本發明實施(shi)例涉及堆疊(die)式集成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)結構及形(xing)成(cheng)(cheng)方法。

背景技術：

隨著(zhu)半(ban)導體(ti)技術的(de)演變(bian)，半(ban)導體(ti)芯(xin)片/管芯(xin)變(bian)得越(yue)來(lai)越(yue)小。同時(shi)，需(xu)(xu)要(yao)將更(geng)多功能集(ji)成(cheng)在(zai)(zai)半(ban)導體(ti)管芯(xin)中。因此，半(ban)導體(ti)管芯(xin)需(xu)(xu)要(yao)使越(yue)來(lai)越(yue)多數量的(de)I/O焊盤封(feng)裝在(zai)(zai)更(geng)小的(de)區域中，并且(qie)I/O焊盤的(de)集(ji)成(cheng)度隨時(shi)間快速上升。因此，半(ban)導體(ti)管芯(xin)的(de)封(feng)裝變(bian)得越(yue)來(lai)越(yue)困難，這不(bu)利(li)地影響封(feng)裝件的(de)產量。

常規封(feng)裝(zhuang)技(ji)術可(ke)分(fen)(fen)為兩類。在(zai)第一(yi)(yi)分(fen)(fen)類中，在(zai)將它們鋸切之前(qian)，將晶圓(yuan)上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)管芯(xin)(xin)封(feng)裝(zhuang)。該封(feng)裝(zhuang)技(ji)術具有(you)一(yi)(yi)些有(you)利(li)特征，諸(zhu)如(ru)更(geng)大生產量(liang)(liang)和更(geng)低(di)成本。此外(wai)，需要更(geng)少的(de)(de)(de)(de)(de)(de)底部填(tian)充物或(huo)模塑料。然而，該封(feng)裝(zhuang)技(ji)術還具有(you)一(yi)(yi)些缺點。如(ru)上(shang)所述(shu)，管芯(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)尺寸變得(de)越(yue)來越(yue)小，并且相應的(de)(de)(de)(de)(de)(de)封(feng)裝(zhuang)件僅可(ke)能是扇(shan)入型封(feng)裝(zhuang)件，其中各個管芯(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)I/O焊盤限(xian)制在(zai)相應的(de)(de)(de)(de)(de)(de)管芯(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)表面(mian)正上(shang)方的(de)(de)(de)(de)(de)(de)區域。在(zai)管芯(xin)(xin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)區域有(you)限(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況(kuang)下(xia)，由于I/O焊盤的(de)(de)(de)(de)(de)(de)間距(ju)(ju)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)限(xian)制，I/O焊盤的(de)(de)(de)(de)(de)(de)數量(liang)(liang)受到限(xian)制。如(ru)果降低(di)焊盤的(de)(de)(de)(de)(de)(de)間距(ju)(ju)，可(ke)能發生焊料橋接。此外(wai)，在(zai)固定的(de)(de)(de)(de)(de)(de)球尺寸要求下(xia)，焊球必需具有(you)一(yi)(yi)定尺寸，這反過(guo)來限(xian)制可(ke)被封(feng)裝(zhuang)在(zai)管芯(xin)(xin)表面(mian)上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)焊球的(de)(de)(de)(de)(de)(de)數量(liang)(liang)。

在(zai)(zai)其他類(lei)型的(de)(de)封(feng)裝中(zhong)，在(zai)(zai)將(jiang)它們封(feng)裝之前(qian)，將(jiang)管(guan)芯(xin)從晶圓中(zhong)鋸切，并(bing)且只封(feng)裝“已知良好管(guan)芯(xin)”。該封(feng)裝技術(shu)的(de)(de)有利特(te)征是(shi)形(xing)成扇出(chu)封(feng)裝件的(de)(de)可(ke)(ke)能性，這(zhe)是(shi)指可(ke)(ke)將(jiang)管(guan)芯(xin)上(shang)(shang)的(de)(de)I/O焊(han)盤(pan)(pan)再分(fen)布至比管(guan)芯(xin)更大的(de)(de)區域，因此可(ke)(ke)增加(jia)在(zai)(zai)管(guan)芯(xin)表面上(shang)(shang)封(feng)裝的(de)(de)I/O焊(han)盤(pan)(pan)的(de)(de)數量。

技術實現要素：

根據本(ben)發(fa)明的(de)一(yi)(yi)些實施例，提供(gong)了(le)一(yi)(yi)種形(xing)成半導體器件的(de)方法(fa)，所(suo)(suo)述(shu)方法(fa)包括：在(zai)(zai)載體襯(chen)底(di)(di)上設置(zhi)第(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)和(he)第(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)；將襯(chen)底(di)(di)接(jie)合至所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)，以(yi)面(mian)對面(mian)連接(jie)的(de)方式將所(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底(di)(di)與所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)連接(jie)；沿(yan)著所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)、所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)和(he)所(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底(di)(di)的(de)側壁(bi)形(xing)成模制材料；以(yi)及在(zai)(zai)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)上方形(xing)成第(di)(di)一(yi)(yi)通(tong)孔(kong)，使得所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)通(tong)孔(kong)延伸穿過所(suo)(suo)述(shu)模制材料至所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)。

根據本發明(ming)的(de)(de)另一(yi)些(xie)實施(shi)例，還(huan)提(ti)供了一(yi)種半導體(ti)器件，包括：第(di)(di)一(yi)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)，具有多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)第(di)(di)一(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)焊(han)盤；第(di)(di)二(er)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)，具有多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)第(di)(di)二(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)焊(han)盤；襯(chen)底(di)，接(jie)(jie)合(he)至所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)第(di)(di)一(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)焊(han)盤的(de)(de)第(di)(di)一(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)焊(han)盤和所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)第(di)(di)二(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)焊(han)盤的(de)(de)第(di)(di)一(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)焊(han)盤，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底(di)位于(yu)與(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)和所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)面(mian)對(dui)面(mian)方位，并且(qie)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)通孔延伸(shen)(shen)穿過(guo)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底(di)；模制(zhi)材料(liao)，插入(ru)在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)、所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)和所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底(di)之間，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)模制(zhi)材料(liao)沿(yan)著所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)、所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)管(guan)芯(xin)(xin)(xin)和所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底(di)的(de)(de)側壁延伸(shen)(shen)；以及第(di)(di)二(er)通孔，設置在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)第(di)(di)一(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)焊(han)盤的(de)(de)第(di)(di)二(er)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)焊(han)盤上方，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)通孔延伸(shen)(shen)穿過(guo)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)模制(zhi)材料(liao)。

根據本發(fa)明(ming)的(de)(de)又一(yi)(yi)(yi)(yi)些實施例，還(huan)提供了一(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)半導體器件，包(bao)括：第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯；第(di)二管芯，位于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯旁邊(bian)；中介(jie)層(ceng)，連接至所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯和(he)(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二管芯，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)中介(jie)層(ceng)以位于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)中介(jie)層(ceng)上的(de)(de)接觸(chu)焊盤(pan)(pan)位于(yu)中介(jie)層(ceng)的(de)(de)朝向所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯和(he)(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二管芯的(de)(de)表面上的(de)(de)方式定向，并(bing)且設(she)置所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)中介(jie)層(ceng)使得它與各個所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯和(he)(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二管芯部(bu)分重(zhong)疊；模(mo)制(zhi)材料(liao)，插入在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯、所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二管芯和(he)(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)中介(jie)層(ceng)之間，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)模(mo)制(zhi)材料(liao)沿(yan)著(zhu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯、所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二管芯和(he)(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)中介(jie)層(ceng)的(de)(de)側壁延(yan)(yan)伸(shen)；以及第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)通孔，設(she)置在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯的(de)(de)接觸(chu)焊盤(pan)(pan)上方，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)通孔在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯的(de)(de)接觸(chu)焊盤(pan)(pan)和(he)(he)設(she)置在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)模(mo)制(zhi)材料(liao)上方的(de)(de)外部(bu)連接件之間延(yan)(yan)伸(shen)。

附圖說明

為更完(wan)整地理解實(shi)施例及(ji)其優點，現在結(jie)合附(fu)圖(tu)對(dui)下列描述進(jin)行引用，其中：

圖(tu)1至圖(tu)12是(shi)根據一些示例性實施例的(de)(de)制(zhi)造通(tong)孔(TV)封裝件的(de)(de)中(zhong)間階段的(de)(de)截面圖(tu)；

圖13是根(gen)據一些示例(li)性實施例(li)的(de)TV封裝件的(de)截面(mian)圖；以及

圖14是根據(ju)一些(xie)示例性(xing)實施例的(de)TV封裝件(jian)的(de)截面圖。

具體實施方式

以下公開提供了(le)多(duo)種(zhong)不(bu)同實(shi)施例(li)(li)或(huo)(huo)實(shi)例(li)(li)，用于(yu)實(shi)現(xian)所提供主題(ti)的(de)不(bu)同特征。以下將描述組(zu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)(he)布置(zhi)的(de)特定實(shi)例(li)(li)以簡(jian)化(hua)本(ben)發明(ming)。當然，這些(xie)僅是實(shi)例(li)(li)并(bing)且不(bu)旨在(zai)限制本(ben)發明(ming)。例(li)(li)如，在(zai)以下描述中，在(zai)第二部(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)上方(fang)或(huo)(huo)上形成第一部(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)可(ke)以包(bao)括(kuo)第一部(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)(he)第二部(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)形成為直接接觸的(de)實(shi)施例(li)(li)，也可(ke)以包(bao)括(kuo)其(qi)他部(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)可(ke)以形成在(zai)第一部(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)(he)第二部(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)之間(jian)(jian)使得第一部(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)和(he)(he)第二部(bu)件(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)不(bu)直接接觸的(de)實(shi)施例(li)(li)。另外，本(ben)發明(ming)可(ke)以在(zai)多(duo)個實(shi)例(li)(li)中重復參考符(fu)號和(he)(he)/或(huo)(huo)字符(fu)。這種(zhong)重復用于(yu)簡(jian)化(hua)和(he)(he)清楚(chu)，并(bing)且其(qi)本(ben)身不(bu)表示所述多(duo)個實(shi)施例(li)(li)和(he)(he)/或(huo)(huo)配置(zhi)之間(jian)(jian)的(de)關系。

此外(wai)，在(zai)(zai)此可(ke)使(shi)用諸如“在(zai)(zai)…之(zhi)下”、“在(zai)(zai)…下面(mian)”、“下面(mian)的(de)(de)”、“在(zai)(zai)…之(zhi)上”、以(yi)及“上面(mian)的(de)(de)”等(deng)的(de)(de)空(kong)間(jian)(jian)關系(xi)術(shu)語，以(yi)容易地描(miao)述如圖中所示的(de)(de)一個元件或(huo)部件與另一元件或(huo)部件的(de)(de)關系(xi)。除圖中所示的(de)(de)方(fang)(fang)位之(zhi)外(wai)，空(kong)間(jian)(jian)關系(xi)術(shu)語將包(bao)括使(shi)用或(huo)操作中的(de)(de)裝置(zhi)的(de)(de)各種不同的(de)(de)方(fang)(fang)位。裝置(zhi)可(ke)以(yi)以(yi)其它方(fang)(fang)式定位(旋轉90度或(huo)在(zai)(zai)其他方(fang)(fang)位)，并且通過在(zai)(zai)此使(shi)用的(de)(de)空(kong)間(jian)(jian)關系(xi)描(miao)述符進行相應地解釋。

根據各(ge)個示例(li)性實施例(li)，提供了(le)包括通孔的(de)(de)堆疊式集成電(dian)路封(feng)裝(zhuang)件(jian)及其形成方法(fa)。示出了(le)形成封(feng)裝(zhuang)件(jian)的(de)(de)中間(jian)階段(duan)并(bing)且討(tao)論了(le)實施例(li)的(de)(de)變型(xing)。

圖1-12示出(chu)根據一(yi)些(xie)(xie)實(shi)施(shi)例(li)的(de)形(xing)成(cheng)(cheng)半導(dao)(dao)體(ti)封(feng)裝件的(de)中(zhong)(zhong)間(jian)步驟的(de)截面圖。在(zai)(zai)(zai)一(yi)些(xie)(xie)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)，可(ke)(ke)形(xing)成(cheng)(cheng)具有降低(di)的(de)成(cheng)(cheng)本和增大的(de)可(ke)(ke)靠(kao)性的(de)本文描述的(de)半導(dao)(dao)體(ti)封(feng)裝件。例(li)如，在(zai)(zai)(zai)一(yi)些(xie)(xie)示例(li)性實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)，襯底(di)與兩個(ge)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)管芯面對(dui)面連(lian)接，并(bing)且(qie)設置襯底(di)使(shi)得它至少(shao)部分(fen)地在(zai)(zai)(zai)兩個(ge)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)管芯上方。襯底(di)和集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)管芯的(de)方位和位置允許襯底(di)和集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)路(lu)管芯之間(jian)和之中(zhong)(zhong)的(de)較短連(lian)接，在(zai)(zai)(zai)一(yi)些(xie)(xie)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)這可(ke)(ke)增大可(ke)(ke)靠(kao)性和電(dian)性能。而且(qie)，在(zai)(zai)(zai)一(yi)些(xie)(xie)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)，襯底(di)可(ke)(ke)允許細(xi)間(jian)距金屬(shu)連(lian)接。因此，襯底(di)能實(shi)現更(geng)小空間(jian)中(zhong)(zhong)的(de)連(lian)接并(bing)且(qie)使(shi)用更(geng)少(shao)的(de)材料，這可(ke)(ke)降低(di)制(zhi)造(zao)成(cheng)(cheng)本。

首先參考圖1，示出(chu)了載(zai)體襯(chen)(chen)底(di)100，在載(zai)體襯(chen)(chen)底(di)100上形成(cheng)有釋放層102。通(tong)常，載(zai)體襯(chen)(chen)底(di)100提供(gong)了在隨后(hou)的(de)(de)(de)加工(gong)(gong)步驟(zou)期間的(de)(de)(de)臨(lin)時機械和結構支撐。載(zai)體襯(chen)(chen)底(di)100可包括任何適當的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)(liao)，例如(ru)(ru)(ru)，諸如(ru)(ru)(ru)硅(gui)(gui)晶圓、玻璃或(huo)氧化硅(gui)(gui)的(de)(de)(de)硅(gui)(gui)基材(cai)料(liao)(liao)，或(huo)諸如(ru)(ru)(ru)氧化鋁(lv)、陶瓷材(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)其他(ta)材(cai)料(liao)(liao)，任何這些材(cai)料(liao)(liao)的(de)(de)(de)組(zu)合等。在一些實施例中，將載(zai)體襯(chen)(chen)底(di)100平坦化以適應進(jin)一步加工(gong)(gong)。

釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102為在(zai)載(zai)體(ti)(ti)(ti)襯(chen)底100上(shang)方(fang)形(xing)成的(de)(de)(de)任(ren)選(xuan)層(ceng)(ceng)(ceng)，其(qi)可(ke)以(yi)允許(xu)更(geng)容(rong)易(yi)地去除(chu)載(zai)體(ti)(ti)(ti)襯(chen)底100。如(ru)下面更(geng)詳細描述(shu)的(de)(de)(de)，在(zai)載(zai)體(ti)(ti)(ti)襯(chen)底100上(shang)方(fang)放(fang)(fang)(fang)(fang)置各(ge)個層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)器件，此(ci)后可(ke)去除(chu)載(zai)體(ti)(ti)(ti)襯(chen)底100。任(ren)選(xuan)的(de)(de)(de)釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102幫(bang)助去除(chu)載(zai)體(ti)(ti)(ti)襯(chen)底100，減(jian)少對(dui)形(xing)成在(zai)載(zai)體(ti)(ti)(ti)襯(chen)底100上(shang)方(fang)的(de)(de)(de)結構的(de)(de)(de)損傷(shang)。釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102可(ke)由聚(ju)合物基材(cai)料(liao)形(xing)成。在(zai)一些(xie)實(shi)施例中，釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102為諸(zhu)如(ru)光(guang)熱轉換(LTHC)釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)涂層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)環氧基熱釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)材(cai)料(liao)，其(qi)在(zai)加熱時喪(sang)失它(ta)的(de)(de)(de)粘合性(xing)質。在(zai)其(qi)他實(shi)施例中，釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102可(ke)為紫外(UV)膠，其(qi)在(zai)暴露于UV光(guang)時喪(sang)失它(ta)的(de)(de)(de)粘合性(xing)質。釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102可(ke)以(yi)以(yi)液體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)形(xing)式(shi)分配并且固化。在(zai)其(qi)他實(shi)施例中，釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102可(ke)為層(ceng)(ceng)(ceng)壓在(zai)載(zai)體(ti)(ti)(ti)襯(chen)底100上(shang)的(de)(de)(de)層(ceng)(ceng)(ceng)壓膜。可(ke)使用其(qi)他釋(shi)(shi)(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)。

參考(kao)圖(tu)2，根據一些(xie)實施例(li)，將兩(liang)個集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200接(jie)(jie)(jie)合(he)至釋放(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102的(de)(de)(de)背面(mian)(mian)。在一些(xie)實施例(li)中(zhong)，可(ke)(ke)(ke)通過諸如管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)附接(jie)(jie)(jie)膜(DAF)的(de)(de)(de)粘合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)(未示出)將集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200粘附至釋放(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102。粘合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)厚度(du)可(ke)(ke)(ke)為從(cong)約(yue)5μm至約(yue)50μm的(de)(de)(de)范圍，諸如約(yue)10μm。集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200可(ke)(ke)(ke)為圖(tu)2所示的(de)(de)(de)兩(liang)個管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200，或(huo)(huo)(huo)者在一些(xie)實施例(li)中(zhong)，可(ke)(ke)(ke)附接(jie)(jie)(jie)單(dan)個管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)或(huo)(huo)(huo)多于兩(liang)個管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)。集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200可(ke)(ke)(ke)包(bao)括(kuo)(kuo)適于特定(ding)設(she)計(ji)(ji)的(de)(de)(de)任何管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)。例(li)如，集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)可(ke)(ke)(ke)包(bao)括(kuo)(kuo)靜態隨機(ji)存儲(chu)存儲(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)(SRAM)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)或(huo)(huo)(huo)動態隨機(ji)存儲(chu)存儲(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)(DRAM)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)、處(chu)理(li)器(qi)(qi)(qi)(qi)、存儲(chu)器(qi)(qi)(qi)(qi)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)、邏輯芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)、模擬(ni)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)、數字芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)、中(zhong)央處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(CPU)、圖(tu)形(xing)(xing)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)(yuan)(GPU)或(huo)(huo)(huo)其(qi)組合(he)等(deng)。可(ke)(ke)(ke)將集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200附接(jie)(jie)(jie)至釋放(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102上(shang)的(de)(de)(de)適當(dang)位置(zhi)以(yi)(yi)用(yong)(yong)于特定(ding)設(she)計(ji)(ji)或(huo)(huo)(huo)應用(yong)(yong)。在被附接(jie)(jie)(jie)至釋放(fang)(fang)層(ceng)(ceng)(ceng)102之前(qian)，可(ke)(ke)(ke)根據適用(yong)(yong)的(de)(de)(de)制(zhi)造工藝處(chu)理(li)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200以(yi)(yi)在集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200中(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)(未示出)。集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)包(bao)括(kuo)(kuo)在集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200的(de)(de)(de)背對載(zai)體襯(chen)底(di)100的(de)(de)(de)表面(mian)(mian)上(shang)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)件202。接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)件202允許集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200彼此連(lian)接(jie)(jie)(jie)和/或(huo)(huo)(huo)與其(qi)他(ta)外部(bu)器(qi)(qi)(qi)(qi)件、元(yuan)(yuan)件等(deng)連(lian)接(jie)(jie)(jie)。如在下面(mian)(mian)更(geng)詳(xiang)細描述的(de)(de)(de)，在一些(xie)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)件202上(shang)方(fang)(fang)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)通孔(TV)，并將襯(chen)底(di)接(jie)(jie)(jie)合(he)至一些(xie)其(qi)他(ta)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)件202。在集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)(lu)管(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)(xin)200的(de)(de)(de)頂面(mian)(mian)上(shang)布置(zhi)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)件202可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)以(yi)(yi)這種(zhong)方(fang)(fang)式設(she)計(ji)(ji)，從(cong)而使(shi)得接(jie)(jie)(jie)觸(chu)(chu)件202設(she)置(zhi)在TV的(de)(de)(de)計(ji)(ji)劃位置(zhi)下方(fang)(fang)或(huo)(huo)(huo)襯(chen)底(di)的(de)(de)(de)計(ji)(ji)劃位置(zhi)下方(fang)(fang)。

參(can)考(kao)圖3，在集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)管(guan)芯(xin)(xin)200上方(fang)放置襯(chen)底(di)300，使(shi)得(de)它與(yu)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)管(guan)芯(xin)(xin)200面對面連(lian)接(jie)(jie)，并且將(jiang)襯(chen)底(di)300設置為與(yu)各個(ge)(ge)(ge)(ge)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)管(guan)芯(xin)(xin)至少(shao)部(bu)分重疊。襯(chen)底(di)300可允許集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)200，襯(chen)底(di)300內(nei)部(bu)的(de)器件(jian)(jian)(jian)(若有的(de)話)，以(yi)及封裝件(jian)(jian)(jian)外(wai)部(bu)的(de)器件(jian)(jian)(jian)和元件(jian)(jian)(jian)等之間和之中(zhong)的(de)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)。取決于特定設計，結構的(de)應用，襯(chen)底(di)300可包含一(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)金屬(shu)連(lian)接(jie)(jie)層、一(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)有源器件(jian)(jian)(jian)、一(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)管(guan)芯(xin)(xin)、一(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)無源器件(jian)(jian)(jian)、這(zhe)些的(de)組合等。襯(chen)底(di)300還(huan)可包括一(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)(ge)(ge)通(tong)孔(TV)302，其可允許至襯(chen)底(di)300的(de)外(wai)部(bu)電(dian)(dian)(dian)連(lian)接(jie)(jie)，以(yi)及通(tong)過襯(chen)底(di)300中(zhong)的(de)金屬(shu)連(lian)接(jie)(jie)件(jian)(jian)(jian)連(lian)接(jie)(jie)至接(jie)(jie)觸(chu)件(jian)(jian)(jian)202。

在(zai)一(yi)些實施例(li)(li)中，襯(chen)(chen)底300可(ke)消(xiao)除對于(yu)一(yi)個或多個再分(fen)布層的(de)需要，這(zhe)通(tong)常提(ti)供(gong)不(bu)同于(yu)現有(you)(you)的(de)集成電路管(guan)芯、通(tong)孔等(deng)的(de)圖案的(de)導電圖案。例(li)(li)如(ru)(ru)，襯(chen)(chen)底300可(ke)提(ti)供(gong)金(jin)屬連(lian)接(jie)(jie)，金(jin)屬連(lian)接(jie)(jie)將以其(qi)他方式提(ti)供(gong)在(zai)一(yi)個或多個再分(fen)布層中。在(zai)一(yi)些實施例(li)(li)中，襯(chen)(chen)底300提(ti)供(gong)這(zhe)些具(ju)有(you)(you)細間(jian)距的(de)連(lian)接(jie)(jie)，這(zhe)消(xiao)耗封裝件中較少的(de)空間(jian)并(bing)且這(zhe)可(ke)降(jiang)低制造成本。例(li)(li)如(ru)(ru)，在(zai)一(yi)些實施例(li)(li)中，襯(chen)(chen)底300可(ke)包括具(ju)有(you)(you)約0.1μm至約20μm的(de)間(jian)距的(de)金(jin)屬連(lian)接(jie)(jie)，諸如(ru)(ru)約0.4μm。

設置(zhi)襯底(di)300使(shi)得它與集成電路管(guan)芯200面對面連接(jie)。在一些實施例中(zhong)(zhong)，還設置(zhi)襯底(di)300使(shi)得它與兩(liang)個相鄰(lin)的(de)集成電路管(guan)芯200部分重疊。這(zhe)種配置(zhi)允(yun)許襯底(di)300和集成電路管(guan)芯200之間(jian)(jian)和之中(zhong)(zhong)的(de)金屬(shu)連接(jie)之間(jian)(jian)更(geng)短的(de)距離(li)。更(geng)短的(de)距離(li)可幫助增(zeng)大金屬(shu)連接(jie)的(de)可靠性(xing)。

可(ke)使(shi)用已知方法預先(xian)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)襯(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)300。例如，可(ke)提(ti)供(gong)適(shi)當材料的(de)(de)(de)襯(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)300。取決于特定設計(ji)，襯(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)300可(ke)包括一個或(huo)(huo)多個有源(yuan)器件(jian)。通過(guo)化學(xue)氣(qi)相沉積、濺射或(huo)(huo)適(shi)于形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)ILD的(de)(de)(de)任何(he)其他方法，在(zai)襯(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)300和(he)有源(yuan)器件(jian)(若存(cun)在(zai))上方形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)層間電(dian)介質(zhi)(ILD)。可(ke)通過(guo)應用和(he)顯影(ying)適(shi)當的(de)(de)(de)光(guang)刻(ke)膠層，然后蝕刻(ke)ILD和(he)下層襯(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)300以(yi)在(zai)襯(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)300中(zhong)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)開口來(lai)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)TV 302。在(zai)該(gai)階(jie)段形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)開口以(yi)延伸(shen)至(zhi)襯(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)300中(zhong)，并且至(zhi)少比ILD中(zhong)的(de)(de)(de)有源(yuan)器件(jian)延伸(shen)得更遠，并且達到至(zhi)少大于完成(cheng)的(de)(de)(de)襯(chen)(chen)(chen)(chen)底(di)300的(de)(de)(de)最終期望高度(du)(du)的(de)(de)(de)深度(du)(du)。可(ke)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)具有約(yue)5μm至(zhi)約(yue)20μm的(de)(de)(de)直(zhi)徑的(de)(de)(de)開口，所述直(zhi)徑諸如約(yue)12μm。

一旦(dan)形成(cheng)開口，可(ke)使用(yong)阻(zu)擋層和導(dao)電材料(liao)(liao)填充開口以形成(cheng)TV 302。阻(zu)擋層可(ke)包括諸(zhu)如氮化(hua)鈦(tai)的(de)導(dao)電材料(liao)(liao)，但是諸(zhu)如氮化(hua)鉭、鈦(tai)、電介質(zhi)等的(de)其他材料(liao)(liao)也(ye)可(ke)以可(ke)選(xuan)(xuan)地(di)使用(yong)。可(ke)使用(yong)諸(zhu)如等離子體增強化(hua)學氣相沉(chen)(chen)積(PECVD)的(de)化(hua)學氣相沉(chen)(chen)積(CVD)工藝形成(cheng)阻(zu)擋層。然而，諸(zhu)如濺射或金屬有機化(hua)學氣相沉(chen)(chen)積(MOCVD)的(de)其他可(ke)選(xuan)(xuan)工藝也(ye)可(ke)以可(ke)選(xuan)(xuan)地(di)使用(yong)。形成(cheng)阻(zu)擋層以勾勒出(chu)用(yong)于下面的(de)TV 302的(de)開口的(de)形狀的(de)輪(lun)廓。

導電(dian)材(cai)料可(ke)(ke)包括銅，但(dan)是諸如(ru)鋁(lv)、合(he)金、摻(chan)雜多(duo)(duo)晶硅(gui)、其組合(he)等的(de)(de)(de)其他適(shi)(shi)(shi)當(dang)材(cai)料可(ke)(ke)以可(ke)(ke)選(xuan)地使(shi)用。可(ke)(ke)通過(guo)(guo)沉積晶種層(ceng)(ceng)，然后在晶種層(ceng)(ceng)上電(dian)鍍銅，填充(chong)和過(guo)(guo)填充(chong)用于TV 302的(de)(de)(de)開(kai)口來形成(cheng)導電(dian)材(cai)料。一旦填充(chong)用于TV 302的(de)(de)(de)開(kai)口，就(jiu)通過(guo)(guo)諸如(ru)化學機械(xie)拋(pao)光(CMP)的(de)(de)(de)研磨(mo)工(gong)藝去除(chu)TV 302的(de)(de)(de)開(kai)口外(wai)部的(de)(de)(de)過(guo)(guo)多(duo)(duo)阻擋層(ceng)(ceng)和過(guo)(guo)多(duo)(duo)導電(dian)材(cai)料，但(dan)是可(ke)(ke)使(shi)用任何適(shi)(shi)(shi)當(dang)的(de)(de)(de)去除(chu)工(gong)藝。最后，將襯底300的(de)(de)(de)背(bei)面減薄以暴露TV 302。可(ke)(ke)使(shi)用諸如(ru)CMP的(de)(de)(de)研磨(mo)工(gong)藝實施減薄，但(dan)是諸如(ru)蝕刻(ke)的(de)(de)(de)其他適(shi)(shi)(shi)當(dang)的(de)(de)(de)工(gong)藝可(ke)(ke)以被可(ke)(ke)選(xuan)地使(shi)用。

在襯底300的減薄之后，可實施清洗蝕刻。該清洗蝕刻旨在在CMP之后清洗和拋光襯底300。此外，該清洗蝕刻還幫助釋放在研磨襯底300的CMP工藝期間可能形成的應力。清洗蝕刻可使用HNO₃，但是可選地，可使用(yong)其他適當的蝕刻劑。

用(yong)于形成襯(chen)底300的本(ben)文(wen)描述的方法僅意圖作為實例。可使用(yong)形成襯(chen)底300的任何適(shi)當的方法，包括相同(tong)或不同(tong)方法等(deng)。

襯(chen)底(di)300可包括適于(yu)特定(ding)設計的(de)(de)(de)任何材(cai)料(liao)(liao)。襯(chen)底(di)300通常包括與用于(yu)形成(cheng)(cheng)集成(cheng)(cheng)電(dian)路管(guan)芯(xin)200的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)(liao)類似的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)(liao)，諸如硅。盡管(guan)襯(chen)底(di)300可由其(qi)他(ta)材(cai)料(liao)(liao)形成(cheng)(cheng)，但人們認為使用硅襯(chen)底(di)可降低應力，因為硅襯(chen)底(di)之(zhi)間的(de)(de)(de)熱(re)膨(peng)脹(zhang)系數(CTE)不匹配以及通常用于(yu)集成(cheng)(cheng)電(dian)路管(guan)芯(xin)200的(de)(de)(de)硅的(de)(de)(de)熱(re)膨(peng)脹(zhang)系數(CTE)低于(yu)由不同(tong)材(cai)料(liao)(liao)形成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)襯(chen)底(di)的(de)(de)(de)CTE。

在(zai)一(yi)些(xie)實(shi)施例中，襯底300的尺寸小于集成(cheng)電路(lu)管芯200的尺寸。例如，在(zai)一(yi)些(xie)實(shi)施例中，襯底300可具有約(yue)10μm至約(yue)100μm的高度，諸如約(yue)50μm。

使(shi)用連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)304將襯底(di)300接(jie)(jie)合(he)(he)至(zhi)集(ji)成(cheng)電路200上(shang)的(de)(de)(de)接(jie)(jie)觸件(jian)202。連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)304可(ke)為微凸(tu)(tu)塊(kuai)、焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)、金屬柱、可(ke)控坍(tan)塌芯(xin)片連(lian)(lian)接(jie)(jie)(C4)凸(tu)(tu)塊(kuai)、無電鍍鎳(nie)(nie)-無電鍍鈀-浸金技(ji)術(ENEPIG)形(xing)(xing)成(cheng)的(de)(de)(de)凸(tu)(tu)塊(kuai)、其(qi)組(zu)(zu)(zu)合(he)(he)(例(li)(li)如(ru)，具有(you)與其(qi)附接(jie)(jie)的(de)(de)(de)焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)的(de)(de)(de)金屬柱)等(deng)。連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)304可(ke)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)諸(zhu)如(ru)焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)、銅、鋁、金、鎳(nie)(nie)、銀、鈀、錫等(deng)或其(qi)組(zu)(zu)(zu)合(he)(he)的(de)(de)(de)導(dao)電材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)。在一(yi)些實施(shi)例(li)(li)中(zhong)，作(zuo)為實例(li)(li)，連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)304包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)共熔(rong)(rong)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)并(bing)(bing)且可(ke)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)凸(tu)(tu)塊(kuai)或焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)。例(li)(li)如(ru)，焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)可(ke)為鉛(qian)(qian)(qian)基和無鉛(qian)(qian)(qian)焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)，諸(zhu)如(ru)用于(yu)(yu)鉛(qian)(qian)(qian)基焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)的(de)(de)(de)Pb-Sn組(zu)(zu)(zu)合(he)(he)物；包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)InSb的(de)(de)(de)無鉛(qian)(qian)(qian)焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)；錫、銀和銅(SAC)組(zu)(zu)(zu)合(he)(he)物；以(yi)及具有(you)常用熔(rong)(rong)點并(bing)(bing)且在電應用中(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)導(dao)電焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)連(lian)(lian)接(jie)(jie)的(de)(de)(de)其(qi)他(ta)共熔(rong)(rong)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)。對于(yu)(yu)無鉛(qian)(qian)(qian)焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)，可(ke)使(shi)用不(bu)同組(zu)(zu)(zu)成(cheng)的(de)(de)(de)SAC焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)，作(zuo)為實例(li)(li)，諸(zhu)如(ru)SAC 105(Sn 98.5％、Ag 1.0％、Cu 0.5％)、SAC 305和SAC 405。諸(zhu)如(ru)焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)球(qiu)的(de)(de)(de)無鉛(qian)(qian)(qian)連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)可(ke)由SnCu化合(he)(he)物形(xing)(xing)成(cheng)同時(shi)不(bu)使(shi)用銀(Ag)。可(ke)選地(di)，無鉛(qian)(qian)(qian)焊(han)(han)(han)(han)(han)(han)料(liao)(liao)(liao)連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)可(ke)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)錫和銀、Sn-Ag并(bing)(bing)且不(bu)使(shi)用銅。連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)304可(ke)形(xing)(xing)成(cheng)諸(zhu)如(ru)球(qiu)柵(zha)陣列(BGA)的(de)(de)(de)柵(zha)格(ge)。在一(yi)些實施(shi)例(li)(li)中(zhong)，可(ke)實施(shi)回流工藝，在一(yi)些實施(shi)例(li)(li)中(zhong)給予連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)304局部球(qiu)面的(de)(de)(de)形(xing)(xing)狀。可(ke)選地(di)，連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)304可(ke)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)其(qi)他(ta)形(xing)(xing)狀。例(li)(li)如(ru)，連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)304還(huan)可(ke)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)非球(qiu)形(xing)(xing)導(dao)電連(lian)(lian)接(jie)(jie)件(jian)。

接(jie)下來，參(can)考(kao)圖4，沿著集成(cheng)電路管芯200和(he)襯底(di)300的側(ce)壁形成(cheng)模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)材料400。根據一些實(shi)施例，模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)材料400填充集成(cheng)電路管芯200、襯底(di)300和(he)連接(jie)件304之間(jian)的空間(jian)。模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)材料400支持集成(cheng)電路管芯200和(he)襯底(di)300并且減少連接(jie)件304的破裂。模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)材料400可包(bao)括模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)底(di)部填充物(wu)、模(mo)(mo)塑料、環(huan)氧樹(shu)脂或樹(shu)脂。

接下來，實(shi)施研(yan)磨(mo)步(bu)驟以(yi)減薄(bo)模(mo)制材料(liao)400直(zhi)至暴露TV 302。產生的結構在(zai)圖4中示(shi)出。由(you)于研(yan)磨(mo)，TV 302的頂(ding)端與(yu)模(mo)制材料(liao)400的頂(ding)面基本齊平(ping)(共(gong)面)。由(you)于研(yan)磨(mo)，可產生諸如金屬顆粒的剩余(yu)(yu)物，并且(qie)留在(zai)頂(ding)面上(shang)。因此(ci)，在(zai)研(yan)磨(mo)之后，例如，通過濕蝕刻實(shi)施清洗以(yi)便去(qu)除剩余(yu)(yu)物。

參考圖(tu)5，在模制材(cai)料400中(zhong)產生(sheng)多(duo)個開(kai)(kai)口(kou)(kou)500。如(ru)在下面更詳細(xi)討(tao)論的(de)(de)，在開(kai)(kai)口(kou)(kou)500中(zhong)形(xing)成TV以(yi)實(shi)(shi)現至集成電路管芯(xin)200上(shang)的(de)(de)接觸件(jian)202的(de)(de)外(wai)部電連接。可(ke)通(tong)過(guo)諸如(ru)激光鉆孔、蝕刻等的(de)(de)任何適當的(de)(de)方(fang)法形(xing)成開(kai)(kai)口(kou)(kou)500。開(kai)(kai)口(kou)(kou)500的(de)(de)直(zhi)(zhi)徑(jing)將(jiang)取決于在開(kai)(kai)口(kou)(kou)500中(zhong)將(jiang)形(xing)成的(de)(de)計劃的(de)(de)TV的(de)(de)期(qi)望直(zhi)(zhi)徑(jing)。在一(yi)些實(shi)(shi)施例(li)中(zhong)，開(kai)(kai)口(kou)(kou)500的(de)(de)直(zhi)(zhi)徑(jing)可(ke)為(wei)(wei)約50μm至約300μm，諸如(ru)約100μm。由圖(tu)5可(ke)以(yi)看(kan)出，通(tong)過(guo)襯(chen)底300的(de)(de)高度確定(ding)開(kai)(kai)口(kou)(kou)500的(de)(de)高度。在一(yi)些實(shi)(shi)施例(li)中(zhong)，開(kai)(kai)口(kou)(kou)500的(de)(de)高度可(ke)為(wei)(wei)約50μm至約300μm，諸如(ru)約100μm。

參考圖6，在(zai)(zai)開口500中(zhong)形成TV 600。例(li)如，可通過在(zai)(zai)模制材料400上方形成導電晶種(zhong)(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(未示出(chu))形成TV 600。在(zai)(zai)一些實施例(li)中(zhong)，晶種(zhong)(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)為金屬層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，其可為單層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)或包(bao)含由(you)不同材料形成的多個子層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的復(fu)合(he)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。晶種(zhong)(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)可由(you)銅、鈦、鎳(nie)、金或其組(zu)(zu)合(he)等制成。在(zai)(zai)一些實施例(li)中(zhong)，晶種(zhong)(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)括鈦層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和在(zai)(zai)鈦層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上方的銅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。例(li)如，可使用物(wu)理氣相沉(chen)(chen)積(PVD)、CVD、原子層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)沉(chen)(chen)積(ALD)、其組(zu)(zu)合(he)等形成晶種(zhong)(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)。

接下來，例如，可(ke)(ke)(ke)使用(yong)(yong)無(wu)電(dian)鍍工(gong)藝或(huo)電(dian)化學(xue)鍍工(gong)藝將(jiang)開口500填充導電(dian)材料(liao)，從而(er)建立TV 600。金屬部件TV 600可(ke)(ke)(ke)包(bao)括銅、鋁、鎢、鎳、焊料(liao)或(huo)其合(he)金。TV 600的(de)(de)(de)頂視(shi)圖形狀(zhuang)可(ke)(ke)(ke)為矩形、正方形、圓形等。接下來，可(ke)(ke)(ke)實施蝕刻步驟或(huo)研磨(mo)步驟以去除位于模制材料(liao)400上方的(de)(de)(de)晶種層的(de)(de)(de)暴(bao)露部分和(he)位于開口500上方的(de)(de)(de)任何(he)(he)過多(duo)導電(dian)材料(liao)。可(ke)(ke)(ke)使用(yong)(yong)任何(he)(he)適當(dang)的(de)(de)(de)蝕刻或(huo)研磨(mo)工(gong)藝。在圖6中描(miao)述產生(sheng)的(de)(de)(de)結構。

在一(yi)些實(shi)(shi)施例中，當晶(jing)(jing)種層(ceng)(ceng)由與(yu)TV 600類(lei)似(si)或相同的材料(liao)形成時，可(ke)(ke)(ke)將(jiang)晶(jing)(jing)種層(ceng)(ceng)與(yu)TV 600合并，并且在晶(jing)(jing)種層(ceng)(ceng)和TV 600之間沒有(you)可(ke)(ke)(ke)區分的界面。在一(yi)些實(shi)(shi)施例中，在晶(jing)(jing)種層(ceng)(ceng)和TV 600之間存在可(ke)(ke)(ke)區分的界面。

可(ke)選地(di)，在一些實(shi)施例中，在沿著(zhu)襯底300的(de)側壁(bi)形成(cheng)模(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料之(zhi)前可(ke)形成(cheng)TV 600。例如(ru)，如(ru)圖7所示，在將襯底300接合至集(ji)成(cheng)電路(lu)管(guan)(guan)芯200之(zhi)前，可(ke)沿著(zhu)集(ji)成(cheng)電路(lu)管(guan)(guan)芯200的(de)側壁(bi)形成(cheng)第一模(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料700。第一模(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料700填(tian)充(chong)集(ji)成(cheng)電路(lu)管(guan)(guan)芯200之(zhi)間的(de)空隙，并且可(ke)與(yu)釋放(fang)層(ceng)102接觸。第一模(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料700可(ke)包括模(mo)塑料、模(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)底部填(tian)充(chong)物、環氧樹脂(zhi)或樹脂(zhi)。第一模(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料700的(de)頂(ding)(ding)面高于金屬接觸件202的(de)頂(ding)(ding)端。

接(jie)下來，實施研磨步驟以減薄第(di)一模制材料700直(zhi)至暴(bao)露(lu)金屬接(jie)觸(chu)件202。產(chan)生(sheng)的結(jie)構在(zai)(zai)圖8中示出。由(you)于(yu)研磨，金屬接(jie)觸(chu)件202的頂端與第(di)一模制材料700的頂面(mian)基(ji)本齊平(共面(mian))。由(you)于(yu)研磨，可產(chan)生(sheng)諸如(ru)金屬顆粒的金屬剩余(yu)物，并(bing)且(qie)留在(zai)(zai)頂面(mian)上。因此(ci)，在(zai)(zai)研磨之后，例如(ru)，通(tong)過濕蝕刻實施清洗以便(bian)去除金屬剩余(yu)物。

參考圖(tu)(tu)9，在金(jin)屬接(jie)觸(chu)件202上(shang)方(fang)(fang)形(xing)成TV 600。在一(yi)(yi)些實施例(li)中(zhong)，可(ke)(ke)沉積并(bing)圖(tu)(tu)案(an)(an)化(hua)諸如(ru)圖(tu)(tu)案(an)(an)化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)掩模(mo)層(ceng)，其(qi)中(zhong)，掩模(mo)層(ceng)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)(kai)(kai)口(kou)暴露TV 600的(de)(de)(de)(de)(de)(de)期望位置。例(li)如(ru)，可(ke)(ke)使用(yong)無電(dian)鍍(du)工藝(yi)或(huo)電(dian)化(hua)學(xue)鍍(du)工藝(yi)將開(kai)(kai)(kai)口(kou)填(tian)(tian)充導電(dian)材(cai)料(liao)，從(cong)而建立TV 600。鍍(du)工藝(yi)可(ke)(ke)單(dan)方(fang)(fang)向填(tian)(tian)充圖(tu)(tu)案(an)(an)化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)層(ceng)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)(kai)(kai)口(kou)(例(li)如(ru)，從(cong)金(jin)屬接(jie)觸(chu)件202向上(shang))。單(dan)方(fang)(fang)向填(tian)(tian)充可(ke)(ke)允(yun)許這種開(kai)(kai)(kai)口(kou)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)更均勻的(de)(de)(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充。可(ke)(ke)選地，可(ke)(ke)在圖(tu)(tu)案(an)(an)化(hua)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)層(ceng)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)(kai)(kai)口(kou)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)側壁上(shang)形(xing)成晶種層(ceng)，并(bing)且可(ke)(ke)多(duo)方(fang)(fang)向填(tian)(tian)充這種開(kai)(kai)(kai)口(kou)。TV 600可(ke)(ke)包括銅、鋁、鎢、鎳(nie)、焊料(liao)或(huo)其(qi)合金(jin)。TV 600的(de)(de)(de)(de)(de)(de)頂(ding)視(shi)圖(tu)(tu)形(xing)狀可(ke)(ke)為矩形(xing)、正方(fang)(fang)形(xing)、圓(yuan)形(xing)等(deng)。一(yi)(yi)旦填(tian)(tian)充用(yong)于TV 600的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)(kai)(kai)口(kou)，就通(tong)過(guo)諸如(ru)化(hua)學(xue)機械拋光(guang)(guang)(CMP)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研磨工藝(yi)去除TV 600的(de)(de)(de)(de)(de)(de)開(kai)(kai)(kai)口(kou)外部的(de)(de)(de)(de)(de)(de)過(guo)多(duo)晶種層(ceng)(若有的(de)(de)(de)(de)(de)(de)話(hua))和過(guo)多(duo)導電(dian)材(cai)料(liao)，但(dan)是(shi)可(ke)(ke)使用(yong)任何適當(dang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)去除工藝(yi)。最后(hou)，可(ke)(ke)通(tong)過(guo)可(ke)(ke)接(jie)受(shou)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)灰化(hua)或(huo)剝離(li)工藝(yi)去除光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)層(ceng)，諸如(ru)使用(yong)氧(yang)等(deng)離(li)子體等(deng)。

可選地(di)，還可通過諸如銅引(yin)(yin)線(xian)接合(he)工(gong)藝(yi)(yi)的(de)引(yin)(yin)線(xian)接合(he)工(gong)藝(yi)(yi)放置的(de)金屬(shu)引(yin)(yin)線(xian)釘實(shi)現TV 600。引(yin)(yin)線(xian)接合(he)工(gong)藝(yi)(yi)的(de)使用可消(xiao)除對沉(chen)積和圖案(an)化掩模層的(de)需求，并且鍍(du)以形成TV 600。

參考圖(tu)9，使(shi)用與(yu)上述(shu)那些相(xiang)同或(huo)類似的(de)方法，使(shi)用連(lian)接件304將襯(chen)底300接合至(zhi)金屬(shu)接觸件202。接下來(lai)，參考圖(tu)10，沿著襯(chen)底300和(he)TV 600的(de)側(ce)壁形成(cheng)第(di)(di)二(er)模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料(liao)(liao)(liao)1000。第(di)(di)二(er)模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料(liao)(liao)(liao)1000填(tian)充TV 600和(he)襯(chen)底300之間的(de)空隙，并且可(ke)(ke)與(yu)第(di)(di)一模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料(liao)(liao)(liao)700或(huo)金屬(shu)接觸件202接觸。第(di)(di)二(er)模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料(liao)(liao)(liao)1000可(ke)(ke)包括模(mo)(mo)塑料(liao)(liao)(liao)、模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)底部填(tian)充物、環氧樹(shu)脂或(huo)樹(shu)脂。第(di)(di)二(er)模(mo)(mo)制(zhi)(zhi)(zhi)材料(liao)(liao)(liao)1000的(de)頂面高于TV 600和(he)TV 302的(de)頂端。

接下來，實(shi)施(shi)研(yan)磨步驟(zou)以減薄(bo)第二(er)(er)模制(zhi)材料1000直(zhi)至暴露金(jin)屬(shu)接觸(chu)件202。產生的結構在圖11中示出。由(you)于(yu)研(yan)磨，TV 600和TV 302的頂端與第二(er)(er)模制(zhi)材料1000的頂面基本(ben)齊平(ping)(共面)。由(you)于(yu)研(yan)磨，可產生諸如(ru)金(jin)屬(shu)顆粒的剩余物，并且留在頂面上。因此，在研(yan)磨之后，例如(ru)，通(tong)過濕蝕刻實(shi)施(shi)清(qing)洗以便去除金(jin)屬(shu)剩余物。

接下來，參考圖12，在TV 600和TV 302上方形成連(lian)接件(jian)(jian)700。在一些實施例中，連(lian)接件(jian)(jian)700各(ge)自包(bao)括第(di)一導電柱(zhu)700A和在第(di)一導電柱(zhu)700A上形成的(de)焊球(qiu)700B。

可(ke)(ke)使(shi)用任何適當的(de)方(fang)(fang)法形成(cheng)(cheng)(cheng)連接件700。例如，可(ke)(ke)使(shi)用與上述那些類(lei)似的(de)方(fang)(fang)法，在(zai)第二模制材料700上方(fang)(fang)沉(chen)積(ji)晶(jing)種(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)(未示出)。在(zai)一些實(shi)施例中，晶(jing)種(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)為金屬層(ceng)(ceng)(ceng)，其可(ke)(ke)為單層(ceng)(ceng)(ceng)或包(bao)含由不同材料形成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)多個子層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)復(fu)合層(ceng)(ceng)(ceng)。晶(jing)種(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)可(ke)(ke)由銅、鈦、鎳、金或其組(zu)合等(deng)(deng)制成(cheng)(cheng)(cheng)。在(zai)一些實(shi)施例中，晶(jing)種(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)包(bao)括鈦層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)在(zai)鈦層(ceng)(ceng)(ceng)上方(fang)(fang)的(de)銅層(ceng)(ceng)(ceng)。例如，可(ke)(ke)使(shi)用物理氣相沉(chen)積(ji)(PVD)、CVD、原子層(ceng)(ceng)(ceng)沉(chen)積(ji)(ALD)、其組(zu)合等(deng)(deng)形成(cheng)(cheng)(cheng)晶(jing)種(zhong)層(ceng)(ceng)(ceng)。

接(jie)下來(lai)，在(zai)模制材(cai)料(liao)(liao)400上方沉積光(guang)(guang)刻膠(jiao)層(ceng)并圖案化以(yi)暴露(lu)TV 600和TV 302。可(ke)通(tong)過(guo)旋轉(zhuan)涂布等(deng)(deng)形成光(guang)(guang)刻膠(jiao)層(ceng)，并且可(ke)使(shi)用可(ke)接(jie)受(shou)的(de)光(guang)(guang)刻工藝(yi)將光(guang)(guang)刻膠(jiao)層(ceng)暴露(lu)于(yu)(yu)(yu)光(guang)(guang)以(yi)用于(yu)(yu)(yu)圖案化。接(jie)下來(lai)，可(ke)通(tong)過(guo)在(zai)光(guang)(guang)刻膠(jiao)層(ceng)的(de)開(kai)(kai)口中(zhong)(zhong)和在(zai)晶種層(ceng)上形成導(dao)(dao)電(dian)材(cai)料(liao)(liao)來(lai)形成導(dao)(dao)電(dian)柱700A。可(ke)通(tong)過(guo)諸如電(dian)鍍或無電(dian)鍍等(deng)(deng)的(de)鍍形成導(dao)(dao)電(dian)材(cai)料(liao)(liao)。導(dao)(dao)電(dian)材(cai)料(liao)(liao)可(ke)包括金屬，例(li)(li)如銅、鈦、鎢(wu)、鋁等(deng)(deng)，例(li)(li)如，其可(ke)具(ju)有(you)比焊(han)料(liao)(liao)更高(gao)的(de)回流(liu)溫(wen)度。第一導(dao)(dao)電(dian)柱700A的(de)寬(kuan)度對應于(yu)(yu)(yu)光(guang)(guang)刻膠(jiao)層(ceng)中(zhong)(zhong)的(de)開(kai)(kai)口的(de)寬(kuan)度并且可(ke)為從約(yue)20μm至約(yue)200μm的(de)范圍(wei)，諸如約(yue)100μm。導(dao)(dao)電(dian)柱700A的(de)高(gao)度可(ke)為從約(yue)20μm至約(yue)150μm的(de)范圍(wei)，諸如約(yue)40μm，其中(zhong)(zhong)，垂直于(yu)(yu)(yu)模制材(cai)料(liao)(liao)400的(de)頂(ding)側測(ce)量高(gao)度。

可(ke)(ke)使(shi)用諸(zhu)(zhu)如(ru)(ru)電(dian)(dian)鍍或無(wu)電(dian)(dian)鍍的(de)(de)(de)鍍、絲網印(yin)刷等在(zai)(zai)導(dao)電(dian)(dian)柱700A上和(he)在(zai)(zai)光刻膠(jiao)層(ceng)的(de)(de)(de)開口(kou)中(zhong)形成焊(han)(han)帽700B。焊(han)(han)帽700B可(ke)(ke)為諸(zhu)(zhu)如(ru)(ru)無(wu)鉛焊(han)(han)料的(de)(de)(de)任何可(ke)(ke)接受(shou)的(de)(de)(de)低溫可(ke)(ke)回(hui)流導(dao)電(dian)(dian)材料。焊(han)(han)帽700B的(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)(du)對應于(yu)光刻膠(jiao)層(ceng)的(de)(de)(de)開口(kou)和(he)導(dao)電(dian)(dian)柱700A中(zhong)的(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)(du)并且可(ke)(ke)從(cong)約(yue)(yue)20μm至約(yue)(yue)200μm的(de)(de)(de)范(fan)圍，諸(zhu)(zhu)如(ru)(ru)約(yue)(yue)100μm。焊(han)(han)帽700B的(de)(de)(de)厚度(du)(du)可(ke)(ke)從(cong)約(yue)(yue)5μm至約(yue)(yue)50μm的(de)(de)(de)范(fan)圍，諸(zhu)(zhu)如(ru)(ru)約(yue)(yue)20μm，其中(zhong)，垂直(zhi)于(yu)模制材料400的(de)(de)(de)頂(ding)側測量厚度(du)(du)。連接件700(例(li)如(ru)(ru)，導(dao)電(dian)(dian)柱700A和(he)焊(han)(han)帽700B)的(de)(de)(de)高度(du)(du)為從(cong)約(yue)(yue)25μm至約(yue)(yue)200μm的(de)(de)(de)范(fan)圍，諸(zhu)(zhu)如(ru)(ru)約(yue)(yue)60μm。在(zai)(zai)形成焊(han)(han)帽700B之后，可(ke)(ke)通(tong)過可(ke)(ke)接受(shou)的(de)(de)(de)灰(hui)化或剝離工藝去除光刻膠(jiao)層(ceng)，諸(zhu)(zhu)如(ru)(ru)使(shi)用氧等離子體等。

接下(xia)來(lai)，在完成(cheng)加工之(zhi)后，去(qu)除載(zai)體襯底100。還去(qu)除釋放層102。如果建立多于一個封裝件，則(ze)將晶圓切割成(cheng)單個封裝件。產生的結構在圖13中示出。

其他實施(shi)例(li)是可(ke)能的(de)。例(li)如，圖(tu)14示出包(bao)含三個(ge)集成電路管(guan)芯(xin)200和(he)兩個(ge)襯(chen)(chen)底(di)300的(de)封裝件。襯(chen)(chen)底(di)300和(he)集成電路管(guan)芯(xin)200處(chu)于面對面方位并且通過連接(jie)件304連接(jie)。設置(zhi)各個(ge)襯(chen)(chen)底(di)300使(shi)得它與兩個(ge)集成電路管(guan)芯(xin)200部分重疊。連接(jie)件700提供至(zhi)封裝件的(de)外部電連接(jie)。可(ke)使(shi)用與本文描(miao)(miao)述的(de)方法相同(tong)或相似的(de)方法形(xing)成圖(tu)14中描(miao)(miao)述的(de)實施(shi)例(li)。

在(zai)一些實施(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)(zhong)，可(ke)(ke)(ke)形成(cheng)具有降低(di)的(de)成(cheng)本和(he)增(zeng)大的(de)可(ke)(ke)(ke)靠性的(de)本文描述的(de)半導體封裝件。例(li)(li)(li)如，在(zai)一些示(shi)例(li)(li)(li)性實施(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)(zhong)，襯(chen)底與兩個集(ji)成(cheng)電路管(guan)芯面對面連接(jie)，并設置(zhi)襯(chen)底使得它與兩個集(ji)成(cheng)電路管(guan)芯至(zhi)少部分重疊。襯(chen)底和(he)集(ji)成(cheng)電路管(guan)芯的(de)方位(wei)和(he)位(wei)置(zhi)允(yun)許(xu)(xu)襯(chen)底和(he)集(ji)成(cheng)電路管(guan)芯之(zhi)間和(he)之(zhi)中(zhong)(zhong)的(de)較短連接(jie)，這(zhe)在(zai)一些實施(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)(zhong)可(ke)(ke)(ke)增(zeng)大可(ke)(ke)(ke)靠性。而且，在(zai)一些實施(shi)例(li)(li)(li)中(zhong)(zhong)，襯(chen)底可(ke)(ke)(ke)允(yun)許(xu)(xu)細間距金屬連接(jie)。因此，襯(chen)底可(ke)(ke)(ke)實現在(zai)較小(xiao)的(de)空間中(zhong)(zhong)的(de)電連接(jie)并且使用較少的(de)材料，這(zhe)可(ke)(ke)(ke)降低(di)制造成(cheng)本。

在一些(xie)實施例中，提供了(le)制造半導體(ti)器件(jian)的(de)方(fang)法。方(fang)法包括在載體(ti)襯底上設(she)置(zhi)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)。將襯底接合至第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)使得襯底以面對面連接的(de)方(fang)式(shi)與(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)和(he)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)連接。沿(yan)著第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)和(he)襯底的(de)側壁形成模制材料(liao)。在第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)上方(fang)形成第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一通孔(kong)使得第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一通孔(kong)延伸通過(guo)模制材料(liao)至第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)。

在一(yi)(yi)(yi)些實施例(li)中，提供了半導體器(qi)件(jian)。半導體器(qi)件(jian)包括具(ju)有多(duo)個(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)(pan)(pan)的第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)和具(ju)有多(duo)個(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)(pan)(pan)的第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)。襯(chen)底(di)(di)(di)以與第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)和第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)面(mian)對面(mian)的方位接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)合至多(duo)個(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)(pan)(pan)的第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)(pan)(pan)和多(duo)個(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)(pan)(pan)的第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)(pan)(pan)。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)通(tong)孔(kong)延(yan)伸(shen)通(tong)過襯(chen)底(di)(di)(di)。模制(zhi)材(cai)料(liao)插入在第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)和襯(chen)底(di)(di)(di)之間，模制(zhi)材(cai)料(liao)沿(yan)著第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)、第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)和襯(chen)底(di)(di)(di)的側(ce)壁延(yan)伸(shen)。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)通(tong)孔(kong)設置(zhi)在多(duo)個(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)(pan)(pan)的第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)(pan)(pan)上(shang)方，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)通(tong)孔(kong)延(yan)伸(shen)通(tong)過模制(zhi)材(cai)料(liao)。

在(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些實施例中(zhong)，提供了半導體器(qi)件。半導體器(qi)件包(bao)括第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)和(he)(he)(he)在(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)旁邊的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)。中(zhong)介(jie)(jie)層(ceng)連接至第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)，所述中(zhong)介(jie)(jie)層(ceng)以(yi)中(zhong)介(jie)(jie)層(ceng)上的(de)(de)(de)接觸(chu)(chu)焊盤(pan)位于中(zhong)介(jie)(jie)層(ceng)的(de)(de)(de)朝向第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)的(de)(de)(de)表面上的(de)(de)(de)方(fang)式定向。設置中(zhong)介(jie)(jie)層(ceng)使(shi)得它與各個第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)和(he)(he)(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)部分重疊。模(mo)制(zhi)材(cai)料插入(ru)在(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)、第(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)和(he)(he)(he)中(zhong)介(jie)(jie)層(ceng)之(zhi)間(jian)，模(mo)制(zhi)材(cai)料沿著第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)、第(di)(di)(di)(di)二(er)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)和(he)(he)(he)中(zhong)介(jie)(jie)層(ceng)的(de)(de)(de)側壁延伸。第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)通(tong)孔(kong)(kong)設置在(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)的(de)(de)(de)接觸(chu)(chu)焊盤(pan)上方(fang)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)通(tong)孔(kong)(kong)在(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)(xin)的(de)(de)(de)接觸(chu)(chu)焊盤(pan)和(he)(he)(he)設置在(zai)(zai)模(mo)制(zhi)材(cai)料上方(fang)的(de)(de)(de)外(wai)部連接件之(zhi)間(jian)延伸。

根據本發明的一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些實施例，提供了一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種形成(cheng)(cheng)半導體器件的方法(fa)(fa)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)方法(fa)(fa)包括：在載體襯(chen)底上(shang)設置第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)和(he)第(di)(di)二(er)(er)管(guan)(guan)芯(xin)；將(jiang)(jiang)襯(chen)底接(jie)合(he)至所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)管(guan)(guan)芯(xin)，以(yi)面對面連(lian)接(jie)的方式(shi)將(jiang)(jiang)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底與所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)管(guan)(guan)芯(xin)連(lian)接(jie)；沿著(zhu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)、所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)管(guan)(guan)芯(xin)和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底的側壁形成(cheng)(cheng)模制(zhi)材料(liao)；以(yi)及在所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)上(shang)方形成(cheng)(cheng)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)通(tong)孔(kong)，使得所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)通(tong)孔(kong)延伸穿過所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)模制(zhi)材料(liao)至所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)。

在(zai)上述(shu)(shu)方(fang)(fang)法中，還包括：在(zai)所述(shu)(shu)第(di)一(yi)通(tong)孔(kong)(kong)上方(fang)(fang)形(xing)成(cheng)第(di)一(yi)柱(zhu)連接(jie)件；在(zai)所述(shu)(shu)襯底中的通(tong)孔(kong)(kong)上方(fang)(fang)形(xing)成(cheng)第(di)二(er)柱(zhu)連接(jie)件；以及(ji)去除所述(shu)(shu)載體襯底。

在上(shang)述(shu)方法中，還包括在每個所述(shu)第一柱(zhu)(zhu)連接件(jian)和所述(shu)第二柱(zhu)(zhu)連接件(jian)上(shang)方形成(cheng)焊帽。

在(zai)上(shang)述(shu)方法中，所述(shu)襯底包(bao)括具有約0.1μm至約20μm的間距的金屬(shu)連接。

在上述方法中，使用(yong)微凸(tu)塊連接件將(jiang)所述襯底接合至所述第(di)一(yi)管芯和所述第(di)二(er)管芯。

在上述方法中(zhong)，形成所述第一(yi)通(tong)孔(kong)(kong)包(bao)括(kuo)：使用激光(guang)鉆孔(kong)(kong)在所述模制材料中(zhong)建立開口，其中(zhong)，在所述開口中(zhong)形成所述第一(yi)通(tong)孔(kong)(kong)。

在(zai)上(shang)述(shu)(shu)(shu)方法(fa)中，還(huan)包括(kuo)：在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)載體襯底(di)上(shang)的(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)旁邊設置第(di)(di)(di)(di)(di)三管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)；將(jiang)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)襯底(di)接合至所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)三管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)，以面對(dui)面方式(shi)將(jiang)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)襯底(di)與所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)三管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)連接；在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)三管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)上(shang)方形成(cheng)所(suo)述(shu)(shu)(shu)模制材(cai)料(liao)；以及在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)三管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)上(shang)方形成(cheng)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)通(tong)孔(kong)，使得所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)通(tong)孔(kong)延伸穿過所(suo)述(shu)(shu)(shu)模制材(cai)料(liao)至所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)三管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)。

根據本(ben)發明(ming)的另一(yi)(yi)(yi)(yi)些實施例，還提供了一(yi)(yi)(yi)(yi)種半(ban)導體器件(jian)，包(bao)括：第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯(xin)(xin)(xin)，具(ju)有(you)多個(ge)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸焊(han)(han)盤(pan)；第(di)二(er)管芯(xin)(xin)(xin)，具(ju)有(you)多個(ge)第(di)二(er)接(jie)(jie)觸焊(han)(han)盤(pan)；襯底(di)，接(jie)(jie)合至所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)多個(ge)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸焊(han)(han)盤(pan)的第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸焊(han)(han)盤(pan)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)多個(ge)第(di)二(er)接(jie)(jie)觸焊(han)(han)盤(pan)的第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸焊(han)(han)盤(pan)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底(di)位于(yu)與所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯(xin)(xin)(xin)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)管芯(xin)(xin)(xin)面(mian)對(dui)面(mian)方位，并且所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)通孔(kong)(kong)延伸(shen)(shen)穿(chuan)過所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底(di)；模(mo)(mo)制(zhi)材(cai)料，插(cha)入(ru)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯(xin)(xin)(xin)、所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)管芯(xin)(xin)(xin)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底(di)之間，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)模(mo)(mo)制(zhi)材(cai)料沿著(zhu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)管芯(xin)(xin)(xin)、所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)管芯(xin)(xin)(xin)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯底(di)的側壁(bi)延伸(shen)(shen)；以及第(di)二(er)通孔(kong)(kong)，設置(zhi)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)多個(ge)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)接(jie)(jie)觸焊(han)(han)盤(pan)的第(di)二(er)接(jie)(jie)觸焊(han)(han)盤(pan)上方，所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)通孔(kong)(kong)延伸(shen)(shen)穿(chuan)過所(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)模(mo)(mo)制(zhi)材(cai)料。

在上述半導體器件中，還包括設置在所(suo)述多個第(di)二接觸焊(han)盤的第(di)二接觸焊(han)盤上方的第(di)三通孔，所(suo)述第(di)三通孔延伸(shen)穿過(guo)所(suo)述模制材料。

在上述(shu)(shu)半(ban)導體(ti)器件中(zhong)，還包括設(she)置在所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底上方(fang)并(bing)且連(lian)接至(zhi)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)通孔(kong)的第一(yi)柱連(lian)接件；以及設(she)置在所(suo)(suo)述(shu)(shu)模制材料上方(fang)并(bing)且連(lian)接至(zhi)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二通孔(kong)的第二柱連(lian)接件。

在(zai)上述(shu)半導體器件(jian)中，還包(bao)括在(zai)各(ge)個所述(shu)第一柱(zhu)連(lian)接(jie)件(jian)和所述(shu)第二柱(zhu)連(lian)接(jie)件(jian)上方的焊帽。

在(zai)上述半導(dao)體器件(jian)中，所(suo)述襯底包括具(ju)有約(yue)0.1μm至(zhi)約(yue)20μm的間距(ju)的金屬(shu)連接。

在上述半導體器件中(zhong)，設置所(suo)(suo)述襯底使得它(ta)部分地位(wei)于各個所(suo)(suo)述第一管芯和所(suo)(suo)述第二管芯上方。

在上述半(ban)導體器件中，以(yi)所(suo)述襯底(di)(di)的(de)(de)中心(xin)點位于所(suo)述第(di)(di)一管芯和(he)所(suo)述第(di)(di)二管芯之間的(de)(de)區域上方的(de)(de)方式(shi)設置所(suo)述襯底(di)(di)。

根(gen)據本(ben)發(fa)明的(de)(de)又一(yi)(yi)些實施例(li)，還提供了(le)一(yi)(yi)種(zhong)半導(dao)體器件，包(bao)括(kuo)：第(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)；第(di)二(er)(er)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)，位(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)旁邊(bian)；中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)，連接(jie)至所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)以(yi)位(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)上(shang)的(de)(de)接(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)位(wei)于中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)的(de)(de)朝向(xiang)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)的(de)(de)表面上(shang)的(de)(de)方(fang)(fang)式定向(xiang)，并且設置(zhi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)使得它與各(ge)個所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)部分重疊(die)；模制(zhi)材料，插入在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)、所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)之(zhi)間(jian)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)模制(zhi)材料沿著(zhu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)、所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)中介(jie)(jie)(jie)層(ceng)的(de)(de)側壁延伸(shen)；以(yi)及第(di)一(yi)(yi)通孔，設置(zhi)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)的(de)(de)接(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)上(shang)方(fang)(fang)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)通孔在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)(xin)的(de)(de)接(jie)觸(chu)焊(han)盤(pan)和(he)設置(zhi)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)模制(zhi)材料上(shang)方(fang)(fang)的(de)(de)外(wai)部連接(jie)件之(zhi)間(jian)延伸(shen)。

在上(shang)述半導體(ti)器(qi)件中(zhong)(zhong)，所(suo)述中(zhong)(zhong)介層包括具有約0.1μm至約20μm的(de)(de)間距的(de)(de)金屬(shu)連接(jie)。

在上述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)半導體(ti)器件中(zhong)(zhong)，還(huan)包括第(di)(di)(di)(di)三(san)(san)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)，位(wei)(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)旁邊(bian)；第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)中(zhong)(zhong)介層(ceng)，連接至所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)三(san)(san)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)中(zhong)(zhong)介層(ceng)以(yi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接觸焊(han)盤位(wei)(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)中(zhong)(zhong)介層(ceng)的朝向所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)三(san)(san)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)的表面上的方(fang)式定(ding)向，并且設(she)置(zhi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)中(zhong)(zhong)介層(ceng)使得它(ta)與(yu)各個所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)三(san)(san)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)部分重疊(die)；以(yi)及第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)通孔，設(she)置(zhi)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)三(san)(san)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)的接觸焊(han)盤上方(fang)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)通孔從(cong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)三(san)(san)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)的接觸焊(han)盤延伸穿(chuan)過所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)模(mo)制材(cai)料(liao)至設(she)置(zhi)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)模(mo)制材(cai)料(liao)上方(fang)的柱連接件。

在(zai)上(shang)述半導(dao)體器件(jian)中，中介(jie)層(ceng)通(tong)孔延伸通(tong)過所述中介(jie)層(ceng)。

在上(shang)述(shu)半導體器(qi)件(jian)中(zhong)，所述(shu)中(zhong)介層的(de)表面(mian)與所述(shu)模(mo)制(zhi)材料的(de)表面(mian)共(gong)面(mian)。

在(zai)上述(shu)半導體器件(jian)中(zhong)，還包(bao)括連(lian)接(jie)至(zhi)(zhi)所述(shu)第一(yi)通孔(kong)的第一(yi)柱(zhu)連(lian)接(jie)件(jian)和連(lian)接(jie)至(zhi)(zhi)中(zhong)介(jie)層通孔(kong)的第二(er)柱(zhu)連(lian)接(jie)件(jian)。

盡管已經詳細(xi)地描述了本發(fa)(fa)明(ming)(ming)及其優勢，但應(ying)該理解(jie)，可以在不背(bei)離所附權(quan)(quan)利要(yao)(yao)求(qiu)限(xian)定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)本發(fa)(fa)明(ming)(ming)主旨和(he)(he)范圍(wei)(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)況下，做各種(zhong)不同的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)改(gai)變，替換和(he)(he)更改(gai)。而(er)且，本申請的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)范圍(wei)(wei)并(bing)不僅限(xian)于(yu)本說明(ming)(ming)書(shu)中描述的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)、機(ji)器、制(zhi)造、材(cai)料(liao)組(zu)(zu)分(fen)、裝(zhuang)置(zhi)、方法和(he)(he)步驟的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)特(te)定(ding)實(shi)施例。作為(wei)本領域普通技術(shu)人員應(ying)理解(jie)，通過(guo)本發(fa)(fa)明(ming)(ming)，現有的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)或(huo)今后開(kai)發(fa)(fa)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)用于(yu)執行與根(gen)據本發(fa)(fa)明(ming)(ming)所采用的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)所述相應(ying)實(shi)施例基(ji)本相同的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)功能或(huo)獲得基(ji)本相同結果(guo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)、機(ji)器、制(zhi)造，材(cai)料(liao)組(zu)(zu)分(fen)、裝(zhuang)置(zhi)、方法或(huo)步驟根(gen)據本發(fa)(fa)明(ming)(ming)可以被使用。因此，所附權(quan)(quan)利要(yao)(yao)求(qiu)應(ying)該包括在這樣(yang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)、機(ji)器、制(zhi)造、材(cai)料(liao)組(zu)(zu)分(fen)、裝(zhuang)置(zhi)、方法或(huo)步驟的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)范圍(wei)(wei)內(nei)。此外(wai)，每條權(quan)(quan)利要(yao)(yao)求(qiu)構成(cheng)單獨的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)施例，并(bing)且多個權(quan)(quan)利要(yao)(yao)求(qiu)和(he)(he)實(shi)施例的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)組(zu)(zu)合(he)在本發(fa)(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)范圍(wei)(wei)內(nei)。