專利名稱:顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物及使用它的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法
技術領域:
本發明涉及適合于經壓縮成型來封裝半導體元件的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物、及使用它的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。
背景技術:
對于使用半導體封裝用環氧樹脂組合物(以下也稱為“環氧樹脂組合物”、“樹脂組合物”。)的半導體裝置的封裝成型方法而言,通常是使用將固態的環氧樹脂組合物賦形為圓筒狀得到的片的傳遞成型,但是近年來作為新的成型法,探討了利用壓縮成型的封裝。這是由于,與以往的傳遞成型相比,熔融樹脂的宏觀流動少,因而對于利用精細間距的導線、 長導線或小直徑導線等將引線框、電路基板與半導體元件連接所得的半導體裝置而言,作為能夠將導線偏移控制在最小限度的方法備受矚目。作為涉及經壓縮成型將半導體元件封裝得到的半導體裝置的技術,公開了在將金屬模具內減壓的同時進行壓縮成型而進行樹脂封裝的方法(例如參照專利文獻1。);使用制成厚度3. Omm以下的顆粒狀或片狀的封裝用成型材料的方法(如參照專利文獻2。);將顆粒狀樹脂組合物供給到腔室內,使樹脂組合物熔融,浸漬半導體元件,使其固化而進行封裝的方法(如參照專利文獻3。)等。對于使用顆粒狀樹脂組合物經壓縮成型封裝半導體元件的方法的一例,采用表示顆粒狀樹脂組合物的稱量及對金屬模具腔室的供給方法的示意圖的圖1、2進行詳細說明。 在具備快門等樹脂材料供給機構的樹脂材料供給容器102上,使用振動加料器101等運送裝置運送一定量的顆粒狀樹脂組合物103,準備加入有顆粒狀樹脂組合物103的樹脂材料供給容器102,其中所述快門是可以將樹脂組合物瞬間供給下模腔室104內的機構(參照圖 1。)。此時,樹脂材料供給容器102中的顆粒狀樹脂組合物103的計量可以采用在樹脂材料供給容器102下方設置的計量裝置來進行。然后,在壓縮成型金屬模具的上模和下模之間設置加入有顆粒狀樹脂組合物103的樹脂材料供給容器102,并且通過夾板、吸附等固定手段將搭載了半導體元件的引線框或電路基板以半導體元件搭載面位于下側的方式固定在壓縮成型金屬模具的上模上(未圖示。)。應予說明的是,當引線框或電路基板為具有貫通部分的結構時,使用膜等在半導體元件搭載面的相反側一面加襯里。然后,通過構成樹脂材料供給容器102底面的快門等樹脂處理供給機構,將稱量后的顆粒狀樹脂組合物103供給到下模腔室104內(參照圖2。),顆粒狀樹脂組合物103 在下模腔室104內于規定溫度熔融。進而,在將樹脂材料供給容器102運出金屬模具外后, 邊根據需要將腔室內減壓,邊通過壓縮成型機進行合模,以熔融的樹脂組合物包圍半導體元件的方式使其填充在腔室內,然后通過使樹脂組合物固化規定時間,對半導體元件進行封裝成型。在經過規定時間后,打開金屬模具,將半導體裝置取出。應予說明的是,在將腔室內減壓的條件下進行脫氣成型并不是必需的,但由于可以減少樹脂組合物的固化物中的氣泡因而優選。另外,在引線框或電路基板上搭載的半導體元件可以是多個,并且可以層疊或并列地搭載。 在這種壓縮成型的技術領域中,作為解決運送、計量等中的堵塞、結塊(粘連)的方法,提出了粒度分布的研究(如參照專利文獻4。)、樹脂特性等的研究(如參照專利文獻5。)等。然而,僅僅規定大致的粒度分布、選擇使用不易結塊的樹脂不足以解決因散布不均、運送性等引起的生產率問題,另外如果從結塊的觀點出發限定可以使用的樹脂,則處方的自由度減小,存在成為對象的半導體裝置的適用范圍變窄的問題。
現有技術
專利文獻
專利文獻1
專利文獻2
專利文獻3
專利文獻4
專利文獻5
日本特開號公報日本特開號公報日本特開號公報日本專利第3135擬6號公報日本特開號公報
發明內容
本發明提供在使用顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物經壓縮成型來封裝半導體元件而獲得半導體裝置的情況下,生產率優異的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物和可靠性優異的半導體裝置。根據本發明提供一種顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其特征在于,是在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,相對于所述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物整體,利用JIS標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的、2mm以上的粒子的比例為3質量%以下,Imm以上且小于2mm的粒子的比例為0. 5質量% 60質量%,小于106 μ m的微粉的比例為5質量%以下。另外,根據本發明提供一種顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其特征在于,是在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,相對于所述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物整體,利用JIS標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的、2mm以上的粗粒的比例為3質量%以下,小于106 μ m的微粉的比例為5質量%以下,該半導體封裝用環氧樹脂組合物的顆粒密度Dl與該半導體封裝用環氧樹脂組合物的固化后的固化物比重D2之比D1/D2在0. 88 0. 97的范圍。根據本發明,可以實現在使用顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物經壓縮成型來封裝半導體元件而獲得半導體裝置的情況下生產率優異的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,還可以實現可靠性優異的半導體裝置。
通過以下說明的優選實施方式、及其附帶的以下附圖進一步明確上述目的、及其他目的、特點和優點。[圖1]是在使用顆粒狀樹脂組合物經壓縮成型封裝半導體元件而得到半導體裝置的方法中的、從運送到稱量的一例的示意圖。[圖2]是在使用顆粒狀樹脂組合物經壓縮成型封裝半導體元件而得到半導體裝置的方法中的、向金屬模具的下模腔室供給的方法之一例的示意圖。[圖3](a)是從正側面來看顆粒狀樹脂組合物的一個粒子的最長部分的圖。(b) 是從正側面來看顆粒狀樹脂組合物的一個粒子的最短部分的圖。[圖4]是表示顆粒狀樹脂組合物的一個彎曲粒子的最長部分的圖。[圖5]是表示休止角(Φ)、坍塌角(θ)的測定方法的示意圖。[圖6]是為了得到本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的、從樹脂組合物的熔融混煉到顆粒狀樹脂組合物的捕獲為止的一個實施例的示意圖。[圖7]是用于加熱本發明中使用的轉子和轉子的圓筒狀外周部的勵磁線圈的一個實施例的剖面圖。[圖8]是將熔融混煉的樹脂組合物供給轉子的套管式圓筒體的一個實施例的剖面圖。[圖9]是示出了使用本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物,封裝在引線框上搭載的半導體元件而得到的半導體裝置的一例的剖面結構的圖。[圖10]是示出了使用本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物,封裝在電路基板上搭載的半導體元件而得到的半導體裝置的一例的剖面結構的圖。[圖11]是表示運送性、散布不均及粘連性的評價方法的示意圖。[圖12]是表示在導線偏移率及填充性評價中,將顆粒狀樹脂組合物向壓縮成型金屬模具供給的方法的示意圖。[圖13]是表示導線偏移率的評價中的半導體元件上的封裝件的厚度(t)的示意圖。[圖14]是表示在填充性的評價中,在電路基板上搭載了模擬元件的狀態的示意圖。
具體實施例方式[第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物]第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用,具備以下構成。A 相對于該顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物整體,利用JIS標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的、2mm以上的粒子的比例為3質量%以下,Xl :1謹以上且小于2謹的粒子的比例為0. 5質量% 60質量%,B 小于106 μ m的微粉的比例為5質量%以下。另外,第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物具有以下構成。X2 第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物中,相對于利用JIS標準篩進行篩分測得的粒度分布中的106 μ m以上的粒子,最長長度(L)為5mm以下且最短長度( 為Imm 以下的粒子的比例為50質量%以上。
X3:第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的坍塌角為35°以下。[第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物]第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用,具備以下構成。A 相對于該顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物整體,利用JIS標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的、2mm以上的粗粒的比例為3質量%以下,B 小于106 μ m的微粉的比例為5質量%以下,Yl 該半導體封裝用環氧樹脂組合物的顆粒密度Dl與所述半導體封裝用環氧樹脂組合物固化后的固化物比重D2之比D1/D2在0. 88 0. 97的范圍。另外,第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物具有以下構成。Y2 第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的顆粒密度Dl為1. 95以下。首先,對第1和第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的共同的構成A和B進行說明。[構成A]本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,為了得到對壓縮成型金屬模具的穩定供給性和良好的稱量精度,在利用Jis標準篩經篩分測得的粒度分布中的、2mm以上的粒子的比例相對于全部樹脂組合物優選為3質量%以下,更優選為1質量%以下。這是由于粒子尺寸越大,則其質量、體積也越大,所以尺寸大的粒子的比例越多,稱量時的稱量精度越下降,成為成型后的半導體裝置的品質降低的一個原因,產生在向運送路徑的供給口處堵塞等問題,如果設為上述上限值以下的范圍,則由于可以得到良好的稱量精度,所以引起半導體裝置的品質降低的可能性降低,而且產生在向運送路徑的供給口處發生堵塞等問題的可能性也降低。另外,對2mm以上的粒子(粗粒)的比例的下限值沒有特別限定,也可以是0質量%。[構成 B]另外,本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,為了得到穩定的運送性、生產率、穩定的稱量精度,在利用Jis標準篩經篩分測得的粒度分布中,小于106 μ m的微粉的比例相對于全部樹脂組合物優選為5質量%以下,更優選為3質量%以下。這是由于小于 106 μ m的微粉導致顆粒狀樹脂組合物在保管中發生粘連、顆粒狀樹脂組合物在運送路徑上粒子彼此粘連、或附著在運送裝置上,成為運送不良的原因,導致連續生產性、生產節拍出現問題,如果設為在上述上限值以下的范圍,則完全沒有粒子彼此的粘連、對運送裝置的附著,可以得到良好的連續生產性和穩定的生產率。另外,對粒徑小于106μπι的微粉比例的下限值沒有特別限定,也可以是0質量%。另外,作為測定顆粒狀樹脂組合物的粒度分布的方法,下面的方法由于可以體現出實際壓縮成型時必需的特性而優選,即,使用羅太普(Ro-tap)型振篩機上安裝的孔徑 2. OOmm及106 μ m的JIS標準篩,邊振動(捶打數120次/分鐘)這些篩20分鐘,邊使試樣 40g過篩進行分級,求出相對于分級前的試樣質量的、在2. OOmm的篩上殘留的粗粒質量%、 通過106 μ m篩的微粉的質量%的方法。應予說明的是,在采用該方法時,長寬比大的粒子 (短徑比篩的孔徑小,長徑比篩的孔徑大)有可能通過各個篩,但是從方便的角度出發,用經一定方法分級的成分的質量%來定義顆粒狀樹脂組合物的粒度分布。
應予說明的是,以往一直使用的壓縮成型用半導體封裝用樹脂組合物,是在用混合器將各原料成分預混合后,采用滾壓機、捏合機、或擠出機等混煉機進行加熱混煉,然后經過冷卻、粉碎工序制成粉碎物,相對于全部樹脂組合物,利用JIS標準篩經篩分而測得的粒度分布中的、小于106 μ m的微粉量超過10質量%、2mm以上的粗粒量為4 6質量%左右,具有寬的粒度分布。另外,在特開(專利文獻1)中記載的環氧樹脂成型材料,是粉碎切割微細粉末而得到的粗粒、或將微細粉末固化而成的顆粒狀樹脂組合物,例如幾乎為球形且平均粒徑約為2mm等。S卩,專利文獻1中記載的環氧樹脂成型材料含有大量的2mm以上的粗粒。接下來,對第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的構成Xl X3進行說明。[構成XI]此外,第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,為了降低由于顆粒狀樹脂組合物的供給中的不均導致的對壓縮成型金屬模具的散布不均,優選利用JIS標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的、Imm以上且小于2mm的粒子相對于全部樹脂組合物的比例下限值為0. 5質量%以上,更優選為5質量%以上,進一步優選為10質量%以上。另外,上限值優選為60質量%以下,更優選為60質量%以下,進而優選為55質量%以下。如果設為上述上限值以下的范圍,則可以抑制由于供給不均導致的對金屬模具腔室的散布不均,產生填充不良、導線偏移之類的不理想情況的可能性小。另外,如果設為上述下限值以上的范圍, 則不會發生由于小粒徑成分增多所導致的粒子彼此粘連、附著在運送路徑上的情況,妨礙運送的可能性小。此外,通過設為上述數值范圍內,可以得到穩定的生產率、成型性。應予說明的是,作為測定第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的粒度分布的方法,下面的方法由于可以體現出實際壓縮成型時必需的特性而優選,即,使用羅太普 (Ro-tap)型振篩機上安裝的孔徑2. 00mm、1. OOmm及106 μ m的JIS標準篩,邊振動(捶打數120次/分鐘)這些篩20分鐘,邊使試樣40g過篩進行分級,求出相對于分級前的試樣總質量,在2. OOmmU. OOmm的篩上殘留的粒子的質量%、及通過106 μ m篩的微粉的質量% 的方法。應予說明的是,在采用該方法時,長寬比大的粒子有通過各個篩的可能性,但是從方便的角度出發,用經上述一定條件分級得到的成分的質量%來定義本發明的顆粒狀樹脂組合物的各粒度分布。[構成X2]另外,第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,從采用振動加料器等運送裝置的運送性及壓縮成型時的熔融性的觀點出發,最長長度(L)為5mm以下且最短長度(S)為 Imm以下的粒子優選為106 μ m以上的粒子整體的50質量%以上,更優選為80質量%以上。通過設在上述數值范圍內,取得成為散布不均的原因的運送性和熔融性的平衡,得到穩定的生產率、成型性。另外,如果最長長度(L)大于5mm的粒子的比例小,則導致運送時的供給速度降低、在對運送路徑的供給口處的堵塞等不理想情況的可能性小。而如果最短長度(S)大于Imm的粒子比例小,則導致投入金屬模具腔室時的溶解性產生不均等不理想情況的可能性小。應予說明的是,作為最長長度(L)、最短長度(S)的測定方法,可以利用前述JIS標準篩篩分顆粒狀樹脂組合物從而將106 μ m以下的粒子除去,從大于106 μ m的粒子中隨機選擇100個粒子,用具備游標卡尺、標尺的顯微鏡等測定每個粒子的最長長度(L) 和最短長度(S),將最長長度(L)為5mm以下且最短長度⑶為Imm以下的粒子與其他粒子分開,然后測定最長長度(L)為5mm以下且最短長度( 為Imm以下的粒子的質量,求出相對于測定樣品總質量的比率(質量%),使其代表全部樹脂組合物的值。進而,如圖3所示,對于每個粒子,將最長部分作為最長長度(L),將最短部分作為最短長度(S)。另外,如圖4所示,在粒子形狀為彎曲這樣的情況下,只要用直線距離測定最長的部分即可。[構成 X3]此外,第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,從利用振動加料器等運送裝置的運送性的觀點出發,優選坍塌角(也稱為“垮落角”)為35°以下,更優選為30°以下,進一步優選為25°以下。如果在上述數值范圍內,則使用振動加料器等運送裝置運送顆粒狀樹脂組合物時,不易引起粘連、堵塞等,可以穩定地運送。另外,坍塌角越低,越不易引起粘連、堵塞等,因此對其下限值不作特別限定,但可以是例如1°以上或10°以上。作為坍塌角的測定方法,可以如圖5所示,使顆粒狀樹脂組合物202從漏斗201的孔下落堆積在一定面積的水平板205上直到成為一定形狀,形成圓錐狀的顆粒體204。然后使與水平板205處于同一底座206上的一定重量的砝碼203下落,由此給予該顆粒體204 —定的沖擊,一部分顆粒狀樹脂組合物自然流動從水平板205脫落后,針對殘留的圓錐體的顆粒體207,求出從底面外周的點到圓錐頂點的仰角作為坍塌角。應予說明的是,給予沖擊前的顆粒體204的仰角稱為休止角,將休止角與坍塌角的差稱為差角。差角是表示由振動加料器等運送裝置的振動等帶來的顆粒狀樹脂組合物的易塌性,差角越大越容易坍塌,因此例如優選是10° 以上,更優選是15°以上。作為坍塌角、休止角的測定裝置可以列舉粉末性能測試儀(細川密克朗集團制)。在第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物中,為了使粒度分布、最長長度(L)為 5mm以下且最短長度( 為Imm以下的粒子的比例及坍塌角等在上述范圍,通過使用后述的獲得顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的方法,或者調整環氧樹脂與固化劑及固化促進劑的種類、以及配比來實現。邊涉及壓縮成型法特有的課題,邊對第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的作用效果加以說明。如上述圖1和圖2所示,在使用顆粒狀樹脂組合物封裝半導體元件的壓縮成型法時,必須使顆粒狀樹脂組合物均勻地散布在壓縮成型金屬模具的下模腔室的底面。但是, 不限于上述例子,在采用包含使用振動加料器等運送裝置運送顆粒狀樹脂組合物的工序的方法時,在振動加料器等運送裝置的運送路徑中,有時顆粒狀樹脂組合物的粒子彼此粘連, 或者顆粒狀樹脂組合物向運送路徑附著。另外,也有時在向運送路徑的供給口處顆粒狀樹脂組合物堵塞(料斗架橋),或者顆粒狀樹脂組合物滯留在運送路徑上。如果這種粘連、附著、堵塞、滯留等使得利用振動加料器等運送裝置的顆粒狀樹脂組合物的供給不均,則發生對壓縮成型金屬模具的下模腔室的底面散布不均。如果這種散布不均的發生使得根據下模腔室底面位置的不同而存在顆粒狀樹脂組合物的量少的位置、多的位置,則當半導體元件封裝成型時發生從顆粒狀樹脂組合物量多的位置向少的位置的橫向流動,由此可能引發半導體元件的導線偏移,或者在顆粒狀樹脂組合物的量少的位置發生穴、氣泡等填充不良。另外,當顆粒狀樹脂組合物具有某種程度的粒度分布時,根據其粒子形狀(例如球形),容易引起粒子間的熔融速度的不均,有時會發生穴、氣泡等填充不良的問題。特別是半導體元件上的封裝件的厚度薄的半導體裝置時,由于使用的樹脂組合物的量減少,所以對壓縮成型金屬模具的下模腔室的散布不均的影響變得顯著,更容易產生導線偏移、填充不足等問題。 另外,如果引起粘連、附著、堵塞、滯留等,則運送時間加長,生產率也降低。與此相對,第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其特征在于,是在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用的半導體封裝用環氧樹脂組合物,相對于半導體封裝用環氧樹脂組合物整體,利用Jis標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的、2mm以上的粒子的比例為3質量%以下,Imm以上且小于2mm的粒子的比例為5質量% 60質量%, 小于106 μ m的微粉的比例為0. 5質量%以下。由此,可以防止顆粒狀樹脂組合物的粘連, 降低散布不均,使運送性、生產率提高。另外,本發明的半導體裝置的制造方法,其特征在于,使用上述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,經壓縮成型封裝半導體元件,由此可以避免填充不良、導線偏移之類不理想情況,制造半導體裝置。另外,關于因供給不均導致的對金屬模具腔室的散布不均的問題,半導體裝置是具備引線框或電路基板、在引線框或電路基板上層疊或并列地搭載的一個以上的半導體元件、電連接引線框或電路基板與半導體元件的接合線、以及封裝半導體元件和接合線的封裝件,在封裝件由本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物通過壓縮成型得到的固化物構成的半導體裝置中,半導體元件上的封裝件的厚度為0. 08mm 0. 5mm時,可以有效地減少填充不良、導線偏移變差等不理想情況,半導體元件上的封裝件的厚度為0. Imm 0. 3mm時,可以特別有效地減少填充不良、導線偏移變差等不理想情況。這是由于半導體元件上的封裝件的厚度越薄,所使用的樹脂組合物的量越變得極少,顆粒狀樹脂組合物在金屬模具腔室內變得過于稀疏,產生未填充等問題的可能性增高,半導體元件上的封裝件的厚度越厚,所使用的樹脂組合物的量變得越多,因此即使供給產生不均,其影響也小。此處, 所謂半導體元件上的封裝件的厚度是指覆蓋半導體元件的與引線框或電路基板搭載面相反側的表面的封裝件的厚度,一個以上半導體元件層疊地搭載在引線框或電路基板上時, 是指覆蓋與引線框或電路基板搭載面相反側的最上面的半導體元件表面的封裝件的厚度。由此可知,按照本發明使用第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物經壓縮成型封裝半導體元件得到半導體裝置時,可以防止顆粒狀樹脂組合物的粘連,降低散布不均,使運送性提高,進而可以得到能提高生產率的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物。另外,通過使用該顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,經壓縮成型封裝半導體元件,可以避免填充不良、導線偏移之類不理想情況,制造可靠性優異的半導體裝置。另外,第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,可以適用于利用精細間距的導線、長導線或小直徑導線等連接引線框、電路基板與半導體元件的半導體裝置,尤其適用于半導體元件上的封裝件的厚度為0. 5mm以下的半導體裝置。接下來,對第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的構成Yl和Y2進行說明。[構成 Y1、Y2]第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的顆粒密度Dl與固化后的固化物比重 D2之比D1/D2的下限值優選為0. 88以上,更優選為0. 88以上,進一步優選為0. 90以上。 D1/D2的上限值優選為0. 97以下,更優選為0. 95以下,進一步優選為0. 94以下。如果設為上述下限值以上,則粒子內部的空隙率不會變得過高,成型時發生氣泡等問題的可能性低。 另外,如果設為上述上限值以下,則顆粒密度不會變得過高,用振動加料器等運送裝置進行運送時也沒有顆粒的移動速度減慢的問題。如果移動速度減慢,則可能會停滯,發生由此導致的粘連、堵塞等問題。進而,作為顆粒狀樹脂組合物的顆粒密度D1,優選為1.95以下,更優選為1.90以下。如果設為上述上限值以下,則可以得到良好的運送性。另外,作為顆粒狀樹脂組合物的顆粒密度Dl的下限值,沒有特別限定,優選使粒子內部的空隙率不會變得過高的范圍即1.75以上。作為顆粒密度Dl的測定方法,為了容易處理,將顆粒狀樹脂組合物用32目(孔徑 500 μ m)的JIS標準篩進行篩分后,將篩上的顆粒狀樹脂組合物約5g稱量至0. Img作為試樣。將比重瓶(容量50cc)用蒸餾水充滿,然后添加數滴表面活性劑后,測定加入有蒸餾水和表面活性劑的比重瓶的質量。接著,在比重瓶中加入試樣,測定加入了蒸餾水、表面活性劑和試樣的比重瓶整體的質量,按照下式進行計算。顆粒密度(g/ml)= (MpX Pw)/ (Mw+Mp-Mt)ρ w 測定時的溫度下的蒸餾水密度(g/ml)Mw 充滿蒸餾水,然后添加數滴表面活性劑的比重瓶的質量(g)Mp 試樣的質量(g)Mt 加入了蒸餾水、表面活性劑和試樣的比重瓶的質量(g)此處,表面活性劑是為了提高蒸餾水與試樣的潤濕性,將氣泡的卷入控制為極小而使用的。可以使用的表面活性劑沒有特別限制,只要選擇不卷入氣泡的材料即可。第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,是在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用的,考慮到固化物比重D2的值不會因成型方法不同而變化,作為本發明的固化物比重D2的測定方法,采用更為簡便的方法,即,通過傳遞成型得到的固化物比重測定方法。具體而言,可以舉出將顆粒狀樹脂組合物暫時壓片為規定尺寸的片,使用傳遞成型機,在金屬模具溫度175士5°C、注入壓力7MPa、固化時間120秒下,成型為直徑50mmX 厚度3mm的圓盤,求出質量、體積,計算成型材料的固化物比重的方法。對于第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物而言,為了使粒度分布、顆粒密度 Dl與固化后的固化物比重D2之比D1/D2、以及顆粒密度Dl在上述范圍,通過使用后述的獲得顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的方法,或者調整環氧樹脂與固化劑及固化促進劑的種類、以及配比來實現。邊涉及壓縮成型法特有的課題,邊對第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的作用效果加以說明。不限于上述圖1和圖2的例子,在使用顆粒狀樹脂組合物封裝半導體元件的壓縮成型法時,必須總是能夠穩定地供給一定量的顆粒狀樹脂組合物。如果在運送路徑中顆粒狀樹脂組合物的運送發生紊亂時、或顆粒狀樹脂組合物的粒子彼此粘連、顆粒狀樹脂組合物附著在運送路徑上,則會引起堵塞、供給時間的延遲、對金屬模具供給不均,產生生產率大幅降低、填充不足等問題。與此相對,第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其特征在于,是在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用的半導體封裝用環氧樹脂組合物,相對于半導體封裝用環氧樹脂組合物整體,利用Jis標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的、2mm以上的粒子的比例為3質量%以下,小于106 μ m的微粉的比例在5質量%以下,該半導體封裝用環氧樹脂組合物的顆粒密度Dl與該半導體封裝用環氧樹脂組合物的固化后的固化物比重D2之比D1/D2在0. 88 0. 97的范圍。由此,可以防止顆粒狀樹脂組合物的粘連,使運
10送性、生產率提高。另外,本發明的半導體裝置的制造方法,其特征在于,使用上述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,經壓縮成型封裝半導體元件,由此可以避免填充不良等不理想情況地制造半導體裝置。如上所述,按照本發明在使用第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,經壓縮成型封裝半導體元件得到半導體裝置時,可以得到防止了顆粒狀樹脂組合物的粘連、使運送性提高、進而能提高生產率的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物。另外,通過使用該顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,經壓縮成型封裝半導體元件,可以避免填充不良等不理想情況,制造可靠性優異的半導體裝置。另外,第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,可以適用于利用精細間距的導線、長導線或小直徑導線等連接引線框、電路基板與半導體元件的半導體裝置。第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物具備構成X1、X2或X3。應予說明的是, 第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物也可以具備第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的構成Y1、Y2。而第2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物具備構成Yl、Υ2。應予說明的是,第 2顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物也可以具備第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的構成Χ1、Χ2或Χ3。[本發明的顆粒狀樹脂組合物的成分]接下來,對本發明中的在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的成分進行說明。本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物中可以使用環氧樹脂。作為使用的環氧樹脂的例子,是在一分子內具有兩個以上環氧基的所有單體、低聚物、聚合物,其分子量、分子結構沒有特別限定,但是例如可以列舉聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、芪型環氧樹脂、氫醌型環氧樹脂等結晶性環氧樹脂;甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂;含有亞苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂、含有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基型環氧樹脂、含有亞苯基骨架的萘酚芳烷基型環氧樹脂等苯酚芳烷基型環氧樹脂;三酚基甲烷型環氧樹脂及烷基改性三酚基甲烷型環氧樹脂等三官能型環氧樹脂;二環戊二烯改性苯酚型環氧樹脂、萜烯改性苯酚型環氧樹脂等改性苯酚型環氧樹脂; 含有三嗪核的環氧樹脂等含有雜環的環氧樹脂等,上述環氧樹脂可以單獨使用一種,也可以組合兩種以上使用。本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物中可以使用固化劑。作為所使用的固化劑,只要是與環氧樹脂反應而固化的固化劑,就沒有特別限定。例如可以例示乙二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺等碳原子數2 20的直鏈脂肪族二胺、間苯二胺、對苯二胺、對二甲苯二胺、4,4’ - 二氨基二苯基甲烷、4,4’ - 二氨基二苯基丙烷、4, 4’ - 二氨基二苯基醚、4,4’ - 二氨基二苯基砜、4,4’ - 二氨基二環己烷、雙(4-氨基苯基) 苯基甲烷、1,5_ 二氨基萘、間二甲苯二胺、對二甲苯二胺、1,1_雙(4-氨基苯基)環己烷、雙氰胺等胺類;苯胺改性甲階酚醛樹脂、二甲基醚甲階酚醛樹脂等甲階酚醛型苯酚樹脂;苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型苯酚樹脂;含有亞苯基骨架的苯酚芳烷基樹脂、含有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基樹脂等苯酚芳烷基樹脂;具有萘骨架、蒽骨架這樣的稠環結構的苯酚樹脂;聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯;包括六氫苯酐(HHPA)、甲基四氫苯酐(MTHPA)等脂環族酸酐、和偏苯三甲酸酐(TMA)、均苯四甲酸酐(PMDA)、二苯甲酮四羧酸(BTDA)等芳香族酸酐等酸酐等;多硫化物、硫酯、硫醚等聚硫醇化合物;異氰酸酯預聚物、嵌段化異氰酸酯等異氰酸酯化合物; 含有羧酸的聚酯樹脂等有機酸類。這些固化劑可以單獨使用一種,也可以組合兩種以上使用。另外,其中,作為在半導體封裝材料中使用的固化劑,從耐濕性、可靠性等觀點出發優選在一分子內至少具有兩個酚性羥基的化合物,可以例示苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型苯酚樹脂;甲階酚醛型苯酚樹脂;聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯;含有亞苯基骨架的苯酚芳烷基樹脂、含有亞聯苯基骨架的苯酚芳烷基樹脂等。本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物中可以使用無機填充材料。作為所使用的無機填充材料,如果使用通常在半導體封裝材料中使用的無機填充材料,就沒有特別限制,可以舉出熔融破碎二氧化硅、熔融球形二氧化硅、結晶二氧化硅、二次凝集二氧化硅等二氧化硅;氧化鋁、鈦白、氫氧化鋁、滑石、粘土、云母、玻璃纖維等。其中特別優選熔融球形二氧化硅。另外,粒子形狀沒有限制,優選球形,另外,可以通過混合粒子大小不同的無機填充材料來增加無機填充量,但作為其粒徑,如果考慮在金屬模具腔室內對半導體元件周邊的填充性,則優選0. 01 μ m 150 μ m。本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物中可以使用固化促進劑。作為所使用的固化促進劑,只要促進環氧基與固化劑的固化反應即可,可以采用通常在半導體封裝材料中使用的固化促進劑。例如可以列舉1,8_ 二偶氮二環(5,4,0)十一烯-7等二偶氮二環鏈烯烴及其衍生物;三丁胺、芐基二甲基胺等胺系化合物;2-甲基咪唑等咪唑化合物;三苯基膦、甲基二苯基膦等有機膦類;四苯基憐·四苯基硼酸酯、四苯基.憐·四苯甲酸硼酸酯、四苯基憐·四萘甲酸硼酸酯、四苯基_憐·四萘酰氧基硼酸酯、四苯基·四萘氧基硼酸酯等四取代憐·四取代硼酸酯;加合苯醌而成的三苯基膦等。這些固化促進劑可以單獨使用一種,也可以組合兩種以上使用。作為更優選的例子,可以舉出具有顆粒狀樹脂組合物在金屬模具腔室內熔融后的急劇的增粘少的潛在性的固化促進劑。本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物中,除了上述成分以外,根據需要可以配合Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等偶聯劑;炭黑等著色劑;天然蠟、合成蠟、高級脂肪酸或其金屬鹽類、石蠟、氧化聚乙烯等脫模劑;硅油、有機硅橡膠等低應力劑;水滑石等離子捕捉劑;氫氧化鋁等阻燃劑;抗氧化劑等各種添加劑。[本發明的顆粒狀樹脂組合物的制造方法]接下來,對獲得本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的方法進行說明。 作為獲得顆粒狀樹脂組合物的方法,只要滿足本申請發明的粒度分布、顆粒密度,就沒有特別限定,例如可以舉出向由具有多個小孔的圓筒狀外周部和圓盤狀的底面構成的轉子的內側,供給熔融混煉的樹脂組合物,利用使轉子旋轉而得到的離心力使該樹脂組合物通過小孔而得到的方法(以下也稱為“離心制粉法”。);在使用混合器等將各原料成分預混后,利用輥壓機、捏合機或擠出機等混煉機進行加熱混煉后,經冷卻、粉碎工序制成粉碎物,將該粉碎物使用篩除去粗粒和微粉而得到的方法(以下也稱為“粉碎篩分法”);在使用混合器等將各原料成分預混合后,使用配置了在螺桿前端部設置有多個小孔的口模的擠出機,進行加熱混煉,并且將從配置于口模的小孔擠出成條狀的熔融樹脂用與口模面大致平行地滑動旋轉的剪切機切斷而獲得的方法(以下也稱為“熱切法”)等。任何一種方法中,均可以通過選擇混煉條件、離心條件、篩分條件、切斷條件等而得到本發明的粒度分布、顆粒密度。 特別優選的制法是離心制粉法,由此得到的顆粒狀樹脂組合物可以穩定地體現本發明的粒度分布、顆粒密度,因而,對于運送路徑上的運送性、防止粘連而言是優選的。另外,離心制粉法可以使粒子表面某種程度地變光滑,因而也不會有粒子彼此牽扯、或與運送路面的摩擦阻力增大的情況,對于防止在向運送路徑的供給口處的架橋(堵塞)、防止在運送路徑上的滯留而言也是優選的。另外,對于離心制粉法而言,由于是利用離心力由熔融狀態形成樹脂組合物,因此成為在粒子內含有一定程度的空隙的狀態,可以某種程度地降低顆粒密度, 因而對壓縮成型時的運送性是有利的。另一方面,粉碎篩分法雖然必須對經篩分而產生的大量微粉和粗粒的處理方法進行研究,但是由于篩分裝置等是在樹脂組合物的已有制造生產線上使用的,因而,從可以直接使用現有的制造生產線的角度出發是優選的。另外,粉碎篩分法因為用于體現本發明粒度分布的可獨立控制的因素如粉碎前將熔融樹脂片化時的片厚的選擇、粉碎時的粉碎條件或篩網的選擇、篩分時的篩的選擇等多,因而用于調整成所需粒度分布的手段的可選項多, 從這點出發是優選的。另外,熱切法可以以例如在擠出機的前端增加熱切機構的程度直接利用已有的制造生產線,從這一角度出發是優選的。接著,使用附圖詳細說明用于獲得本發明的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的制法的一例即離心制粉法。圖6是為了得到顆粒狀半導體封裝用樹脂組合物的、從樹脂組合物的熔融混煉到顆粒狀樹脂組合物的捕獲為止的一個實施例的示意圖,圖7是用于加熱轉子和轉子的圓筒狀外周部的勵磁線圈的一個實施例的剖面圖,圖8是將熔融混煉的樹脂組合物供給轉子的套管式圓筒體的一個實施例的剖面圖。用雙螺桿擠出機309熔融混煉而得的樹脂組合物通過在內壁和外壁之間通有冷媒而被冷卻的套管式圓筒體305,供給到轉子301的內側。此時,套管式圓筒體305優選使用冷媒進行冷卻以使熔融混煉的樹脂組合物不會附著在套管式圓筒體305的壁上。通過套管式圓筒體305將樹脂組合物供給轉子301,由此即使在樹脂組合物以連續的絲狀供給時,也不會因轉子301高速旋轉使得樹脂組合物溢出轉子301,能夠穩定地供給。應予說明的是, 可以通過雙螺桿擠出機309的混煉條件來控制熔融樹脂的噴出溫度等,由此調整顆粒狀樹脂組合物的粒子形狀、粒度分布。另外,也可以通過在雙螺桿擠出機309上安裝脫氣裝置, 控制粒子中的氣泡的卷入。轉子301與馬達310相連,可以以任意的轉速進行旋轉,通過適當地選擇轉速,可以調整顆粒狀樹脂組合物的粒子形狀、粒度分布。在轉子301的外周上設置的具有多個小孔的圓筒狀外周部302具備磁性材料303,被隨著通過對其附近具備的勵磁線圈304通入由交流電發生裝置306產生的交流電而產生的交變磁通的通過的渦流損耗、磁滯損失加熱。 應予說明的是,作為該磁性材料303,例如可以列舉鐵材、硅鋼等,可以將一種或兩種以上的磁性材料303組合使用。具有多個小孔的圓筒狀外周部302的小孔附近,也可以用與磁性材料303不同的材質形成,例如用熱傳導率高的非磁性材料形成,在其上下具備磁性材料 303,由此也可以以加熱的磁性材料303作為熱源通過熱傳導對圓筒狀外周部302的小孔附近進行加熱。作為非磁性材料可列舉銅、鋁等,可以使用一種,或者可以將兩種以上的非磁性材料組合使用。樹脂組合物被供給轉子301的內側后,利用由馬達310使轉子301旋轉而得到的離心力,向被加熱的圓筒狀外周部302飛行移動。與被加熱的具有多個小孔的圓筒狀外周部302接觸的樹脂組合物的熔融粘度不上升,容易地通過圓筒狀外周部302的小孔被噴出。加熱的溫度可以根據應用的環氧樹脂組合物的特性來任意設定。可以通過適當選擇加熱溫度來調整顆粒狀樹脂組合物的粒子形狀或粒度分布。一般而言,如果過度提高加熱溫度,則樹脂組合物的固化進行,有時流動性降低,或者堵塞圓筒狀外周部302的小孔,但是在適當的溫度條件下,因為樹脂組合物與圓筒狀外周部302的接觸時間極短,因此對流動性的影響極小。另外,具有多個小孔的圓筒狀外周部302被均一地加熱,因此局部的流動性變化極小。另外,圓筒狀外周部302的多個小孔,可以通過適當地選擇孔徑來調整顆粒狀樹脂組合物的粒子形狀、粒度分布。通過圓筒狀外周部302的小孔被噴出的顆粒狀樹脂組合物,例如由設置在轉子 301周圍的外槽308捕獲。關于外槽308,為了防止顆粒狀樹脂組合物向內壁附著、顆粒狀樹脂組合物彼此熔融,通過圓筒狀外周部302的小孔飛行的顆粒狀樹脂組合物碰撞的碰撞面,優選與顆粒狀樹脂組合物的飛行方向成10 80度、優選為25 65度傾斜地設置。如果碰撞面相對于樹脂組合物的飛行方向的傾斜在上述上限值以下,則可以使顆粒狀樹脂組合物的碰撞能量充分地分散,產生向壁面附著的可能性小。另外,如果碰撞面相對于樹脂組合物的飛行方向的傾斜在上述下限值以上,則可以充分地降低顆粒狀樹脂組合物的飛行速度,由此即使在外槽壁面碰撞2次,附著在該外裝壁面上的可能也小。另外,如果顆粒狀樹脂組合物碰撞的碰撞面的溫度升高,則容易附著顆粒狀樹脂組合物,因此優選在碰撞面外周設置冷卻套307,冷卻碰撞面。外槽308的內徑的大小優選設置成顆粒狀樹脂組合物被充分地冷卻、不會產生顆粒狀樹脂組合物向內壁附著、顆粒狀樹脂組合物彼此熔融粘合的程度。一般而言,由于轉子301的旋轉而產生空氣的流動,可獲得冷卻效果,但是也可以根據需要導入冷風。外槽308的大小根據所處理的樹脂量而不同, 例如在轉子301的直徑為20cm時,若外槽308的內徑是IOOcm左右,則可以防止附著、熔融粘合。[本發明的半導體裝置]接下來,對使用顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物經壓縮成型封裝半導體元件而成的本發明的半導體裝置進行說明。應予說明的是,使用顆粒狀樹脂組合物經壓縮成型封裝半導體元件而得到半導體裝置的方法如上所述。作為在本發明的半導體裝置中被封裝的半導體元件,沒有特別限定,例如可以列舉集成電路、大規模集成電路、晶體管、晶閘管、 二極管、固體攝像元件等。本發明的半導體裝置的形態沒有特別限定,例如可以列舉球柵陣列(BGA)、MAP型的BGA等。還可以應用于芯片尺寸封裝(CSP)、四側無引腳扁平封裝(QFN)、小外型無導線封裝(SON)、引線框· BGA(LF-BGA)等。經壓縮成型利用樹脂組合物的固化物封裝半導體元件而得的本發明的半導體裝置,可以直接或在80°C 200°C左右的溫度下用10分鐘至10小時左右的時間使其完全固化,然后搭載在電子設備等上。以下,使用附圖詳細說明具備引線框或電路基板、在引線框或電路基板上層疊或并列地搭載的一個以上的半導體元件、將引線框或電路基板與半導體元件電連接的接合線、封裝半導體元件和接合線的封裝件的半導體裝置,但是本發明不限于使用接合線的半
14導體裝置。圖9是示出了使用本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物,封裝在引線框上搭載的半導體元件而得到的半導體裝置的一例的剖面結構的圖。借助芯片焊接材料固化體402 在裸焊盤403上固定半導體元件401。半導體元件401的電極焊盤與引線框405之間由導線404連接。半導體元件401通過由半導體封裝用環氧樹脂組合物的固化體構成的封裝件 406封裝。圖10是示出了使用本發明的半導體封裝用環氧樹脂組合物,封裝在電路基板上搭載的半導體元件而得到的半導體裝置的一例的剖面結構的圖。借助芯片焊接材料固化體 402在電路基板408上固定半導體元件401。半導體元件401的電極焊盤407與電路基板 408上的電極焊盤407之間由導線404連接。通過由半導體封裝用環氧樹脂組合物的固化體構成的封裝件406僅封裝電路基板408的搭載有半導體元件401的一側。電路基板408 上的電極焊盤407與電路基板408上的非封裝面側的焊錫球409在內部連接。實施例利用實施例對本發明進行更詳細的說明,但是本發明不限于這些實施例。 [第1顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物]
實施例1 〈樹脂組合物的配比(質量份)>
權利要求
1.一種顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其特征在于,是在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,相對于所述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物整體,利用JIS標準篩進行篩分測得的粒度分布中的、2mm以上的粒子的比例為3質量%以下,Imm以上且小于2mm的粒子的比例為0.5質量% 60質量%,小于106 μ m的微粉的比例為5質量%以下。
2.根據權利要求1所述的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其特征在于,所述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物中,相對于所述利用JIS標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的106 μ m以上的粒子,最長長度L為5mm以下且最短長度S為Imm以下的粒子的比例為50質量%以上。
3.根據權利要求1或2所述的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其特征在于,所述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的坍塌角為35°以下。
4.一種顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其特征在于,是在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,相對于所述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物整體,利用JIS標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的、2mm以上的粗粒的比例為3質量%以下,小于106 μ m的微粉的比例為5 質量%以下,所述半導體封裝用環氧樹脂組合物的顆粒密度Dl與所述半導體封裝用環氧樹脂組合物固化后的固化物比重D2之比D1/D2在0. 88 0. 97的范圍。
5.根據權利要求4所述的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其中,所述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物的所述顆粒密度Dl為1.95以下。
6.根據權利要求1 5中任一項所述的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其中,所述顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物是如下得到的向由具有多個小孔的圓筒狀外周部和圓盤狀的底面構成的轉子的內側供給熔融的樹脂組合物,利用使所述轉子旋轉而得到的離心力使該組合物通過所述小孔。
7.一種半導體裝置的制造方法,其特征在于,使用權利要求1 6中任一項所述的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,經壓縮成型封裝半導體元件。
8.一種半導體裝置,其特征在于,使用權利要求1 6中任一項所述的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,經壓縮成型封裝半導體元件而成。
9.一種半導體裝置,其特征在于,是具備引線框或電路基板、在所述引線框或所述電路基板上層疊或并列地搭載的一個以上的半導體元件、電連接所述引線框或所述電路基板與所述半導體元件的接合線、以及封裝所述半導體元件和所述接合線的封裝件,所述半導體元件上的所述封裝件的厚度為0. 08mm 0. 5mm,所述封裝件由權利要求1 6中任一項所述的顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物經壓縮成型得到的固化物構成。
全文摘要
一種顆粒狀半導體封裝用環氧樹脂組合物,其特征在于,是在經壓縮成型封裝半導體元件而成的半導體裝置中使用的半導體封裝用環氧樹脂組合物,相對于該半導體封裝用環氧樹脂組合物整體,利用JIS標準篩進行篩分而測得的粒度分布中的、2mm以上的粒子的比例為3質量%以下,1mm以上且小于2mm的粒子的比例為0.5質量%~60質量%,小于106μm的微粉的比例在5質量%以下。
文檔編號H01L23/29GK102246295SQ20098014952
公開日2011年11月16日 申請日期2009年12月2日 優先權日2008年12月10日
發明者水野恭宏, 滋野數也 申請人:住友電木株式會社