Led正裝芯片的高功率密度封裝模組的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于半導體照明器件技術領域，具體涉及LED正裝芯片的高功率密度封裝模組。
【背景技術】
[0002]隨著半導體技術的快速發展，LED封裝技術得到了長足的進步，大功率LED封裝器件也逐漸推廣應用于各種普通照明和特殊照明應用領域。目前LED封裝器件的功率可達到千瓦級，但功率密度相對較低。這還不能滿足眾多工業應用領域對高功率密度光輸出的需求。
[0003]CN 201410291560.7提出了一種LED倒裝芯片的大功率集成封裝結構，LED倒裝芯片焊接在正負極導電板間隔排布的封裝基板上，倒裝芯片的P型和N型電極橫跨正、負導電板，并分別與對應導電板電氣連接，實現了大功率的封裝模組。但是該封裝結構中，倒裝芯片的兩個電極必須準確對準相應導電板，而芯片本身的尺寸非常小，因此該發明的封裝精度要求很高，操作比較困難。
【發明內容】
[0004]本實用新型的目的是提供一種可靠性好的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，以實現十千瓦級的大功率LED器件封裝。
[0005]本實用新型提供的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其封裝基板表面為正、負極導電板交替排布的橫截面，LED正裝芯片的兩側P極和N極分別連接到相鄰的兩個正、負極導電板上，而所有正、負極導電板則分別與對應的驅動電源的正、負接口相連。
[0006]本實用新型中，所述封裝模組包含至少I組正、負極導電板，相鄰導電板之間有用于電氣絕緣的導熱絕緣層；所述導電板為具有高導熱系數的金屬板材或者為導電的非金屬板材，厚度在I mm以上。
[0007]本實用新型中，所述LED正裝芯片底部通過焊料或導熱膠或共晶焊粘結在相鄰的正、負導電板之間，每組正、負導電板上可以并聯有若干個LED正裝芯片；相同極性的導電板可以并聯或串聯形成模組的電輸出端。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組的正視圖。
[0009]圖2為本實用新型的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組的俯視圖。
[0010]圖3為本實用新型的負極單焊盤垂直芯片的封裝模組的正視圖。
[0011]圖4為本實用新型的負極單焊盤垂直芯片的封裝模組的俯視圖。
[0012]圖5為本實用新型的負極雙焊盤垂直芯片的封裝模組的正視圖。
[0013]圖6為本實用新型的負極雙焊盤垂直芯片的封裝模組的俯視圖。
[0014]圖中標號:1一正極導電板；2—絕緣Jj父；3一負極導電板；4一LED芯片；5—芯片N型電極；6—芯片P型電極；7—金線；8—導熱膠；9一導電膠。
【具體實施方式】
[0015]以下結合附圖和實施例，對本實用新型做進一步說明。所描述的實施例僅為本實用新型的部分實施例。基于本實用新型中的實施例而未作出創造性成果的其他所有實施例，都屬于本實用新型的保護范圍。
[0016]實施例1:本實用新型的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其結構如圖1和圖2所示。封裝基板由兩組正極導電板I和負極導電板3交替排列構成。導電板厚度為2 _，長度為20 _。相鄰導電板之間采用絕緣膠2進行電氣絕緣。封裝模組中包含十個功率為10 W的紫外LED正裝芯片4，分為兩排。芯片底部用導熱膠8粘結在封裝基板上，芯片的N型電極5和P型電極6分別通過金線7與負極導電板3和正極導電板I進行電連接。兩組導電板中，相同極性的導電板并聯，并連接到對應的電源接線端。
[0017]實施例2:本實用新型的負極單焊盤垂直芯片的高功率密度封裝模組，其結構如圖3和圖4所示。封裝基板由一個正極導電板I和兩個負極導電板3交替排列構成。正極導電板厚度為5 _，負極導電板厚度為I _，長度均為20 _。相鄰導電板之間采用絕緣膠2進行電氣絕緣。封裝模組中包含十個功率為10 W的紫外LED正裝芯片4，分為兩排。芯片底部的P型電極6用導電焊料9焊接在正極導電板I上，芯片的N型電極5通過金線7與相鄰負極導電板3連接。兩個負極導電板并聯。
[0018]實施例3:本實用新型的負極雙焊盤垂直芯片的高功率密度封裝模組，其結構如圖5和圖6所示。封裝基板由兩個正極導電板I和三個負極導電板3交替排列構成。正極導電板厚度為3 mm，負極導電板厚度為I mm，長度均為20 mm。相鄰導電板之間采用絕緣膠2進行電氣絕緣。封裝模組中包含十個功率為10 W的紫外LED正裝芯片4，分為兩行排列。芯片底部的P型電極6用導電焊料9焊接在正極導電板I上，芯片頂部兩側的N型電極5通過金線7與相鄰負極導電板3連接。相同極性的導電板并聯，并連接到對應的電源接線端。
【主權項】
1.一種LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其特征在于:封裝基板表面為正、負極導電板交替排布的橫截面，LED正裝芯片的兩側P極和N極分別連接到相鄰的兩個正、負極導電板上，而所有正、負極導電板則分別與對應的驅動電源的正、負接口相連。2.根據權利要求1所述的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其特征在于:包含至少I組正、負極導電板，相鄰導電板之間有用于電氣絕緣的導熱絕緣層；所述導電板為具有高導熱系數的金屬板材或者為導電的非金屬板材，厚度在I mm以上。3.根據權利要求2所述的LED正裝芯片的高功率密度封裝模組，其特征在于:所述LED正裝芯片底部通過焊料或導熱膠或共晶焊粘結在相鄰的正、負導電板之間，每組正、負導電板上并聯有若干個LED正裝芯片；相同極性的導電板并聯或串聯形成模組的電輸出端。
【專利摘要】本實用新型屬于半導體照明器件技術領域，具體為LED正裝芯片的高功率密度封裝模組。本封裝模組的封裝基板表面為正、負極導電板交替排布的橫截面，LED正裝芯片的兩側P極和N極分別連接到相鄰的兩個正、負極導電板上，而所有正、負極導電板則分別與對應的驅動電源的正、負接口相連；相鄰導電板之間有導熱絕緣層；所述導電板為具有高導熱系數的金屬板材或者為導電的非金屬板材，厚度在1mm以上；所述LED正裝芯片底部通過焊料或導熱膠或共晶焊粘結在相鄰的正、負導電板之間，每組正負導電板上可以并聯若干個LED正裝芯片；相同極性的導電板可以并聯或串聯形成模組的電輸出端。
【IPC分類】H01L33/62, H01L25/075
【公開號】CN205122582
【申請號】CN201520825587
【發明人】張善端, 韓秋漪, 荊忠
【申請人】復旦大學, 上海邁芯光電科技有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年10月25日