專利名稱：一種太陽能電池的雙層減反射膜加工方法
技術領域：
本發明涉及太陽能電池的減反射膜，特別是一種太陽能電池的雙層 減反射膜加工方法。
背景技術：
以前所使用的普遍方法是采用PECVD (高溫氣相化學沉積)，直接 在擴散完成后的硅片表面上進行氮化硅沉積，氮化硅相對于較早的Ti02 有明顯的改善，因為氮化硅膜中富含[IT]鍵，可以捕獲因表面結構處理 所產生缺陷的電子，減少表面復合中心的數量，提高太陽能電池的輸出 電流，但是由于[Hl鍵不是穩定結構，容易脫離硅片表面，[FT]鍵脫離 所產生的地方造成缺陷，影響太陽能電池的性能，直觀地從數據說，這 就是單層氮化硅減反射膜所造成太陽能電池片輸出功率易衰減的主要 原因。

發明內容
本發明的目的在于提供一種太陽能電池的雙層減反射膜加工方法， 主要解決上述現有單層減反射膜的電池片，功率不穩定，容易衰減的技 術問題，經過雙層減反射膜處理，太陽能電池的輸出功率的穩定性有了明顯的提高。
為解決上述問題，本發明是這樣實現的
一種太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于它包括如下 步驟
第一步，濕氧，即在高溫下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜; 第二步，PECVD沉積，即在第一步中做好的二氧化硅膜上進行氮 化硅沉積。
所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該濕氧工 藝的操作流程是
(1) 將擴散好后的硅片放入擴散爐中，等溫度升至指定溫度；
(2) 開始通入氧氣，氧氣經過去離子水的容器后，將水帶入爐體
內部；
(3) 等反應結束后，將其取出即可； 該濕氧工藝中的主要工藝參數是
氧氣流量1.5—1.7L/min;
溫度500。C一700。C;
時間4~6 min。
所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該濕氧工 藝中的優選工藝參數是 氧氣流量1.6L/min;
溫度600 。C;
時間4~"6 min。所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該PECVD
沉積工藝的具體操作步驟是
(1) 進舟；
(2) 慢抽真空；
(3) 快抽真空；
(4) 調壓，看爐管內部壓力是否穩定；
(5) 備用1，預熱硅片；
(6) 檢漏；
(7) 調壓，檢漏后第一次調壓；
(8) 調壓，檢漏后第二次調壓；
(9) 淀積，試起輝；
(10) 淀積，開始反應；
(11) 淀積，抽內部反應氣體；
(12) 清洗，通氮氣；
(13) 清洗，關閉反應氣體，繼續通氮氣；
(14) 抽真空，關閉所有閥門；
(15) 充氮，恢復到大氣狀態；
(16) 退舟，取片；
該PECVD操作工藝的主要工藝參數是 硅烷氨氣=1: 6—1: 8; 溫度360°C—440。C;
時間12—13 min。所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該PECVD 操作工藝的優選工藝參數是-
硅烷氨氣=1: 7; 溫度400°C;
時間12—13 min。
藉由上述方法，本發明與現有技術相比具有如下優點-
1、 本發明方法中的雙層減反射膜大大地增加了入射光在硅片表面 反射的次數，進而增加了硅片表面對光子吸收的幾率，提高了太陽能電 池的輸出電流。
2、 本發明方法中的雙層減反射膜增加膜的均勻性。
具體實施例方式
本發明提供了一種太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其具體工 藝步驟可參閱如下實施例。
實施例一 一種太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，具體步驟是
第一步濕氧，即先在擴散好后的硅片表面進行濕氧工藝，所謂濕 氧工藝就是在高溫下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜。 具體步驟如下
1. 將擴散好后的硅片放入擴散爐中，等溫度升至指定溫度；
2. 開始通入氧氣，氧氣經過去離子水的容器后，將水帶入爐體內部；
3. 等反應結束后，將其取出即可。 濕氧操作工藝的主要工藝參數是氧氣流量1.5—1.7L/min，最佳值1.6L/min; 溫度500。C一700。C，最佳值600°C; 時間4~6 min。
第二步PECVD沉積，即在已經做好的二氧化硅膜上進行氮化硅 沉積。
具體步驟如下
1. 進舟；
2. 慢抽真空；
3. 快抽真空；
4. 調壓，看爐管內部壓力是否穩定；
5. 備用1，預熱硅片；
6.檢漏；
7.調壓，檢漏后第一次調壓；
8.調壓，檢漏后第二次調壓；
9.淀積，試起輝；
IO.淀積，開始反應；
ll.淀積，抽內部反應氣體；
12.清洗，通氮氣；
13.清洗，關閉反應氣體，繼續通氮氣;
14.抽真空，關閉所有閥門；15.充氮，恢復到大氣狀態；
16.退舟，取片。PECVD操作的主要工藝參數是-
硅垸氨氣=1: 6—1: 8，最佳值為h 7;
溫度360。C一44(TC，最佳值為40CTC; 時間12—13 min。
經過雙層減反射膜處理，太陽能電池的輸出功率的穩定性有了明顯 的提高，平均光電轉換效率比以往單層減反射膜高出0.2%，約為0.03w。
綜上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并非用來限定本發明的實 施范圍。即凡依本發明申請專利范圍的內容所作的等效變化與修飾，都 應為本發明的技術范疇。
權利要求
1、一種太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于它包括如下步驟第一步，濕氧，即在高溫下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜；第二步，PECVD沉積，即在第一步中做好的二氧化硅膜上進行氮化硅沉積。
2、 根據權利要求1所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法， 其特征在于該濕氧工藝的操作流程是(1) 將擴散好后的硅片放入擴散爐中，等溫度升至指定溫度；(2) 開始通入氧氣，氧氣經過去離子水的容器后，將水帶入爐體內部；(3) 等反應結束后，將其取出即可； 該濕氧工藝中的主要工藝參數是 氧氣流量1.5—1.7L/min;溫度500。C一700。C; 時間4~6 min。
3、 根據權利要求2所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法， 其特征在于該濕氧工藝中的優選工藝參數是氧氣流量1.6L/min; 溫度600 。C; 時間4~6 min。
4、 根據權利要求1或2或3所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該PECVD沉積工藝的具體操作步驟是(1) 進舟；(2) 慢抽真空；(3) 快抽真空；(4) 調壓，看爐管內部壓力是否穩定；(5) 備用1，預熱硅片；(6) 檢漏；(7) 調壓，檢漏后第一次調壓；(8) 調壓，檢漏后第二次調壓；(9) 淀積，試起輝；(10) 淀積，開始反應；(11) 淀積，抽內部反應氣體；(12) 清洗，通氮氣；(13) 清洗，關閉反應氣體，繼續通氮氣；(14) 抽真空，關閉所有閥門；(15) 充氮，恢復到大氣狀態；(16) 退舟，取片；該PECVD操作工藝的主要工藝參數是 硅烷氨氣=1: 6—1: 8;溫度360。C一440。C; 時間12—13 min。
5、根據權利要求4所述的太陽能電池的雙層減反射膜加工方法，其特征在于該PECVD操作工藝的優選工藝參數是:硅垸氨氣=1: 7; 溫度400 °C;時間12—13 min。
全文摘要
本發明涉及太陽能電池的減反射膜，特別是一種太陽能電池的雙層減反射膜加工方法。它包括如下步驟第一步，濕氧，即在高溫下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜；第二步，PECVD沉積，即在第一步中做好的二氧化硅膜上進行氮化硅沉積。本發明方法主要解決上述現有單層減反射膜的電池片，功率不穩定，容易衰減的技術問題，經過雙層減反射膜處理，太陽能電池的輸出功率的穩定性有了明顯的提高。
文檔編號H01L31/18GK101431121SQ20071004789
公開日2009年5月13日 申請日期2007年11月7日 優先權日2007年11月7日
發明者李文男, 郭文林, 建 陳 申請人:展豐能源技術(上海)有限公司