1.一種mems超聲傳(chuan)感器件，其特征在(zai)于，包括：
2.根據權利要求1所述的mems超(chao)聲傳感器件(jian)，其特征在于，所述第二(er)開(kai)口(kou)(kou)和(he)所述第三(san)開(kai)口(kou)(kou)同軸布(bu)置(zhi)，所述第二(er)開(kai)口(kou)(kou)的開(kai)口(kou)(kou)面積(ji)大于所述第三(san)開(kai)口(kou)(kou)的開(kai)口(kou)(kou)面積(ji)。
3.根(gen)據權利要(yao)求(qiu)2所(suo)(suo)述(shu)的mems超(chao)聲傳感器件，其特征(zheng)在(zai)于，在(zai)沿第一方向的截面上(shang)，所(suo)(suo)述(shu)壓電振動層中靠近(jin)所(suo)(suo)述(shu)第二(er)開口的電極層在(zai)第二(er)方向上(shang)的寬度為所(suo)(suo)述(shu)第二(er)開口在(zai)所(suo)(suo)述(shu)第二(er)方向上(shang)的寬度的50％～90％；
4.根(gen)據(ju)權利要求3所(suo)述的(de)mems超聲傳感器件，其特征(zheng)在(zai)(zai)于，在(zai)(zai)所(suo)述截面上，所(suo)述第二(er)腔的(de)截面形狀呈(cheng)矩(ju)形。
5.根據權利要(yao)求(qiu)1-4中任一項所述的(de)mems超聲傳感器件，其(qi)特(te)征在于，所述諧(xie)振結構(gou)的(de)材料(liao)為玻(bo)璃(li)。
6.根據權利(li)要求(qiu)1-4中(zhong)任一項所(suo)述的(de)mems超(chao)聲(sheng)傳感(gan)器(qi)件，其特征在于(yu)，所(suo)述第一腔的(de)諧(xie)振頻率(lv)等于(yu)所(suo)述壓電振動(dong)層的(de)諧(xie)振頻率(lv)。
7.根據(ju)權利要求1-4中任(ren)一(yi)項所述的mems超聲傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)件，其特征(zheng)在于(yu)，所述mems超聲傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)件還(huan)包(bao)括：
8.根據(ju)權利要求7所述的(de)mems超聲傳感(gan)器件，其特征(zheng)在于(yu)，所述導電件的(de)第二端設(she)有焊球。
9.根據權利要求7所(suo)(suo)述(shu)的mems超聲傳感器件(jian)，其特征(zheng)在于，所(suo)(suo)述(shu)導電件(jian)包(bao)括：
10.根據權利要(yao)求9所(suo)述(shu)的mems超聲傳感器件，其特征在(zai)于，所(suo)述(shu)鈍(dun)化(hua)層設(she)有(you)(you)第(di)一(yi)tsv穿(chuan)(chuan)孔(kong)(kong)，所(suo)述(shu)基底(di)設(she)有(you)(you)第(di)二(er)tsv穿(chuan)(chuan)孔(kong)(kong)，所(suo)述(shu)第(di)一(yi)tsv穿(chuan)(chuan)孔(kong)(kong)和所(suo)述(shu)第(di)二(er)tsv穿(chuan)(chuan)孔(kong)(kong)同(tong)軸布(bu)置，所(suo)述(shu)第(di)二(er)導電件設(she)于所(suo)述(shu)第(di)一(yi)tsv穿(chuan)(chuan)孔(kong)(kong)和所(suo)述(shu)第(di)二(er)tsv穿(chuan)(chuan)孔(kong)(kong)內(nei)。
11.根據權利要求10所(suo)(suo)(suo)述的(de)mems超聲(sheng)傳感器件，其特(te)征在(zai)于，所(suo)(suo)(suo)述第二(er)導(dao)電件包括位于所(suo)(suo)(suo)述第一(yi)(yi)(yi)tsv穿孔(kong)內(nei)的(de)第一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分和(he)位于所(suo)(suo)(suo)述第二(er)tsv穿孔(kong)內(nei)的(de)第二(er)部(bu)(bu)分，所(suo)(suo)(suo)述第一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)分和(he)所(suo)(suo)(suo)述第二(er)部(bu)(bu)分一(yi)(yi)(yi)體成型。
12.一種mems超聲傳感器件的制(zhi)備(bei)方法，其特征在(zai)于(yu)，包括：
13.根(gen)據權利要求12所(suo)述(shu)的(de)制備方(fang)法，其特(te)征(zheng)在(zai)于，所(suo)述(shu)在(zai)所(suo)述(shu)第一基底上(shang)形成圍繞(rao)所(suo)述(shu)壓電振動層的(de)鈍化層之后(hou)，還包括：
14.根據權利要求13所(suo)述(shu)的制(zhi)備方(fang)法，其(qi)特征在于(yu)，所(suo)述(shu)在所(suo)述(shu)鈍(dun)化層內(nei)形(xing)成(cheng)第一導電(dian)件，包括：
15.根據權利要求(qiu)12所(suo)(suo)述的制備方法，其特征在于，所(suo)(suo)述在所(suo)(suo)述第(di)一基(ji)底遠離所(suo)(suo)述壓電振動(dong)層的一側形成第(di)一腔，包括：
16.一(yi)種(zhong)傳感設備，其特征在于，包括(kuo)根(gen)據(ju)(ju)權利要(yao)求1-11中任一(yi)項所述的mems超(chao)聲傳感器(qi)件(jian)，或者(zhe)包括(kuo)根(gen)據(ju)(ju)權利要(yao)求12-15中任一(yi)項所述的制備方法所制備的mems超(chao)聲傳感器(qi)件(jian)。