本發明涉(she)及半導體(ti)加工(gong)(gong)(gong)的(de)，具體(ti)涉(she)及了一(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)用(yong)于沉(chen)積(ji)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)的(de)襯套結構(gou)、一(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)沉(chen)積(ji)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)設備、一(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)沉(chen)積(ji)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)(yi)方(fang)法(fa)，以及一(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)計算機可讀存儲介(jie)質。

背景技術：

1、在(zai)半導體(ti)制造領域(yu)，工(gong)藝(yi)的穩(wen)定(ding)性(xing)決(jue)定(ding)了制造出來的電子(zi)器件(jian)的質量。因此，保證各(ge)個環節工(gong)藝(yi)的穩(wen)定(ding)性(xing)顯(xian)得(de)格外重(zhong)要。考(kao)慮到裝機(ji)的便(bian)利性(xing)，以(yi)及雙閥門控壓在(zai)沉(chen)積工(gong)藝(yi)設備上(shang)的表現，可以(yi)確定(ding)與控壓關(guan)聯性(xing)最大的是(shi)工(gong)藝(yi)腔內(nei)的有(you)效容(rong)積。

2、現有技術中，工(gong)(gong)(gong)藝(yi)腔(qiang)內(nei)可(ke)以包括側壁(bi)(bi)內(nei)襯(chen)(side?wall?liner)可(ke)以基于(yu)熱(re)場需要，對工(gong)(gong)(gong)藝(yi)腔(qiang)的不(bu)同區域進行熱(re)過渡，以給沉(chen)積(ji)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)提供合適的流場以及熱(re)場。但是，目前側壁(bi)(bi)內(nei)襯(chen)的結(jie)構(gou)較(jiao)為笨重，不(bu)利于(yu)操(cao)作人員進行安裝拆卸，并且(qie)較(jiao)為笨重的側壁(bi)(bi)內(nei)襯(chen)還(huan)會消耗(hao)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)腔(qiang)內(nei)的熱(re)預算，消耗(hao)設(she)備(bei)運行功(gong)耗(hao)，工(gong)(gong)(gong)藝(yi)成本難以降(jiang)低。而(er)且(qie)，由(you)于(yu)增(zeng)(zeng)加(jia)了三(san)切襯(chen)管，工(gong)(gong)(gong)藝(yi)腔(qiang)內(nei)的有效(xiao)容(rong)積(ji)減少，從而(er)就(jiu)(jiu)會影(ying)響腔(qiang)內(nei)氣流波動對于(yu)壓力(li)的敏(min)感度，氣流波動對于(yu)壓力(li)敏(min)感度的上升，容(rong)易增(zeng)(zeng)大(da)多閥門對各(ge)腔(qiang)體控壓的難度，也(ye)就(jiu)(jiu)會增(zeng)(zeng)大(da)多閥門控壓失效(xiao)的風(feng)險。最后，也(ye)容(rong)易增(zeng)(zeng)大(da)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)腔(qiang)內(nei)沉(chen)積(ji)出(chu)的薄膜的顆粒度(particle，pa)的風(feng)險。

3、為了解決現(xian)有技術中存在的(de)(de)(de)上述問(wen)題，本領域亟需一種(zhong)改進的(de)(de)(de)用(yong)于沉(chen)積(ji)工藝的(de)(de)(de)襯(chen)套結構，不僅能(neng)夠(gou)實現(xian)拆(chai)裝作業的(de)(de)(de)便利(li)性，對(dui)襯(chen)套減重，有利(li)于降低工藝成本，而(er)且還能(neng)夠(gou)規避對(dui)腔(qiang)(qiang)體流(liu)場的(de)(de)(de)影響，提(ti)高多閥控壓的(de)(de)(de)腔(qiang)(qiang)內壓力波(bo)動的(de)(de)(de)穩定(ding)性，提(ti)高腔(qiang)(qiang)體內流(liu)場狀(zhuang)態的(de)(de)(de)穩定(ding)性。

技術實現思路

1、以下給(gei)出(chu)一(yi)個(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)方(fang)面(mian)的(de)簡要概述(shu)以提(ti)供(gong)對(dui)這(zhe)些方(fang)面(mian)的(de)基本理解。此概述(shu)不是所有構想(xiang)到的(de)方(fang)面(mian)的(de)詳盡綜覽，并且既非(fei)旨在指認出(chu)所有方(fang)面(mian)的(de)關鍵性或(huo)(huo)決定性要素亦非(fei)試圖界定任何或(huo)(huo)所有方(fang)面(mian)的(de)范圍。其(qi)唯(wei)一(yi)的(de)目的(de)是要以簡化形式給(gei)出(chu)一(yi)個(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)方(fang)面(mian)的(de)一(yi)些概念以為稍(shao)后給(gei)出(chu)的(de)更加詳細的(de)描述(shu)之前序。

2、為了克服(fu)現有技(ji)術存(cun)在(zai)的(de)上述(shu)缺(que)陷，本發(fa)明提(ti)供了一種(zhong)(zhong)用于沉積(ji)工(gong)藝的(de)襯(chen)套(tao)結構、一種(zhong)(zhong)沉積(ji)工(gong)藝設(she)備(bei)、一種(zhong)(zhong)沉積(ji)工(gong)藝方法，以及一種(zhong)(zhong)計算機可讀存(cun)儲(chu)介(jie)質，不(bu)僅能夠(gou)實現拆裝作業的(de)便利性，對(dui)襯(chen)套(tao)減重，有利于降低工(gong)藝成本，而且還能夠(gou)規避對(dui)腔(qiang)(qiang)(qiang)體流場的(de)影響，提(ti)高多閥控壓的(de)腔(qiang)(qiang)(qiang)內壓力波(bo)動的(de)穩(wen)定性，提(ti)高腔(qiang)(qiang)(qiang)體內流場狀態的(de)穩(wen)定性。

3、具體(ti)來說，根(gen)據本發明的(de)(de)(de)(de)第(di)一方面(mian)提供的(de)(de)(de)(de)上述(shu)用(yong)于沉積工(gong)(gong)藝的(de)(de)(de)(de)襯(chen)套結(jie)構，包括(kuo)：環(huan)狀(zhuang)的(de)(de)(de)(de)襯(chen)套本體(ti)；第(di)一工(gong)(gong)藝槽(cao)，以(yi)第(di)一深度(du)(du)開(kai)(kai)設(she)于所(suo)述(shu)襯(chen)套本體(ti)的(de)(de)(de)(de)內壁，用(yong)以(yi)固定夾持(chi)件；以(yi)及第(di)二工(gong)(gong)藝槽(cao)，以(yi)第(di)二深度(du)(du)開(kai)(kai)設(she)于所(suo)述(shu)襯(chen)套本體(ti)的(de)(de)(de)(de)外(wai)壁，其(qi)中，所(suo)述(shu)第(di)二工(gong)(gong)藝槽(cao)的(de)(de)(de)(de)槽(cao)面(mian)上分(fen)布多個真(zhen)空測量孔，用(yong)以(yi)連(lian)通所(suo)述(shu)襯(chen)套本體(ti)環(huan)內和環(huan)外(wai)的(de)(de)(de)(de)氣壓(ya)。

4、進一步地(di)，在本發(fa)明的一些實施(shi)例(li)中，襯套結構還(huan)包括：第三(san)工(gong)藝槽(cao)，其中，所述第三(san)工(gong)藝槽(cao)位于所述第二工(gong)藝槽(cao)的下部，以(yi)第三(san)深度開設于所述襯套本體的外壁。

5、進一(yi)(yi)步地，在本(ben)發明的(de)一(yi)(yi)些實施例中，所(suo)述(shu)第一(yi)(yi)工藝槽為環(huan)狀槽，開(kai)設于(yu)所(suo)述(shu)襯套(tao)本(ben)體的(de)內壁的(de)上方(fang)。

6、進一步(bu)地(di)，在本發明的(de)一些實施例中，所(suo)述真空(kong)測量孔的(de)孔徑大于3mm。

7、此外(wai)，根(gen)據本發明的(de)(de)(de)(de)第二方面(mian)(mian)提供(gong)(gong)的(de)(de)(de)(de)上(shang)述沉積工(gong)藝(yi)設(she)備，包(bao)括(kuo)(kuo)：多(duo)(duo)(duo)個工(gong)藝(yi)腔(qiang)(qiang)，其中(zhong)，各所述工(gong)藝(yi)腔(qiang)(qiang)的(de)(de)(de)(de)內(nei)部包(bao)括(kuo)(kuo)本發明的(de)(de)(de)(de)第一方面(mian)(mian)提供(gong)(gong)的(de)(de)(de)(de)上(shang)述用于沉積工(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)(de)襯套結構；以及控壓組件(jian)，分別經由多(duo)(duo)(duo)條(tiao)管(guan)路的(de)(de)(de)(de)第一端連接對應的(de)(de)(de)(de)工(gong)藝(yi)腔(qiang)(qiang)，其中(zhong)，所述多(duo)(duo)(duo)條(tiao)管(guan)路設(she)有多(duo)(duo)(duo)個直(zhi)通(tong)閥(fa)，各所述直(zhi)通(tong)閥(fa)獨立(li)控制其對應的(de)(de)(de)(de)工(gong)藝(yi)腔(qiang)(qiang)內(nei)的(de)(de)(de)(de)氣壓。

8、進一(yi)步地(di)，在本(ben)發明的一(yi)些實施(shi)例中，沉積工藝設(she)備還(huan)包括：真(zhen)空(kong)(kong)泵，其(qi)中，所(suo)述(shu)多條(tiao)管路的第二端先合(he)并為(wei)一(yi)條(tiao)真(zhen)空(kong)(kong)管路，再連接至(zhi)所(suo)述(shu)真(zhen)空(kong)(kong)泵，所(suo)述(shu)真(zhen)空(kong)(kong)管路上設(she)有門閥，用以(yi)總控各所(suo)述(shu)工藝腔的氣壓。

9、進一步地，在本發明的(de)(de)一些實施例中(zhong)，所(suo)述(shu)襯套結(jie)(jie)構(gou)設置(zhi)于所(suo)述(shu)工(gong)藝(yi)腔的(de)(de)上方(fang)，所(suo)述(shu)襯套結(jie)(jie)構(gou)中(zhong)的(de)(de)第一工(gong)藝(yi)槽位(wei)于三切襯管(guan)的(de)(de)導(dao)流結(jie)(jie)構(gou)之后(hou)。

10、進一步地，在本發明的(de)一些(xie)實施例中(zhong)，沉積工(gong)藝設備，還包括：真空(kong)規(gui)，其中(zhong)，所(suo)述襯套(tao)(tao)結構(gou)中(zhong)的(de)第二(er)工(gong)藝槽(cao)和所(suo)述工(gong)藝腔(qiang)的(de)腔(qiang)體(ti)內(nei)壁形(xing)成第二(er)腔(qiang)體(ti)，所(suo)述真空(kong)規(gui)經由所(suo)述第二(er)腔(qiang)體(ti)連通所(suo)述第二(er)工(gong)藝槽(cao)，并且(qie)通過所(suo)述第二(er)工(gong)藝槽(cao)表(biao)面的(de)多個真空(kong)測量孔(kong)測量所(suo)述襯套(tao)(tao)結構(gou)的(de)環內(nei)氣壓。

11、此外，根(gen)據本(ben)發明的(de)(de)(de)(de)第三方面提供的(de)(de)(de)(de)上述(shu)沉積工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)方法，包括以下步(bu)驟：通過真空規，確定沉積工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)設備的(de)(de)(de)(de)多(duo)個(ge)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)腔(qiang)內的(de)(de)(de)(de)襯(chen)套(tao)(tao)本(ben)體的(de)(de)(de)(de)環內氣壓(ya)；根(gen)據各所述(shu)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)腔(qiang)的(de)(de)(de)(de)目(mu)(mu)標氣壓(ya)，調整連接各所述(shu)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)腔(qiang)的(de)(de)(de)(de)直通閥的(de)(de)(de)(de)開度，以使各所述(shu)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)腔(qiang)內的(de)(de)(de)(de)環內氣壓(ya)滿(man)足(zu)(zu)對應(ying)的(de)(de)(de)(de)目(mu)(mu)標氣壓(ya)；以及響(xiang)應(ying)于任一所述(shu)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)腔(qiang)的(de)(de)(de)(de)環內氣壓(ya)滿(man)足(zu)(zu)對應(ying)的(de)(de)(de)(de)目(mu)(mu)標氣壓(ya)，對對應(ying)的(de)(de)(de)(de)襯(chen)套(tao)(tao)本(ben)體內的(de)(de)(de)(de)晶圓進行沉積工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)。

12、此外，根據本(ben)發(fa)明的(de)(de)第(di)三方面還提(ti)供(gong)了一(yi)種計(ji)(ji)算(suan)(suan)機可讀存(cun)(cun)儲(chu)(chu)介質，其(qi)上(shang)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)有(you)計(ji)(ji)算(suan)(suan)機指(zhi)令。所(suo)述計(ji)(ji)算(suan)(suan)機指(zhi)令被處理器執行時，實施本(ben)發(fa)明的(de)(de)第(di)三方面提(ti)供(gong)的(de)(de)上(shang)述的(de)(de)沉積工藝方法。

技術特征：

1.一種用于沉積工藝的襯(chen)套結構，其特征在于，包括：

2.如(ru)權利要求1所述的襯套結構，其特征在于(yu)，還包括：

3.如權利要(yao)求1所(suo)述的襯套(tao)結構，其特征在于，所(suo)述第一(yi)工藝(yi)槽(cao)為環狀槽(cao)，開設于所(suo)述襯套(tao)本體(ti)的內壁的上方。

4.如權利要求1所述的襯套結構，其(qi)特征(zheng)在于，所述真空測量(liang)孔的孔徑大于3mm。

5.一種沉(chen)積工藝設(she)備(bei)，其特(te)征在于，包括：

6.如權利要求5所述的沉(chen)積(ji)工藝設備，其(qi)特征在(zai)于，還包括：

7.如權利要(yao)求5所述的(de)沉積工(gong)藝(yi)(yi)設(she)備，其特(te)征在于(yu)，所述襯套(tao)結構(gou)設(she)置(zhi)于(yu)所述工(gong)藝(yi)(yi)腔的(de)上(shang)方，所述襯套(tao)結構(gou)中的(de)第一工(gong)藝(yi)(yi)槽位于(yu)三切襯管的(de)導流結構(gou)之后。

8.如權利要求5所述的沉(chen)積工藝設備，其(qi)特征(zheng)在(zai)于，還包括：

9.一種(zhong)沉積工藝(yi)方(fang)法，其特征在于，包括(kuo)以下步(bu)驟：

10.一種計(ji)算(suan)機可讀存儲(chu)介質，其上存儲(chu)有(you)計(ji)算(suan)機指(zhi)令，其特征在于，所述(shu)計(ji)算(suan)機指(zhi)令被處理器執行時，實(shi)施如權利要(yao)求(qiu)9所述(shu)的沉積工藝(yi)方法(fa)。

技術總結
本發明公開了一種用于沉積工藝的襯套結構、沉積工藝設備以及沉積工藝的方法。襯套結構包括：環狀的襯套本體；第一工藝槽，以第一深度開設于所述襯套本體的內壁，用以固定夾持件；以及第二工藝槽，以第二深度開設于所述襯套本體的外壁，其中，所述第二工藝槽的槽面上分布多個真空測量孔，用以連通所述襯套本體環內和環外的氣壓。通過上述襯套結構，不僅能夠實現拆裝作業的便利性，對襯套減重，有利于降低工藝成本，而且還能夠規避對腔體流場的影響，提高多閥控壓的腔內壓力波動的穩定性，提高腔體內流場狀態的穩定性。

技術研發人員：孫少東,姜崴,王婷
受保護的技術使用者：拓荊創益（沈陽）半導體設備有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/19