本發明屬于二極管的生產
技術領域：
，特別涉及一種二極管的制備工藝。
背景技術：
：二極管又稱晶體二極管，它是一種具有單向傳導電流的電子元件，因其安全、高效率、環保、壽命長、響應快、體積小、結構牢固等優點，已逐步得到推廣，目前廣泛應用于各種電子產品的指示燈、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明。隨著二極管在市場上的廣泛應用，其需求量也就越來越高。其中，硅片，其質量對后續制備二極管的性能和成品率有很大的影響，高品質二極管產品的生產首先要保證硅片的質量。因此，研發一種能夠提高硅片合格率并確保后期二極管制備質量的二極管的制備工藝勢在必行。技術實現要素：本發明要解決的技術問題是提供一種能夠提高硅片合格率并確保后期二極管制備質量的二極管的制備工藝。為解決上述技術問題，本發明的技術方案為：一種二極管的制備工藝，其創新點在于：所述制備工藝包括如下步驟：(1)在硅片P+、N+面完成鍍鎳后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻膠；(2)將步驟(1)中涂覆光阻膠的硅片進行去膠處理，然后用水作為沖洗液進行沖洗，在沖洗時，控制沖洗液的PH值在6.5～7.5之間，沖洗液溫度在18～20℃℃，沖洗持續8～12min；沖洗完成后再通過離心甩干6～8min；(3)將清洗好的硅片送至勻膠工藝治具再次涂覆光阻膠，并用片盒進行掃描計數，使得勻膠厚度可達100μm～300μm；(4)勻膠結束的硅片在100～120℃的條件下烘烤40～70s，再降溫至18～22℃進行冷卻，冷卻25～35s；(5)冷卻后的硅片的N+面進行曝光，曝光部分的硅片用顯影液腐蝕，處理得圖形化硅片，并去除圖形間隙處光阻膠；(6)通過自動檢測儀對步驟(4)中圖形化硅片進行自動檢測，有掉膠的被分揀出，沒有掉膠缺陷的進入下一工序；(7)利用硅片N+面的圖形間隙作為劃片下刀參考線進行劃片，形成單個芯片；(8)對芯片臺面進行酸腐蝕，去除劃片過程中對芯片造成的損傷，然后去除表面的光阻膠，再次鍍鎳；(9)將芯片的P+、N+面分別通過焊料焊接引線，然后經堿洗、梳條后進行上膠、膠固化、模壓、后固化、電鍍，最后經測試合格后印字、包裝。進一步地，所述步驟(8)中芯片臺面進行酸腐蝕，采用HNO3-HF-H3PO4混合酸，腐蝕時間為150-200S，酸溫控制在5-10℃。進一步地，所述步驟(9)中的堿洗采用質量濃度為2-5％的KOH溶液，堿洗80-100S，堿液溫度控制在60-80℃。本發明的優點在于：本發明二極管的制備工藝，通過在硅片的圖形化處理前對采用的硅片進行清洗，并在過程中嚴格的控制清洗溫度和PH值，去除硅片在加工過程中帶入的雜質污染物，并確保經過清洗后的硅片不會影響后續的上膠處理，降低掉膠率，以便在檢測過程中盡量發現問題，避免漏檢流入下道工序后影響合格率，采用本發明的方法可將產品良品率提高5％左右，大大降低了資源的浪費和生產成本。具體實施方式下面的實施例可以使本專業的技術人員更全面地理解本發明，但并不因此將本發明限制在所述的實施例范圍之中。實施例1本實施例二極管的制備工藝，該制備工藝具體步驟如下：(1)在硅片P+、N+面完成鍍鎳后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻膠；(2)將步驟(1)中涂覆光阻膠的硅片進行去膠處理，然后用水作為沖洗液進行沖洗，在沖洗時，控制沖洗液的PH值在6.5～7.5之間，沖洗液溫度在18～20℃℃，沖洗持續8～12min；沖洗完成后再通過離心甩干6～8min；(3)將清洗好的硅片送至勻膠工藝治具再次涂覆光阻膠，并用片盒進行掃描計數，使得勻膠厚度可達100μm～300μm；(4)勻膠結束的硅片在100～120℃的條件下烘烤40～70s，再降溫至18～22℃進行冷卻，冷卻25～35s；(5)冷卻后的硅片的N+面進行曝光，曝光部分的硅片用顯影液腐蝕，處理得圖形化硅片，并去除圖形間隙處光阻膠；(6)通過自動檢測儀對步驟(4)中圖形化硅片進行自動檢測，有掉膠的被分揀出，沒有掉膠缺陷的進入下一工序；(7)利用硅片N+面的圖形間隙作為劃片下刀參考線進行劃片，形成單個芯片；(8)對芯片臺面進行酸腐蝕，采用HNO3-HF-H3PO4混合酸，腐蝕時間為150-200S，酸溫控制在5-10℃，去除劃片過程中對芯片造成的損傷，然后去除表面的光阻膠，再次鍍鎳；(9)將芯片的P+、N+面分別通過焊料焊接引線，然后經堿洗，采用質量濃度為2-5％的KOH溶液，堿洗80-100S，堿液溫度控制在60-80℃；再通過梳條，梳條后進行上膠、膠固化、模壓、后固化、電鍍，最后經測試合格后印字、包裝。下表是實施例1二極管的制備方法與傳統制備方法制備得的二極管產品良率的對比：傳統實施例一產品良率≥90％≥95％由上表可以看出，實施例1二極管的制備工藝，通過在硅片的圖形化處理前對采用的硅片進行清洗，并在過程中嚴格的控制清洗溫度和PH值，去除硅片在加工過程中帶入的雜質污染物，并確保經過清洗后的硅片不會影響后續的上膠處理，降低掉膠率，以便在檢測過程中盡量發現問題，避免漏檢流入下道工序后影響合格率，采用本發明的方法可將產品良品率提高5％左右，大大降低了資源的浪費和生產成本。以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征以及本發明的優點。本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和范圍的前提下，本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。當前第1頁1 2 3