本發明涉及(ji)集成電路制造，尤其(qi)涉及(ji)一種嵌入式閃存及(ji)其(qi)制造方(fang)法。

背景技術：

1、嵌(qian)(qian)入式閃(shan)存(cun)(cun)(cun)(embedded?flash，e-flash)與獨立式存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)器最大的(de)區(qu)別在于，嵌(qian)(qian)入式閃(shan)存(cun)(cun)(cun)將存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)電(dian)路(lu)(lu)(lu)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)與邏(luo)(luo)輯(ji)電(dian)路(lu)(lu)(lu)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(例(li)如cmos電(dian)路(lu)(lu)(lu))集成(cheng)。所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)電(dian)路(lu)(lu)(lu)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)中(zhong)通常包括選(xuan)(xuan)擇(ze)(ze)晶(jing)體管(guan)和(he)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)浮(fu)(fu)柵(zha)晶(jing)體管(guan)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)選(xuan)(xuan)擇(ze)(ze)晶(jing)體管(guan)中(zhong)的(de)選(xuan)(xuan)擇(ze)(ze)柵(zha)極(ji)(ji)用(yong)于控(kong)(kong)制(zhi)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)單(dan)元中(zhong)源(yuan)漏通道的(de)選(xuan)(xuan)通與關閉。所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)浮(fu)(fu)柵(zha)晶(jing)體管(guan)包括浮(fu)(fu)置柵(zha)極(ji)(ji)和(he)控(kong)(kong)制(zhi)柵(zha)極(ji)(ji)，其中(zhong)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)浮(fu)(fu)置柵(zha)極(ji)(ji)用(yong)于存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)電(dian)荷，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)控(kong)(kong)制(zhi)柵(zha)極(ji)(ji)用(yong)于控(kong)(kong)制(zhi)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)浮(fu)(fu)置柵(zha)極(ji)(ji)。所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)邏(luo)(luo)輯(ji)電(dian)路(lu)(lu)(lu)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)中(zhong)包括邏(luo)(luo)輯(ji)晶(jing)體管(guan)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)邏(luo)(luo)輯(ji)晶(jing)體管(guan)中(zhong)包括外圍柵(zha)極(ji)(ji)。所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)邏(luo)(luo)輯(ji)電(dian)路(lu)(lu)(lu)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)與所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)電(dian)路(lu)(lu)(lu)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)電(dian)連(lian)接，用(yong)于向所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)電(dian)路(lu)(lu)(lu)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)傳輸控(kong)(kong)制(zhi)信號。由于邏(luo)(luo)輯(ji)電(dian)路(lu)(lu)(lu)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)與存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)(chu)電(dian)路(lu)(lu)(lu)結(jie)(jie)(jie)構(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)存(cun)(cun)(cun)在較大的(de)差別，因而，當前嵌(qian)(qian)入式閃(shan)存(cun)(cun)(cun)的(de)制(zhi)造工藝(yi)復(fu)雜，且需要使用(yong)數量較多的(de)光罩，這(zhe)不僅導致了(le)嵌(qian)(qian)入式閃(shan)存(cun)(cun)(cun)的(de)制(zhi)造成(cheng)本(ben)較高，而且降低了(le)嵌(qian)(qian)入式閃(shan)存(cun)(cun)(cun)的(de)生(sheng)成(cheng)效率和(he)制(zhi)造良率。

2、因此(ci)，如何簡化(hua)嵌入(ru)式閃存的(de)制造工藝，降低嵌入(ru)式閃存的(de)制造成本(ben)，是當前亟待解決的(de)技(ji)術問題。

技術實現思路

1、本發明(ming)提(ti)供一種(zhong)嵌入(ru)式(shi)閃(shan)(shan)(shan)存及其制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)方法，用于簡化嵌入(ru)式(shi)閃(shan)(shan)(shan)存的制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)工藝，降低(di)嵌入(ru)式(shi)閃(shan)(shan)(shan)存的制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)成(cheng)本，從而提(ti)高嵌入(ru)式(shi)閃(shan)(shan)(shan)存的生產效率(lv)和制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)良率(lv)。

2、根據一些實施例，本發明(ming)提供了一種嵌(qian)入式閃存的制(zhi)造方法，包括如下步驟：

3、提供襯底，所述襯底包(bao)括(kuo)存儲(chu)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)以及位于所述存儲(chu)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)外部的邏輯區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)，所述存儲(chu)區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)包(bao)括(kuo)選(xuan)擇區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)和浮(fu)柵區(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)；

4、形成連續分布于所述(shu)存(cun)儲區域(yu)(yu)和(he)所述(shu)邏輯區域(yu)(yu)的第一柵(zha)極材料層；

5、形成(cheng)覆蓋所述(shu)浮柵區域上的所述(shu)第一(yi)柵極材料層的控制柵介(jie)質(zhi)材料層；

6、形成覆蓋所述第一柵(zha)極材料(liao)層和所述控制(zhi)柵(zha)介質材料(liao)層的(de)第二柵(zha)極材料(liao)層；

7、圖(tu)案化(hua)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)材(cai)料(liao)層、所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)材(cai)料(liao)層和所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)控(kong)制(zhi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)質(zhi)材(cai)料(liao)層，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)邏輯區(qu)域(yu)剩(sheng)(sheng)(sheng)余(yu)的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)材(cai)料(liao)層和所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)材(cai)料(liao)層共同形(xing)成邏輯柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)選擇(ze)(ze)區(qu)域(yu)剩(sheng)(sheng)(sheng)余(yu)的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)材(cai)料(liao)層和所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)材(cai)料(liao)層共同作(zuo)為選擇(ze)(ze)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)浮柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)區(qu)域(yu)剩(sheng)(sheng)(sheng)余(yu)的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)一柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)材(cai)料(liao)層作(zuo)為浮置柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)浮柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)區(qu)域(yu)剩(sheng)(sheng)(sheng)余(yu)的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)控(kong)制(zhi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)質(zhi)材(cai)料(liao)層作(zuo)為控(kong)制(zhi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)介(jie)質(zhi)層，且所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)浮柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)區(qu)域(yu)剩(sheng)(sheng)(sheng)余(yu)的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)材(cai)料(liao)層作(zuo)為控(kong)制(zhi)柵(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)。

8、在一(yi)些(xie)實施(shi)例中(zhong)，形成連續(xu)分布于所述(shu)(shu)存儲區(qu)域(yu)和所述(shu)(shu)邏(luo)輯區(qu)域(yu)的第一(yi)柵極(ji)材料層(ceng)之(zhi)前，還包括如下步驟(zou)：

9、于所述邏輯(ji)區域(yu)上(shang)方形(xing)成(cheng)覆(fu)蓋(gai)所述襯(chen)(chen)底的(de)邏輯(ji)柵(zha)介質層，并于所述存儲(chu)區域(yu)上(shang)方形(xing)成(cheng)覆(fu)蓋(gai)所述襯(chen)(chen)底的(de)隧穿介質層。

10、在一些實(shi)施例中，于所(suo)述邏輯區域(yu)上方(fang)形成覆蓋所(suo)述襯(chen)(chen)底(di)的邏輯柵(zha)介(jie)質層，并于所(suo)述存儲(chu)區域(yu)上方(fang)形成覆蓋所(suo)述襯(chen)(chen)底(di)的隧穿介(jie)質層的具體(ti)步驟包括：

11、形成(cheng)覆蓋所述(shu)邏輯區域(yu)和所述(shu)存儲區域(yu)的第(di)一氧(yang)化物材(cai)料(liao)層；

12、去(qu)除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)存儲區域的所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一氧化物材(cai)料層(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)邏(luo)輯區域剩余(yu)的所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一氧化物材(cai)料層(ceng)作(zuo)為所(suo)(suo)(suo)述(shu)邏(luo)輯柵介質層(ceng)；

13、于所(suo)述(shu)存(cun)儲區域(yu)形成(cheng)覆蓋所(suo)述(shu)襯底的第二氧化物(wu)材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)，并以所(suo)述(shu)第二氧化物(wu)材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)作為所(suo)述(shu)隧(sui)穿(chuan)介質(zhi)層(ceng)(ceng)。

14、在一(yi)些實施例中，形成連續(xu)分布于所述存(cun)儲區域和(he)所述邏輯區域的第(di)一(yi)柵極材(cai)料層的具體(ti)步驟(zou)包括(kuo)：

15、沉(chen)積(ji)連續覆蓋所述(shu)(shu)邏(luo)輯柵介(jie)質層和(he)所述(shu)(shu)隧(sui)穿介(jie)質層的所述(shu)(shu)第一(yi)柵極材料層；

16、去除部(bu)分的(de)所(suo)述(shu)第一(yi)(yi)柵極材料層(ceng)，使得剩余(yu)的(de)所(suo)述(shu)第一(yi)(yi)柵極材料層(ceng)具(ju)有(you)第一(yi)(yi)厚度。

17、在一些實(shi)施例(li)中，去除部分的所(suo)述第一柵極(ji)材(cai)料層(ceng)的具體(ti)步驟包括(kuo)：

18、采用化學機械(xie)研磨(mo)工(gong)藝去除(chu)部分的所述第一柵極材料(liao)層(ceng)。

19、在一(yi)些實施例中，形成覆蓋所(suo)述浮柵(zha)區域上的(de)所(suo)述第(di)一(yi)柵(zha)極材料層的(de)控制柵(zha)介質材料層的(de)具體步驟(zou)包括：

20、形成覆蓋(gai)所述存儲區(qu)域上和所述邏輯區(qu)域上的(de)所述第一柵極材料層的(de)控(kong)制柵介質材料層；

21、采(cai)用干法刻蝕工藝去除所(suo)述(shu)(shu)邏輯區域(yu)和所(suo)述(shu)(shu)選(xuan)擇區域(yu)的所(suo)述(shu)(shu)控制柵介質材料層。

22、在(zai)一(yi)些實施(shi)例中，形成(cheng)覆蓋所述存儲區(qu)域上和所述邏輯(ji)區(qu)域上的所述第(di)一(yi)柵(zha)極材(cai)料(liao)層的控制柵(zha)介(jie)質(zhi)材(cai)料(liao)層的具(ju)體步驟包(bao)括(kuo)：

23、形成覆(fu)蓋(gai)所述存儲區域上和所述邏輯(ji)區域上的所述第一柵極材(cai)料層(ceng)的第一子控制柵介質材(cai)料層(ceng)；

24、形成覆蓋所述第一(yi)子控(kong)制(zhi)柵(zha)介質材料層的第二子控(kong)制(zhi)柵(zha)介質材料層；

25、形成(cheng)覆蓋所述第(di)二子控制(zhi)柵介(jie)(jie)質材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)(ceng)的(de)第(di)三子控制(zhi)柵介(jie)(jie)質材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)(ceng)，并(bing)以所述第(di)一子控制(zhi)柵介(jie)(jie)質材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)(ceng)、所述第(di)二子控制(zhi)柵介(jie)(jie)質材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)(ceng)和所述第(di)三子控制(zhi)柵介(jie)(jie)質材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)(ceng)共同作為所述控制(zhi)柵介(jie)(jie)質材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)(ceng)。

26、在一些(xie)實施例(li)中，形(xing)成覆蓋(gai)所述(shu)第一柵極材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)和所述(shu)控(kong)制柵介(jie)質(zhi)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)的(de)第二(er)柵極材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)的(de)具體(ti)步驟包括：

27、沉積具(ju)有第二厚度(du)且覆蓋(gai)所述(shu)第一柵(zha)(zha)極材(cai)料(liao)(liao)層(ceng)和所述(shu)控制柵(zha)(zha)介質材(cai)料(liao)(liao)層(ceng)的第二柵(zha)(zha)極材(cai)料(liao)(liao)層(ceng)。

28、在一(yi)些實施例中，所述(shu)第一(yi)柵(zha)極材料層的材料與所述(shu)第二柵(zha)極材料層的材料相(xiang)同。

29、在一些實施例中，圖(tu)案(an)化所述第二柵極材(cai)料層(ceng)、所述第一柵極材(cai)料層(ceng)和所述控制柵介質(zhi)材(cai)料層(ceng)的具體步驟(zou)包括：

30、刻蝕所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)邏輯(ji)區域的(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)極(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)極(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)，并(bing)同時刻蝕所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)存(cun)儲(chu)(chu)區域的(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)極(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)、所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)控(kong)制(zhi)(zhi)柵(zha)(zha)介質材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)極(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)，于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)邏輯(ji)區域形成(cheng)第(di)(di)一(yi)隔離(li)(li)槽，并(bing)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)存(cun)儲(chu)(chu)區域形成(cheng)第(di)(di)二(er)(er)隔離(li)(li)槽，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔離(li)(li)槽將所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)邏輯(ji)區域的(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)極(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)極(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)分隔為(wei)多個所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)邏輯(ji)柵(zha)(zha)極(ji)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)隔離(li)(li)槽將所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)存(cun)儲(chu)(chu)區域的(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)柵(zha)(zha)極(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)柵(zha)(zha)極(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)分隔為(wei)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)選(xuan)擇柵(zha)(zha)極(ji)、所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)浮置柵(zha)(zha)極(ji)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)控(kong)制(zhi)(zhi)柵(zha)(zha)極(ji)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)隔離(li)(li)槽還將所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)控(kong)制(zhi)(zhi)柵(zha)(zha)介質材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)分隔為(wei)控(kong)制(zhi)(zhi)柵(zha)(zha)介質層(ceng)(ceng)。

31、根據另一(yi)些實施例，本發(fa)明還提供了一(yi)種嵌入式閃存(cun)，包括(kuo)：

32、襯(chen)底，述襯(chen)底包(bao)括(kuo)(kuo)存儲(chu)區(qu)(qu)域(yu)(yu)以及位(wei)于所述存儲(chu)區(qu)(qu)域(yu)(yu)外(wai)部的邏輯區(qu)(qu)域(yu)(yu)，所述存儲(chu)區(qu)(qu)域(yu)(yu)包(bao)括(kuo)(kuo)選擇區(qu)(qu)域(yu)(yu)和浮柵區(qu)(qu)域(yu)(yu)；

33、邏(luo)(luo)輯柵(zha)極(ji)(ji)，位于(yu)(yu)所(suo)述(shu)襯底的所(suo)述(shu)邏(luo)(luo)輯區域上，所(suo)述(shu)邏(luo)(luo)輯柵(zha)極(ji)(ji)包括(kuo)第一子邏(luo)(luo)輯柵(zha)極(ji)(ji)和覆蓋于(yu)(yu)所(suo)述(shu)第一子邏(luo)(luo)輯柵(zha)極(ji)(ji)上的第二子邏(luo)(luo)輯柵(zha)極(ji)(ji)；

34、選(xuan)(xuan)擇(ze)(ze)柵(zha)極(ji)(ji)，位于(yu)所述襯底的(de)所述選(xuan)(xuan)擇(ze)(ze)區域上，所述選(xuan)(xuan)擇(ze)(ze)柵(zha)極(ji)(ji)包括第一(yi)子選(xuan)(xuan)擇(ze)(ze)柵(zha)極(ji)(ji)和覆蓋于(yu)所述第一(yi)子選(xuan)(xuan)擇(ze)(ze)柵(zha)極(ji)(ji)上的(de)第二子選(xuan)(xuan)擇(ze)(ze)柵(zha)極(ji)(ji)；

35、浮置(zhi)柵極(ji)，位于所述襯底的所述浮柵區域上(shang)；

36、控制柵(zha)介(jie)質層(ceng)，位于所述(shu)浮置柵(zha)極(ji)背(bei)離所述(shu)襯底的表面(mian)上；

37、控制柵(zha)極(ji)，位于所述控制柵(zha)介質層背離所述浮置柵(zha)極(ji)的(de)表面(mian)上。

38、在一(yi)(yi)些實施(shi)例中，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)子(zi)(zi)邏(luo)輯柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)的材料(liao)、所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)子(zi)(zi)選(xuan)擇柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)的材料(liao)和所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)浮置柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)的材料(liao)均相同(tong)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第二子(zi)(zi)邏(luo)輯柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)的材料(liao)、所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第二子(zi)(zi)選(xuan)擇柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)的材料(liao)和所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)控(kong)制(zhi)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)的材料(liao)均相同(tong)。

39、在(zai)一(yi)些實施(shi)例中，所述(shu)選擇柵極中所述(shu)第(di)一(yi)子選擇柵極的厚(hou)度(du)和(he)所述(shu)浮置柵極的厚(hou)度(du)相等；

40、所述選擇(ze)柵(zha)(zha)(zha)極中所述第(di)二子(zi)選擇(ze)柵(zha)(zha)(zha)極的(de)厚(hou)度和(he)所述控制柵(zha)(zha)(zha)極的(de)厚(hou)度相(xiang)等。

41、在一(yi)些實(shi)施例中(zhong)，所(suo)(suo)述第一(yi)子(zi)邏(luo)輯(ji)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)的(de)材料(liao)(liao)(liao)、所(suo)(suo)述第二(er)子(zi)邏(luo)輯(ji)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)的(de)材料(liao)(liao)(liao)、所(suo)(suo)述第一(yi)子(zi)選擇柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)的(de)材料(liao)(liao)(liao)、所(suo)(suo)述第二(er)子(zi)選擇柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)的(de)材料(liao)(liao)(liao)、所(suo)(suo)述浮置柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)的(de)材料(liao)(liao)(liao)和所(suo)(suo)述控(kong)制(zhi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)的(de)材料(liao)(liao)(liao)均為(wei)多(duo)晶硅材料(liao)(liao)(liao)。

42、在(zai)一些(xie)實施例中，還包括(kuo)：

43、邏輯(ji)柵介質(zhi)層，位于(yu)所述邏輯(ji)柵極與所述襯底之間(jian)；

44、隧穿(chuan)介質(zhi)層，位于所(suo)述(shu)選擇(ze)柵極(ji)與所(suo)述(shu)襯底之(zhi)(zhi)間(jian)以及所(suo)述(shu)浮置柵極(ji)與所(suo)述(shu)襯底之(zhi)(zhi)間(jian)。

45、本(ben)發明提(ti)供的(de)嵌(qian)入(ru)式(shi)閃存及其制(zhi)造(zao)方(fang)法，先形(xing)成連續覆蓋存儲(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)和邏(luo)(luo)(luo)輯(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)，再在(zai)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)上形(xing)成同時(shi)分布于(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)存儲(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)邏(luo)(luo)(luo)輯(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)的(de)第(di)(di)二柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)，且通過(guo)同步(bu)刻蝕所(suo)述(shu)(shu)(shu)存儲(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)邏(luo)(luo)(luo)輯(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)的(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)，使(shi)得(de)邏(luo)(luo)(luo)輯(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)內的(de)邏(luo)(luo)(luo)輯(ji)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)的(de)制(zhi)造(zao)工藝與(yu)存儲(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)內的(de)選(xuan)擇柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)、浮置柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)和控制(zhi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)的(de)制(zhi)造(zao)工藝能(neng)夠同步(bu)進行，而且無需單獨的(de)工藝去除所(suo)述(shu)(shu)(shu)邏(luo)(luo)(luo)輯(ji)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)(yu)(yu)的(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二柵(zha)(zha)(zha)極(ji)(ji)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)，減少(shao)了所(suo)述(shu)(shu)(shu)嵌(qian)入(ru)式(shi)閃存制(zhi)造(zao)過(guo)程中(zhong)所(suo)需要使(shi)用(yong)的(de)光(guang)罩的(de)數量(liang)，降低(di)了所(suo)述(shu)(shu)(shu)嵌(qian)入(ru)式(shi)閃存的(de)制(zhi)造(zao)成本(ben)，從而提(ti)高了所(suo)述(shu)(shu)(shu)嵌(qian)入(ru)式(shi)閃存的(de)生產效率和制(zhi)造(zao)良(liang)率。