一種半導體發光元件用封裝樹脂及其封裝結構的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種半導體發光元件用封裝樹脂，其包括主體樹脂材料和均勻分布在所述主體樹脂材料中的第一納米顆粒和第二納米顆粒，其特征在于：所述第一納米顆粒作為導熱顆粒，具有較高的導熱系數，所述第一納米顆粒的粒徑為50?200nm。并公開了一種半導體發光元件封裝結構，本發明提高了封裝樹脂的散熱性，并且保證了出光的均勻性，采用稀土元素的配合物進行光激發不易產生衰減。
【專利說明】
一種半導體發光元件用封裝樹脂及其封裝結構
技術領域
[0001]本發明涉及半導體發光領域，具體涉及一種半導體發光元件用封裝樹脂及其封裝結構。
【背景技術】
[0002]LED是一種固態的半導體器件，它可以直接把電能轉化為光能。與傳統的白熾燈、熒光燈相比，白光LED具有耗電小、發光效率高、使用壽命長、節能環保等優點，因此其不僅可以在日常照明領域得到廣泛的應用，而且可以進入顯示設備領域。
[0003]目前的LED封裝主要是C0B(chipon board)封裝結構，即將LED通過打線固定在基板上，再利用熒光膠脂進行封裝，但是其具有以下缺點:1)LED工作時產生大量的熱量無法及時有效的散去，加速老化，減少LED使用壽命，熒光膠脂直接與LED等發光元件接觸，散熱性較差;2)熒光極易發生氧化，出光出現色差，且出光不均勻;3)熒光膠脂易氧化，且熒光粉在膠脂(硅脂或環氧樹脂等)分布不均勻，且熒光粉用量較大。

【發明內容】

[0004]基于解決上述封裝中的問題，本發明提供了一種半導體發光元件用封裝樹脂，其包括主體樹脂材料和均勻分布在所述主體樹脂材料中的第一納米顆粒和第二納米顆粒，其特征在于:所述第一納米顆粒作為導熱顆粒，具有較高的導熱系數，所述第一納米顆粒的粒徑為 50-200nm。
[0005]其中，所述第一納米顆粒為氮化硼、氮化硅、碳化硅和氧化鋁中的一種或多種。
[0006]其中，所述第二納米顆粒作為散射顆粒，具有相比于第一納米顆粒較大的粒徑。
[0007]其中，所述第二納米顆粒的粒徑為200_500nm。
[0008]其中，所述第二納米顆粒的材質為金屬。
[0009]其中，所述第二納米顆粒為金、銀、鉑等貴金屬。
[0010]本發明還提供了一種半導體發光元件封裝結構，其包括散熱基板、半導體發光元件、反射杯和封裝樹脂，其中所述半導體發光元件固定在所述散熱基板上，反射杯環繞所述半導體發光元件，并形成杯狀凹槽，所述封裝樹脂填充所述凹槽并形成為弧面，所述半導體發光元件為藍光芯片，其特征在于:所述封裝樹脂包括主體樹脂材料和均勻分布在所述主體樹脂材料中的第一納米顆粒和第二納米顆粒，所述第一納米顆粒作為導熱顆粒，具有較高的導熱系數，所述第一納米顆粒的粒徑為50-200nm。
[0011 ]其中，所述封裝樹脂內還混合有稀土元素的有機配合物。
[0012]其中，所述稀土元素為銪。
[0013]其中，所述反射杯內也分布有第二納米顆粒，所述第二納米顆粒作為散射顆粒。
[0014]本發明的優點如下:
1)利用第一納米顆粒進行散熱，減緩封裝樹脂因過熱的老化；
2)利用第二納米顆粒進行散射，使得出光均勻； 3)利用稀土元素的配合進行離子激發，無需大量使用熒光粉。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發明的半導體發光元件封裝結構圖。
【具體實施方式】
[0016]本發明提供了一種半導體發光元件用封裝樹脂，其包括主體樹脂材料和均勻分布在所述主體樹脂材料中的第一納米顆粒和第二納米顆粒;所述的主體材料可以是環氧樹月旨、硅樹脂等材料;所述第一納米顆粒作為導熱顆粒，具有較高的導熱系數，所述第一納米顆粒的粒徑為50-200nm;所述第二納米顆粒作為散射顆粒，具有相比于第一納米顆粒較大的粒徑，其材質最好為金屬，例如金、銀、鉑等貴金屬，也可以是其他散射比較好的材料，例如AlN等，其粒徑在200-500nm，這樣較利于光的散射。
[0017]參見圖1，本發明提供了使用上述封裝樹脂的一種半導體發光元件封裝結構，其包括散熱基板1、半導體發光元件2、反射杯3和封裝樹脂4，其中所述半導體發光元件2固定在所述散熱基板I上，反射杯3環繞所述半導體發光元件2，并形成杯狀凹槽，所述封裝樹脂4填充所述凹槽并形成為弧面，根據實際要發出光的顏色，可以在封裝樹脂中混入稀土元素的配合物，所述稀土元素為Eu、Pr、Ga、La等，例如所述半導體發光元件2為藍光芯片，所述稀土元素為銪;所述封裝樹脂4包括主體樹脂材料和均勻分布在所述主體樹脂材料中的第一納米顆粒和第二納米顆粒，所述第一納米顆粒作為導熱顆粒，具有較高的導熱系數，所述第一納米顆粒的粒徑為50_200nmo
[0018]所述封裝樹脂4內還混合有稀土元素的有機配合物。所述反射杯3內也分布有第二納米顆粒，所述第二納米顆粒作為散射顆粒。
[0019]最后應說明的是:顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明本發明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本發明的保護范圍之中。
【主權項】
1.一種半導體發光元件用封裝樹脂，其包括主體樹脂材料和均勻分布在所述主體樹脂材料中的第一納米顆粒和第二納米顆粒，其特征在于:所述第一納米顆粒作為導熱顆粒，具有較高的導熱系數，所述第一納米顆粒的粒徑為50-200nm。2.根據權利要求1所述的半導體發光元件用封裝樹脂，其特征在于:所述第一納米顆粒為氮化硼、氮化硅、碳化硅和氧化鋁中的一種或多種。3.根據權利要求1或2所述的半導體發光元件用封裝樹脂，其特征在于:所述第二納米顆粒作為散射顆粒，具有相比于第一納米顆粒較大的粒徑。4.根據權利要求3所述的半導體發光元件用封裝樹脂，其特征在于:所述第二納米顆粒的粒徑為200-500nm。5.根據權利要求3所述的半導體發光元件用封裝樹脂，其特征在于:所述第二納米顆粒的材質為金屬。6.根據權利要求3所述的半導體發光元件用封裝樹脂，其特征在于:所述第二納米顆粒為金、銀、鈾等貴金屬。7.—種半導體發光元件封裝結構，其包括散熱基板、半導體發光元件、反射杯和封裝樹月旨，其中所述半導體發光元件固定在所述散熱基板上，反射杯環繞所述半導體發光元件，并形成杯狀凹槽，所述封裝樹脂填充所述凹槽并形成為弧面，所述半導體發光元件為藍光芯片，其特征在于:所述封裝樹脂包括主體樹脂材料和均勻分布在所述主體樹脂材料中的第一納米顆粒和第二納米顆粒，所述第一納米顆粒作為導熱顆粒，具有較高的導熱系數，所述第一納米顆粒的粒徑為50_200nmo8.根據權利要求7所述的半導體發光元件封裝結構，其特征在于:所述封裝樹脂內還混合有稀土元素的有機配合物。9.根據權利要求7所述的半導體發光元件封裝結構，其特征在于:所述稀土元素為銪。10.根據權利要求7所述的半導體發光元件封裝結構，其特征在于:所述反射杯內也分布有第二納米顆粒，所述第二納米顆粒作為散射顆粒。
【文檔編號】H01L33/56GK106025052SQ201610558802
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月17日
【發明人】王培培
【申請人】王培培