶硅電池(頂結)和非晶鍺硅電池(底結)上下相連形成的雙結光伏器件。 一般多結光伏器件中，短波長光首先被頂結或首結電 池吸收，波長較長的光被第二結電池或可能存在的其后結的電池吸收。多結器件中的首結i 層、第二結i層和其余結i層分別具有漸窄的光能帶隙以至于有效地吸收太陽輻射。這樣的多 結光伏器件緊密的連接在光電系統中。每結電池或每結都是由p層，i層和n層(p-i-n)組成。 因此，每結本征i層(吸收層)設計成為所給太陽光譜比例的光感應層，例如，具有相當大t 能帶隙的非晶硅或非晶硅碳(a-SiC)通常被用來構成臨近于光介面的第一結光伏電池，相比于 非晶硅、具有較小的光能帶隙的非晶鍺硅被用來構成遠離于光介面的光伏電池，因為非晶鍺 硅光伏i層可以吸收很難被非晶硅吸收的紅外線區域中較長波長的光。這使得重疊式太陽能 電池可以有效吸收太陽光以產生能量。另一種吸收較長波長的可選材料是納米硅，它通常被 用于多結太陽能電池的底結(末結)。基于非晶硅的光伏技術最新進展的部分原因是由于改進了不論是單結電池還是良好的多 結電池中對光電壓和光電流影響最大的p層的性能。 一個性能優良的p層必須具有寬光能帶 隙(》.0eV)，費米能級靠近價帶的邊緣，充分導電(比如導電率高于l(^Scm'1)。它還必須在 接觸性能和沉積(生長)條件方面，與圖1所示的透明導電氧化物前電極層2和鄰近的i層8(或緩沖層)具有兼容的特性。非常薄的p層(約IOOA， IO納米)必須具有厚膜的性能。它 通常是在鍍有絨面或紋理的(textured)氧化錫的玻璃上用等離子體增強化學氣相沉積法("輝 光放電")來沉積。為了盡量減少光損失，增強光電流，p層的光能帶隙必須盡可能寬，厚度盡可能低。光電壓主要是在p-i分界面附近產生。除非使用附加的界面層，p層會和透明導電膜建立接觸。為了提高光伏器件的效率，低接觸"屏障"或有效的"隧道"功能是必要的。可惜的是，對寬帶隙的非晶硅碳p層而言，由于分界面與透明導電氧化物前電極(前接觸層)2的接觸屏障，更寬的帶隙和更低的光損耗導致了電阻率上升和p層6內部電阻上升， 從而降低了光電流的收集效率。這些是硅薄膜太陽能電池性能的根本局限性，所指的太陽能 電池通常由直接鍍在前電極上的基于寬帶隙非晶硅合金的P層組成。為了使多結p-i-n型光伏器件發揮最大性能，每結(每個光伏單元)的電流必須暢通無阻 的流向疊式電池中的相鄰單元，然而，多結p-i-n型光伏器件的本性，例如， pl-il-nl-p2-i2-n2 ...，導致了一個n-p結產生于每個相鄰p-i-n單元之間的分界面上。不利地 是，每一個n-p結有一個具有與由每個相鄰結(光伏單元)產生的光伏電壓相反極性的二極 管。n-p結是與光電流流向相反的非線性單元，因此，造成了大量的器件功率損耗。解決上 述由n-p結所造成問題的方法是調整多結器件的結構，使每對相鄰單元間的界面作為一個復 合結(隧道結)。 一個已知制造由晶體半導體材料(例如晶體硅)構成的多結光伏器件的相 鄰太陽能單元之間的復合結的方法是分別重摻雜由相鄰單元構成n-p結的n層和p層。然而， 這種制造隧道結的方法不能輕易被應用于上述多結p-i-n器件，因為非晶硅不容易被摻雜以生 長成高導電的薄膜。寬帶隙合金，比如構成非晶硅p-i-n型光伏器件p層或n層的首選材料非 晶硅碳(a-SiC)和非晶硅氮(a-SiN)，由于上述優勢它們是用來盡可能提高多結器件中的每個光 伏單元的光傳輸率，但要同時取得足夠高的電導率尤其困難。于是，對由高摻雜的、寬帶隙 合金構成的、非晶硅多結p-i-n型光伏器件的p層或n層的嘗試并沒有取得令人滿意的隧道結， 也就是沒有消除在相鄰單元之間存在的n-p結效應。一個形成基于硅薄膜的多結p-i-n型器件的相鄰太陽能單元之間復合結的方法是引進一 個額外的復合層，把它放置在相鄰p-i-n單元之間，這種既高度缺陷又有一定導電能力的隧道 結便于來自兩個相鄰光伏單元的電子和空穴有效復合。提供的額外復合層最好不要過于抑制 光伏器件的生產過程。所以在實踐中，為了連續地生成多結光伏器件的數個p、i-n單元，額外 復合層必須也在同一種設備中通常用等離子體增強化學氣相沉積法來生成。發明內容基于上述考慮，申請人擬訂了本發明的首要目的提供一個基于硅薄膜的轉換效率大大提高的光伏器件。本發明的進一個目的是，提供一種用與基于硅薄膜的沉積過程相近的等離子體增強化學 氣相沉積法過程來生產足夠寬光能帶隙的不基于硅的P型半導體材料的方法。本發明的另一步目的是，提供一個由不基于硅的P型半導體薄膜組成的基于硅薄膜的p-i-n型光伏單元。本發明的第四個目的是，提供一個包括了不限制器件功率產生的相鄰單元之間的復合層的、基于硅薄膜的多結光伏器件。為實現上述目標，本發明提供一種可大大提高p-i-n型硅薄膜光伏器件性能的、基于不含 硅的薄膜材料氫化非晶硼碳(a-BC:H或a-BC)。在此，基于硅薄膜的材料指的是氫化非晶 硅(a-Si)和它的合金例如非晶鍺硅(a-SiGe)和納米晶硅(nc-Si，納米硅)。本發明提供一種生產具有可調節帶隙和P型導電性的氫化非晶硼碳合金薄膜的方法。這 種方法包括在薄膜形成過程中向等離子體增強化學氣相沉積反應器中引進含碳氣體和含硼氣 體，在溫度不超過260°C的基板上生成氫化非品硼碳合金，生長速率由氣體成分，氣壓，等 離子體的激發功率密度等鍍膜參數決定。所得到的薄膜具有p型導電性與可調整的取決于硼 濃度的光能帶隙，及良好的與基于氫化硅薄膜的兼容性。如具體實施方式
所示，它可有效地 被應用在基于氫化硅的薄膜光伏器件之中以改良光電轉換性能。


下面結合附圖和實施例對本發明做進一步說明。圖1顯示了一個由非晶硼碳作為p層的p-i-n型硅薄膜單結太陽能電池的層狀結構。 圖2顯示了一個在前電極和非晶硅碳p層之間放置一個非晶硼碳接觸層的基于硅薄膜的 p-i-n型單結太陽能電池。圖3顯示了一個在首結和末結光伏電池間放置一個非晶硼碳復合層的基于硅薄膜的雙結 太陽能電池的層狀結構。
具體實施方式
通常，基于硅薄膜的光伏電池的所有層都是由基于硅的材料構成的。具有p型導電性和 可調節的帶隙在leV到大于3eV范圍之間的氫化非晶硼碳(a-CB)合金半導體薄膜和硅薄膜沒 有明顯的關系。實際上，氫化非晶硼碳是一個尚未被研究的鮮為人知的真空鍍膜材料。因此， 基于不含硅的氫化非晶硼碳為硅薄膜光伏器件提供了一個新穎的、實用的、極具性能吸引力 的材料。最重要的是，寬帶隙的氫化非晶硼碳的p型導電性比常規的基于非晶硅至少可用于 如圖一所示的p-i-n型太陽能電池的p層的導電性更強。氫化非晶硼碳可以根據硼原子的不同濃度而不斷改變，根據本發明，氫化非晶硼碳薄膜 最好具有大于2. OeV的能帶隙并用等離子體增強化學氣相沉積法在不高于260°C的基板溫度 下生成。用常規等離子體增強化學氣相沉積(PECVD，亦稱"輝光放電")裝置，氫化非晶硼 碳可從既含碳又含硼的多種源氣體混合物中沉積獲得，所用源氣體混合物也可包含一種稀釋氣體。首選含碳材料就是一種碳氫化合物氣體，例如甲烷(CH4),乙垸(C2H6)，乙炔(C2H2)和丙烷(C3H"。含硼氣體包括乙硼烷(B2H6)，三氟化硼(BF3)和三甲烷基化硼(TMB，B[CH3]3)。 TMB尤其令人感興趣，因為它既含碳又含硼。氫化非晶硼碳的性能包括它的帶隙 和導電性都依賴于沉積等離子體的參數，其中包括源氣體的選擇、源混合氣體中含硼氣體的 濃度、基板溫度、稀釋氣體的濃度、輝光放電等離子體功率密度和等離子體增強化學氣相沉 積反應器中的氣壓。也可用(CFH3)這樣的氣體將氟加入薄膜中。稀釋氣體，如氫氣和氬氣可 被用于控制沉積速率、薄膜密度、成鍵結構、生成的氫化非晶硼碳薄膜的電子缺陷密度。當 高濃度的氫氣作為稀釋氣體時，等離子體中的高能離子有助于氫化非晶硼碳薄膜的成鍵結構 趨于優化，通過完善硼和碳原子的成鍵結構來提高導電率。事實上，對在低溫和氫化非晶硼 碳高沉積速率下易于生成的碳氫化合物(CH2鏈)濃度的控制來說，氫對源氣體混合物的充足 稀釋是必要的。不足為奇的是，氫化非晶硼碳的導電性通常隨著帶隙的加寬而減弱。對于帶 隙大于2.0eV的薄膜，為了使導電率在太陽能電池的使用范圍內，硼原子濃度必須大于10%。 因為氫化非晶硼碳的性能極大取決于制備條件，它的性能必須根據一個特定的應用而優化。本發明的一個重要動力是氫化非晶硼碳和摻雜的硅薄膜之間的電阻低，這使得氫化非晶 硼碳具有在p層和透明導電氧化物電極之間(圖2)的帶隙寬于1. 6eV的有效分界面層特性， 可用作為接觸層和多結光伏器件的復合層(圖3)。以下例子體現了氫化非晶硼碳合金適用于基于硅薄膜的、生成于完全兼容的等離子化學 氣相沉積設備中的光伏器件。實施例一P層對基于硅薄膜的p-i-n型太陽能電池的轉換效率影響重大。氫化非晶硼碳薄膜具有 大于2.0eV的光能帶隙，它可以被用于替換傳統的基于非晶硅的寬帶隙的p層(通常是硼摻 雜的非晶硅碳，a-SiC)。例如如圖一所示的i-n型光伏電池，p層6由厚度不大于15納 米具有光能帶隙在2. 0-2. 2 eV之間的氫化非晶硼碳薄膜構成，它是直接在透明導電氧化物前 電極2上用等離子體鍍膜方法生成的。i層8可以是基于非晶硅薄膜或納米硅層。磷摻雜的 n層9是由普通非晶硅形成。由氫化非晶硼碳p層6與非摻雜的本征i層8形成的界面是一 個獨特的、由兩種完全不同材料形成的異質結，它們構成的單結光伏器件生成的大于0.8 V 的光電壓，確實很值得注意。重要的是,根據對照兩個包含不同p層的太陽能電池的光電流來 判斷，相比于具有接近2.1eV帶隙的非晶硅碳p層，非晶硼碳p層具有相近的光吸收率。值 得一提的是，因為硼是硅薄膜的p型摻雜劑，并且由于生成非晶硼碳p層6的含硼氣體的高 濃度，以及為了避免i層的交叉污染，非晶硼碳薄膜應在一個單獨的沉積反應室中沉積，而 基于硅的i層8在多反應室的等離子體增強化學氣相沉積系統中不同的反應室中生成。實施例二圖2中基于非晶硅的單結光伏電池除了 p層6由一個常規的非晶硅碳合金構成之外，基 本與圖l所示用于實施例一的p-i-n器件構造相同。其不同且獨特之處是，它有一個氫化非晶 硼碳接觸層4，被置于前電極2和氫化非晶硅碳p層6。氫化非晶硼碳接觸層4的作用是減弱 透明導電氧化物和非晶硅碳p層之間的電阻(電勢壘)。由于必須用高濃度的碳原子來使光損 耗量最小化以盡可能的增大光傳輸率，p層是近乎完全電絕緣的。厚度小于3納米的氫化非 晶硼碳超薄層具有良好的導電性和高密度的電子缺陷，可以防止薄膜任一側的接觸屏障形成。 于是，相比于具有直接在TCO電極2上沉積非晶硅碳p層的標準p-i-n型光伏電池，當氫化 非晶硼碳接觸層4被運用時，光伏電流受到的阻礙更小。實施例三基于硅薄膜的多結光伏電池，是由具有同一個光徑和電路相連的兩個或多個p-i-n光伏 單元，上下疊加而成。每個p-i-n光伏單元被稱作一結。多結光伏電池中基于硅薄膜的多個i 層的能帶隙寬度可以相同也可以不同。為了消除相鄰光伏單元之間的電阻或逆向n-p結，多 結光伏器件需要一個復合層或隧道結。以圖3所示的雙結疊式光伏器件作為例子，兩個光伏 單元(頂結與底結)首尾連接，上下疊置而形成一個集成的光伏器件。頂結由pl-il-nl (6-8-9) 組成，底結由p2-i2-n2(26-28-29)組成，兩結之間有一個復合層13。這個疊式光伏器件的其 它組成部分都與如圖1和圖2所示的單結太陽能電池相同，包括基板1、透明導電氧化物薄 膜電極2、由透明導電氧化物22和金屬薄膜45組成的背反光電極、密封粘合層46和封底片 2丄。在本實施例中，置于頂結和底節之間的復合層13由氫化非晶硼碳薄膜形成。該p型非 品硼碳超薄膜具有大于lxl(^Scm"的導電率和基于硅的p2層26形成歐姆接觸，和基于硅的 nl層9形成復合接觸，消除了電流屏障或者在基于硅合金薄膜的nl和p2層間形成的逆向結， 從而起到隧道結的作用，使疊式光伏器件的光電轉換效率被大大提高了。厚度不超過3納米 的超薄非晶硼碳復合層不會在多結光伏器件中產生過多的光損耗，其沉積過程也十分短促。
權利要求
1. 一個氫化非晶硼碳合金，它是p型半導體材料，其特征在于該合金是由硼-碳-氫組成的非晶態的合金薄膜，碳和硼的原子濃度含量分別是60-90％和2-30％，能帶隙在1.1-3.3eV之間，所述的氫化非晶硼碳合金的導電率大于2×10-11Scm-1。
2、 一個氫化非晶硼碳合金的制作方法，包含了以下步驟a) 將被鍍膜的基板溫度維持在120-260°C之間；b) 向真空鍍膜室內提供一種源氣體混合物，至少包含了一種含碳氣體、 一種含硼氣體 和一種稀釋氣體；c) 通過等離子體增強化學氣相沉積法過程沉積源氣體混合物，在基板上形成氣化非晶 硼碳合金薄膜。
3、 根據權利要求2所述的氫化非晶硼碳合金的制作方法，其特征在于所述源氣體混合 物中的所述稀釋氣體是一種氫氣、惰性氣體或是它們的混合氣體。
4、 一個光伏單元，由下列部分組成a) —個p層，由p型半導體薄膜構成；b) —個n層，由n型半導體薄膜構成；c) 一個i層，由本征型半導體薄膜構成，并被放置在所述p層和所述n層之間。其特征在于所述p層由根據權利要求l所述的氫化非晶硼碳合金薄膜組成，所述的氫化非晶硼碳合金薄膜光能帶隙在l. 7-2. 5eV之間，導電率大于lxlO-9Scm",厚度在1-30納米之 間。
5、 一個多結光伏器件，由下列部分組成a) 多個依序形成的光伏單元，每個所述光伏單元都是由一個p型半導體層， 一個i型半 導體層和一個n型半導體層組成；b) —個復合層，亦即隧道節，厚度不超過10納米，是由根據權利要求1所述的氫化 非晶硼碳合金而構成，被放置在兩個相鄰所述的光伏單元之間，所述的氫化非晶硼 碳合金能帶隙寬度在1. 3-2. 2eV之間，導電率大于2xl0'8 Scm—、
6、 根據權利要求5所述的多結光伏器件，其特征在于所述復合層由一個厚度不超過2 納米、導電率不低于2x10—7 ScnT1的根據權利要求1所述的氫化非晶硼碳合金薄膜組成。
7、 根據權利要求4所述的光伏單元，其特征在于所述p層由以下部分組成a) —種根據權利要求l所述的氫化非晶硼碳合金；b) —個p型寬帶隙的非晶硅合金薄膜，包括具有光能帶隙在2. 0-2. 4eV之間的硼摻雜的非晶硅碳合金和非晶硅氧合金。
8、根據權利要求5所述的多結光伏器件，其特征在于它被形成在厚度不大于3納米的根據權利要求l所述的氫化非晶硼碳合金薄膜上，且所述的氫化非晶硼碳合金薄膜是沉積在形 成于基板表面的透明電極上。
全文摘要
本發明公開了氫化非晶硼碳(a-CB)薄膜的制作和應用。非晶硼碳合金可由等離子體增強化學氣相沉積法在低溫下形成。這個p型半導體薄膜，可被用于基于硅薄膜的單結和多結光伏器件，并改善其性能。
文檔編號H01L31/032GK101246926SQ20071000498
公開日2008年8月20日 申請日期2007年2月14日 優先權日2007年2月14日
發明者李沅民, 昕 馬 申請人:北京行者多媒體科技有限公司