本(ben)實用(yong)新型(xing)涉及電力半(ban)導體器件封裝測試技術領域(yu)，具體涉及一(yi)種功率半(ban)導體芯片(pian)測試單元。

背景技術：

壓(ya)接型大(da)(da)(da)(da)功率(lv)(lv)半導(dao)體器(qi)(qi)件(jian)，如壓(ya)接型IGBT器(qi)(qi)件(jian)(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，具(ju)有功率(lv)(lv)密度(du)大(da)(da)(da)(da)、雙面散熱、易(yi)于串聯以(yi)及可(ke)靠(kao)性高(gao)等(deng)優點(dian)，并(bing)己逐步(bu)應(ying)用于電(dian)(dian)(dian)力系統的(de)(de)(de)(de)高(gao)壓(ya)直流輸電(dian)(dian)(dian)、電(dian)(dian)(dian)力機(ji)車(che)等(deng)高(gao)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)、大(da)(da)(da)(da)功率(lv)(lv)應(ying)用場合。隨著(zhu)智能(neng)電(dian)(dian)(dian)網(wang)的(de)(de)(de)(de)發展，尤其是未來全球能(neng)源互聯網(wang)的(de)(de)(de)(de)構建，壓(ya)接型大(da)(da)(da)(da)功率(lv)(lv)半導(dao)體器(qi)(qi)件(jian)在電(dian)(dian)(dian)網(wang)中的(de)(de)(de)(de)需(xu)求量將會越來越大(da)(da)(da)(da)，這也對(dui)壓(ya)接型大(da)(da)(da)(da)功率(lv)(lv)半導(dao)體器(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)(de)(de)性能(neng)和可(ke)靠(kao)性提出了嚴格地要求。

壓(ya)(ya)接(jie)(jie)(jie)型大功(gong)率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)(ti)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)一(yi)般(ban)通(tong)過器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)間的(de)(de)串聯來提(ti)(ti)高工(gong)作電(dian)壓(ya)(ya)、通(tong)過器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)內部(bu)(bu)多(duo)芯(xin)片(pian)(pian)并聯來提(ti)(ti)高單個(ge)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)電(dian)流。圖(tu)1為(wei)壓(ya)(ya)接(jie)(jie)(jie)型大功(gong)率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)(ti)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)內部(bu)(bu)截面示(shi)意圖(tu)，如圖(tu)所示(shi)，壓(ya)(ya)接(jie)(jie)(jie)型大功(gong)率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)(ti)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)包括多(duo)個(ge)并聯的(de)(de)子(zi)(zi)(zi)模(mo)組(zu)(zu)，各子(zi)(zi)(zi)模(mo)組(zu)(zu)分別由集電(dian)極(ji)側鉬片(pian)(pian)21、半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)(pian)22、發射極(ji)側鉬片(pian)(pian)23、銀墊片(pian)(pian)24直接(jie)(jie)(jie)接(jie)(jie)(jie)觸組(zu)(zu)成，通(tong)過外部(bu)(bu)施(shi)加壓(ya)(ya)力使各子(zi)(zi)(zi)模(mo)組(zu)(zu)的(de)(de)各構件(jian)(jian)之(zhi)(zhi)間保持良好(hao)地電(dian)氣與機械接(jie)(jie)(jie)觸。當測(ce)試(shi)(shi)壓(ya)(ya)接(jie)(jie)(jie)型大功(gong)率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)(ti)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)(pian)22的(de)(de)性能，尤其是測(ce)試(shi)(shi)單個(ge)半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)(pian)22的(de)(de)性能時(shi)(shi)，子(zi)(zi)(zi)模(mo)組(zu)(zu)中(zhong)各個(ge)構件(jian)(jian)之(zhi)(zhi)間存在與壓(ya)(ya)力、溫度等因素有(you)關的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸熱阻(zu)和(he)接(jie)(jie)(jie)觸電(dian)阻(zu)會對(dui)(dui)測(ce)試(shi)(shi)結(jie)果產生(sheng)一(yi)定的(de)(de)影響。同(tong)時(shi)(shi)，子(zi)(zi)(zi)模(mo)組(zu)(zu)的(de)(de)封裝(zhuang)(zhuang)管殼一(yi)般(ban)采用冷壓(ya)(ya)焊的(de)(de)方(fang)法密封，對(dui)(dui)大量半導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片(pian)(pian)22進行(xing)(xing)性能測(ce)試(shi)(shi)時(shi)(shi)，必須破壞(huai)封裝(zhuang)(zhuang)管殼逐個(ge)測(ce)試(shi)(shi)，測(ce)試(shi)(shi)步驟復雜、工(gong)作量大，不(bu)利于對(dui)(dui)大批量壓(ya)(ya)接(jie)(jie)(jie)型大功(gong)率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)(ti)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)進行(xing)(xing)性能串聯。

技術實現要素：

為了克服現有(you)技術的缺(que)陷，本(ben)實用新型提供了一種功率半(ban)導體芯片測試單(dan)元。

本實用新(xin)型(xing)的技術方案(an)是：

所述測試單元包括集電(dian)極(1)、被測芯片子模組(zu)(2)、PCB板(ban)(3)、固定框(kuang)架(4)和發射極(5)；

所述集(ji)電(dian)(dian)極(ji)(1)和發射(she)極(ji)(5)的外部(bu)側(ce)壁上(shang)分別設(she)置有集(ji)電(dian)(dian)極(ji)限(xian)(xian)位凹槽(cao)(11)和發射(she)極(ji)限(xian)(xian)位凹槽(cao)(51)，所述固(gu)定框架(4)的內(nei)部(bu)側(ce)壁上(shang)設(she)置有限(xian)(xian)位凸臺(42)；

所(suo)(suo)述集(ji)電極(1)、被測芯片子模組(2)、PCB板(3)和發(fa)射(she)極(5)順次疊放在所(suo)(suo)述固定框架(4)內，且所(suo)(suo)述限位凸臺(42)嵌入在所(suo)(suo)述集(ji)電極限位凹槽(11)和發(fa)射(she)極限位凹槽(51)內。

進一步地，本方面提(ti)供一個優選技術方案為：所(suo)述(shu)測(ce)試單元還包(bao)括(kuo)散熱器；所(suo)述(shu)散熱器分別固定在(zai)所(suo)述(shu)集電極(1)的上表面和所(suo)述(shu)發(fa)射極(5)的下表面；

所(suo)述集電(dian)極(ji)(1)的上表面(mian)設(she)置有集電(dian)極(ji)定位凹槽(12)，用于嵌(qian)入所(suo)述散熱器的定位銷；

所述發射(she)極(ji)(5)的下表面設置(zhi)有發射(she)極(ji)定位凹槽(52)，用于嵌入(ru)所述散熱器(qi)的定位銷。

進一(yi)步地(di)，本方面提供一(yi)個優選技(ji)術方案為：所述被測芯片(pian)子模組(2)包(bao)括(kuo)集電極(ji)側(ce)鉬片(pian)(21)、功率半導體芯片(pian)(22)、發射極(ji)側(ce)鉬片(pian)(23)、墊片(pian)(24)和塑(su)料框架(25)；

所述集電極側(ce)鉬(mu)(mu)片(pian)(21)、功率半(ban)導(dao)體芯片(pian)(22)、發射極側(ce)鉬(mu)(mu)片(pian)(23)和墊片(pian)(24)順(shun)次疊放在所述塑料(liao)框(kuang)架(25)內；

所(suo)述(shu)(shu)集電極(ji)側(ce)鉬片(21)與所(suo)述(shu)(shu)集電極(ji)(1)直接(jie)接(jie)觸(chu)，所(suo)述(shu)(shu)墊片(24)與所(suo)述(shu)(shu)發射(she)極(ji)(5)直接(jie)接(jie)觸(chu)。

進一步地，本方面提(ti)供一個優選技術方案為：所述(shu)被測芯片子模組(2)還包括彈簧引針(26)；

所述塑料(liao)框架(25)包(bao)括一個彈(dan)(dan)(dan)簧引(yin)(yin)針通(tong)道(27)；所述彈(dan)(dan)(dan)簧引(yin)(yin)針(26)設置在(zai)彈(dan)(dan)(dan)簧引(yin)(yin)針通(tong)道(27)內(nei)，彈(dan)(dan)(dan)簧引(yin)(yin)針(26)的(de)一端與所述功率半導體(ti)芯片(22)的(de)門極直(zhi)接接觸(chu)，另一端與所述PCB板(3)直(zhi)接接觸(chu)。

進一步地，本方(fang)面提供一個優(you)選技術方(fang)案(an)為：所述(shu)PCB板(3)上焊(han)接有一個引線端(duan)子(31)，所述(shu)固定框(kuang)架(4)的側壁上還設置有預留窗(chuang)口(kou)(41)；

所(suo)述(shu)(shu)引線(xian)端子(31)與所(suo)述(shu)(shu)預留窗口(41)相對應(ying)，所(suo)述(shu)(shu)被測芯片子模組(2)的驅動(dong)信號線(xian)通過所(suo)述(shu)(shu)預留窗口(41)與所(suo)述(shu)(shu)引線(xian)端子(31)連接。

進一(yi)步地，本方(fang)面提供一(yi)個優選技術(shu)方(fang)案為(wei)：

所述固定框架(4)為環氧樹脂(zhi)框架。

與最接近的(de)現(xian)有技術相比，本實用新型的(de)有益效(xiao)果是：

本實(shi)用新型(xing)提供的一種功率半導體(ti)芯(xin)片測(ce)(ce)試(shi)(shi)單元(yuan)，通過設置集(ji)(ji)電極限(xian)(xian)(xian)位(wei)凹槽11、發(fa)射極限(xian)(xian)(xian)位(wei)凹槽51和限(xian)(xian)(xian)位(wei)凸臺42，可以(yi)固(gu)定集(ji)(ji)電極1、被(bei)測(ce)(ce)芯(xin)片子(zi)模(mo)組2、PCB板3和發(fa)射極5，限(xian)(xian)(xian)制測(ce)(ce)試(shi)(shi)單元(yuan)內各部件(jian)的縱向位(wei)移而只存在軸(zhou)向位(wei)移，不僅(jin)利于對被(bei)測(ce)(ce)芯(xin)片子(zi)模(mo)組2進(jin)行(xing)隨時(shi)拆卸和壓力加載，還能保證在多(duo)次測(ce)(ce)試(shi)(shi)過程測(ce)(ce)試(shi)(shi)單元(yuan)內各部件(jian)的位(wei)置相對固(gu)定。

附圖說明

圖1：壓(ya)接型大功(gong)率半導體(ti)器件(jian)的(de)內(nei)部截面(mian)示意圖；

圖2：本實用新型實施例中(zhong)一種功率(lv)半(ban)導體芯片測試單元的爆炸視圖；

圖3：本實用新型實施(shi)例中(zhong)一種功(gong)率半導體芯(xin)片測試單元(yuan)的剖視圖；

圖4：本實用新型實施例(li)中半(ban)導體芯片子模組的爆炸(zha)視圖；

圖(tu)5：本實用(yong)新型實施例中(zhong)半(ban)導(dao)體芯片(pian)子模(mo)組斷面視圖(tu)；

其中(zhong)，1：集(ji)(ji)電極(ji)；11：集(ji)(ji)電極(ji)限(xian)位(wei)凹(ao)槽；12：集(ji)(ji)電極(ji)定(ding)位(wei)凹(ao)槽；2：半導(dao)(dao)體(ti)芯片(pian)子模組；21：集(ji)(ji)電極(ji)側鉬片(pian)；22：功(gong)率半導(dao)(dao)體(ti)芯片(pian)；23：發射(she)極(ji)側鉬片(pian)；24：銀墊(dian)片(pian)；25：塑料框(kuang)架；26：彈簧引(yin)針；27：彈簧引(yin)針通道；3：PCB板；31：PCB板外部插口；4：固定(ding)框(kuang)架；41：固定(ding)框(kuang)架預留(liu)窗口；42：限(xian)位(wei)凸臺(tai)；5：發射(she)極(ji)；51：發射(she)極(ji)限(xian)位(wei)凹(ao)槽；52：發射(she)極(ji)定(ding)位(wei)凹(ao)槽；6：基座。

具體實施方式

為使本實(shi)(shi)(shi)用新(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)的(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)、技(ji)術方(fang)案和優點(dian)更(geng)加清楚，下(xia)面將結合本實(shi)(shi)(shi)用新(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)中的(de)(de)(de)附圖，對(dui)本實(shi)(shi)(shi)用新(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)(xing)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)中的(de)(de)(de)技(ji)術方(fang)案進行清楚、完整地說明，顯(xian)然，所描述的(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)是本實(shi)(shi)(shi)用新(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)(xing)一部分實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)，而不(bu)是全部的(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)。基于本實(shi)(shi)(shi)用新(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)(xing)中的(de)(de)(de)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)，本領域(yu)普通技(ji)術人員(yuan)在沒有做(zuo)出(chu)創造性勞動前提下(xia)所獲得的(de)(de)(de)所有其(qi)他(ta)實(shi)(shi)(shi)施(shi)例(li)，都屬于本實(shi)(shi)(shi)用新(xin)(xin)型(xing)(xing)(xing)(xing)保護的(de)(de)(de)范圍。

下面結合附圖，對本實用新型實施例提供(gong)的一種功率(lv)半導體芯片測試單(dan)元進行說(shuo)明。

圖2為本(ben)實用新型實施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)一(yi)種功率半導體(ti)芯片(pian)測試(shi)單(dan)元的(de)爆炸視圖，圖3為本(ben)實用新型實施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)一(yi)種功率半導體(ti)芯片(pian)測試(shi)單(dan)元的(de)剖(pou)視圖，如(ru)圖所示，本(ben)實施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)功率半導體(ti)芯片(pian)測試(shi)單(dan)元包括集電極1、被測芯片(pian)子模組2、PCB板3、固(gu)定框架4和發(fa)射(she)極5。其(qi)中(zhong)(zhong)，

集電(dian)極(ji)(ji)1的外(wai)部(bu)側壁上設(she)置有集電(dian)極(ji)(ji)限位凹槽11。

發射(she)極(ji)5的外部側壁上設置有發射(she)極(ji)限位(wei)凹槽51。

固(gu)定(ding)框架4的(de)內部側壁(bi)上(shang)設置有限(xian)位(wei)凸臺42，本實施例(li)中固(gu)定(ding)框架4可(ke)以(yi)采用環氧(yang)樹(shu)脂(zhi)框架。

集(ji)電(dian)極1、被測芯(xin)片子模組2、PCB板3和發射極5順次疊放在(zai)固定(ding)框架4內，且限位凸臺(tai)42嵌入在(zai)集(ji)電(dian)極限位凹(ao)槽(cao)11和發射極限位凹(ao)槽(cao)51內。

本實施例(li)中(zhong)通(tong)過設置(zhi)集電(dian)極限(xian)(xian)位(wei)凹(ao)槽11、發射極限(xian)(xian)位(wei)凹(ao)槽51和限(xian)(xian)位(wei)凸臺(tai)42，可以(yi)固定(ding)集電(dian)極1、被測(ce)芯(xin)片子(zi)模(mo)組2、PCB板3和發射極5，限(xian)(xian)制(zhi)測(ce)試(shi)單元內各部(bu)件(jian)(jian)的(de)(de)縱向(xiang)(xiang)位(wei)移而只存在(zai)軸向(xiang)(xiang)位(wei)移，不僅利于對被測(ce)芯(xin)片子(zi)模(mo)組2進行隨時(shi)拆卸(xie)和壓力加載(zai)，還能保證在(zai)多次測(ce)試(shi)過程測(ce)試(shi)單元內各部(bu)件(jian)(jian)的(de)(de)位(wei)置(zhi)相(xiang)對固定(ding)。

進一步地(di)，本實施例中(zhong)測(ce)試單元還可以(yi)包括下述結構。

本實(shi)施例中測試單元還包括(kuo)散(san)熱器，散(san)熱器分別固定(ding)在集電極1的上(shang)表面(mian)和發射(she)極5的下表面(mian)。其中，

集(ji)電極1的上表(biao)面(mian)設置(zhi)有(you)集(ji)電極定(ding)(ding)位凹槽(cao)(cao)12，用于嵌(qian)入散(san)熱器(qi)(qi)(qi)的定(ding)(ding)位銷(xiao)，從(cong)而固定(ding)(ding)散(san)熱器(qi)(qi)(qi)。發射極5的下表(biao)面(mian)設置(zhi)有(you)發射極定(ding)(ding)位凹槽(cao)(cao)52，用于嵌(qian)入散(san)熱器(qi)(qi)(qi)的定(ding)(ding)位銷(xiao)，從(cong)而固定(ding)(ding)散(san)熱器(qi)(qi)(qi)。

本實(shi)施(shi)例中散熱器可(ke)以對(dui)被(bei)(bei)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)芯片子模(mo)組(zu)2進行散熱，還可(ke)以向其發(fa)射極(ji)傳(chuan)導電流(liu)，向其集(ji)電極(ji)傳(chuan)導電流(liu)和(he)傳(chuan)遞壓(ya)力(li)。同時，通(tong)過控制散熱器內冷(leng)卻液的(de)流(liu)通(tong)可(ke)以實(shi)現(xian)對(dui)被(bei)(bei)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)芯片子模(mo)組(zu)2進行單面散熱和(he)雙面散熱，從而滿(man)足對(dui)被(bei)(bei)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)半(ban)導體(ti)功(gong)率芯片的(de)所(suo)有(you)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)要求。本實(shi)施(shi)例中對(dui)被(bei)(bei)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)半(ban)導體(ti)功(gong)率芯片的(de)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)主要包括靜態測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)、動態測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)、壓(ya)力(li)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)和(he)可(ke)靠(kao)性(xing)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)，其中可(ke)靠(kao)性(xing)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)主要包括功(gong)率循環(huan)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)、溫度循環(huan)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)、高溫柵(zha)偏(pian)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)、高溫反(fan)偏(pian)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)和(he)熱阻測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)等，本實(shi)施(shi)例中所(suo)有(you)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)均可(ke)采用(yong)常規(gui)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)方法。

進一(yi)步(bu)地，本(ben)實(shi)施例中被(bei)測(ce)芯片子模組(zu)可(ke)以包(bao)括下(xia)述結構。

圖(tu)4為本實(shi)(shi)用新型實(shi)(shi)施例(li)中(zhong)半(ban)導體(ti)(ti)芯片子模(mo)(mo)組的爆(bao)炸視圖(tu)，圖(tu)5為本實(shi)(shi)用新型實(shi)(shi)施例(li)中(zhong)半(ban)導體(ti)(ti)芯片子模(mo)(mo)組斷(duan)面視圖(tu)，本實(shi)(shi)施例(li)中(zhong)被測芯片子模(mo)(mo)組2包括集電極側鉬(mu)片21、功率(lv)半(ban)導體(ti)(ti)芯片22、發射極側鉬(mu)片23、墊片24、塑(su)料框架25和彈簧引針26。其中(zhong)，

集電極(ji)側(ce)(ce)鉬(mu)(mu)片21、功率半導體芯片22、發(fa)射極(ji)側(ce)(ce)鉬(mu)(mu)片23和墊片24順(shun)次疊放在塑(su)料(liao)框架25內，集電極(ji)側(ce)(ce)鉬(mu)(mu)片21與集電極(ji)1直(zhi)接(jie)接(jie)觸(chu)，墊片24與發(fa)射極(ji)5直(zhi)接(jie)接(jie)觸(chu)。

塑料框(kuang)架25包括(kuo)一(yi)(yi)(yi)個(ge)彈簧(huang)(huang)引(yin)(yin)針通道(dao)27，彈簧(huang)(huang)引(yin)(yin)針26設置在(zai)彈簧(huang)(huang)引(yin)(yin)針通道(dao)27內(nei)，彈簧(huang)(huang)引(yin)(yin)針26的一(yi)(yi)(yi)端與(yu)功率半(ban)導體芯(xin)片(pian)22的門極(ji)(ji)直(zhi)接(jie)接(jie)觸(chu)，另一(yi)(yi)(yi)端與(yu)PCB板(ban)3直(zhi)接(jie)接(jie)觸(chu)。本實(shi)施例(li)中彈簧(huang)(huang)引(yin)(yin)針26用于傳(chuan)導被測(ce)功率半(ban)導體芯(xin)片(pian)的驅(qu)動信號，同時彈簧(huang)(huang)引(yin)(yin)針26可以(yi)(yi)發生(sheng)一(yi)(yi)(yi)定的形變以(yi)(yi)保證被測(ce)功率半(ban)導體芯(xin)片(pian)的門極(ji)(ji)與(yu)PCB板(ban)3之間具有(you)良好(hao)的接(jie)觸(chu)。

本(ben)實施例中(zhong)(zhong)將集電極(ji)側鉬片(pian)(pian)21、功率(lv)半導(dao)體芯片(pian)(pian)22、發射極(ji)側鉬片(pian)(pian)23和墊(dian)片(pian)(pian)24疊放在(zai)塑(su)(su)料(liao)框架(jia)25內，塑(su)(su)料(liao)框架(jia)25在(zai)起(qi)到(dao)支(zhi)撐作(zuo)用的(de)同(tong)時，還可以(yi)使得在(zai)測(ce)(ce)試過(guo)程中(zhong)(zhong)被測(ce)(ce)芯片(pian)(pian)子模組(zu)2內各組(zu)件位置相對固(gu)定(ding)，而且可以(yi)避免被測(ce)(ce)功率(lv)半導(dao)體芯片(pian)(pian)受到(dao)外部損壞(huai)和環境污染(ran)，并(bing)具有可替換性(xing)提高(gao)了(le)(le)被測(ce)(ce)芯片(pian)(pian)子模組(zu)2的(de)利用率(lv)、降(jiang)低了(le)(le)加工(gong)成本(ben)。

進一步地，本(ben)實施(shi)例中PCB板還包括下述(shu)結(jie)構。

本實施(shi)例中PCB板(ban)3用于(yu)接收被測功率(lv)半導(dao)體(ti)(ti)芯片的(de)驅動信(xin)號(hao)，并對其進(jin)行(xing)數據轉(zhuan)換后(hou)將驅動信(xin)號(hao)通過彈簧引針26傳導(dao)至被測功率(lv)半導(dao)體(ti)(ti)芯片的(de)門極。

PCB板(ban)3的(de)上表(biao)面為銅層(ceng)，下(xia)表(biao)面為絕緣層(ceng)以隔(ge)離驅(qu)(qu)動(dong)信號(hao)和(he)外部(bu)電流。同(tong)時PCB板(ban)3上還焊接有一個引線(xian)(xian)端(duan)子31，固定框架4的(de)側(ce)壁上還設置有預留(liu)窗口(kou)(kou)41。引線(xian)(xian)端(duan)子31與預留(liu)窗口(kou)(kou)41相(xiang)對(dui)應，被(bei)測芯片子模組2的(de)驅(qu)(qu)動(dong)信號(hao)線(xian)(xian)通過預留(liu)窗口(kou)(kou)41與引線(xian)(xian)端(duan)子31連接。

顯(xian)然，本(ben)(ben)(ben)(ben)領域的(de)(de)技術人員(yuan)可以對本(ben)(ben)(ben)(ben)實用新(xin)(xin)型進行(xing)各種改(gai)動和變(bian)型而(er)不脫離本(ben)(ben)(ben)(ben)實用新(xin)(xin)型的(de)(de)精神和范圍。這樣，倘若本(ben)(ben)(ben)(ben)實用新(xin)(xin)型的(de)(de)這些修改(gai)和變(bian)型屬于本(ben)(ben)(ben)(ben)實用新(xin)(xin)型權(quan)利要求及其(qi)等同技術的(de)(de)范圍之內(nei)(nei)，則本(ben)(ben)(ben)(ben)實用新(xin)(xin)型也(ye)意(yi)圖包(bao)含這些改(gai)動和變(bian)型在(zai)內(nei)(nei)。