引線框架、半導體裝置以及引線框架的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及引線框架、半導體裝置以及引線框架的制造方法。
【背景技術】
[0002]近年來，為了應對電子設備的小型化、高密度化而要求半導體部件的高密度化、高性能化，半導體裝置(半導體封裝)的小型化、輕量化快速發展。在這樣的潮流中，QFN封裝(Quad Flat Non-1eaded Package:無引線四方扁平封裝)、SON 封裝(Small OutlineNon-1eaded Package:小外形無引線封裝)等引線不向外側延伸的無引線型的半導體裝置(無引線封裝)被實用化(例如參照日本特開2003 - 309241號公報和日本特開2003 —309242號公報)ο
[0003]圖22是示出無引線型的半導體裝置90的一例的剖視圖。
[0004]在半導體裝置90中，在芯片焊盤91上搭載有半導體元件92，半導體元件92和引線93利用金屬線94電連接。引線93具有:上表面，其與半導體元件92電連接；以及下表面(內表面)，其與主板等連接，上表面具有比下表面大的寬度。即，引線93形成為階梯形狀。換言之，引線93的頂端部93A被削薄。并且，在半導體裝置90中，半導體元件92、金屬線94以及引線93的頂端部93A被密封樹脂95密封。密封樹脂95以向引線93的頂端部93A的下側延伸的方式埋入到引線93與芯片焊盤91之間。由此，可利用所謂的錨效果抑制引線93從密封樹脂95脫離。這樣，通過引線93的頂端部93A被削薄，從而引線93形成為侵入到密封樹脂95內而抑制引線93的脫離的錨形狀。
[0005]在該半導體裝置90中，從密封樹脂95露出的引線93的內表面作為外部連接端子發揮作用。
【發明內容】
[0006]上述的引線的錨形例如能利用濕式蝕刻(半蝕刻)將金屬板削薄來形成。但是，利用濕式蝕刻加工金屬板的方法的制造成本高，且加工速度慢。因此，期望利用低成本且加工速度快、使用模具的沖壓加工來形成錨形。但是，當使用沖壓加工在例如引線的頂端形成壓扁部(錨形)時，對引線施加較大的應力，因此引線容易變形。
[0007]本發明的第I方式涉及的引線框架，具備:芯片焊盤；以及多個引線，其設于所述芯片焊盤的周圍，各個所述引線包含:內引線，其包含:頂端部，其與所述芯片焊盤相對；以及位于與所述頂端部相反的一側的連接端部；彎曲部，其與所述內引線的連接端部連接；以及外部連接端子，其經由所述彎曲部與所述內引線的連接端部連接，所述外部連接端子位于所述內引線的下側，包含與所述內引線的下表面相對且平行的上表面，在各個所述引線中，所述內引線、所述彎曲部以及所述外部連接端子形成為一體。
[0008]本發明的第2方式涉及的引線框架，具備:芯片焊盤；以及多個引線，其設于所述芯片焊盤的周圍，各個所述引線包含:外部連接端子，其在與所述芯片焊盤相對的一側包含連接端部；彎曲部，其與所述外部連接端子的連接端部連接；以及內引線，其經由所述彎曲部與所述外部連接端子的連接端部連接，所述內引線位于所述外部連接端子的上側，包含與所述外部連接端子的上表面相對且平行的下表面，在各個所述引線中，所述內引線、所述彎曲部以及所述外部連接端子形成為一體。
[0009]本發明的第3方式涉及的引線框架，具備:芯片焊盤；框架部，其支承所述芯片焊盤；以及，多個引線，其設于所述芯片焊盤的周圍，從所述框架部朝向所述芯片焊盤呈梳齒狀延伸，所述多個引線包含交替設置的多個第I引線和多個第2引線，各個所述第I引線包含:第I內引線，其包含:第I頂端部，其與所述芯片焊盤相對；以及位于與所述第I頂端部相反的一側的連接端部；第I彎曲部，其與所述第I內引線的連接端部連接；以及第I外部連接端子，其經由所述第I彎曲部與所述第I內引線的連接端部連接，所述第I外部連接端子位于所述第I內引線的下側，包含與所述第I內引線的下表面相對且平行的上表面，各個所述第2引線包含:第2內引線，其在與所述芯片焊盤相對的一側包含第2頂端部；第2彎曲部，其與所述第2內引線的第2頂端部連接；以及第2外部連接端子，其經由所述第2彎曲部與所述第2內引線的所述第2頂端部連接，所述第2外部連接端子位于所述第2內引線的下側，包含與所述第2內引線的下表面相對且平行的上表面，在各個所述第I引線中，所述第I內引線、所述第I彎曲部以及所述第I外部連接端子形成為一體，在各個所述第2引線中，所述第2內引線、所述第2彎曲部以及所述第2外部連接端子形成為一體。
[0010]本發明的第4方式涉及的半導體裝置，具備:上述第I方式所述的引線框架；半導體元件，其搭載于所述芯片焊盤上；金屬線，其將所述半導體元件和所述內引線電連接；以及密封樹脂，其將所述半導體元件和所述金屬線密封，將所述內引線的所述頂端部的整個面包覆，各個所述引線的彎曲部從所述密封樹脂露出。
[0011]本發明的第5方式涉及的半導體裝置，具備:上述第2方式所述的引線框架；半導體元件，其搭載于所述芯片焊盤上；金屬線，其將所述半導體元件和所述內引線電連接；以及密封樹脂，其將所述半導體元件和所述金屬線密封，將從所述外部連接端子露出的所述大寬度部的整個面包覆。
[0012]本發明的第6方式涉及的引線框架的制造方法，包括如下工序:準備金屬板；對所述金屬板進行沖壓加工或者蝕刻加工而形成多個開口部，所述開口部劃定芯片焊盤、支承所述芯片焊盤的框架部、多個內引線以及延伸部，所述多個內引線從所述框架部朝向所述芯片焊盤呈梳齒狀延伸，所述延伸部從所述框架部向與所述內引線延伸的方向相反的方向延伸；以及通過以所述延伸部的下表面與所述內引線的下表面重疊的方式將所述延伸部向下側折彎，從而形成與所述內引線的下表面的一部分重疊的外部連接端子。
[0013]本發明的第7方式涉及的引線框架的制造方法，包括如下工序:準備金屬板；對所述金屬板進行沖壓加工或者蝕刻加工而形成多個開口部，所述開口部劃定芯片焊盤、設于所述芯片焊盤的周圍的多個外部連接端子、以及延伸部，所述延伸部從所述外部連接端子的頂端朝向所述芯片焊盤延伸，所述延伸部形成為比所述外部連接端子大的寬度；以及通過以所述延伸部的上表面與所述外部連接端子的上表面重疊的方式將所述延伸部向上側折彎，從而形成與所述外部連接端子的上表面的一部分重疊的內引線。
[0014]根據上述各方式，能抑制引線變形并且能夠在引線上簡單地形成錨形。
【附圖說明】
[0015]圖1是示出第I實施方式的引線框架的示意俯視圖，是從下方觀看圖2所示的引線框架時的俯視圖。
[0016]圖2是沿圖1中的2 — 2線的引線框架的示意剖視圖。
[0017]圖3是示出具備圖1的引線框架的半導體裝置的示意剖視圖。
[0018]圖4是示出圖1的引線框架的制造方法的示意俯視圖。
[0019]圖5A是示出引線框架的制造方法的示意俯視圖，圖5B是沿圖5A中的5b — 5b線的引線框架的示意剖視圖。
[0020]圖6A是示出引線框架的制造方法的示意俯視圖，圖6B是沿圖6A中的6b — 6b線的引線框架的示意剖視圖，圖6A是從下方觀看圖6B所示的結構體時的俯視圖。
[0021]圖7A和7B是示出圖3的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。
[0022]圖8A和SB是示出具備變形例的引線框架的半導體裝置的示意剖視圖。
[0023]圖9A是其它變形例的引線框架的局部放大俯視圖，圖9B是具備圖9A的引線框架的半導體裝置的局部放大剖視圖，示出沿圖9A中的9b - 9b線的剖面。
[0024]圖10是具備第2實施方式的引線框架的半導體裝置的示意俯視圖，是從上方觀看圖11所示的半導體裝置時的俯視圖。
[0025]圖11是示出圖10的半導體裝置的示意剖視圖。
[0026]圖12A是示出圖10的引線框架的制造方法的示意俯視圖，圖12B是沿圖12A中的12b - 12b線的引線框架的示意剖視圖，圖12C是示出圖10的引線框架的制造方法的示意剖視圖。
[0027]圖13是示出具備變形例的引線框架的半導體裝置的示意剖視圖。
[0028]圖14是示出具備第3實施方式的引線框架的半導體裝置的示意俯視圖，是從下方觀看圖15所示的半導體裝置時的俯視圖。
[0029]圖15是沿圖14中的15 — 15線的半導體裝置的示意剖視圖。
[0030]圖16A是示出圖15的引線框架的制造方法的示意俯視圖，圖16B是示出沿圖16A中的16b - 16b線的引線框架的制造方法的示意剖視圖，圖16C是示出圖15的引線框架的制造方法的示意剖視圖。
[0031]圖17A?17C是示出引線框架的制造方法的變形例的示意俯視圖。
[0032]圖18A?18C是示出引線框架的制造方法的其它變形例的示意俯視圖。
[0033]圖19A和19B是示出變形例的引線框架的制造方法的示意俯視圖，圖19C是示出具備圖19A和19B所示的引線框架的半導體裝置的示意俯視圖。
[0034]圖20A是不出變形例的引線的不意俯視圖，圖20B是圖20A的引線的不意尚]視圖。
[0035]圖21是示出其它變形例的引線框架的示意俯視圖。
[0036]圖22是示出現有的半導體裝置的示意剖視圖。
【具體實施方式】
[0037]以下參照【附圖說明】各實施方式。此外，為了容易了解特征，在便利的基礎上，有時附圖中將成為特征的部分放大示出，各構成要素的尺寸比率等未必與實際相同。另外，在剖視圖中，為了容易了解各構件的剖面結構，將一部分構件的剖面線改用緞面圖案示出，而省略一部分構件的剖面線。
[0038](第I實施方式)
[0039]以下按照圖1?7B說明第I實施方式。圖1所示的引線框架20用作QFN封裝用的基板。
[0040]引線框架20包含堤壩(dam bar) 21、支承桿(多個)22、芯片焊盤23以及引線(多個)