本發明涉及(ji)(ji)功率半導(dao)體器件，特(te)別涉及(ji)(ji)一種溝槽超勢壘整流(liu)器件及(ji)(ji)其制造方法。

技術背景

現有(you)的(de)功(gong)率半(ban)(ban)導體整(zheng)(zheng)流(liu)器件按勢(shi)(shi)壘類型分為兩(liang)種(zhong)，一種(zhong)是肖特基勢(shi)(shi)壘整(zheng)(zheng)流(liu)器件，另一種(zhong)為集成(cheng)MOS溝道超勢(shi)(shi)壘整(zheng)(zheng)流(liu)器件。其中，肖特基勢(shi)(shi)壘整(zheng)(zheng)流(liu)器件以(yi)貴金屬(如金、銀(yin)、鉑、鈦、鎳、鉬等(deng))與半(ban)(ban)導體接觸，制造成(cheng)本高，同時由于重金屬存在污染，其制造工藝與CMOS標準工藝難以(yi)兼(jian)容。

超勢壘整流器件具有正向(xiang)(xiang)導通壓(ya)(ya)降低(di)、開關(guan)速度快(kuai)、關(guan)斷漏電少(shao)以及反(fan)向(xiang)(xiang)恢復(fu)時(shi)間短等優點，在正向(xiang)(xiang)偏壓(ya)(ya)狀(zhuang)態時(shi)，集成(cheng)MOS管在較低(di)正向(xiang)(xiang)偏壓(ya)(ya)下開啟，形成(cheng)電流通路(lu)；反(fan)向(xiang)(xiang)偏壓(ya)(ya)狀(zhuang)態時(shi)，勢壘MOS處于截止狀(zhuang)態，而集成(cheng)MOS的(de)PN結(jie)快(kuai)速耗盡承擔反(fan)偏電壓(ya)(ya)，器件的(de)反(fan)向(xiang)(xiang)漏電流由(you)PN結(jie)決定。

現有技(ji)術(shu)溝(gou)(gou)槽超勢壘整(zheng)流(liu)器(qi)件溝(gou)(gou)槽側壁(bi)與底部具有相同的柵(zha)絕(jue)緣(yuan)層厚度，為了使降低閾值電(dian)壓，制得的溝(gou)(gou)槽側壁(bi)的柵(zha)絕(jue)緣(yuan)層較薄(bo)(bo)，因此底部柵(zha)絕(jue)緣(yuan)層也較薄(bo)(bo)，但(dan)是底部柵(zha)絕(jue)緣(yuan)層薄(bo)(bo)不利于(yu)對反向電(dian)壓的抗(kang)擊性(xing)能，造成方向漏電(dian)流(liu)大。

技術實現要素：

本發明的目的是(shi)提(ti)供一種改良(liang)的溝槽超勢壘整(zheng)流器件，增加其(qi)反向(xiang)抗壓性(xing)能。

本(ben)發明的(de)另(ling)一目的(de)是(shi)提供上述改良的(de)溝槽超勢(shi)壘整流器件的(de)制造方法(fa)。

為(wei)實現上(shang)述目的，本(ben)發(fa)明采用如(ru)下技(ji)術(shu)方案(an)：

一(yi)(yi)(yi)種改良的(de)(de)(de)(de)溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)超(chao)勢壘整流(liu)器件，包(bao)括：第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)襯底，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)襯底上(shang)(shang)(shang)表(biao)面的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)外(wai)延(yan)層(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)外(wai)延(yan)層(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)表(biao)層(ceng)(ceng)中的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)，填(tian)充所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)的(de)(de)(de)(de)導(dao)電(dian)多(duo)晶硅(gui)(gui)(gui)，形成于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)與導(dao)電(dian)多(duo)晶硅(gui)(gui)(gui)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)柵(zha)(zha)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)，還(huan)包(bao)括所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)注入(ru)層(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)注入(ru)層(ceng)(ceng)上(shang)(shang)(shang)表(biao)層(ceng)(ceng)中的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)，填(tian)充所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)的(de)(de)(de)(de)導(dao)電(dian)多(duo)晶硅(gui)(gui)(gui)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)注入(ru)層(ceng)(ceng)，覆蓋第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)注入(ru)層(ceng)(ceng)以及導(dao)電(dian)多(duo)晶硅(gui)(gui)(gui)的(de)(de)(de)(de)金屬電(dian)極，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)寬度(du)自上(shang)(shang)(shang)向(xiang)下(xia)依次減小，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)底部柵(zha)(zha)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)厚(hou)度(du)大于(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)溝(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)(gou)槽(cao)邊緣(yuan)柵(zha)(zha)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)厚(hou)度(du)。

優選地，所(suo)述第一溝槽(cao)側面(mian)形狀為梯形。

優選地，所述柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣層(ceng)分為(wei)第(di)一(yi)柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣層(ceng)和第(di)二柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣層(ceng)，所述第(di)二柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣層(ceng)形成(cheng)于第(di)一(yi)溝槽底(di)部(bu)。

優(you)選地，所述(shu)第二(er)柵絕緣層介電常數大于第一柵絕緣層。

優選地，所述第(di)一導(dao)電(dian)類型為N型，所述第(di)二導(dao)電(dian)類型為P型。

一種改良的溝槽超勢壘(lei)整流器件的制造(zao)方(fang)法，包括(kuo)以下步驟(zou)：

(1)提供第(di)一(yi)導(dao)電(dian)(dian)(dian)類型(xing)襯(chen)底，并且在(zai)所述(shu)第(di)一(yi)導(dao)電(dian)(dian)(dian)類型(xing)襯(chen)底上(shang)生長第(di)一(yi)導(dao)電(dian)(dian)(dian)類型(xing)外延層，在(zai)第(di)一(yi)導(dao)電(dian)(dian)(dian)類型(xing)外延層上(shang)表層形成第(di)二(er)導(dao)電(dian)(dian)(dian)類型(xing)注入層；

(2)通(tong)過掩膜刻蝕，形成底部(bu)在第一(yi)導(dao)電類(lei)型外延層中的第一(yi)溝槽，所述(shu)第一(yi)溝槽寬度自上向下依次減小(xiao)；

(3)在所述第一溝槽內形(xing)成柵絕(jue)緣(yuan)(yuan)層，底部柵絕(jue)緣(yuan)(yuan)層厚度(du)大于邊(bian)緣(yuan)(yuan)柵絕(jue)緣(yuan)(yuan)層厚度(du)；

(4)通過掩膜刻蝕，形成底部(bu)在(zai)第(di)二導電(dian)類型注入層(ceng)中的第(di)二溝槽；

(5)沉積(ji)導(dao)電多晶硅，填充(chong)第一(yi)溝槽(cao)以(yi)及第二溝槽(cao)；

(6)以導(dao)電(dian)多晶硅為掩膜，在第二(er)導(dao)電(dian)類型注入(ru)層上表層中摻雜形成(cheng)第一導(dao)電(dian)類型注入(ru)層；

(7)沉(chen)積金屬電極，覆蓋第一導電類型注(zhu)入層以及導電多晶硅。

優選地，第(di)(3)步具體過(guo)程為，首先在溝(gou)(gou)槽(cao)內壁形(xing)(xing)成第(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層；然后通過(guo)形(xing)(xing)成開(kai)口(kou)小于(yu)所述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)溝(gou)(gou)槽(cao)開(kai)口(kou)的硬質(zhi)掩膜版，選擇性地在第(di)一(yi)(yi)(yi)溝(gou)(gou)槽(cao)底(di)部沉積第(di)二柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層，所述(shu)第(di)二柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層與(yu)第(di)一(yi)(yi)(yi)柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層共(gong)同組(zu)成柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)(yuan)層。

優選地，通過(guo)外延生長(chang)在(zai)溝槽(cao)內壁(bi)形(xing)成第一柵絕(jue)緣(yuan)層。

優(you)選地(di)，通過熱氧化法(fa)在溝槽內壁(bi)形成第一(yi)柵絕緣層。

優選(xuan)地，第(4)步通(tong)過離(li)子注入(ru)進行摻(chan)雜。

相對于現有技術，本發明(ming)具有以(yi)下有益效果：

本發(fa)明(ming)改良的(de)溝槽(cao)(cao)超勢壘(lei)整流(liu)(liu)器(qi)件第(di)一(yi)溝槽(cao)(cao)底(di)部(bu)柵絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)厚度大于(yu)第(di)一(yi)溝槽(cao)(cao)邊緣(yuan)(yuan)(yuan)柵絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)厚度，增(zeng)強底(di)部(bu)柵絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)對反(fan)(fan)向(xiang)電(dian)壓的(de)抗擊能力；并且所述第(di)一(yi)溝槽(cao)(cao)寬(kuan)(kuan)度自上向(xiang)下依次減(jian)小(xiao)，一(yi)方(fang)面(mian)優化了(le)溝槽(cao)(cao)周圍(wei)電(dian)流(liu)(liu)分布，減(jian)輕電(dian)流(liu)(liu)在溝槽(cao)(cao)底(di)部(bu)的(de)集中，進一(yi)步增(zeng)強器(qi)件反(fan)(fan)向(xiang)電(dian)壓抗擊能力，另一(yi)方(fang)面(mian)第(di)一(yi)溝槽(cao)(cao)寬(kuan)(kuan)度自上向(xiang)下依次減(jian)小(xiao)使得第(di)一(yi)溝槽(cao)(cao)底(di)部(bu)柵絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)厚度大于(yu)第(di)一(yi)溝槽(cao)(cao)邊緣(yuan)(yuan)(yuan)柵絕緣(yuan)(yuan)(yuan)層(ceng)厚度更容易方(fang)便地(di)實現。

本發明改(gai)良的溝槽超勢壘(lei)整流器件的制造(zao)(zao)方(fang)法，在(zai)(zai)第(di)一導電(dian)類(lei)(lei)型(xing)外延層(ceng)(ceng)形(xing)成后即(ji)形(xing)成第(di)二(er)導電(dian)類(lei)(lei)型(xing)注入(ru)(ru)層(ceng)(ceng)，以(yi)第(di)一溝槽以(yi)及第(di)二(er)溝槽內的導電(dian)多晶(jing)硅為掩膜，在(zai)(zai)第(di)二(er)導電(dian)類(lei)(lei)型(xing)注入(ru)(ru)層(ceng)(ceng)上表層(ceng)(ceng)中摻(chan)雜形(xing)成第(di)一導電(dian)類(lei)(lei)型(xing)注入(ru)(ru)層(ceng)(ceng)，制造(zao)(zao)工藝簡單，簡化工藝流程(cheng)。

附圖說明

圖1為本發明實施例結構示意圖；

圖(tu)2-圖(tu)8為本發明(ming)實施例制造過(guo)程(cheng)示意圖(tu)。

具體實施方式

下面結(jie)合附圖以及實施(shi)例對本發明進行介紹，實施(shi)例僅用(yong)于對本發明進行解釋，并不對本發明有任何限定作用(yong)。

如圖(tu)1所(suo)示，本發明實施例改良的溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)超(chao)勢壘(lei)整流器(qi)件，包(bao)括，第(di)(di)一(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)類(lei)(lei)型(xing)(xing)(xing)(xing)襯底(di)(di)10，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)類(lei)(lei)型(xing)(xing)(xing)(xing)襯底(di)(di)10上(shang)(shang)表面(mian)的第(di)(di)一(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)類(lei)(lei)型(xing)(xing)(xing)(xing)外延層(ceng)20，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)類(lei)(lei)型(xing)(xing)(xing)(xing)外延層(ceng)20上(shang)(shang)表層(ceng)中的第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)30，填充所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)30的導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)40，形成(cheng)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)30與(yu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)40之(zhi)間的柵(zha)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)50，第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)30之(zhi)間的第(di)(di)二(er)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)類(lei)(lei)型(xing)(xing)(xing)(xing)注入層(ceng)60，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)類(lei)(lei)型(xing)(xing)(xing)(xing)注入層(ceng)60上(shang)(shang)表層(ceng)中的第(di)(di)二(er)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)70，填充所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)70的導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)40，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)70之(zhi)間的第(di)(di)一(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)類(lei)(lei)型(xing)(xing)(xing)(xing)注入層(ceng)80，覆蓋(gai)第(di)(di)一(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)類(lei)(lei)型(xing)(xing)(xing)(xing)注入層(ceng)80以(yi)及導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)40的金屬電(dian)(dian)極(ji)90，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)30寬度(du)(du)自(zi)上(shang)(shang)向下依(yi)次減小，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)30底(di)(di)部柵(zha)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)50厚度(du)(du)大于(yu)第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)(gou)槽(cao)(cao)30邊(bian)緣(yuan)(yuan)柵(zha)絕(jue)緣(yuan)(yuan)層(ceng)50厚度(du)(du)。

其中，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)類(lei)(lei)型(xing)可(ke)(ke)為(wei)(wei)N型(xing)也可(ke)(ke)為(wei)(wei)P型(xing)，以下第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)類(lei)(lei)型(xing)為(wei)(wei)N型(xing)進(jin)行介紹，則第(di)(di)(di)二導(dao)(dao)(dao)電(dian)類(lei)(lei)型(xing)為(wei)(wei)P型(xing)，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)類(lei)(lei)型(xing)襯底(di)10可(ke)(ke)為(wei)(wei)重摻(chan)雜的(de)N型(xing)單晶硅(gui)(gui)(gui)襯底(di)，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)電(dian)類(lei)(lei)型(xing)外延(yan)層(ceng)20為(wei)(wei)低摻(chan)雜濃度的(de)N型(xing)外延(yan)層(ceng)，其材料可(ke)(ke)為(wei)(wei)硅(gui)(gui)(gui)、碳化硅(gui)(gui)(gui)、砷化鎵、磷(lin)化銦或鍺(zang)硅(gui)(gui)(gui)等。所述第(di)(di)(di)一(yi)(yi)溝(gou)槽(cao)30寬度自上(shang)向下依次減小(xiao)，其側面(mian)形狀(zhuang)為(wei)(wei)可(ke)(ke)為(wei)(wei)梯形，可(ke)(ke)利用現有斜溝(gou)槽(cao)工藝形成(cheng)。所述柵(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)50可(ke)(ke)由(you)兩(liang)次沉積第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)51和第(di)(di)(di)二柵(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)52組成(cheng)，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)51保持器件(jian)低閾值開(kai)啟電(dian)壓的(de)性(xing)能(neng)，同時，所述第(di)(di)(di)二柵(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)52形成(cheng)于(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)溝(gou)槽(cao)30底(di)部，增(zeng)強(qiang)底(di)部柵(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)50的(de)厚度，進(jin)而增(zeng)加對(dui)反向電(dian)壓的(de)抗擊能(neng)力(li)，所述第(di)(di)(di)二柵(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)52介電(dian)常數(shu)大于(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層(ceng)51，進(jin)一(yi)(yi)步增(zeng)加對(dui)反向電(dian)壓的(de)抗擊能(neng)力(li)。

本發(fa)明(ming)實施例改良的溝槽超勢壘整流器(qi)件(jian)的制(zhi)造(zao)方法，包括以下步(bu)驟：

(1)如圖2所(suo)示(shi)，提供第(di)一導電(dian)類型襯底10，并且(qie)在所(suo)述第(di)一導電(dian)類型襯底10上生長第(di)一導電(dian)類型外(wai)延層(ceng)20，在第(di)一導電(dian)類型外(wai)延層(ceng)20上表層(ceng)形成第(di)二導電(dian)類型注入層(ceng)60；

具體地，首先，提供一重摻雜(za)的第一導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)襯(chen)底10，如N+單(dan)晶硅襯(chen)底；然后(hou)，在所述(shu)第一導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)襯(chen)底10上外(wai)延(yan)生長第一導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)外(wai)延(yan)層20；在第一導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)外(wai)延(yan)層20上表層離(li)子注入(ru)摻雜(za)，如摻雜(za)P型(xing)(xing)雜(za)質(zhi)硼(peng)，形成第二導(dao)電(dian)類(lei)型(xing)(xing)注入(ru)層60；

(2)如圖3所(suo)示，通過掩(yan)膜(mo)刻(ke)蝕，形成底部在第(di)一(yi)導電類型外延層20中的第(di)一(yi)溝(gou)槽30，所(suo)述(shu)第(di)一(yi)溝(gou)槽30寬(kuan)度自上向下依次(ci)減小；

具體地，首先在第一(yi)導電類(lei)型外(wai)延(yan)層20上沉積一(yi)層絕緣介質層，如氧化(hua)硅(gui)或氮化(hua)硅(gui)等，然后光刻(ke)(ke)工藝圖形(xing)化(hua)絕緣介質層，形(xing)成第一(yi)掩膜(mo)1，通過(guo)所述第一(yi)掩膜(mo)1，刻(ke)(ke)蝕第二(er)導電類(lei)型注入層60以及(ji)第一(yi)導電類(lei)型外(wai)延(yan)層20，形(xing)成第一(yi)溝槽(cao)30。

(3)如圖4所(suo)示，在所(suo)述第(di)一溝(gou)槽30內形成柵(zha)絕(jue)緣層50，底(di)部柵(zha)絕(jue)緣層50厚度(du)大于邊緣柵(zha)絕(jue)緣層50厚度(du)；

具體地，在溝(gou)槽(cao)內(nei)壁(bi)形成(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層51，制作開(kai)口(kou)小于所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)溝(gou)槽(cao)51開(kai)口(kou)的(de)硬質掩膜(mo)版2，通過選擇性地在第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)溝(gou)槽(cao)30底(di)部沉積第(di)(di)(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層52，所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層52與第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層51共同組成(cheng)(cheng)(cheng)柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層50，其(qi)中所(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)柵(zha)(zha)絕(jue)(jue)緣(yuan)層51可通過熱氧化第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)溝(gou)槽(cao)30內(nei)壁(bi)形成(cheng)(cheng)(cheng)，或者(zhe)通過在第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)溝(gou)槽(cao)30內(nei)表(biao)面外延生長形成(cheng)(cheng)(cheng)。

此外，第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)槽(cao)30內形成柵絕緣(yuan)層50并不僅限(xian)于上(shang)述方(fang)法，還可以通過其他方(fang)式實(shi)(shi)現(xian)，由于第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)槽(cao)30為斜溝(gou)(gou)槽(cao)，故更容易地實(shi)(shi)現(xian)了(le)選擇性地在第(di)(di)一(yi)溝(gou)(gou)槽(cao)30底部位置沉積(ji)形成第(di)(di)二柵絕緣(yuan)層52，實(shi)(shi)現(xian)方(fang)式也(ye)很靈活多樣。

(4)如圖(tu)5所示，通過掩膜刻蝕，形成底部在第(di)二導電類型注入(ru)層60中的第(di)二溝槽(cao)70；

去除硬質掩(yan)膜版2，光(guang)刻(ke)工藝繼續(xu)圖形(xing)化第(di)(di)一(yi)掩(yan)膜1，然后通(tong)過第(di)(di)二次光(guang)刻(ke)后的第(di)(di)一(yi)掩(yan)膜1，刻(ke)蝕形(xing)成底部在第(di)(di)二導電類型注入層60中的第(di)(di)二溝槽70；

(5)如圖(tu)6所示，沉(chen)積導電多晶硅40，填充第(di)一(yi)溝槽(cao)30以及第(di)二溝槽(cao)70；

(6)如圖7所示，以導電多晶硅40為掩膜，在第二導電類型注入層60上(shang)表層中摻(chan)雜形(xing)成第一導電類型注入層80；

去除第(di)(di)一掩膜(mo)1，以(yi)導電多晶硅(gui)40為(wei)掩膜(mo)，在第(di)(di)二導電類型注入(ru)層60上表層中離子注入(ru)，摻(chan)雜形成第(di)(di)一導電類型注入(ru)層80；

(7)如圖8所(suo)示，沉(chen)積(ji)金屬(shu)電(dian)極90，覆蓋第一導電(dian)類型注入(ru)層80以(yi)及(ji)導電(dian)多晶硅40。

所(suo)述(shu)金屬電(dian)極90材料為(wei)導(dao)電(dian)性能較(jiao)佳的金屬，例如銅、鋁或金。

本發明實施例改良的溝(gou)槽(cao)超勢壘整流器件的制造(zao)方法，在第一導(dao)電(dian)(dian)類(lei)型(xing)(xing)外延(yan)層(ceng)(ceng)20形成后即形成第二(er)(er)導(dao)電(dian)(dian)類(lei)型(xing)(xing)注(zhu)入(ru)(ru)層(ceng)(ceng)60，以第一溝(gou)槽(cao)30以及(ji)第二(er)(er)溝(gou)槽(cao)70內的導(dao)電(dian)(dian)多晶硅40為(wei)掩膜(mo)，在第二(er)(er)導(dao)電(dian)(dian)類(lei)型(xing)(xing)注(zhu)入(ru)(ru)層(ceng)(ceng)60上(shang)表層(ceng)(ceng)中(zhong)摻雜形成第一導(dao)電(dian)(dian)類(lei)型(xing)(xing)注(zhu)入(ru)(ru)層(ceng)(ceng)80，制造(zao)工藝簡(jian)單，簡(jian)化工藝流程。