本(ben)發明屬于(yu)搪(tang)玻璃設(she)備領(ling)域，具(ju)體涉(she)及一種搪(tang)玻璃設(she)備的(de)搪(tang)燒流(liu)程控制工(gong)藝，該控制工(gong)藝可用(yong)于(yu)石油、化(hua)工(gong)、食品、醫藥等(deng)各行業的(de)反應(ying)釜、儲存(cun)設(she)備、換(huan)熱設(she)備等(deng)專業領(ling)域。

背景技術：

1、搪(tang)玻(bo)璃設備是將含硅量高(gao)的(de)(de)(de)瓷(ci)(ci)釉涂于(yu)金屬(shu)表面，通過高(gao)溫搪(tang)燒，使瓷(ci)(ci)釉密著于(yu)金屬(shu)鐵胎表面制(zhi)成。具(ju)有(you)(you)類似(si)玻(bo)璃的(de)(de)(de)化(hua)學穩定性和(he)金屬(shu)強(qiang)度的(de)(de)(de)雙重優點。搪(tang)玻(bo)璃設備廣泛適用(yong)于(yu)化(hua)工、醫藥、染料、農藥、有(you)(you)機合(he)成、石(shi)油、食品制(zhi)造和(he)國(guo)防工業等工業生產和(he)科學研(yan)究中的(de)(de)(de)反應、蒸發、濃縮(suo)、合(he)成、萃取、聚合(he)、皂(zao)化(hua)、礦化(hua)、氯化(hua)、硝化(hua)等，以代替昂貴的(de)(de)(de)不銹(xiu)鋼和(he)有(you)(you)色金屬(shu)。對于(yu)各種濃度的(de)(de)(de)無機酸、有(you)(you)機酸、有(you)(you)機溶劑(ji)及弱堿等介質均有(you)(you)極強(qiang)的(de)(de)(de)抗腐性。搪(tang)玻(bo)璃的(de)(de)(de)制(zhi)造工藝(yi)過程可分為鋼壞(huai)制(zhi)造和(he)搪(tang)燒兩(liang)個(ge)主要工序(xu)。

2、搪玻璃(li)(li)設備的(de)(de)(de)搪燒(shao)技術是生(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)關鍵技術，在搪燒(shao)過(guo)程中(zhong)(zhong)，瓷(ci)釉(you)和(he)鋼胎及窯爐中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)氣(qi)氛之(zhi)間會產(chan)生(sheng)一(yi)系列(lie)的(de)(de)(de)物理和(he)化學變(bian)化，在搪燒(shao)升溫過(guo)程中(zhong)(zhong)，易出現發紋、氣(qi)泡、暗泡等工(gong)藝缺陷(xian)，而這些缺陷(xian)的(de)(de)(de)產(chan)生(sheng)極大的(de)(de)(de)影響了搪玻璃(li)(li)設備的(de)(de)(de)性(xing)(xing)能。因此(ci)，研發一(yi)套(tao)具有整體性(xing)(xing)、相關性(xing)(xing)、有序性(xing)(xing)等特(te)性(xing)(xing)的(de)(de)(de)搪燒(shao)控(kong)制工(gong)藝成為了亟待解決的(de)(de)(de)問(wen)題。

技術實現思路

1、針對現有(you)技術中存在的問題，本發明提(ti)供了一種搪(tang)(tang)玻(bo)璃設備的搪(tang)(tang)燒(shao)流(liu)程控(kong)制工(gong)(gong)藝(yi)，該工(gong)(gong)藝(yi)主要(yao)包括基(ji)(ji)(ji)材選(xuan)取-基(ji)(ji)(ji)體(ti)制備-基(ji)(ji)(ji)體(ti)內(nei)部拋(pao)光-基(ji)(ji)(ji)體(ti)預燒(shao)-基(ji)(ji)(ji)體(ti)噴(pen)砂-基(ji)(ji)(ji)體(ti)質量檢查-內(nei)表面(mian)噴(pen)涂底釉-外表面(mian)部噴(pen)涂底釉-底釉1次(ci)搪(tang)(tang)燒(shao)-內(nei)表面(mian)噴(pen)涂底釉-底釉1次(ci)搪(tang)(tang)燒(shao)-噴(pen)涂面(mian)釉（內(nei)表面(mian)）-面(mian)釉搪(tang)(tang)燒(shao)（噴(pen)涂面(mian)釉-面(mian)釉搪(tang)(tang)燒(shao)重(zhong)復5-6次(ci)）-搪(tang)(tang)燒(shao)厚(hou)度(du)檢驗-高電(dian)壓試驗-強度(du)試驗-氣(qi)密(mi)試驗-高電(dian)壓復驗等流(liu)程；該方法對各個(ge)環節流(liu)程數據化，明確各環節控(kong)制參數，提(ti)高搪(tang)(tang)燒(shao)質量，簡化制作流(liu)程，且(qie)過程參數簡單易(yi)懂(dong)、方便可控(kong)。

2、為了實(shi)現(xian)本發明(ming)中設備的(de)制(zhi)作(zuo)，本發明(ming)的(de)主(zhu)要(yao)工藝流程為：

3、本發(fa)明提供了一種搪(tang)玻璃設備的搪(tang)燒(shao)流(liu)程控制工藝，包括(kuo)以下(xia)步驟(zou)：

4、（1）按(an)照標準控(kong)制基(ji)(ji)材選取，基(ji)(ji)體制備過程(cheng)嚴格組對(dui)錯邊，基(ji)(ji)體制備完成后對(dui)基(ji)(ji)體內(nei)部進行拋光處理；

5、（2）基體拋光后進(jin)(jin)行(xing)基體的(de)預燒處(chu)理，搪燒消應后進(jin)(jin)行(xing)基體噴砂(sha)處(chu)理；

6、（3）完成(cheng)基(ji)體質量檢(jian)查后，對基(ji)體內表面和基(ji)體外表面別(bie)噴涂一遍底釉(you)；

7、（4）采取曲(qu)線(xian)燒(shao)成工藝進行(xing)底(di)(di)釉搪(tang)燒(shao)，基體內(nei)部(bu)重(zhong)復(fu)一(yi)次底(di)(di)釉噴涂(tu)及搪(tang)燒(shao)；

8、（5）底釉(you)搪燒完成(cheng)在基體內表面(mian)噴涂(tu)面(mian)釉(you)，采取曲(qu)線燒成(cheng)工藝(yi)進(jin)行(xing)面(mian)釉(you)搪燒；

9、（6）采用曲線燒(shao)成工(gong)藝(yi)重復進行面釉搪燒(shao)，每次搪燒(shao)溫度逐級遞減，同時調整搪燒(shao)角度；

10、（7）面釉搪燒完(wan)成后進(jin)(jin)行(xing)(xing)高(gao)電(dian)壓試驗(yan)(yan)，高(gao)電(dian)壓檢驗(yan)(yan)合格后進(jin)(jin)行(xing)(xing)基(ji)體強度試驗(yan)(yan)，強度試驗(yan)(yan)合格后進(jin)(jin)行(xing)(xing)基(ji)體氣密試驗(yan)(yan)，氣密試驗(yan)(yan)完(wan)成后再次進(jin)(jin)行(xing)(xing)高(gao)電(dian)壓復驗(yan)(yan)即可。

11、進一步的，步驟（1）中，所(suo)述基材的碳含量≤0.06%；所(suo)述錯邊的控制為(wei)：管口、筒(tong)體(ti)錯邊宜(yi)≤1mm，最大(da)錯邊不(bu)超2mm；所(suo)述拋光的精(jing)度(du)為(wei)ra?5.9-6.3。

12、進(jin)一(yi)步的(de)，步驟(zou)（2）中(zhong)，所述預燒處理為(wei)(wei)控制溫度(du)在940（±5）℃，預燒時間5-8min；所述噴砂(sha)處理的(de)過程中(zhong)，基體內表(biao)面噴砂(sha)粗糙度(du)為(wei)(wei)0.3-0.5mm。

13、進(jin)一步的(de)(de)，步驟（3）中，內(nei)表(biao)面的(de)(de)底釉每一遍的(de)(de)搪燒(shao)厚度為0.2-0.3mm；基體(ti)外部的(de)(de)底釉的(de)(de)搪燒(shao)厚度為0.1-0.2mm。

14、進一(yi)步的(de)，步驟（4）中，所(suo)述底釉曲線燒成工藝，第(di)一(yi)遍(bian)底釉的(de)的(de)參(can)數為(wei)(wei)(wei)：第(di)一(yi)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)區間(jian)(jian)(jian)為(wei)(wei)(wei)580-620?℃，恒(heng)溫(wen)(wen)30分鐘(zhong)(zhong)；第(di)二溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)區間(jian)(jian)(jian)為(wei)(wei)(wei)685-725?℃，恒(heng)溫(wen)(wen)15分鐘(zhong)(zhong)；第(di)三(san)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)區間(jian)(jian)(jian)為(wei)(wei)(wei)930-950?℃，恒(heng)溫(wen)(wen)10分鐘(zhong)(zhong)；第(di)二遍(bian)底釉的(de)參(can)數為(wei)(wei)(wei)：第(di)一(yi)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)區間(jian)(jian)(jian)為(wei)(wei)(wei)580-620?℃，恒(heng)溫(wen)(wen)30分鐘(zhong)(zhong)；第(di)二溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)區間(jian)(jian)(jian)為(wei)(wei)(wei)685-725?℃，恒(heng)溫(wen)(wen)15分鐘(zhong)(zhong)；第(di)三(san)溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)區間(jian)(jian)(jian)為(wei)(wei)(wei)920-940?℃，恒(heng)溫(wen)(wen)10分鐘(zhong)(zhong)；升溫(wen)(wen)速(su)率為(wei)(wei)(wei)250℃-400℃/小時。

15、進一(yi)步(bu)的，步(bu)驟（5）中，所述(shu)面(mian)釉噴涂的厚度控制在0.2-0.3mm。

16、進一(yi)(yi)步的(de)(de)，步驟（6）中，第(di)(di)一(yi)(yi)遍面(mian)釉(you)的(de)(de)曲(qu)線燒成工藝的(de)(de)參數(shu)為(wei)(wei)：第(di)(di)一(yi)(yi)溫(wen)度(du)區(qu)間(jian)為(wei)(wei)685-725?℃，恒溫(wen)15分鐘(zhong)；第(di)(di)二溫(wen)度(du)區(qu)間(jian)為(wei)(wei)930-950?℃，恒溫(wen)10分鐘(zhong)；升溫(wen)速率為(wei)(wei)250℃-400℃/小時；重(zhong)復(fu)噴(pen)涂(tu)搪燒面(mian)釉(you)過程中，第(di)(di)一(yi)(yi)溫(wen)度(du)區(qu)間(jian)同第(di)(di)一(yi)(yi)遍面(mian)釉(you)的(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)溫(wen)度(du)區(qu)間(jian)，第(di)(di)二溫(wen)度(du)區(qu)間(jian)逐(zhu)級遞減(jian)，每次逐(zhu)級遞減(jian)的(de)(de)溫(wen)度(du)為(wei)(wei)5-15℃；重(zhong)復(fu)噴(pen)涂(tu)和搪燒面(mian)釉(you)的(de)(de)次數(shu)為(wei)(wei)5-6次。

17、進一步的，步驟（7）中，面(mian)釉搪(tang)燒完成后，最(zui)終搪(tang)燒的釉的厚度(du)為1.2-2.0mm。

18、本發明(ming)提供(gong)的(de)(de)(de)控(kong)制工藝(yi)，基材成分(fen)控(kong)制要(yao)(yao)求(qiu)碳含量應≤0.06%，明(ming)顯低(di)于(yu)標準(zhun)要(yao)(yao)求(qiu)的(de)(de)(de)0.19%，含碳量低(di)于(yu)0.06%燒成的(de)(de)(de)搪玻璃(li)設(she)備相(xiang)較于(yu)0.19%燒成的(de)(de)(de)搪玻璃(li)設(she)備能夠明(ming)顯降低(di)搪玻璃(li)層因(yin)熱(re)縮現象產生的(de)(de)(de)損壞。

19、本發明提供的控(kong)(kong)制(zhi)工藝(yi)，錯邊量是基體組裝、焊接控(kong)(kong)制(zhi)關鍵環節，對搪玻(bo)璃設備搪燒質量提升明顯。容(rong)易產生缺陷的接管(guan)位置，采用鍛件(jian)，降低搪燒缺陷。

20、本(ben)發明提供(gong)的控制(zhi)工(gong)藝(yi)，基體內部拋光(guang)精度宜為ra5.9-6.3，既能避免過度拋光(guang)提升(sheng)成本(ben)、避免基體的減薄，又可有效去(qu)除基體表面缺陷。

21、本發明提供的控(kong)制(zhi)工藝，基(ji)(ji)體(ti)(ti)應進(jin)行(xing)預燒處理，消(xiao)(xiao)除基(ji)(ji)體(ti)(ti)焊(han)接應力。同時也可對基(ji)(ji)體(ti)(ti)表面(mian)的油污等(deng)雜物進(jin)行(xing)清理，預燒溫度控(kong)制(zhi)非(fei)常重(zhong)要，既(ji)要保證應力消(xiao)(xiao)除又能(neng)避免溫度過高基(ji)(ji)體(ti)(ti)變形。

22、本發明(ming)提(ti)供的控制工藝，基(ji)體噴(pen)砂可提(ti)升(sheng)內部粗(cu)糙度(du)(du)(du)，促進(jin)瓷(ci)釉(you)與基(ji)體結(jie)合(he)(he)強(qiang)度(du)(du)(du)，噴(pen)砂后(hou)瓷(ci)釉(you)結(jie)合(he)(he)強(qiang)度(du)(du)(du)可提(ti)升(sheng)15%以上(shang)。噴(pen)砂房濕度(du)(du)(du)不宜大于70%。；噴(pen)砂完成(cheng)對(dui)基(ji)體內部缺(que)陷(xian)進(jin)行處(chu)理，待搪面不得有不利于搪玻璃的瑕疵，修(xiu)磨(mo)深度(du)(du)(du)不大于0.5mm，否則(ze)應(ying)進(jin)行補(bu)(bu)焊。補(bu)(bu)焊位置應(ying)使用(yong)砂輪片修(xiu)磨(mo)，保證(zheng)粗(cu)糙度(du)(du)(du)。缺(que)陷(xian)處(chu)理完成(cheng)應(ying)經專業人員(yuan)進(jin)一步確認基(ji)體內部處(chu)理質(zhi)量。

23、本(ben)(ben)發(fa)明(ming)提供的控(kong)制(zhi)工藝(yi)(yi)，底(di)釉(you)(you)搪(tang)燒(shao)宜在(zai)(zai)基體(ti)完成噴砂(sha)12h內完成，避免(mian)(mian)噴砂(sha)面返銹(xiu)影響(xiang)底(di)釉(you)(you)燒(shao)結質量，底(di)釉(you)(you)噴涂的搪(tang)燒(shao)厚度宜為0.2-0.3mm。在(zai)(zai)基體(ti)外部噴涂一(yi)層底(di)釉(you)(you)，底(di)釉(you)(you)噴涂搪(tang)燒(shao)厚度宜為0.1-02mm，可有(you)效降低(di)基體(ti)搪(tang)燒(shao)減薄，避免(mian)(mian)基材(cai)選取(qu)預留減薄量，有(you)利于控(kong)制(zhi)生(sheng)產成本(ben)(ben)。同時避免(mian)(mian)基體(ti)外表(biao)的雜物飄散在(zai)(zai)待搪(tang)面，消除搪(tang)燒(shao)過(guo)程常見的白(bai)點(dian)、雜物等質量缺陷。底(di)釉(you)(you)搪(tang)燒(shao)溫(wen)度宜控(kong)制(zhi)在(zai)(zai)920～940℃，采用曲線(xian)燒(shao)成工藝(yi)(yi)。（本(ben)(ben)處曲線(xian)燒(shao)成工藝(yi)(yi)指(zhi)搪(tang)燒(shao)爐自(zi)動控(kong)制(zhi)，根(gen)據設定的溫(wen)度曲線(xian)自(zi)動調節控(kong)溫(wen)，降低(di)人為干預，實現自(zi)動化(hua)搪(tang)燒(shao)）

24、本發明提供的(de)(de)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)工(gong)藝，面釉(you)噴(pen)(pen)涂(tu)厚度(du)(du)(du)宜控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)在(zai)0.2-0.3mm。底釉(you)搪(tang)(tang)燒(shao)溫度(du)(du)(du)宜控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)在(zai)905-925℃，應(ying)采用(yong)曲線燒(shao)成(cheng)工(gong)藝。重復面釉(you)噴(pen)(pen)涂(tu)、面釉(you)搪(tang)(tang)燒(shao)工(gong)藝要求及參數，每次搪(tang)(tang)燒(shao)溫度(du)(du)(du)依次遞(di)減，遞(di)減溫度(du)(du)(du)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)(zhi)在(zai)5-15℃，既能(neng)保(bao)證新搪(tang)(tang)層與原搪(tang)(tang)層的(de)(de)有效融和，又可避免對原搪(tang)(tang)層的(de)(de)損壞。角度(du)(du)(du)調(diao)整可有效調(diao)節搪(tang)(tang)燒(shao)過程的(de)(de)上、下厚薄不(bu)均勻，保(bao)證搪(tang)(tang)玻(bo)璃層流平、搪(tang)(tang)燒(shao)厚度(du)(du)(du)均勻。第(di)三(san)遍(bian)面釉(you)搪(tang)(tang)燒(shao)完成(cheng)開(kai)始應(ying)進(jin)行厚度(du)(du)(du)測(ce)量，便于后續噴(pen)(pen)涂(tu)作業對厚度(du)(du)(du)進(jin)行適當調(diao)整，最終(zhong)搪(tang)(tang)燒(shao)后度(du)(du)(du)應(ying)在(zai)1.2-1.8mm。

25、本發明的有益效果：

26、（1）本發明提(ti)供的(de)控制工藝，嚴(yan)格控制基體碳含量(liang)，提(ti)高基體韌性，明顯(xian)降低(di)搪(tang)玻璃層(ceng)因熱縮現象產生的(de)損壞。

27、（2）本(ben)發明提供(gong)的(de)控制(zhi)工藝(yi)，采用(yong)拋(pao)光+噴砂的(de)基體(ti)內部處理(li)工藝(yi)，可完全將基體(ti)內部缺陷消除(chu)，提升搪玻璃層(ceng)與基體(ti)層(ceng)結合(he)強(qiang)度。

28、（3）本發(fa)明提供的控制工藝，創造(zao)性的在(zai)(zai)基(ji)體(ti)外壁噴涂(tu)底釉，可有效降低(di)基(ji)體(ti)搪燒減(jian)(jian)薄，避(bi)免(mian)(mian)基(ji)材(cai)選取預留減(jian)(jian)薄量(liang)，對生產成本控制較(jiao)為有利。同時避(bi)免(mian)(mian)基(ji)體(ti)外表的雜物飄散在(zai)(zai)待(dai)搪面(mian)，消除(chu)搪燒過程(cheng)常見(jian)的白(bai)點(dian)、雜物等質量(liang)缺陷。

29、（4）本發(fa)明提供(gong)的(de)控制(zhi)工(gong)藝(yi)，創造(zao)性(xing)的(de)采用(yong)搪燒過程溫度逐級遞減，有效避(bi)免(mian)了(le)搪燒后搪玻(bo)璃層過程對前搪玻(bo)璃層造(zao)成的(de)損壞；在(zai)容易產生缺陷的(de)接管位置采用(yong)鍛(duan)件管口，保證接管搪玻(bo)璃層質量。