方形成互連結構120。保護圖案111形成在多個集成電路管芯102的每個的周邊區域110中。靠近保護圖案111沿著切割路徑113將多個集成電路管芯102分離。
[0104]在其他的實施例中，封裝半導體器件的方法還包括使用保護圖案111來對準封裝件。
[0105]在圖5和圖7所示的實施例中，保護圖案111的在各個導電線128的層內的導電部件112a包括不同的寬度。例如，最靠近或最接近模塑料116的導電部件112a的寬度小于保護圖案111的其他導電部件112a的寬度。最靠近或最接近封裝的半導體器件100的頂面的導電部件112a的寬度大于保護圖案111的其他導電部件112a的寬度。例如，在圖5和圖7所示的一些實施例的截面圖中，保護圖案111的形狀包括倒金字塔形狀或三角形。導電部件112a的寬度分層，每個導電部件112a的寬度的規格從封裝的半導體器件100的頂面向著模塑料116依次減少。
[0106]根據圖17至圖23示出的一些實施例，保護圖案的導電部件112a還包括不同的寬度。最靠近或最接近模塑料116的導電部件112a的寬度大于保護圖案111的其他導電部件112a的寬度。最靠近或最接近封裝的半導體器件100的頂面的導電部件112a的寬度小于保護圖案111的其他導電部件112a的寬度。例如，在這些實施例中的一些的截面圖中，保護圖案111的整體形狀包括正金字塔形狀或三角形，遠離模塑料116延伸。導電部件112a的寬度分層，每個導電部件112a的寬度的規格從封裝的半導體器件100的頂面向著模塑料116依次增加。例如，在切割工藝期間，導電部件112a的寬度的分層形狀有利地用于減少或消除封裝的半導體器件100的剝離和破裂的實施例和應用中。
[0107]圖17是根據一些實施例示出的包括周邊區域110中的保護圖案111的多個封裝的半導體器件100的頂視圖。示出了被同時封裝的四個集成電路管芯102。作為實例，其他數量的集成電路管芯102也可以被同時封裝，諸如1、2、3或5或更多的集成電路管芯102(未示出)。保護圖案111形成在封裝件的周邊區域110中，介于設置在相鄰的封裝的半導體器件100之間的封裝邊緣142與切割路徑113之間。保護圖案111形成在互連結構120(參照圖18)中并且設置在互連結構120和集成電路管芯102周圍。在一些實施例中，切割路徑113包括具有尺寸山的寬度，其中尺寸屯可以包括約200 μπι至約250 μπι，或約220 μ m。在一些實施例中，尺寸山也可以包括其他數值。
[0108]圖18是根據一些實施例的圖17示出的封裝的半導體器件100的部分的截面圖。保護圖案111包括分層的形狀，其中，最窄的導電部件112a位于頂部，較寬的導電部件112a位于中間處，更寬的導電部件112a位于底部，最接近模塑料116。圖中示出了保護圖案111包括三個導電部件112a。保護圖案111也可以包括堆疊在絕緣材料126內的兩個導電部件112a或四個或更多的堆疊的導電部件112a。保護圖案111可以形成在互連結構120的一些或所有的材料層中。
[0109]參考圖7，如本文先前所述，模塑料116中的保護圖案111的部分和通孔106形成在相同的材料層中。同樣地，參考圖9至圖13，如本文先前所述，保護圖案111可以包括封裝件的角中的用于加固的附加導電材料。
[0110]圖18示出了本文先前所述的絕緣材料126的四個絕緣材料層126a、126b、126c和126d0較低的絕緣材料層126d設置在模塑料116、通孔106(未在圖18中示出，參照圖23)和集成電路管芯102上方。在一些實施例中，較低的絕緣材料層126d的厚度可以包括從約2 μ m至約7 μ m，或約4.5 μ m。在一些實施例中，絕緣材料層126c設置在絕緣材料層126d上方，并且該絕緣材料層的厚度可以包括從約7 μπι至約11 μm，或約9 μm。在一些實施例中，絕緣材料層126b設置在絕緣材料層126c上方，并且該絕緣材料層的厚度可以包括從約5 μ m至約9 μ m，或約7 μ m0在一些實施例中，絕緣材料層126a設置在絕緣材料層126b上方，并且該絕緣材料層126a的厚度可以包括從約8 μ m至約12 μ m，或約ΙΟμπι。在一些實施例中，絕緣材料126的四個絕緣材料層126a、126b、126c和126d也可以包括其他尺寸。在其他的實施例中，絕緣材料126可以包括小于四個，或五個或更多的絕緣材料層。
[0111]在圖18所示的一些實施例中，保護圖案111的導電部件112a設置在絕緣材料126的最上部絕緣材料層126a中，其中，導電部件112a包括具有尺寸(12的寬度。在一些實施例中，尺寸d2可以包括約34 μ m至約38 μ m，或約36 μ m。保護圖案111的導電部件112a還設置在絕緣材料126的絕緣材料層126b中，其中，導電部件112a包括具有尺寸屯的寬度。在一些實施例中，尺寸屯可以包括約42 μ m至約46 μ m，或約44 μ m。導電部件112a還設置在絕緣材料126的絕緣材料層126c中，其中，導電部件112a包括具有尺寸山的寬度。在一些實施例中，尺寸d4可以包括約48 μ m至約52 μ m，或約50 μ m。尺寸d2、尺寸d3、尺寸(14也可以包括其他數值。例如，在一些實施例中，尺寸d2、尺寸d3、尺寸d4可以包括約25 μπι至約55 μ m，或約60 μ m或更小。在一些實施例中，作為另一實例，導電部件112a的寬度可以包括約60 μ m或更小。
[0112]根據一些實施例，作為實例，堆疊在絕緣材料126內的相鄰的導電部件112a的寬度的差值可以包括約1 μπι至約20μπι，或約2μπι至約15μπι。例如，在一些實施例中，尺寸d2和尺寸(13之間的差值可以包括約1 μπι至約20 μm，或約2 μπι至約15 μm，并且，尺寸d 3和尺寸山之間的差值可以包括約Ιμ??至約20μ??，或約2μπ?至約15 μ m。在一些實施例中，例如，導電部件112a的寬度可以比靠近的導電部件112a的寬度約大1 μπι至20 μπι。尺寸d2和尺寸d3之間的差以及尺寸d3和尺寸d4之間的差值也可以包括其他數值。
[0113]在一些實施例中，例如，在隨后的切割或分割期間，選擇的本文所述的尺寸d2、尺寸d3、尺寸d4的數值以及選擇的本文所述的尺寸d2和尺寸d3之間的差值以及尺寸d3和尺寸d4之間的差值的數值足以提供保護，以防止封裝的半導體器件100的各個材料層的削弱和剝尚。
[0114]在一些實施例中，通過導電部件112b將導電部件112a連接至垂直地位于上面或位于下面的導電部件112a。如本文先前的實施例所示和所述，導電部件112a形成在互連結構120的導電線128的層中，并且導電部件112b形成在互連結構120的通孔130的層中。例如，在圖18中，頂部導電部件112a和導電線128形成在絕緣材料層126a的下部中。導電部件112b設置在頂部導電部件112a下方，并且導電部件112b和通孔130形成在絕緣材料層126b的上部中。同樣地，導電部件112a和導電線128形成在絕緣材料層126b的下部中。絕緣材料層126b的下部中的導電部件112a連接至絕緣材料層126b的上部中的導電部件112b，因此，通孔130的層中的導電部件112b與絕緣材料層126a中的導電部件112a和絕緣材料層126b中的導電部件112a連接在一起。相似地，導電部件112b形成在絕緣材料層126c的上部中，導電部件112a形成在絕緣材料層126c的下部中，并且一個或多個導電部件112b可以形成在絕緣材料層126d中。在一些實施例中，導電部件112b可以不包括或不形成在絕緣材料層126d中(未示出)。
[0115]因此，保護圖案111的導電部件112a和導電部件112b包括沿著封裝件的周邊區域110延伸的堆疊的導電材料。在一些實施例中，通過包括大小為d5的尺寸將導電部件112a和導電部件112b的邊緣與切割路徑113分隔開，其中，在一些實施例中，尺寸d5可以包括約40 μ m或更小，或約30 μ m。通過包括大小為d6的尺寸將導電部件112a和導電部件112b的相對邊緣與封裝邊緣142分隔開，其中，在一些實施例中，尺寸d6可以包括約40 μm或更小，或約20 μ m。尺寸d5和尺寸d 6也可以包括其他數值。周邊區域110的總體寬度W包括封裝邊緣142至切割路徑113之間的距離。
[0116]圖18也示出了在一些實施例中，禁止區136設置在保護圖案111與切割路徑113之間。例如，禁止區136包括其中沒有形成保護圖案111的導電部件112a或導電部件112b的區域。例如，禁止區136提供周邊區域110內的緩沖面積或附加空間，以確保在切割工藝期間保護圖案111不被損壞。禁止區136也可以避免對封裝件的射頻(RF)噪音干擾并且減少封裝壓力。禁止區136的寬度可以包括尺寸d5。
[0117]例如，在一些實施例中，保護圖案111包括密封環，并且禁止區136設置在密封環與切割路徑113之間。在一些實施例中，密封環是連續的。在其他的實施例中，密封環可以是不連續的。例如，保護圖案111可以包括在具有連續的通孔條的通孔130的層中形成的導電部件112b，以形成連續的密封環。如圖6中所示，在通孔130的層中形成的導電部件112b也可以包括不連續的通孔條，以創建不連續的密封環。在通孔130的層中形成的導電部件112b也可以包括多個正方形、矩形、圓形或其他形狀的部件(未示出)，以形成不連續的密封環。
[0118]在一些實施例中，禁止區136包括絕緣材料126中的凹槽138。例如，在圖18所示的實施例中，禁止區136包括上部絕緣材料層126a中的凹槽138。圖18也示出了凹槽138也可以形成在切割路徑113中的絕緣材料126中和/或保護圖案111的部分上方。例如，可以使用光刻工藝或其他方法形成凹槽138。例如，在一些實施例中，凹槽138可以有助于防止剝離滲透。在一些實施例中，凹槽138未包括在禁止區136、切割路徑113中和/或保護圖案111的部分上方。
[0119]在一些實施例中，一個在另一個上方依次設置保護圖案111的具有分層的寬度的導電部件112a，并且導電部件112a基本對準。在一些實施例中，堆疊的導電部件112a基本同軸。例如，在一些實施例中，第一導電部件112a設置在第二導電部件112a上方，并且具有不同寬度的第一導電部件112a和第二導電部件112a基本同軸。
[0120]圖19是根據一些實施例的圖18所示的封裝的半導體器件100的部分的更詳細的截面圖。示出了保護圖案111的形成在互連結構120的通孔130的層中的導電部件112b的寬度的一些尺寸。尺寸山包括形成在絕緣材料層126d中的底部導電部件112b的寬度，其中，在一些實施例中，尺寸山可以包括約7 μ m至約9 μ m，或約8 μ m。尺寸d s包括形成在絕緣材料層126c中的中間導電部件112b的寬度，其中，在一些實施例中，尺寸(18可以包括約13 μ m至約17 μ m，或約15 μ m。尺寸d9包括形成在絕緣材料層126b中的上部導電部件112b的寬度，其中，在一些實施例中，尺寸d9可以包括約17μπι至約23μπι，或約20μπι。尺寸d7、尺寸ds、尺寸d9也可以包括其他數值。
[0121]圖20是根據一些實施例的圖17中所示的封裝的半導體器件100的部分的截面圖。在一些實施例中，如圖20所示，周邊區域110中的圖18所示的禁止區136包括第一禁止區136a，并且封裝的半導體器件100也包括周邊區域110中的第二禁止區136b。第二禁止區136b包括設置在保護圖案111與封裝邊緣142之間的區域。第二禁止區136b包括沒有形成保護圖案111的導電部件112a或導電部件112b，并且也沒有設置或形成互連結構120的導電線128、導電通孔130或凸塊下金屬化(UBM)結構132(參照圖1)的區域。第二禁止區136b的寬度可以包括尺寸d6。例如，在一些實施例中，保護圖案111包括密封環，并且第二禁止區136b設置在密封環與封裝邊緣142之間。第二禁止區136b可以包括或不包括絕緣材料126的上部中的凹槽138。
[0122]圖21是根據