光(guang)伏電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(常(chang)被稱為太(tai)(tai)陽能電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi))是熟(shu)知的(de)(de)用于將(jiang)太(tai)(tai)陽輻射(she)直接轉(zhuan)換為電(dian)(dian)(dian)能的(de)(de)裝置。一般來講，使用半(ban)導體加工技(ji)術在(zai)基(ji)板(ban)的(de)(de)表面(mian)附近形成(cheng)p-n結，從而在(zai)半(ban)導體晶片或基(ji)板(ban)上制造太(tai)(tai)陽能電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)。照射(she)在(zai)基(ji)板(ban)表面(mian)上并進入基(ji)板(ban)內的(de)(de)太(tai)(tai)陽輻射(she)在(zai)基(ji)板(ban)塊體中(zhong)形成(cheng)電(dian)(dian)(dian)子和空(kong)穴對。電(dian)(dian)(dian)子和空(kong)穴對遷移至(zhi)基(ji)板(ban)中(zhong)的(de)(de)p摻(chan)雜區域和n摻(chan)雜區域，從而在(zai)摻(chan)雜區域之間產生電(dian)(dian)(dian)壓差。將(jiang)摻(chan)雜區域連接至(zhi)太(tai)(tai)陽能電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)上的(de)(de)導電(dian)(dian)(dian)區域，以將(jiang)電(dian)(dian)(dian)流(liu)從電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)引導至(zhi)外部電(dian)(dian)(dian)路(lu)。

效(xiao)率(lv)(lv)(lv)是太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)重要特性，因其直接與太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)發電(dian)(dian)(dian)能(neng)(neng)(neng)力有關(guan)。同樣，制(zhi)備太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)直接與此(ci)(ci)類太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)成本效(xiao)益有關(guan)。因此(ci)(ci)，提高(gao)太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)的(de)(de)(de)技術或提高(gao)制(zhi)造太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)的(de)(de)(de)技術是普遍所(suo)需的(de)(de)(de)。本公(gong)開的(de)(de)(de)一(yi)些實(shi)施例允(yun)許通(tong)過提供(gong)制(zhi)造太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)結構(gou)的(de)(de)(de)新工藝而提高(gao)太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)制(zhi)造效(xiao)率(lv)(lv)(lv)。本公(gong)開的(de)(de)(de)一(yi)些實(shi)施例允(yun)許通(tong)過提供(gong)新型太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)結構(gou)來提高(gao)太(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)(chi)效(xiao)率(lv)(lv)(lv)。

附圖說明

圖1示(shi)(shi)出了根據一些實施例的示(shi)(shi)例性太陽能電池(chi)的一部(bu)分的橫截(jie)面圖，該太陽能電池(chi)具有形成在(zai)發射極區(qu)上的導電觸點，而該發射極區(qu)形成在(zai)基板上方(fang)。

圖2示(shi)出了根據(ju)一些(xie)實施例(li)的(de)(de)示(shi)例(li)性太(tai)陽能電(dian)池的(de)(de)一部分的(de)(de)橫截面圖，該(gai)太(tai)陽能電(dian)池具有(you)形成(cheng)在(zai)發射(she)極區上的(de)(de)導電(dian)觸點，而(er)該(gai)發射(she)極區形成(cheng)在(zai)基板內。

圖3是根據一個實施例的(de)流程圖，它示(shi)出(chu)了形成具(ju)有(you)隨機焊(han)縫陣列的(de)導(dao)電觸點的(de)示(shi)例性(xing)方法。

圖(tu)4A至圖(tu)4D示出了根據圖(tu)3的(de)方法形成具有隨(sui)機焊縫陣(zhen)列的(de)導電(dian)觸點的(de)橫截(jie)面圖(tu)。

圖(tu)5是根據一個實施(shi)例(li)的流程(cheng)圖(tu)，它示出了形成具有(you)隨機(ji)焊(han)縫陣(zhen)列的導(dao)電觸點的示例(li)性方法(fa)。

圖(tu)6A至(zhi)圖(tu)6E示出了根據(ju)圖(tu)5的方法形(xing)成具有隨機(ji)焊縫陣(zhen)列的導電觸點的橫(heng)截面圖(tu)。

圖7是根據一(yi)個實施(shi)例的流程圖，它(ta)示出了(le)形成具有(you)隨(sui)機焊縫陣(zhen)列(lie)的導電觸點的示例性(xing)方法。

圖(tu)(tu)8A至圖(tu)(tu)8E示出了根據圖(tu)(tu)7的方(fang)法(fa)形成具有隨機焊縫陣(zhen)列(lie)的導(dao)電觸點的橫截面圖(tu)(tu)。

圖(tu)9和(he)圖(tu)10示出了根(gen)據(ju)各種實施例(li)的分別在圖(tu)案化前和(he)圖(tu)案化后的示例(li)性太陽能電池(chi)后側(ce)的俯視圖(tu)。

圖(tu)11示出了根據各種實施例(li)的太(tai)陽能電池的示例(li)性(xing)接觸指的俯視(shi)圖(tu)。

具體實施方式

以下具體實施方式在本質上只是說明性的，而并非意圖限制本申請的主題的實施例或此類實施例的用途。如本文所用，詞語“示例性”意指“用作實例、例子或舉例說明”。本文描述為示例性的任何實施未必理解為相比其他實施優選的或有利的。此外，并不意圖受前述技術領域、

背景技術：
、

技術實現要素：
或(huo)以下具(ju)體實施(shi)方式(shi)中提出的任何明示(shi)或(huo)暗(an)示(shi)的理(li)論的約束。

本(ben)說明書包括(kuo)提(ti)及“一個實(shi)施例(li)”或(huo)(huo)“實(shi)施例(li)”。短(duan)語“在一個實(shi)施例(li)中”或(huo)(huo)“在實(shi)施例(li)中”的出現不一定是指同一實(shi)施例(li)。特定的特征、結構或(huo)(huo)特性(xing)可(ke)以任何與(yu)本(ben)公開一致的合適方式加以組合。

術語(yu)。以(yi)下段落提(ti)供(gong)存在于本公開(包(bao)括所附權利要(yao)求(qiu)書)中(zhong)的術語(yu)的定(ding)義和(he)/或語(yu)境：

“包括”。該(gai)術語是開放(fang)式的。如在所附權利(li)要求書中所用(yong)，該(gai)術語并(bing)不排除其他結構或步驟。

“被構(gou)造(zao)(zao)成(cheng)”。各(ge)個單元(yuan)或(huo)部(bu)件(jian)(jian)可被描述(shu)(shu)或(huo)聲明成(cheng)“被構(gou)造(zao)(zao)成(cheng)”執行一(yi)項(xiang)或(huo)多項(xiang)任(ren)務。在(zai)(zai)這樣的(de)語境下(xia)，“被構(gou)造(zao)(zao)成(cheng)”用于通過指(zhi)示該單元(yuan)/部(bu)件(jian)(jian)包(bao)括在(zai)(zai)操作(zuo)期間執行一(yi)項(xiang)或(huo)多項(xiang)那些任(ren)務的(de)結構(gou)而(er)暗示結構(gou)。因此，即使當指(zhi)定的(de)單元(yuan)/部(bu)件(jian)(jian)目前不在(zai)(zai)操作(zuo)(例如，未開(kai)啟/激活)時，也可將該單元(yuan)/部(bu)件(jian)(jian)說(shuo)成(cheng)是被構(gou)造(zao)(zao)成(cheng)執行任(ren)務。詳述(shu)(shu)某(mou)一(yi)單元(yuan)/電路/部(bu)件(jian)(jian)“被構(gou)造(zao)(zao)成(cheng)”執行一(yi)項(xiang)或(huo)多項(xiang)任(ren)務明確(que)地意在(zai)(zai)對該單元(yuan)/部(bu)件(jian)(jian)而(er)言不援用35U.S.C.§112第六(liu)段。

“第(di)一(yi)”、“第(di)二”等。如(ru)本文所用的(de)這些術(shu)語用作其之后的(de)名詞的(de)標記，而并(bing)不暗(an)示任何(he)類型的(de)順序(例(li)(li)如(ru)，空間(jian)、時(shi)間(jian)和邏輯等)。例(li)(li)如(ru)，提及太陽能電池的(de)“第(di)一(yi)”焊(han)縫(feng)區(qu)(qu)(qu)并(bing)不一(yi)定暗(an)示該焊(han)縫(feng)區(qu)(qu)(qu)為某一(yi)序列(lie)中的(de)第(di)一(yi)個焊(han)縫(feng)區(qu)(qu)(qu)；而是術(shu)語“第(di)一(yi)”用于將(jiang)此焊(han)縫(feng)區(qu)(qu)(qu)與另一(yi)個焊(han)縫(feng)區(qu)(qu)(qu)(例(li)(li)如(ru)，“第(di)二”焊(han)縫(feng)區(qu)(qu)(qu))相區(qu)(qu)(qu)分(fen)。

“基于(yu)(yu)”。如本(ben)文所(suo)用，該術(shu)語(yu)用于(yu)(yu)描述影(ying)響確(que)(que)(que)定(ding)結(jie)(jie)果的一(yi)個(ge)(ge)或(huo)多個(ge)(ge)因(yin)(yin)(yin)素(su)(su)(su)。該術(shu)語(yu)并(bing)不排除可(ke)影(ying)響確(que)(que)(que)定(ding)結(jie)(jie)果的另外因(yin)(yin)(yin)素(su)(su)(su)。也就是說，確(que)(que)(que)定(ding)結(jie)(jie)果可(ke)以(yi)僅基于(yu)(yu)那些因(yin)(yin)(yin)素(su)(su)(su)或(huo)至少部分地基于(yu)(yu)那些因(yin)(yin)(yin)素(su)(su)(su)。考慮短(duan)語(yu)“基于(yu)(yu)B確(que)(que)(que)定(ding)A”。盡(jin)管B可(ke)以(yi)是影(ying)響A的確(que)(que)(que)定(ding)結(jie)(jie)果的因(yin)(yin)(yin)素(su)(su)(su)，但這樣的短(duan)語(yu)并(bing)不排除A的確(que)(que)(que)定(ding)結(jie)(jie)果還基于(yu)(yu)C。在其他實例(li)中，A可(ke)以(yi)僅基于(yu)(yu)B來確(que)(que)(que)定(ding)。

“耦(ou)接(jie)”—以下(xia)描述是指元件(jian)或(huo)節點或(huo)結構特征(zheng)被“耦(ou)接(jie)”在一起。如本文(wen)所用，除非另(ling)外明確指明，否則(ze)“連(lian)(lian)接(jie)”意指一個元件(jian)/節點/特征(zheng)直(zhi)接(jie)或(huo)間接(jie)連(lian)(lian)接(jie)至另(ling)一個元件(jian)/節點/特征(zheng)(或(huo)直(zhi)接(jie)或(huo)間接(jie)與其連(lian)(lian)通)，并且不(bu)一定是機(ji)械(xie)連(lian)(lian)接(jie)。

“阻止(zhi)”—如本文所用(yong)，阻止(zhi)用(yong)于(yu)描(miao)述減小(xiao)(xiao)影響(xiang)或(huo)(huo)使影響(xiang)降(jiang)至(zhi)最低。當(dang)組件(jian)或(huo)(huo)特(te)征(zheng)被描(miao)述為阻止(zhi)行為、運動或(huo)(huo)條件(jian)時(shi)(shi)，它可以(yi)完(wan)全防止(zhi)某種結(jie)果(guo)或(huo)(huo)后(hou)果(guo)或(huo)(huo)未來的(de)狀態(tai)(tai)。另外，“阻止(zhi)”還可以(yi)指減少或(huo)(huo)減小(xiao)(xiao)可能會發生的(de)某種后(hou)果(guo)、表現(xian)和/或(huo)(huo)效(xiao)應(ying)。因此，當(dang)組件(jian)、元件(jian)或(huo)(huo)特(te)征(zheng)被稱為阻止(zhi)結(jie)果(guo)或(huo)(huo)狀態(tai)(tai)時(shi)(shi)，它不一定完(wan)全防止(zhi)或(huo)(huo)消除該結(jie)果(guo)或(huo)(huo)狀態(tai)(tai)。

此外(wai)，以(yi)下描(miao)述(shu)中(zhong)還(huan)僅(jin)為了(le)參考(kao)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)使用了(le)某些(xie)(xie)術(shu)語(yu)(yu)，因此這些(xie)(xie)術(shu)語(yu)(yu)并非意(yi)圖進(jin)行限制。例如，諸如“上部(bu)(bu)”、“下部(bu)(bu)”、“上方(fang)”或“下方(fang)”之類的(de)(de)(de)術(shu)語(yu)(yu)是指附(fu)圖中(zhong)提供參考(kao)的(de)(de)(de)方(fang)向(xiang)。諸如“正面(mian)”、“背面(mian)”、“后面(mian)”、“側(ce)面(mian)”、“外(wai)側(ce)”和(he)“內側(ce)”之類的(de)(de)(de)術(shu)語(yu)(yu)描(miao)述(shu)部(bu)(bu)件的(de)(de)(de)某些(xie)(xie)部(bu)(bu)分在(zai)一致但任意(yi)的(de)(de)(de)參照系內的(de)(de)(de)取(qu)向(xiang)和(he)/或位(wei)置，通過參考(kao)描(miao)述(shu)所討論的(de)(de)(de)部(bu)(bu)件的(de)(de)(de)文字和(he)相關的(de)(de)(de)附(fu)圖可以(yi)清楚地了(le)解(jie)所述(shu)取(qu)向(xiang)和(he)/或位(wei)置。這樣的(de)(de)(de)術(shu)語(yu)(yu)可包(bao)括(kuo)上面(mian)具體提及的(de)(de)(de)詞語(yu)(yu)、它(ta)們的(de)(de)(de)衍生詞語(yu)(yu)以(yi)及類似意(yi)義的(de)(de)(de)詞語(yu)(yu)。

雖然為了(le)易于(yu)理解依據太陽能電池描述了(le)本公(gong)開的(de)很多內容，但(dan)本發明所公(gong)開的(de)技術和結構(gou)同(tong)樣(yang)適用于(yu)其(qi)他半導體結構(gou)(例如，一般而(er)言的(de)硅晶片)。

本文描述了太(tai)陽能(neng)電(dian)池(chi)導電(dian)觸點(dian)以及形成(cheng)太(tai)陽能(neng)電(dian)池(chi)導電(dian)觸點(dian)的(de)(de)方法。在(zai)(zai)下面的(de)(de)描述中，給出了許多具(ju)體細(xi)節，諸如(ru)具(ju)體的(de)(de)工藝(yi)流程操(cao)作，以便提供對本公(gong)開(kai)(kai)的(de)(de)實施(shi)(shi)例(li)的(de)(de)透徹理解(jie)。對本領域的(de)(de)技術(shu)人員將顯而易見的(de)(de)是，可(ke)在(zai)(zai)沒(mei)(mei)有這些具(ju)體細(xi)節的(de)(de)情況(kuang)下實施(shi)(shi)本公(gong)開(kai)(kai)的(de)(de)實施(shi)(shi)例(li)。在(zai)(zai)其他情況(kuang)中，沒(mei)(mei)有詳細(xi)地描述熟知的(de)(de)制(zhi)造技術(shu)，諸如(ru)光刻技術(shu)，以避(bi)免不必(bi)要地使本公(gong)開(kai)(kai)的(de)(de)實施(shi)(shi)例(li)難以理解(jie)。此(ci)外，應當理解(jie)在(zai)(zai)圖中示(shi)(shi)出的(de)(de)多種實施(shi)(shi)例(li)是示(shi)(shi)例(li)性的(de)(de)展示(shi)(shi)并(bing)且未必(bi)按比例(li)繪制(zhi)。

本(ben)說明書(shu)首先描(miao)(miao)述(shu)了示(shi)例(li)性(xing)太陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)(例(li)如，針對一個(ge)太陽(yang)(yang)光伏發電(dian)應用或(huo)集(ji)中式光伏發電(dian)應用)，該太陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)可包括(kuo)所公開的具有隨(sui)機焊縫陣(zhen)列的導(dao)電(dian)觸點，隨(sui)后描(miao)(miao)述(shu)了形成所公開的具有隨(sui)機焊縫陣(zhen)列的導(dao)電(dian)觸點的示(shi)例(li)性(xing)方法。本(ben)文(wen)通(tong)篇提供了各種例(li)子(zi)。盡管為清楚起見本(ben)說明書(shu)集(ji)中于(yu)太陽(yang)(yang)能(neng)電(dian)池(chi)(chi)(chi)，但(dan)是(shi)所公開的結構和(he)/或(huo)技術也可同樣應用于(yu)發光二極管(LED)。

在第一示例(li)性太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池中(zhong)，使(shi)用導(dao)電(dian)(dian)箔制造用于太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池的(de)觸點，諸(zhu)如背面(mian)觸點，所(suo)述太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池具(ju)有(you)形(xing)成在太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池基(ji)板(ban)上方(fang)的(de)發(fa)射(she)極區。例(li)如，圖1示出了根據本公開(kai)實(shi)施例(li)的(de)太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池的(de)一部(bu)分(fen)的(de)橫(heng)截面(mian)圖，該太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池具(ju)有(you)形(xing)成在發(fa)射(she)極區上的(de)導(dao)電(dian)(dian)觸點，該發(fa)射(she)極區形(xing)成在基(ji)板(ban)上方(fang)。

參見圖(tu)1，太陽(yang)能(neng)電池106a的一(yi)部分包括圖(tu)案化(hua)的電介質(zhi)194，該電介質(zhi)設置在(zai)n型摻(chan)雜(za)(za)多晶(jing)硅(gui)區190、p型摻(chan)雜(za)(za)多晶(jing)硅(gui)區192上方以及基板(ban)102的被溝槽198暴露(lu)的部分上。導電觸點設置在(zai)多個(ge)觸點開口中(這些(xie)觸點開口設置在(zai)電介質(zhi)194中)，并且耦(ou)接至n型摻(chan)雜(za)(za)多晶(jing)硅(gui)區190和p型摻(chan)雜(za)(za)多晶(jing)硅(gui)區192。

在(zai)(zai)一(yi)(yi)個(ge)(ge)實施例中，n型摻雜多(duo)晶硅(gui)區(qu)190和p型摻雜多(duo)晶硅(gui)區(qu)192可為太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)106A提供發射(she)極(ji)區(qu)。因此，在(zai)(zai)一(yi)(yi)個(ge)(ge)實施例中，導電(dian)觸點設置在(zai)(zai)發射(she)極(ji)區(qu)上。在(zai)(zai)一(yi)(yi)個(ge)(ge)實施例中，導電(dian)觸點是背(bei)(bei)接觸式太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)的(de)背(bei)(bei)面觸點，并且(qie)位于太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)的(de)與太(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)池(chi)106A的(de)光接收(shou)表面相對的(de)表面上。此外(wai)，在(zai)(zai)一(yi)(yi)個(ge)(ge)實施例中，發射(she)極(ji)區(qu)域形成在(zai)(zai)薄電(dian)介(jie)質層或隧道電(dian)介(jie)質層196上。

在(zai)(zai)一些實(shi)(shi)施例(li)中，如圖1所示(shi)，制(zhi)造背(bei)接觸式太陽能(neng)電(dian)池可包括在(zai)(zai)基(ji)(ji)板(ban)102上(shang)形成薄電(dian)介(jie)質層196。在(zai)(zai)一個(ge)實(shi)(shi)施例(li)中，薄電(dian)介(jie)質層由二氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)構成并具有(you)大約在(zai)(zai)5至50埃范圍內的厚度。在(zai)(zai)一個(ge)實(shi)(shi)施例(li)中，薄電(dian)介(jie)質層用作隧(sui)道氧化(hua)(hua)層。在(zai)(zai)一個(ge)實(shi)(shi)施例(li)中，基(ji)(ji)板(ban)為塊體單晶硅(gui)(gui)基(ji)(ji)板(ban)，諸如n型摻雜(za)單晶硅(gui)(gui)基(ji)(ji)板(ban)。然而，在(zai)(zai)另(ling)一個(ge)實(shi)(shi)施例(li)中，基(ji)(ji)板(ban)包括設置在(zai)(zai)整個(ge)太陽能(neng)電(dian)池基(ji)(ji)板(ban)上(shang)的多(duo)晶硅(gui)(gui)層。

溝槽198可形成(cheng)于n型摻(chan)(chan)雜(za)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)(或非晶(jing)硅(gui)(gui))區190與(yu)p型摻(chan)(chan)雜(za)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)區192之間。溝槽198的(de)(de)(de)一些(xie)部分可被(bei)紋(wen)理化以具有(you)紋(wen)理特征。電(dian)(dian)介質194可形成(cheng)于n型摻(chan)(chan)雜(za)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)區和(he)p型摻(chan)(chan)雜(za)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)區上(shang)方，以及基板的(de)(de)(de)被(bei)溝槽暴(bao)(bao)露的(de)(de)(de)部分上(shang)方。在(zai)一個實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，電(dian)(dian)介質194的(de)(de)(de)下表(biao)面可與(yu)n型摻(chan)(chan)雜(za)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)區和(he)p型摻(chan)(chan)雜(za)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)區以及基板102的(de)(de)(de)被(bei)暴(bao)(bao)露部分適形地(di)形成(cheng)。在(zai)一個實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，電(dian)(dian)介質194的(de)(de)(de)上(shang)表(biao)面可是實(shi)質上(shang)平坦的(de)(de)(de)。在(zai)一個具體實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，介電(dian)(dian)層(ceng)194為抗反射涂層(ceng)(ARC)。

在電介質(zhi)194中可(ke)(ke)形成多個(ge)觸(chu)點(dian)(dian)開(kai)口(kou)。所述(shu)多個(ge)觸(chu)點(dian)(dian)開(kai)口(kou)可(ke)(ke)便于(yu)接觸(chu)n型摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)多晶(jing)硅(gui)區和p型摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)多晶(jing)硅(gui)區，諸如n型摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)區190和p型摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)區192。在各種實施例(li)中，可(ke)(ke)通(tong)過激光燒蝕、化學刻蝕、機械技術或(huo)光刻形成觸(chu)點(dian)(dian)開(kai)口(kou)。在一(yi)個(ge)實施例(li)中，通(tong)向(xiang)n型摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)多晶(jing)硅(gui)區的(de)觸(chu)點(dian)(dian)開(kai)口(kou)具有與通(tong)向(xiang)p型摻(chan)雜(za)(za)(za)(za)多晶(jing)硅(gui)區的(de)觸(chu)點(dian)(dian)開(kai)口(kou)實質(zhi)上相(xiang)同的(de)高度(du)。

為背接觸(chu)式太陽能電(dian)池形(xing)成(cheng)觸(chu)點可包括(kuo)：在(zai)多(duo)個觸(chu)點開口中(zhong)形(xing)成(cheng)導電(dian)觸(chu)點，并分別耦接至n型摻雜(za)多(duo)晶硅區(qu)190和(he)p型摻雜(za)多(duo)晶硅區(qu)192。因此，在(zai)一(yi)個實施(shi)例中(zhong)，導電(dian)觸(chu)點形(xing)成(cheng)于塊體N型硅基板(ban)(ban)的(de)與(yu)塊體N型硅基板(ban)(ban)的(de)光接收表面相(xiang)對的(de)表面上(shang)(shang)或(huo)該表面上(shang)(shang)方。在(zai)一(yi)個具體實施(shi)例中(zhong)，導電(dian)觸(chu)點形(xing)成(cheng)于基板(ban)(ban)102表面上(shang)(shang)方的(de)區(qu)域(190/192)上(shang)(shang)。

仍(reng)然參見圖1，導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)觸(chu)點(dian)可(ke)(ke)包(bao)括導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)箔(bo)，諸(zhu)如導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)箔(bo)182或(huo)186。在(zai)各種實施(shi)例(li)中(zhong)，導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)箔(bo)可(ke)(ke)包(bao)含鋁、銅、錫、其他導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)材料和(he)/或(huo)它們的(de)組合。在(zai)一(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例(li)中(zhong)，如圖1所示，導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)觸(chu)點(dian)還(huan)可(ke)(ke)包(bao)括位(wei)于(yu)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)箔(bo)182或(huo)186與相應(ying)半導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)體區(qu)(qu)之間的(de)一(yi)(yi)(yi)個或(huo)多(duo)個導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)(金屬或(huo)其他)區(qu)(qu)，諸(zhu)如圖1中(zhong)的(de)區(qu)(qu)180和(he)184。例(li)如，第一(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)180或(huo)184可(ke)(ke)包(bao)括(例(li)如鋁、鋁/硅合金等)，該第一(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)可(ke)(ke)被(bei)印刷(例(li)如印刷成預(yu)定圖案，諸(zhu)如互相交叉的(de)指狀物圖案)或(huo)毯式沉積(例(li)如通過(guo)濺鍍、蒸鍍等)，在(zai)一(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例(li)中(zhong)，該第一(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)隨后可(ke)(ke)與導(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)箔(bo)一(yi)(yi)(yi)起被(bei)圖案化(hua)。

在一些實施例(li)中(未示出)，第二(er)(er)導(dao)電(dian)(dian)區(qu)(qu)還可用于導(dao)電(dian)(dian)觸(chu)點，所述第二(er)(er)導(dao)電(dian)(dian)區(qu)(qu)可是金屬間夾(jia)層(ceng)或薄毯夾(jia)層(ceng)，所述夾(jia)層(ceng)可減小將(jiang)箔(bo)(bo)焊接到導(dao)電(dian)(dian)區(qu)(qu)所需的電(dian)(dian)力。示例(li)性第二(er)(er)導(dao)電(dian)(dian)區(qu)(qu)可包含鉭(tan)和/或錫或其(qi)他(ta)材料。在各(ge)種(zhong)實施例(li)中，可將(jiang)第二(er)(er)導(dao)電(dian)(dian)區(qu)(qu)沉(chen)積到第一導(dao)電(dian)(dian)區(qu)(qu)上(shang)或沉(chen)積到箔(bo)(bo)，然(ran)后使(shi)電(dian)(dian)池與(yu)箔(bo)(bo)接觸(chu)。

在(zai)(zai)一(yi)(yi)些(xie)實(shi)施(shi)例(li)中，導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)箔(bo)182和(he)(he)186可以(yi)是鋁(Al)箔(bo)，無(wu)論是作為(wei)(wei)純(chun)Al還是合(he)(he)金(jin)(jin)(例(li)如Al/硅(Al/Si)合(he)(he)金(jin)(jin)箔(bo))、錫(xi)、銅(tong)、錫(xi)和(he)(he)/或(huo)(huo)銅(tong)的(de)(de)合(he)(he)金(jin)(jin)或(huo)(huo)其他(ta)(ta)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)材料或(huo)(huo)合(he)(he)金(jin)(jin)。雖然(ran)大部分公開內(nei)容描述了(le)(le)金(jin)(jin)屬(shu)箔(bo)和(he)(he)金(jin)(jin)屬(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)，但請注意，在(zai)(zai)一(yi)(yi)些(xie)實(shi)施(shi)例(li)中，除了(le)(le)金(jin)(jin)屬(shu)箔(bo)和(he)(he)金(jin)(jin)屬(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)之外或(huo)(huo)作為(wei)(wei)代(dai)替(ti)，可類似地使(shi)用(yong)非金(jin)(jin)屬(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)箔(bo)(例(li)如，導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)碳(tan))和(he)(he)非金(jin)(jin)屬(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)。如本(ben)文所述，金(jin)(jin)屬(shu)箔(bo)可包含Al、Al-Si合(he)(he)金(jin)(jin)、錫(xi)、銅(tong)和(he)(he)/或(huo)(huo)銀，以(yi)及(ji)其他(ta)(ta)例(li)子。在(zai)(zai)一(yi)(yi)些(xie)實(shi)施(shi)例(li)中，導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)箔(bo)可為(wei)(wei)小于5微(wei)米(mi)(mi)厚(hou)(例(li)如，小于1微(wei)米(mi)(mi))，而在(zai)(zai)其他(ta)(ta)實(shi)施(shi)例(li)中，箔(bo)可為(wei)(wei)其他(ta)(ta)厚(hou)度(du)(例(li)如，15微(wei)米(mi)(mi)、25微(wei)米(mi)(mi)、37微(wei)米(mi)(mi)等(deng))。在(zai)(zai)一(yi)(yi)些(xie)實(shi)施(shi)例(li)中，箔(bo)的(de)(de)類型(例(li)如，鋁、銅(tong)、錫(xi)等(deng))可影響在(zai)(zai)太(tai)陽能電(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)中實(shi)現足夠的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流傳輸所需的(de)(de)箔(bo)厚(hou)度(du)。此(ci)外，在(zai)(zai)箔(bo)和(he)(he)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體材料之間具(ju)有一(yi)(yi)個(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)的(de)(de)實(shi)施(shi)例(li)中，相較于不具(ju)有那(nei)些(xie)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)(dian)區(qu)的(de)(de)實(shi)施(shi)例(li)，箔(bo)可以(yi)更薄。

在(zai)(zai)各種(zhong)(zhong)實施例(li)中(zhong)(zhong)(zhong)，導(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)180和184可(ke)(ke)(ke)由金(jin)屬糊(hu)(hu)劑(ji)(ji)(例(li)如，包含金(jin)屬顆粒(li)以及粘合劑(ji)(ji)以使得(de)該糊(hu)(hu)劑(ji)(ji)可(ke)(ke)(ke)印(yin)刷的(de)(de)(de)糊(hu)(hu)劑(ji)(ji))形(xing)(xing)成、由金(jin)屬粉(fen)(fen)末(mo)(例(li)如，無粘合劑(ji)(ji)的(de)(de)(de)金(jin)屬顆粒(li)、Al顆粒(li)粉(fen)(fen)末(mo)、Al顆粒(li)層(ceng)和Cu顆粒(li)層(ceng))形(xing)(xing)成、或由金(jin)屬糊(hu)(hu)劑(ji)(ji)和金(jin)屬粉(fen)(fen)末(mo)的(de)(de)(de)組合形(xing)(xing)成。在(zai)(zai)一(yi)個使用金(jin)屬糊(hu)(hu)劑(ji)(ji)的(de)(de)(de)實施例(li)中(zhong)(zhong)(zhong)，可(ke)(ke)(ke)通(tong)過將糊(hu)(hu)劑(ji)(ji)印(yin)刷(例(li)如，絲(si)網印(yin)刷、噴(pen)墨印(yin)刷等(deng))到(dao)基(ji)板上來施加糊(hu)(hu)劑(ji)(ji)。糊(hu)(hu)劑(ji)(ji)可(ke)(ke)(ke)包含便于遞送糊(hu)(hu)劑(ji)(ji)的(de)(de)(de)溶劑(ji)(ji)，還可(ke)(ke)(ke)包含其他元素(su)，諸如粘合劑(ji)(ji)或玻璃粉(fen)(fen)。在(zai)(zai)各種(zhong)(zhong)實施例(li)中(zhong)(zhong)(zhong)，導(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)可(ke)(ke)(ke)被毯式沉(chen)積(ji)，然后(hou)與導(dao)電(dian)箔(bo)一(yi)起被圖(tu)案化，反之(zhi)，在(zai)(zai)其他實施例(li)中(zhong)(zhong)(zhong)，導(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)可(ke)(ke)(ke)形(xing)(xing)成為特定圖(tu)案，諸如針(zhen)對太陽能(neng)電(dian)池的(de)(de)(de)指狀物圖(tu)案。毯式沉(chen)積(ji)導(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)和預(yu)圖(tu)案化導(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)例(li)子在(zai)(zai)本文中(zhong)(zhong)(zhong)有所描述(shu)。

在各種實施例中，導電區180和184的(de)(de)(de)金屬顆粒可具(ju)有(you)大約(yue)1至(zhi)500微米的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)。例如，對于金屬顆粒被(bei)印刷(shua)的(de)(de)(de)實施例，印刷(shua)的(de)(de)(de)金屬顆粒可具(ju)有(you)大約(yue)1至(zhi)10微米的(de)(de)(de)厚(hou)度(du)。

在(zai)各種實施例中，金屬顆(ke)粒可被燒(shao)(shao)制(zhi)(在(zai)導電(dian)(dian)箔(bo)形成于整個(ge)導電(dian)(dian)區上(shang)之前(qian)和(he)/或之后)，這也稱為燒(shao)(shao)結，使得金屬顆(ke)粒聚(ju)結在(zai)一起(qi)，這樣可以增強導電(dian)(dian)性(xing)并降低線路電(dian)(dian)阻，從(cong)而改善太陽能(neng)電(dian)(dian)池的(de)性(xing)能(neng)。

雖然大部分描述(shu)內容(rong)描述(shu)了使用導電箔來(lai)代替電鍍(du)金屬，但在(zai)一些實施例中(zhong)(zhong)，可(ke)將額外金屬電鍍(du)到導電箔182和(he)186上(shang)。例如(ru)，可(ke)根據化學鍍(du)或(huo)(huo)電解(jie)電鍍(du)技術鍍(du)覆(fu)鎳(nie)和(he)/或(huo)(huo)銅(tong)。請注(zhu)意(yi)，在(zai)一個實施例中(zhong)(zhong)，可(ke)例如(ru)在(zai)浸鋅(xin)過程(cheng)中(zhong)(zhong)添加(jia)鋅(xin)，以使得能夠在(zai)鋁上(shang)電鍍(du)。

在(zai)各種實施(shi)例(li)中，所(suo)得的(de)圖(tu)(tu)(tu)案化的(de)導電(dian)箔和(he)/或導電(dian)區(qu)(qu)可(ke)被統稱為(wei)接觸指。在(zai)一個實施(shi)例(li)中，導電(dian)箔可(ke)通過(guo)焊(han)縫(feng)(feng)(feng)區(qu)(qu)183和(he)187耦接至(zhi)導電(dian)區(qu)(qu)和(he)/或半導體區(qu)(qu)。可(ke)根(gen)據(ju)所(suo)公開的(de)技術(shu)施(shi)加焊(han)縫(feng)(feng)(feng)區(qu)(qu)，從而產生高(gao)密度(du)隨機焊(han)縫(feng)(feng)(feng)陣列(lie)。隨機陣列(lie)在(zai)本(ben)文中用于描述未(wei)緊密對準的(de)圖(tu)(tu)(tu)案化焊(han)縫(feng)(feng)(feng)。例(li)如(ru)，焊(han)點可(ke)包括至(zhi)少一個局部(bu)焊(han)縫(feng)(feng)(feng)，諸(zhu)如(ru)圖(tu)(tu)(tu)1中的(de)焊(han)縫(feng)(feng)(feng)183，并且(qie)還可(ke)包括完(wan)整焊(han)縫(feng)(feng)(feng)，諸(zhu)如(ru)焊(han)縫(feng)(feng)(feng)187。又如(ru)，焊(han)縫(feng)(feng)(feng)區(qu)(qu)可(ke)不對稱地布置(zhi)在(zai)接觸指上，如(ru)圖(tu)(tu)(tu)9至(zhi)圖(tu)(tu)(tu)11所(suo)示(shi)。又如(ru)，在(zai)一些實施(shi)例(li)中，焊(han)縫(feng)(feng)(feng)區(qu)(qu)可(ke)為(wei)不同(tong)尺寸(例(li)如(ru)長(chang)度(du)和(he)深度(du)等(deng)(deng))。各種例(li)子(zi)在(zai)所(suo)有(you)圖(tu)(tu)(tu)中示(shi)出(例(li)如(ru)圖(tu)(tu)(tu)4C、圖(tu)(tu)(tu)4D、圖(tu)(tu)(tu)6D、圖(tu)(tu)(tu)6E和(he)圖(tu)(tu)(tu)9至(zhi)圖(tu)(tu)(tu)11等(deng)(deng)中所(suo)示(shi))。

在各(ge)種實施例中，損傷(shang)緩(huan)沖(chong)(chong)區160(還可(ke)稱為(wei)犧(xi)牲區或(huo)犧(xi)牲層)可(ke)設(she)置在半導體區的(de)對應n型摻雜(za)區和p型摻雜(za)區之間。又如，損傷(shang)緩(huan)沖(chong)(chong)區160可(ke)為(wei)吸(xi)收性(xing)或(huo)反射性(xing)，這樣可(ke)抑制(zhi)對溝(gou)槽198或(huo)基板102的(de)損傷(shang)。例如，吸(xi)收性(xing)損傷(shang)緩(huan)沖(chong)(chong)區可(ke)以是(shi)被(bei)構(gou)造(zao)成吸(xi)收激光能量的(de)印刷聚合物。損傷(shang)緩(huan)沖(chong)(chong)區可(ke)以是(shi)發粘(zhan)的(de)、粘(zhan)性(xing)的(de)、紋理(li)化的(de)或(huo)以其他方式被(bei)構(gou)造(zao)成向導電箔提供一(yi)定量的(de)附(fu)著性(xing)，以有(you)助于在焊接和/或(huo)圖(tu)案(an)化過程中將箔保持(chi)在原位。

在一些實施例中(zhong)，太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池106A可(ke)不包(bao)括一個(ge)或多個(ge)額外導(dao)電(dian)(dian)區180和184。相(xiang)反，導(dao)電(dian)(dian)箔可(ke)直(zhi)接耦(ou)接至太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池的(de)半導(dao)體(ti)區。

相似地(di)，在(zai)一些實施例中(zhong)，太陽(yang)能電池106A可不包(bao)括(kuo)損傷緩沖區160。在(zai)本文中(zhong)描(miao)述了不包(bao)括(kuo)損傷緩沖區160的(de)(de)太陽(yang)能電池的(de)(de)各種例子(zi)。

現(xian)在(zai)轉到圖(tu)2，它示(shi)(shi)出了根據一(yi)個實(shi)施例(li)的(de)示(shi)(shi)例(li)性太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)的(de)一(yi)部分(fen)的(de)橫截面圖(tu)，該(gai)太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)具有(you)形成(cheng)在(zai)發(fa)射極(ji)(ji)區(qu)上的(de)導電觸點(dian)，該(gai)發(fa)射極(ji)(ji)區(qu)形成(cheng)在(zai)基(ji)板中(zhong)(zhong)。例(li)如，在(zai)該(gai)第二示(shi)(shi)例(li)性電池(chi)中(zhong)(zhong)，可使用(yong)導電箔來為(wei)太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)制造觸點(dian)，諸如背面觸點(dian)，該(gai)太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)具有(you)形成(cheng)于太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)的(de)基(ji)板中(zhong)(zhong)的(de)發(fa)射極(ji)(ji)區(qu)。

如圖2所示，太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)106B的(de)(de)(de)一(yi)部分包括圖案化(hua)的(de)(de)(de)電(dian)介(jie)質(zhi)194，該(gai)電(dian)介(jie)質(zhi)設(she)(she)置(zhi)(zhi)在(zai)多(duo)個(ge)(ge)n型(xing)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)擴(kuo)(kuo)散區(qu)190、p型(xing)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)擴(kuo)(kuo)散區(qu)192上(shang)方以(yi)及基板102(諸(zhu)如塊體晶體硅基板)的(de)(de)(de)一(yi)些部分上(shang)。導電(dian)觸點(dian)(dian)設(she)(she)置(zhi)(zhi)在(zai)多(duo)個(ge)(ge)觸點(dian)(dian)開口(kou)中(zhong)(zhong)(這些觸點(dian)(dian)開口(kou)設(she)(she)置(zhi)(zhi)在(zai)電(dian)介(jie)質(zhi)194中(zhong)(zhong))，并且(qie)耦接(jie)至(zhi)n型(xing)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)擴(kuo)(kuo)散區(qu)或p型(xing)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)擴(kuo)(kuo)散區(qu)中(zhong)(zhong)對應的(de)(de)(de)一(yi)個(ge)(ge)。在(zai)一(yi)個(ge)(ge)實(shi)(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong)，分別(bie)使用n型(xing)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)劑和p型(xing)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)劑來通過硅基板的(de)(de)(de)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)形(xing)成擴(kuo)(kuo)散區(qu)190和擴(kuo)(kuo)散區(qu)192。此外，在(zai)一(yi)個(ge)(ge)實(shi)(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong)，n型(xing)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)擴(kuo)(kuo)散區(qu)和p型(xing)摻(chan)(chan)(chan)(chan)雜(za)(za)擴(kuo)(kuo)散區(qu)可(ke)為(wei)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)106B提供發(fa)射(she)極(ji)區(qu)。因此，在(zai)一(yi)個(ge)(ge)實(shi)(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong)，導電(dian)觸點(dian)(dian)設(she)(she)置(zhi)(zhi)在(zai)發(fa)射(she)極(ji)區(qu)上(shang)。在(zai)一(yi)個(ge)(ge)實(shi)(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong)，導電(dian)觸點(dian)(dian)是背接(jie)觸式太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)背面(mian)觸點(dian)(dian)，并且(qie)位(wei)于(yu)該(gai)太(tai)陽(yang)能電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)與光(guang)接(jie)收表(biao)面(mian)相對(諸(zhu)如，與紋理化(hua)光(guang)接(jie)收表(biao)面(mian)相對)的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)上(shang)。

在一(yi)(yi)個實施例(li)中，再次參見圖(tu)(tu)2并(bing)且類似于(yu)圖(tu)(tu)1的實施例(li)，導(dao)(dao)電觸點(dian)可包括(kuo)導(dao)(dao)電箔182或186，并(bing)且在一(yi)(yi)些實施例(li)中，包括(kuo)一(yi)(yi)個或多(duo)個額外導(dao)(dao)電區(qu)(qu)(qu)，諸如導(dao)(dao)電區(qu)(qu)(qu)180或184。可將導(dao)(dao)電箔182和(he)186隨機焊(han)接(jie)至一(yi)(yi)個或多(duo)個導(dao)(dao)電區(qu)(qu)(qu)，或直接(jie)焊(han)接(jie)至太陽(yang)能電池的半導(dao)(dao)體區(qu)(qu)(qu)并(bing)因此與太陽(yang)能電池106B的發(fa)射極區(qu)(qu)(qu)電接(jie)觸。圖(tu)(tu)1的導(dao)(dao)電觸點(dian)描(miao)述(shu)(包括(kuo)箔、導(dao)(dao)電區(qu)(qu)(qu)和(he)焊(han)縫描(miao)述(shu))同(tong)樣適(shi)用于(yu)圖(tu)(tu)2的導(dao)(dao)電觸點(dian)，但為了描(miao)述(shu)清(qing)楚(chu)起見而不再重(zhong)復。

在一(yi)些實施例中，類似(si)于參考太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)106A的(de)上述描(miao)述，太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)106B可不(bu)包括一(yi)個(ge)或多個(ge)額外導(dao)電(dian)區180和(he)184。相反，導(dao)電(dian)箔可被直接耦接至太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)的(de)半導(dao)體(ti)區。

相似地，在一些實施例中(zhong)，太陽能電(dian)池106B可不(bu)包括損傷(shang)緩沖區160。在本文中(zhong)描述了不(bu)包括損傷(shang)緩沖區160的(de)太陽能電(dian)池的(de)各種(zhong)例子。

雖(sui)然(ran)本文描述了某些(xie)材(cai)料(liao)，但對于仍然(ran)在本發明實(shi)施例(li)的(de)實(shi)質和范圍內(nei)的(de)其他此類實(shi)施例(li)，一些(xie)材(cai)料(liao)可易于被其他材(cai)料(liao)取代。例(li)如，在一個實(shi)施例(li)中，可使用不同(tong)材(cai)料(liao)的(de)基板(ban)(ban)(ban)，諸如III-V族材(cai)料(liao)的(de)基板(ban)(ban)(ban)，來代替硅基板(ban)(ban)(ban)。

請注(zhu)意，在(zai)(zai)各種實施例(li)(li)中，無(wu)需在(zai)(zai)塊體(ti)(ti)(ti)基板(ban)上(shang)直接形(xing)(xing)成所(suo)形(xing)(xing)成的(de)觸(chu)(chu)點，如(ru)(ru)圖2所(suo)述。例(li)(li)如(ru)(ru)，在(zai)(zai)一(yi)個實施例(li)(li)中，導(dao)電觸(chu)(chu)點(諸(zhu)如(ru)(ru)上(shang)述那些)形(xing)(xing)成于在(zai)(zai)塊體(ti)(ti)(ti)基板(ban)上(shang)方(fang)(例(li)(li)如(ru)(ru)，在(zai)(zai)其背(bei)側)形(xing)(xing)成的(de)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)區上(shang)，如(ru)(ru)針對圖1所(suo)述。

現在(zai)(zai)轉到圖(tu)(tu)(tu)(tu)3，它是示出了(le)根據一些(xie)實施例的(de)(de)用于形成導電觸點的(de)(de)方法的(de)(de)流程圖(tu)(tu)(tu)(tu)，所述導電觸點具有隨(sui)機焊縫陣列。在(zai)(zai)各種實施例中，圖(tu)(tu)(tu)(tu)3的(de)(de)方法可包括與圖(tu)(tu)(tu)(tu)示相比(bi)額外的(de)(de)(或(huo)更(geng)少的(de)(de))框。

如(ru)300處所示(shi)，第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)可形(xing)成(cheng)(cheng)于(yu)半導(dao)(dao)體(ti)區(qu)(qu)上(shang)(shang)方(fang)。例(li)如(ru)，在一(yi)個(ge)實(shi)施例(li)中，第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)可形(xing)成(cheng)(cheng)為(wei)金屬(shu)的(de)連(lian)續毯式(shi)(shi)沉積(ji)(ji)(ji)物。沉積(ji)(ji)(ji)技術可包括濺(jian)鍍、蒸鍍或(huo)以其他方(fang)式(shi)(shi)毯式(shi)(shi)沉積(ji)(ji)(ji)的(de)導(dao)(dao)電(dian)材料。用于(yu)第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)的(de)示(shi)例(li)性(xing)導(dao)(dao)電(dian)材料包括鋁、錫、鎳(nie)、銅、銀、導(dao)(dao)電(dian)性(xing)碳、兩種或(huo)更多種金屬(shu)的(de)合金，或(huo)其他導(dao)(dao)電(dian)材料。圖(tu)4A示(shi)出了圖(tu)3方(fang)法的(de)框300的(de)橫(heng)截面(mian)圖(tu)。如(ru)圖(tu)所示(shi)，第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)180作為(wei)毯式(shi)(shi)沉積(ji)(ji)(ji)物形(xing)成(cheng)(cheng)于(yu)半導(dao)(dao)體(ti)區(qu)(qu)190和(he)192上(shang)(shang)方(fang)。

如本(ben)文(wen)所述，在一(yi)些(xie)實(shi)(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，還可形成第(di)二導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)，所述第(di)二導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)可減少進行框304中(zhong)的焊接所需的電(dian)力。本(ben)文(wen)描述了示例(li)性第(di)二導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)。在一(yi)些(xie)實(shi)(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，第(di)二導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)可用(yong)于一(yi)些(xie)實(shi)(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，其(qi)中(zhong)，第(di)一(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)不(bu)采用(yong)毯式沉積，而是被印刷或以其(qi)他方式預圖案(an)化。

再次(ci)參見圖3，如(ru)(ru)302處(chu)所示，導電(dian)(dian)箔(bo)可形(xing)成在(zai)(zai)第(di)(di)一導電(dian)(dian)區(qu)(以(yi)及(ji)第(di)(di)二導電(dian)(dian)區(qu)，如(ru)(ru)果存在(zai)(zai))上(shang)方(fang)。形(xing)成導電(dian)(dian)箔(bo)可包括裝配工藝(例如(ru)(ru)通過真(zhen)空作用壓(ya)住(zhu)，或通過機(ji)械力、加壓(ya)氣(qi)流、使用發粘(zhan)的(de)(de)/粘(zhan)性的(de)(de)損傷(shang)緩沖區(qu)等(deng)保持在(zai)(zai)原位(wei))，其(qi)中，使導電(dian)(dian)箔(bo)針(zhen)對焊(han)點保持足(zu)夠(gou)接(jie)(jie)觸，以(yi)完(wan)成框(kuang)304處(chu)的(de)(de)步(bu)驟(zou)，并還阻止箔(bo)在(zai)(zai)焊(han)接(jie)(jie)到位(wei)前(qian)移(yi)動。圖4B示出了圖3方(fang)法的(de)(de)框(kuang)302的(de)(de)橫截面圖。如(ru)(ru)圖所示，導電(dian)(dian)箔(bo)186形(xing)成在(zai)(zai)第(di)(di)一導電(dian)(dian)區(qu)180上(shang)方(fang)。

在(zai)(zai)圖3的304處(chu)，導(dao)電(dian)箔可焊接(jie)(jie)至第一導(dao)電(dian)區(qu)(以及第二(er)導(dao)電(dian)區(qu)，如(ru)(ru)(ru)果存在(zai)(zai))上。如(ru)(ru)(ru)本文所述，在(zai)(zai)一些(xie)實施(shi)例中，如(ru)(ru)(ru)果在(zai)(zai)導(dao)電(dian)箔和半(ban)導(dao)體(ti)區(qu)之間不存在(zai)(zai)導(dao)電(dian)區(qu)，則(ze)導(dao)電(dian)箔可直(zhi)接(jie)(jie)焊接(jie)(jie)至半(ban)導(dao)體(ti)區(qu)。

在各種(zhong)(zhong)實(shi)施(shi)(shi)例(li)中，可進行304處(chu)的(de)(de)焊接，使得激(ji)光(guang)施(shi)(shi)加(jia)到導(dao)電(dian)箔(bo)的(de)(de)隨(sui)機(ji)位置上，以在導(dao)電(dian)箔(bo)和半導(dao)體區之間形成焊縫。可通(tong)過使用高速旋轉的(de)(de)多邊體或(huo)電(dian)流測定(ding)(ding)器來提供激(ji)光(guang)的(de)(de)這(zhe)種(zhong)(zhong)隨(sui)機(ji)施(shi)(shi)加(jia)，可使用反射鏡(jing)將這(zhe)種(zhong)(zhong)隨(sui)機(ji)施(shi)(shi)加(jia)的(de)(de)激(ji)光(guang)施(shi)(shi)加(jia)到固定(ding)(ding)的(de)(de)晶片上，或(huo)施(shi)(shi)加(jia)到移動通(tong)過工具的(de)(de)晶片上。

在(zai)一個(ge)實施例(li)(li)中，在(zai)高(gao)(gao)密(mi)度(du)下進行304處的(de)(de)(de)(de)焊接(jie)，以產生(sheng)與使用(yong)精密(mi)對準(zhun)而非隨(sui)機對準(zhun)的(de)(de)(de)(de)技術相比更多的(de)(de)(de)(de)焊點。較(jiao)高(gao)(gao)密(mi)度(du)可(ke)為觸點提供(gong)足夠的(de)(de)(de)(de)連接(jie)性，即使在(zai)發生(sheng)局部(bu)焊縫或未對準(zhun)焊縫的(de)(de)(de)(de)情況下也是如(ru)此。由于(yu)(yu)(yu)密(mi)度(du)較(jiao)高(gao)(gao)，激光的(de)(de)(de)(de)隨(sui)機施加可(ke)減輕由于(yu)(yu)(yu)較(jiao)高(gao)(gao)密(mi)度(du)產生(sheng)的(de)(de)(de)(de)熱積累風(feng)險，以及由于(yu)(yu)(yu)缺乏粘結而產生(sheng)的(de)(de)(de)(de)串聯電(dian)(dian)阻(zu)損耗。另外，較(jiao)高(gao)(gao)密(mi)度(du)的(de)(de)(de)(de)觸點可(ke)為圖(tu)案(an)化(hua)提供(gong)更多可(ke)能性。例(li)(li)如(ru)，較(jiao)高(gao)(gao)密(mi)度(du)可(ke)允許(xu)使用(yong)基于(yu)(yu)(yu)蝕刻(ke)的(de)(de)(de)(de)圖(tu)案(an)化(hua)工(gong)藝，而不存在(zai)蝕刻(ke)第一導電(dian)(dian)區的(de)(de)(de)(de)巨大風(feng)險。

在一個實施例中，以非常(chang)高的速度(諸如約100m/s，而標準激光(guang)掃(sao)描(miao)器(qi)的速度為12-15m/s)進行304處(chu)的焊接(jie)。

在(zai)施加毯(tan)式第(di)一導電(dian)區(qu)的(de)實施例中(zhong)，導電(dian)箔和第(di)一導電(dian)區(qu)之間的(de)焊接可發生(sheng)在(zai)激(ji)光照射(she)到的(de)任何地方。然而(er)，所公開的(de)技術(shu)既允許此類(lei)未對準的(de)焊縫，又(you)能抑制對電(dian)池的(de)損(sun)傷并(bing)提(ti)高產(chan)能。

圖(tu)(tu)(tu)4C示(shi)出(chu)了圖(tu)(tu)(tu)3方(fang)法的(de)框304的(de)橫(heng)截面圖(tu)(tu)(tu)。如(ru)圖(tu)(tu)(tu)所示(shi)，導(dao)電箔186焊(han)(han)接至(zhi)第一導(dao)電區180。注意，此類高速焊(han)(han)接工藝可導(dao)致(zhi)焊(han)(han)接位置183和187的(de)不對(dui)稱性(xing)以及長度和深度的(de)失(shi)配(pei)。

再次參見(jian)圖(tu)(tu)3，可圖(tu)(tu)案(an)化(hua)第一(和(he)(he)第二，如(ru)(ru)果存(cun)在(zai)(zai))導(dao)電區和(he)(he)導(dao)電箔(bo)，如(ru)(ru)306處(chu)所(suo)示(shi)。圖(tu)(tu)案(an)化(hua)箔(bo)和(he)(he)導(dao)電區可導(dao)致(zhi)針對(dui)太陽能電池的(de)(de)(de)接(jie)觸(chu)指(zhi)(例如(ru)(ru)互相(xiang)(xiang)交叉的(de)(de)(de)接(jie)觸(chu)指(zhi))的(de)(de)(de)形成(cheng)。激光施加的(de)(de)(de)隨機性(xing)可產生局(ju)(ju)部焊(han)(han)縫(feng)(feng)(feng)，在(zai)(zai)局(ju)(ju)部焊(han)(han)縫(feng)(feng)(feng)中，焊(han)(han)縫(feng)(feng)(feng)與接(jie)觸(chu)指(zhi)中一者的(de)(de)(de)邊緣重疊。它還可導(dao)致(zhi)焊(han)(han)縫(feng)(feng)(feng)的(de)(de)(de)長度和(he)(he)深度等各不相(xiang)(xiang)同，以及(ji)遍布太陽能電池的(de)(de)(de)焊(han)(han)縫(feng)(feng)(feng)的(de)(de)(de)非對(dui)稱(cheng)分布(例如(ru)(ru)，如(ru)(ru)在(zai)(zai)太陽能電池背側的(de)(de)(de)俯視圖(tu)(tu)中所(suo)看(kan)到的(de)(de)(de)，如(ru)(ru)圖(tu)(tu)9至圖(tu)(tu)11中所(suo)示(shi))。

圖4D示出了圖3方法的(de)框306的(de)橫截面(mian)圖。如圖所示，可圖案化第一(yi)導電區(qu)180和導電箔186，從而產生分開的(de)接觸指(zhi)、一(yi)個n型指(zhi)和一(yi)個p型指(zhi)。

因(yin)為在(zai)施(shi)加(jia)毯式(shi)第(di)一(yi)導電區的(de)(de)實施(shi)例(li)中(zhong)，焊(han)接可發(fa)生在(zai)激(ji)光照射(she)到的(de)(de)任何地(di)方，所(suo)以在(zai)306處使用的(de)(de)圖(tu)案(an)(an)化(hua)工藝可以是不受(shou)焊(han)接影響的(de)(de)獨立步驟。例(li)如，在(zai)一(yi)個(ge)實施(shi)例(li)中(zhong)，圖(tu)案(an)(an)化(hua)技(ji)術可以是凹(ao)(ao)槽和蝕刻技(ji)術。在(zai)凹(ao)(ao)槽和蝕刻圖(tu)案(an)(an)化(hua)中(zhong)，可在(zai)導電箔(bo)的(de)(de)與(yu)指狀(zhuang)物(wu)之(zhi)(zhi)間的(de)(de)分(fen)隔(ge)/隔(ge)離(li)的(de)(de)預(yu)期位置相應的(de)(de)位置處形(xing)成凹(ao)(ao)槽。在(zai)一(yi)個(ge)實施(shi)例(li)中(zhong)，對這(zhe)些(xie)位置進行(xing)激(ji)光或機械開槽可在(zai)這(zhe)些(xie)位置中(zhong)移(yi)除大(da)部分(fen)厚度。因(yin)此，凹(ao)(ao)槽沒有(you)完(wan)全切穿整個(ge)箔(bo)，而是留(liu)下(xia)一(yi)部分(fen)。接著施(shi)加(jia)化(hua)學蝕刻，其從凹(ao)(ao)槽移(yi)除剩余(yu)部分(fen)，從而將(jiang)箔(bo)(以及箔(bo)與(yu)半導體(ti)區之(zhi)(zhi)間的(de)(de)任何導電區)分(fen)離(li)成指狀(zhuang)物(wu)圖(tu)案(an)(an)。

在另一個實施例(li)中，圖(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)技術可(ke)以是掩模(mo)(mo)、凹(ao)槽和蝕(shi)(shi)刻技術。例(li)如，可(ke)在導電(dian)箔上，例(li)如，跨(kua)導電(dian)箔的實質(zhi)上整個表(biao)面，施加未(wei)圖(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)掩模(mo)(mo)(例(li)如，未(wei)圖(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)抗蝕(shi)(shi)劑、膜和PET板等)。然后，可(ke)圖(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)掩模(mo)(mo)，無(wu)論是通過激光(guang)燒(shao)蝕(shi)(shi)、機械開槽或其他方式。在一個實施例(li)中，還(huan)可(ke)對導電(dian)箔進行圖(tu)(tu)案(an)(an)(an)化(hua)或開槽，例(li)如通過激光(guang)燒(shao)蝕(shi)(shi)進行。接(jie)下來(lai)，應用化(hua)學蝕(shi)(shi)刻并且(qie)剝去掩模(mo)(mo)，使(shi)得(de)(de)所得(de)(de)電(dian)池具有隔離的導電(dian)觸(chu)點。

在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)一些實施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，圖(tu)(tu)3的方法還可包括在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)半(ban)導(dao)體區(qu)(qu)(qu)的相鄰p型摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)和(he)n型摻雜(za)區(qu)(qu)(qu)之(zhi)(zhi)(zhi)間的區(qu)(qu)(qu)域內(例(li)(li)(li)(li)如，如圖(tu)(tu)1和(he)圖(tu)(tu)2所(suo)示(shi))在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)導(dao)電箔(bo)和(he)基(ji)板之(zhi)(zhi)(zhi)間(例(li)(li)(li)(li)如在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)導(dao)電箔(bo)和(he)第一導(dao)電區(qu)(qu)(qu)之(zhi)(zhi)(zhi)間或在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)第一導(dao)電區(qu)(qu)(qu)和(he)基(ji)板之(zhi)(zhi)(zhi)間)形成損(sun)傷緩沖(chong)(chong)區(qu)(qu)(qu)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)一些實施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，損(sun)傷緩沖(chong)(chong)區(qu)(qu)(qu)可以是激光吸收區(qu)(qu)(qu)或激光反射(she)區(qu)(qu)(qu)。在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)一個實施(shi)例(li)(li)(li)(li)中(zhong)，損(sun)傷緩沖(chong)(chong)區(qu)(qu)(qu)可設置在(zai)(zai)(zai)(zai)(zai)溝(gou)槽中(zhong)，如圖(tu)(tu)1所(suo)示(shi)。

現在(zai)轉到圖5，它是示(shi)(shi)出了根(gen)據一(yi)些實(shi)(shi)(shi)施例(li)的(de)用于形成(cheng)導(dao)電(dian)觸點的(de)方法(fa)(fa)的(de)流程圖，所述導(dao)電(dian)觸點具(ju)有隨機焊縫(feng)陣列。在(zai)各種實(shi)(shi)(shi)施例(li)中，圖5的(de)方法(fa)(fa)可(ke)包括與圖示(shi)(shi)相比額外的(de)(或更少的(de))框。例(li)如，在(zai)一(yi)個實(shi)(shi)(shi)施例(li)中，可(ke)省去在(zai)框502處形成(cheng)第(di)一(yi)導(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)，并且第(di)二(er)導(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)可(ke)代替第(di)一(yi)導(dao)電(dian)區(qu)(qu)(qu)直接焊接至506處的(de)摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)。此(ci)外，在(zai)一(yi)些實(shi)(shi)(shi)施例(li)中，可(ke)結合圖5方法(fa)(fa)使(shi)用圖3方法(fa)(fa)的(de)一(yi)個或多個框。

如(ru)(ru)(ru)500處所(suo)示(shi)，可形成損傷(shang)(shang)緩(huan)沖(chong)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)，如(ru)(ru)(ru)圖(tu)6A的(de)橫截面圖(tu)所(suo)示(shi)。如(ru)(ru)(ru)圖(tu)所(suo)示(shi)，損傷(shang)(shang)緩(huan)沖(chong)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)160可形成于(yu)溝槽198中(zhong)(zhong)，n型(xing)摻雜區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)190和p型(xing)摻雜區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)192之間(jian)。在(zai)不具有溝槽的(de)太陽能電池中(zhong)(zhong)，例(li)如(ru)(ru)(ru)，在(zai)圖(tu)2的(de)太陽能電池中(zhong)(zhong)，損傷(shang)(shang)緩(huan)沖(chong)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)可形成于(yu)半導體區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)相鄰p型(xing)摻雜區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)和n型(xing)摻雜區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)之間(jian)的(de)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)域，如(ru)(ru)(ru)圖(tu)2所(suo)示(shi)。在(zai)各種實(shi)施例(li)中(zhong)(zhong)，損傷(shang)(shang)緩(huan)沖(chong)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)可以是激光(guang)吸收(shou)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)或(huo)激光(guang)反(fan)射(she)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。在(zai)一個實(shi)施例(li)中(zhong)(zhong)，可通過印(yin)刷聚合物(wu)來形成損傷(shang)(shang)緩(huan)沖(chong)區(qu)(qu)(qu)(qu)(qu)。

在(zai)502處，可(ke)形成(cheng)(cheng)第一(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)，如(ru)圖6B的橫截面圖所(suo)示(shi)。如(ru)圖所(suo)示(shi)，第一(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)作(zuo)為(wei)圖案化第一(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)形成(cheng)(cheng)。例(li)(li)如(ru)，第一(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)可(ke)以是印刷的第一(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)，如(ru)本文所(suo)述。在(zai)另(ling)一(yi)(yi)(yi)個實施(shi)(shi)例(li)(li)中，第一(yi)(yi)(yi)導(dao)(dao)電(dian)區(qu)(qu)可(ke)作(zuo)為(wei)毯式沉積物(wu)施(shi)(shi)加，然后進行圖案化。

如圖(tu)(tu)(tu)5的(de)504處所(suo)(suo)示，導(dao)電(dian)箔(bo)可形成(cheng)于第一(yi)導(dao)電(dian)區上(shang)(shang)方。導(dao)電(dian)箔(bo)還可形成(cheng)于損傷緩沖區和電(dian)介質194上(shang)(shang)方，如圖(tu)(tu)(tu)6C的(de)橫(heng)截(jie)面圖(tu)(tu)(tu)中的(de)導(dao)電(dian)箔(bo)186所(suo)(suo)示。

如(ru)圖5的506處(chu)所示，導(dao)(dao)電(dian)(dian)箔可(ke)焊(han)接(jie)至第一導(dao)(dao)電(dian)(dian)區，如(ru)圖6D的橫截面(mian)圖中(zhong)的焊(han)縫183和187所示。如(ru)焊(han)縫187所示，激光(guang)可(ke)從(cong)不(bu)具有第一導(dao)(dao)電(dian)(dian)區的區域上方施加(jia)。由于不(bu)具有損(sun)傷(shang)(shang)(shang)緩(huan)沖區160，溝槽和硅104可(ke)被(bei)焊(han)接(jie)激光(guang)損(sun)傷(shang)(shang)(shang)，從(cong)而損(sun)害太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)(dian)池的效率和壽命。但(dan)是通過使(shi)(shi)用損(sun)傷(shang)(shang)(shang)緩(huan)沖區，激光(guang)可(ke)被(bei)吸收或反射，使(shi)(shi)得硅不(bu)被(bei)損(sun)傷(shang)(shang)(shang)。盡管示出為焊(han)縫187，但(dan)導(dao)(dao)電(dian)(dian)箔并非(fei)必(bi)需(xu)焊(han)接(jie)至損(sun)傷(shang)(shang)(shang)緩(huan)沖區。相反，在一些實(shi)施例中(zhong)，導(dao)(dao)電(dian)(dian)箔可(ke)在焊(han)接(jie)位置187處(chu)僅(jin)僅(jin)被(bei)扭曲或熔化，但(dan)不(bu)會附(fu)著到損(sun)傷(shang)(shang)(shang)緩(huan)沖區。

在圖5的508處(chu)，可對(dui)導電(dian)箔進(jin)行圖案(an)(an)化(hua)。因(yin)為(wei)第(di)一導電(dian)區已經圖案(an)(an)化(hua)，所以可使用(yong)多(duo)種(zhong)圖案(an)(an)化(hua)技術，包括掩模和蝕刻；凹槽(cao)和蝕刻；掩模、凹槽(cao)和蝕刻，以及其他技術。圖6E示(shi)出了進(jin)行508處(chu)圖案(an)(an)化(hua)之后的太陽(yang)能電(dian)池(chi)的一部分的橫截面圖。

現(xian)在轉到(dao)圖(tu)7，它是示出了(le)根據一些(xie)(xie)實施例(li)的用于形成導(dao)電(dian)觸點的方法(fa)的流程(cheng)圖(tu)，所(suo)述導(dao)電(dian)觸點具有隨(sui)機(ji)焊縫陣列。在各種實施例(li)中(zhong)，圖(tu)7的方法(fa)可包括(kuo)與圖(tu)示相比額外的(或更少的)框(kuang)。例(li)如，在一個實施例(li)中(zhong)，可在框(kuang)700處(chu)形成導(dao)電(dian)箔之前形成導(dao)電(dian)區。此外，在一些(xie)(xie)實施例(li)中(zhong)，可結合圖(tu)7方法(fa)使用圖(tu)3和(he)/或5的方法(fa)的一個或多個框(kuang)。

如在(zai)700處(chu)所(suo)示，可(ke)在(zai)設(she)置于基板(ban)中(zhong)或基板(ban)上(shang)(shang)方(fang)的(de)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)區上(shang)(shang)方(fang)形成導(dao)電(dian)箔。如本文所(suo)述，導(dao)電(dian)箔可(ke)直接(jie)形成在(zai)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)區上(shang)(shang)，或者(zhe)一個或多個導(dao)電(dian)區可(ke)形成于導(dao)電(dian)箔和半(ban)(ban)導(dao)體(ti)區之(zhi)間(jian)。圖8A示出了一個橫截面圖，其中(zhong)形成圖案化的(de)第(di)一導(dao)電(dian)區，但如上(shang)(shang)所(suo)述，在(zai)一些實施(shi)例中(zhong)，太陽能(neng)電(dian)池(chi)可(ke)不(bu)包括第(di)一導(dao)電(dian)區。圖8B示出了圖7的(de)框700的(de)橫截面表示。如圖所(suo)示，導(dao)電(dian)箔186形成于半(ban)(ban)導(dao)體(ti)區上(shang)(shang)方(fang)(以及第(di)一導(dao)電(dian)區上(shang)(shang)方(fang))。

如圖7的(de)702處(chu)所(suo)示，可(ke)在導電(dian)(dian)(dian)箔下方(fang)生(sheng)成間隙，如圖8C中(zhong)的(de)間隙197所(suo)示。可(ke)根(gen)據多種技術產生(sheng)該間隙。例(li)如，在一(yi)(yi)個(ge)實(shi)(shi)施例(li)中(zhong)，可(ke)在箔下方(fang)加壓空氣，以便形(xing)成間隙。在另一(yi)(yi)個(ge)實(shi)(shi)施例(li)中(zhong)，可(ke)從溝槽的(de)表面吸走(zou)或拉(la)開(kai)導電(dian)(dian)(dian)箔。在另一(yi)(yi)個(ge)實(shi)(shi)施例(li)中(zhong)，可(ke)在焊接前拉(la)開(kai)箔，使得箔不會在凹(ao)(ao)入部中(zhong)形(xing)成。如圖所(suo)示，間隙可(ke)存在于對應于凹(ao)(ao)槽的(de)位(wei)置(zhi)上，但導電(dian)(dian)(dian)箔仍可(ke)在其他位(wei)置(zhi)保持接觸(例(li)如在704處(chu)的(de)待焊接位(wei)置(zhi))。

在(zai)(zai)圖7的(de)704處，導(dao)(dao)電(dian)箔(bo)可焊(han)接至半導(dao)(dao)體(ti)區(qu)。圖8D示(shi)(shi)出了框704的(de)橫(heng)截面表(biao)示(shi)(shi)。如(ru)(ru)在(zai)(zai)焊(han)縫183處所(suo)示(shi)(shi)，導(dao)(dao)電(dian)箔(bo)分別通(tong)過(guo)第一導(dao)(dao)電(dian)區(qu)180和184焊(han)接至半導(dao)(dao)體(ti)區(qu)190和192。如(ru)(ru)圖所(suo)示(shi)(shi)，激光試圖在(zai)(zai)位置187處進行(xing)焊(han)接，但是由于氣隙，所(suo)以存在(zai)(zai)足(zu)夠(gou)的(de)熱隔離，使得不會(hui)產生焊(han)縫，并且抑制了對硅的(de)損傷。

如(ru)在(zai)706處所(suo)示，可圖(tu)案(an)化(hua)導電(dian)箔(和(he)任(ren)一(yi)(yi)導電(dian)區)，例如(ru)本(ben)文所(suo)述。圖(tu)8E中示出了706處的(de)圖(tu)案(an)化(hua)后(hou)(hou)的(de)太(tai)陽能電(dian)池的(de)一(yi)(yi)部分的(de)橫截面圖(tu)。需注意，在(zai)704處形成(cheng)(cheng)焊(han)縫之(zhi)后(hou)(hou)，加壓空(kong)氣或牽拉(la)以形成(cheng)(cheng)間(jian)隙，然(ran)后(hou)(hou)釋放，使得在(zai)706處進行圖(tu)案(an)化(hua)時不(bu)再存在(zai)間(jian)隙。

在各種實施例中，諸如在導電箔和半導體區之間不存在導電區的實施例中，可減少激光使用的能量，使其適用于焊接但不損傷電池(例如小于1J/cm²的亞燒蝕能量(liang)密度)。例如(ru)，在一個(ge)實施例中，可使(shi)用較長(chang)脈沖(chong)長(chang)度，使(shi)得熱(re)(re)量(liang)足以形成焊縫。較長(chang)脈沖(chong)長(chang)度可提供熱(re)(re)隔離(li)，以阻止硅的加熱(re)(re)和熱(re)(re)影(ying)響區(HAZ)。在其他實施例中，還(huan)可控(kong)制激光參數，并且可調(diao)整(zheng)除了功率和脈沖(chong)長(chang)度外的其他參數，諸如(ru)脈沖(chong)數。

各種(zhong)所公(gong)開(kai)的技術(shu)和結構可(ke)(ke)提(ti)供(gong)很多優(you)勢(shi)。例(li)如(ru)，通(tong)過(guo)允許在(zai)導(dao)電箔表面上的任何(he)地方用(yong)激光(guang)進行焊(han)接，同時(shi)又抑制對硅(gui)的損(sun)傷(shang)，可(ke)(ke)放(fang)松對準要求，從而(er)導(dao)致(zhi)產能提(ti)高(gao)(例(li)如(ru)激光(guang)掃描器可(ke)(ke)采(cai)用(yong)約100m/s而(er)非(fei)12-15m/s的速度移(yi)動)，以及復雜度降低(di)且價格更便(bian)宜的工具(例(li)如(ru)，減少高(gao)分辨率(lv)對準相機)。此(ci)外，在(zai)所公(gong)開(kai)技術(shu)中(zhong)未對準的焊(han)點未必會產生對硅(gui)的損(sun)傷(shang)(以及縮短壽(shou)命(ming)和降低(di)效率(lv))或(huo)導(dao)致(zhi)串(chuan)聯電阻升高(gao)。

圖(tu)(tu)9和(he)圖(tu)(tu)10分(fen)別(bie)示(shi)出(chu)了根(gen)據各種所(suo)(suo)公(gong)開技術的(de)(de)(de)(de)示(shi)例性太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)在圖(tu)(tu)案化(hua)之(zhi)前和(he)圖(tu)(tu)案化(hua)之(zhi)后的(de)(de)(de)(de)俯(fu)視圖(tu)(tu)。如圖(tu)(tu)9所(suo)(suo)示(shi)，太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)900包括隨(sui)機焊(han)(han)縫(feng)陣列902。如圖(tu)(tu)所(suo)(suo)示(shi)，焊(han)(han)點(dian)非對稱地布置(zhi)在導(dao)電(dian)(dian)箔(bo)上。圖(tu)(tu)10示(shi)出(chu)了圖(tu)(tu)案化(hua)后的(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)1000上與圖(tu)(tu)9相同(tong)的(de)(de)(de)(de)焊(han)(han)點(dian)。圖(tu)(tu)案化(hua)使得一(yi)些(xie)(xie)焊(han)(han)點(dian)的(de)(de)(de)(de)一(yi)些(xie)(xie)部(bu)分(fen)與指(zhi)狀物之(zhi)間導(dao)電(dian)(dian)箔(bo)的(de)(de)(de)(de)一(yi)些(xie)(xie)部(bu)分(fen)一(yi)起被移除。其結果是(shi)(shi)，焊(han)(han)點(dian)中的(de)(de)(de)(de)一(yi)些(xie)(xie)是(shi)(shi)局部(bu)焊(han)(han)縫(feng)(諸如局部(bu)焊(han)(han)縫(feng)1004)并與指(zhi)狀物的(de)(de)(de)(de)邊緣部(bu)分(fen)重疊(如指(zhi)狀物1002的(de)(de)(de)(de)邊緣處(chu)的(de)(de)(de)(de)局部(bu)焊(han)(han)縫(feng)1004所(suo)(suo)示(shi))。由(you)于進行激(ji)光(guang)焊(han)(han)接的(de)(de)(de)(de)速(su)度，造成一(yi)些(xie)(xie)焊(han)(han)點(dian)的(de)(de)(de)(de)尺寸(cun)(例如長度、深度)各不相同(tong)，此點(dian)并未在圖(tu)(tu)9和(he)圖(tu)(tu)10中示(shi)出(chu)。

圖(tu)11示(shi)出了(le)根(gen)據各(ge)種實施例(li)的太陽(yang)能(neng)電池(chi)的接(jie)觸指(zhi)(zhi)上示(shi)例(li)性隨機焊縫陣列的俯(fu)視(shi)圖(tu)。接(jie)觸指(zhi)(zhi)1102示(shi)出了(le)n型(xing)接(jie)觸指(zhi)(zhi)，而接(jie)觸指(zhi)(zhi)1104示(shi)出了(le)p型(xing)接(jie)觸指(zhi)(zhi)。如圖(tu)所(suo)示(shi)，焊縫1106與接(jie)觸指(zhi)(zhi)1106部分地(di)重(zhong)疊，但是需注意(yi)，在圖(tu)案化(hua)工藝之后(hou)，邊緣重(zhong)疊接(jie)觸指(zhi)(zhi)1106將(jiang)被移除，如圖(tu)10所(suo)示(shi)。

盡管上面已經描述(shu)(shu)了(le)具(ju)體實(shi)施(shi)例(li)，但即(ji)使相對于特定的(de)(de)特征僅描述(shu)(shu)了(le)單(dan)個實(shi)施(shi)例(li)，這些實(shi)施(shi)例(li)也并非旨(zhi)在(zai)限制本公(gong)開的(de)(de)范(fan)圍。在(zai)本公(gong)開中所提供的(de)(de)特征的(de)(de)例(li)子旨(zhi)在(zai)為說明性的(de)(de)而非限制性的(de)(de)，除非另有(you)(you)說明。以上描述(shu)(shu)旨(zhi)在(zai)涵蓋將(jiang)對本領域的(de)(de)技術人員顯而易(yi)見的(de)(de)具(ju)有(you)(you)本公(gong)開的(de)(de)有(you)(you)益效果的(de)(de)那些替代形(xing)式、修改(gai)形(xing)式和等效形(xing)式。

本(ben)公開的(de)范圍包括(kuo)本(ben)文(wen)所(明示或(huo)(huo)(huo)暗示)公開的(de)任(ren)(ren)何(he)(he)特(te)(te)征(zheng)或(huo)(huo)(huo)特(te)(te)征(zheng)組合，或(huo)(huo)(huo)其(qi)任(ren)(ren)何(he)(he)概括(kuo)，不管其(qi)是否減輕(qing)本(ben)文(wen)所解決(jue)的(de)任(ren)(ren)何(he)(he)或(huo)(huo)(huo)全部問(wen)題。因此(ci)，可(ke)以(yi)在本(ben)申請(或(huo)(huo)(huo)對(dui)(dui)其(qi)要求(qiu)優先權(quan)的(de)申請)的(de)審查過(guo)程期間對(dui)(dui)任(ren)(ren)何(he)(he)此(ci)類特(te)(te)征(zheng)組合提出新的(de)權(quan)利(li)(li)(li)要求(qiu)。具體地(di)講，參考所附權(quan)利(li)(li)(li)要求(qiu)書(shu)，來(lai)(lai)自(zi)從屬權(quan)利(li)(li)(li)要求(qiu)的(de)特(te)(te)征(zheng)可(ke)與獨立權(quan)利(li)(li)(li)要求(qiu)的(de)那些特(te)(te)征(zheng)相結合，來(lai)(lai)自(zi)相應的(de)獨立權(quan)利(li)(li)(li)要求(qiu)的(de)特(te)(te)征(zheng)可(ke)以(yi)按任(ren)(ren)何(he)(he)適當的(de)方式(shi)組合，而并非只是以(yi)所附權(quan)利(li)(li)(li)要求(qiu)中枚舉的(de)特(te)(te)定(ding)形(xing)式(shi)組合。

在一(yi)個(ge)實(shi)施例中(zhong)(zhong)，太陽能(neng)電池(chi)包括(kuo)基(ji)板(ban)。半導(dao)體(ti)(ti)區(qu)域設置(zhi)在基(ji)板(ban)中(zhong)(zhong)或基(ji)板(ban)上方(fang)。接(jie)觸指通過多(duo)個(ge)焊(han)縫區(qu)耦(ou)接(jie)至半導(dao)體(ti)(ti)區(qu)，其中(zhong)(zhong)多(duo)個(ge)焊(han)縫區(qu)中(zhong)(zhong)的第(di)一(yi)焊(han)縫區(qu)是局部(bu)焊(han)縫。

在一個實(shi)施例中，多個焊縫區非對稱(cheng)地(di)被(bei)布置在接觸(chu)指上。

在一個(ge)實施例中(zhong)，多個(ge)焊(han)縫(feng)區中(zhong)的至少一個(ge)具有與多個(ge)焊(han)縫(feng)區中(zhong)的另(ling)一個(ge)不同的長度。

在一個實施(shi)例中，太陽能電池(chi)還包(bao)括耦(ou)接至接觸(chu)指和半導體區并位(wei)于接觸(chu)指與半導體區之(zhi)間的第一導電區。

在(zai)一(yi)個實施例(li)中(zhong)，太陽能(neng)電池還(huan)包括耦接(jie)至接(jie)觸指(zhi)和(he)第一(yi)導電區(qu)并位于接(jie)觸指(zhi)與第一(yi)導電區(qu)之間的第二導電區(qu)。

在一個(ge)實施例中，太(tai)陽能電池還包(bao)括設(she)置在半導(dao)體區(qu)的(de)對應(ying)n型區(qu)和(he)p型區(qu)之(zhi)間的(de)損傷緩(huan)沖(chong)區(qu)。

在一個實施例中，損傷(shang)緩沖區是被構造成吸收激(ji)光能量的(de)吸收區。

在一個實(shi)施例中，接觸(chu)指包(bao)括(kuo)包(bao)含鋁(lv)的(de)箔。

在(zai)一個(ge)實施例中(zhong)，制造太(tai)陽能電(dian)池(chi)的(de)方(fang)法包括(kuo)在(zai)設置(zhi)于基板內或基板上方(fang)的(de)半導體區(qu)上放置(zhi)導電(dian)箔(bo)(bo)。該方(fang)法還包括(kuo)對(dui)導電(dian)箔(bo)(bo)的(de)隨機位(wei)置(zhi)施加激(ji)光(guang)，以在(zai)導電(dian)箔(bo)(bo)和半導體區(qu)之間形(xing)成(cheng)多(duo)個(ge)焊縫。

在一個(ge)實施例中，該方法(fa)還包括圖案(an)化(hua)導電箔以形成用于太陽能電池的(de)接(jie)觸指(zhi)，其(qi)中焊縫中的(de)至(zhi)少一個(ge)與其(qi)中一個(ge)接(jie)觸指(zhi)的(de)邊緣重疊。

在一個實施例中，該方法還(huan)包(bao)括在所述放置導(dao)電(dian)箔(bo)之前，在半(ban)導(dao)體區上(shang)方形成第一導(dao)電(dian)區，其中所述施加(jia)激光包(bao)括施加(jia)激光以(yi)在導(dao)電(dian)箔(bo)和第一導(dao)電(dian)區之間形成多個焊縫。

在(zai)一個實施例中，該方(fang)法還(huan)包括(kuo)在(zai)第一導電區上(shang)方(fang)形成第二導電區。

在一(yi)(yi)個實(shi)施(shi)例中，所述形成(cheng)第一(yi)(yi)導(dao)電區包括遍布(bu)太(tai)陽(yang)能電池形成(cheng)毯(tan)式第一(yi)(yi)導(dao)電區。

在(zai)一個實(shi)施例中(zhong)，該(gai)方法還包括(kuo)應(ying)用(yong)凹槽和蝕刻(ke)技(ji)術以圖案化導電(dian)箔和第一導電(dian)區，以形成(cheng)用(yong)于(yu)太陽能電(dian)池的接(jie)觸指。

在一個實施例中(zhong)，該方法還包括在半導體(ti)區(qu)的(de)相鄰p型摻雜(za)區(qu)和(he)(he)n型摻雜(za)區(qu)之間(jian)的(de)區(qu)域處的(de)導電(dian)箔和(he)(he)基板之間(jian)形成損傷緩沖區(qu)。

在(zai)一(yi)個實施(shi)(shi)例中，該(gai)方法還(huan)包括，在(zai)所述施(shi)(shi)加激光前，在(zai)導電箔和基板之間形成間隙(xi)。

在一(yi)個(ge)實施(shi)例(li)中(zhong)，太陽能電池包括(kuo)基板。p型摻雜區(qu)(qu)和n型摻雜區(qu)(qu)設置在基板上方。隨機(ji)焊縫(feng)陣列將(jiang)(jiang)第一(yi)箔(bo)接(jie)觸指耦接(jie)至p型摻雜區(qu)(qu)，并(bing)且(qie)將(jiang)(jiang)第二箔(bo)接(jie)觸指耦接(jie)至n型摻雜區(qu)(qu)。

在一個(ge)(ge)實(shi)施例中(zhong)(zhong)，隨機焊(han)縫(feng)陣列(lie)中(zhong)(zhong)的至(zhi)少一個(ge)(ge)焊(han)縫(feng)是局部焊(han)縫(feng)。

在一個實施例中，太陽能(neng)電池(chi)還(huan)包括設置(zhi)在p型摻雜區和(he)n型摻雜區之間的溝槽中的吸收區。

在一個實施例中，太陽能電池(chi)還包括(kuo)分(fen)別在第一箔接(jie)觸指(zhi)和p型摻雜區之(zhi)間以及在第二箔接(jie)觸指(zhi)和n型摻雜區之(zhi)間的第一導電區。