本揭露涉及一種mems(micro?electro?mechanical?system，微(wei)機電系(xi)統)元件及mems元件的制(zhi)造方法。

背景技術：

1、已(yi)知有(you)使(shi)用半導(dao)體微細加(jia)工(gong)技術而制造(zao)的(de)(de)mems(micro?electro?mechanicalsystem)傳感(gan)器(qi)(qi)。作為mems傳感(gan)器(qi)(qi)，在專利文獻(xian)1中公開了加(jia)速度(du)傳感(gan)器(qi)(qi)。專利文獻(xian)1的(de)(de)加(jia)速度(du)傳感(gan)器(qi)(qi)具備具有(you)固(gu)定電(dian)(dian)極(ji)與可動電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)電(dian)(dian)容(rong)(rong)器(qi)(qi)部，通過檢測(ce)電(dian)(dian)容(rong)(rong)器(qi)(qi)部的(de)(de)靜電(dian)(dian)電(dian)(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)變(bian)化來檢測(ce)加(jia)速度(du)，所(suo)述電(dian)(dian)容(rong)(rong)器(qi)(qi)部的(de)(de)靜電(dian)(dian)電(dian)(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)變(bian)化對應(ying)于與所(suo)作用的(de)(de)加(jia)速度(du)相應(ying)的(de)(de)可動電(dian)(dian)極(ji)的(de)(de)移位。

2、[現有技(ji)術文獻]

3、[專利文獻]

4、[專(zhuan)利文獻1]日本專(zhuan)利特開號公報(bao)

技術實現思路

1、[發明(ming)要解決的問題(ti)]

2、專(zhuan)利文獻1的(de)(de)mems傳感器(qi)中，固(gu)定(ding)電(dian)(dian)極(ji)(ji)與(yu)可(ke)動電(dian)(dian)極(ji)(ji)利用分別不同的(de)(de)錨定(ding)部(bu)(bu)連(lian)接于基(ji)底襯(chen)底。因此，當在(zai)將該mems傳感器(qi)封(feng)裝(zhuang)化(hua)而成的(de)(de)mems封(feng)裝(zhuang)體中產生封(feng)裝(zhuang)應(ying)力時，會(hui)經由分別不同的(de)(de)錨定(ding)部(bu)(bu)向(xiang)固(gu)定(ding)電(dian)(dian)極(ji)(ji)及可(ke)動電(dian)(dian)極(ji)(ji)傳遞(di)大(da)小及/或方向(xiang)等不同的(de)(de)封(feng)裝(zhuang)應(ying)力。在(zai)該情況(kuang)下，固(gu)定(ding)電(dian)(dian)極(ji)(ji)及可(ke)動電(dian)(dian)極(ji)(ji)分別不同地變(bian)形，兩者之間的(de)(de)靜(jing)電(dian)(dian)電(dian)(dian)容可(ke)能(neng)會(hui)發生變(bian)化(hua)。結果，即使在(zai)未檢(jian)測加速(su)度(du)的(de)(de)零(ling)點，也會(hui)產生電(dian)(dian)容器(qi)部(bu)(bu)的(de)(de)靜(jing)電(dian)(dian)電(dian)(dian)容相對于規(gui)定(ding)的(de)(de)特定(ding)值而偏移(yi)的(de)(de)所謂零(ling)點偏移(yi)。

3、本揭露的課(ke)題(ti)在于(yu)提供一種能夠抑制零點偏移(yi)的mems元件及其(qi)制造(zao)方法。

4、[解決(jue)問題(ti)的技術手(shou)段]

5、本揭露的一形態提供一種(zhong)mems元(yuan)件(jian)(jian)，具備元(yuan)件(jian)(jian)晶(jing)圓、覆蓋晶(jing)圓及(ji)接合層(ceng)，

6、所(suo)述(shu)元(yuan)(yuan)件(jian)晶圓具有(you)：元(yuan)(yuan)件(jian)襯底，具有(you)第(di)1主(zhu)(zhu)面(mian)及(ji)(ji)與所(suo)述(shu)第(di)1主(zhu)(zhu)面(mian)為相反側的(de)(de)第(di)2主(zhu)(zhu)面(mian)，且(qie)具有(you)向從所(suo)述(shu)第(di)1主(zhu)(zhu)面(mian)朝(chao)向第(di)2主(zhu)(zhu)面(mian)的(de)(de)第(di)1方向凹陷(xian)的(de)(de)空腔(qiang)；傳感器(qi)部(bu)，位(wei)于所(suo)述(shu)空腔(qiang)內，利用單一的(de)(de)錨定部(bu)與所(suo)述(shu)元(yuan)(yuan)件(jian)襯底機械連(lian)接(jie)并且(qie)電(dian)絕(jue)緣；以及(ji)(ji)元(yuan)(yuan)件(jian)配線，電(dian)連(lian)接(jie)于所(suo)述(shu)傳感器(qi)部(bu)；

7、所(suo)述(shu)(shu)覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)(gai)晶(jing)圓具有(you)從所(suo)述(shu)(shu)第1主面(mian)側與所(suo)述(shu)(shu)元件晶(jing)圓對向(xiang)的(de)覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)(gai)襯底、及與所(suo)述(shu)(shu)元件配(pei)線電導通的(de)覆(fu)(fu)(fu)蓋(gai)(gai)配(pei)線；

8、所述(shu)(shu)接合(he)層將所述(shu)(shu)元件晶(jing)(jing)圓(yuan)與所述(shu)(shu)覆(fu)蓋晶(jing)(jing)圓(yuan)接合(he)；且(qie)

9、所述(shu)(shu)元件配(pei)線直接(jie)接(jie)合(he)于所述(shu)(shu)接(jie)合(he)層(ceng)，經由所述(shu)(shu)接(jie)合(he)層(ceng)而(er)與所述(shu)(shu)覆蓋配(pei)線電導通。

10、本揭露的另一形態提供一種mems元件的制造方法，包含以下步驟：

11、形成元(yuan)件(jian)晶圓，該元(yuan)件(jian)晶圓具有：元(yuan)件(jian)襯底，具有第(di)(di)1主(zhu)(zhu)面(mian)(mian)及(ji)與所述(shu)(shu)第(di)(di)1主(zhu)(zhu)面(mian)(mian)為相(xiang)反側的第(di)(di)2主(zhu)(zhu)面(mian)(mian)，且具有向從所述(shu)(shu)第(di)(di)1主(zhu)(zhu)面(mian)(mian)朝向第(di)(di)2主(zhu)(zhu)面(mian)(mian)的第(di)(di)1方向凹陷(xian)的空腔；傳感器(qi)部，位于(yu)所述(shu)(shu)空腔內，利用(yong)單一的錨定部與所述(shu)(shu)元(yuan)件(jian)襯底機械連接并且電絕緣(yuan)；以及(ji)元(yuan)件(jian)配(pei)線，電連接于(yu)所述(shu)(shu)傳感器(qi)部；

12、形成(cheng)覆蓋(gai)晶圓(yuan)，該覆蓋(gai)晶圓(yuan)具有從所述(shu)第(di)1主面側與所述(shu)元(yuan)件晶圓(yuan)對向的覆蓋(gai)襯底(di)、及與所述(shu)元(yuan)件配線(xian)電導通(tong)的覆蓋(gai)配線(xian)；以及

13、經由接(jie)合層將所(suo)述元件(jian)晶(jing)圓與所(suo)述覆(fu)蓋晶(jing)圓接(jie)合；

14、在所述(shu)接(jie)合(he)中，使所述(shu)元件配線(xian)直接(jie)接(jie)合(he)于(yu)所述(shu)接(jie)合(he)層(ceng)，經由所述(shu)接(jie)合(he)層(ceng)而與所述(shu)覆蓋配線(xian)電導通。

15、[發明效果]

16、根據本(ben)揭(jie)露的mems元件及其(qi)制(zhi)造方法，能夠抑制(zhi)零(ling)點偏移。

技術特征：

1.一種mems元件(jian)(jian)，具備元件(jian)(jian)晶圓、覆蓋晶圓及接合層，

2.根據權利要求1所述的mems元件，其中

3.根據權利要求(qiu)2所述的(de)mems元件，其中

4.根據權利要(yao)求3所述的mems元件，其中

5.根據權利要求2所述的(de)mems元(yuan)件，其中

6.根據(ju)權利要(yao)求3所述(shu)的mems元件，其中

7.根據權利(li)要求6所述的(de)mems元件(jian)，其中(zhong)

8.根據權利要(yao)求1所述的mems元件(jian)，其中

9.根據(ju)權利要求1所述(shu)的mems元(yuan)件，其中

10.根據權利要求9所述的mems元件，其中

11.根據權利要求(qiu)3所述的mems元件，其中

12.根據權利要求1所述的mems元件，其中

13.根據權利要求1所述的mems元件，其(qi)中(zhong)

14.根(gen)據權(quan)利要求3所述的mems元(yuan)件，其中

15.根(gen)據權(quan)利(li)要求(qiu)14所述(shu)的mems元件，其(qi)中

16.根(gen)據權利要(yao)求14所述(shu)的mems元件(jian)，其中

17.根據權利要求14所(suo)述(shu)的mems元(yuan)件，其中

18.根據(ju)權利要求17所述的mems元(yuan)件(jian)，其中

19.根據(ju)權利要求18所(suo)述的mems元件，其中

20.一種mems元件的制造方法(fa)，包(bao)含以下步驟：

技術總結
本揭露涉及一種MEMS元件及MEMS元件的制造方法。本揭露的課題在于提供一種能夠抑制零點偏移的MEMS元件。本揭露的MEMS元件具備元件晶圓、覆蓋晶圓及接合層，所述元件晶圓具有：元件襯底，具有第1主面及第2主面，且具有從第1主面朝向一側凹陷的空腔；傳感器部，位于空腔內，利用單一的錨定部與元件襯底機械連接并且電絕緣；以及元件配線，電連接于傳感器部；所述覆蓋晶圓具有從第1主面側與元件晶圓對向的覆蓋襯底、及與元件配線電導通的覆蓋配線；所述接合層將元件晶圓與覆蓋晶圓接合；且元件配線直接接合于接合層，經由接合層而與覆蓋配線電導通。

技術研發人員：藤田有真,馬丁·懷爾弗瑞德·海勒,紙西大祐,泉直希
受保護的技術使用者：羅姆股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/19