專利名稱：罩幕式只讀存儲器的制造方法及其結構的制作方法
技術領域：
本發明是有關于一種只讀存儲器(Read Only Memory，ROM)的制造方法，且特別是有關于一種罩幕式只讀存儲器(Mask ROM)的制造方法。
背景技術：
由于只讀存儲器具有不因電源中斷而喪失其中所儲存的資料的非揮發(Non-Volatile)特性，因此許多電器產品中都必須具備此類內存，以維持電器產品開機時的正常操作。只讀存儲器中最為基礎的一種即是罩幕式只讀存儲器，一般常用的罩幕式只讀存儲器利用信道晶體管當作存儲單元，并于程序化(Program)階段選擇性地植入離子到指定的信道區域，通過改變啟始電壓(Threshold Voltage)而達到控制存儲單元在讀取操作中導通(On)或關閉(Off)的目的。
如上所述，罩幕式只讀存儲器的存儲單元數組通常是由晶體管的型態所構成，然而，此種以晶體管構成存儲單元數組的罩幕式只讀存儲器具有下述的問題由于晶體管對于其下方的硅基底、柵極氧化層等的品質要求較高，因此其制作工藝條件較為嚴苛，而且，由于此因素，使得此種以晶體管構成的存儲單元數組并不容易向上堆棧一層以上。
而且，晶體管形式的存儲單元數組會由于漏電流等因素，使得其0/1的譯碼裕度較小并且不夠清楚(clear)，因此相當容易發生譯碼錯誤的情形。
并且，由于晶體管形式的存儲單元數組其位線通常采用于基底中植入摻質的方式形成，然而其接面會隨著元件的縮小而變淺，從而導致位線阻值的上升，影響元件的操作效能。

發明內容
因此，本發明的目的就是在提供一種罩幕式只讀存儲器的制造方法與結構，能夠縮小元件的尺寸并提高元件的集成度。
本發明的再一目的就是在提供一種罩幕式只讀存儲器的制造方法與結構，能夠提供較為明確的譯碼能力并提高譯碼的裕度。
本發明的又一目的就是在提供一種罩幕式只讀存儲器的制造方法與結構，能夠提升元件的操作速度。
本發明的另一目的就是在提供一種罩幕式只讀存儲器的制造方法與結構，其形成罩幕式只讀存儲器的制作工藝較為簡單。
本發明提出一種罩幕式只讀存儲器的制造方法，此方法于一基底上依序形成柵極介電層與條狀的復數第一導體層，此第一導體層的結構為復晶硅/金屬硅化物/復晶硅，再于基底與第一導體層上形成第一介電層。接著，圖案化第一介電層以形成復數的第一編碼開口，其中每一第一編碼開口底部暴露出第一導體層，再于第一編碼開口底部的第一導體層中形成復數的第一阱區。然后，于第一介電層上與第一編碼開口中形成條狀的復數第二導體層，其中第二導體層電性連接第一阱區。以形成一第一存儲單元數組。
而且，于上述制造方法中，在形成第一存儲單元數組后，更可以于第一介電層與第二導體層上形成第二介電層，再于第二介電層上形成條狀的復數第三導體層，然后于第二介電層與第三導體層上形成第三介電層，再圖案化第三介電層以形成復數的第二編碼開口，其中每一第二編碼開口暴露出第三導體層底部，接著于第二編碼開口底部的第三導體層中形成復數的第二阱區，再于第三介電層上與第二編碼開口中形成條狀的復數第四導體層，其中第四導體層電性連接第二阱區，以形成一第二存儲單元數組。
本發明提出一種罩幕式只讀存儲器的結構，至少包括一基底、柵極介電層、條狀的復數第一導體層、一第一介電層、復數個第一阱區，條狀的復數第二導體層。其中柵極介電層配置在基底上，第一導體層配置在柵極介電層上，第一介電層配置于基底與第一導體層上，其中第一介電層具有復數個第一編碼開口，且第一編碼開口暴露出第一導體層表面，第一阱區個別配置于第一編碼開口底部的第一導體層中，以及第二導體層配置在第一介電層上與第一編碼開口中，其中第二導體層電性連接第一阱區。并且柵極介電層、第一導體層、第一介電層、第一阱區、第二導體層系構成一第一存儲單元數組。
于上述結構中，更包括一第二介電層，條狀的復數第三導體層、一第三介電層、復數個第二阱區，條狀的復數第四導體層。其中第二介電層配置在第一介電層與第二導體層上，第三導體層配置在第二介電層上，第三介電層配置于第二介電層與第三導體層上，其中第三介電層具有復數個第二編碼開口，且第二編碼開口暴露出第三導體層表面，第二阱區個別配置于第二編碼開口底部的第三導體層中，以及第四導體層配置在第三介電層上與第二編碼開口中，其中第四導體層電性連接第二阱區。并且第二介電層、第三導體層、第三介電層、第二阱區、第四導體層構成一第二存儲單元數組。
此外，于上述的罩幕式只讀存儲器的制造方法與結構中，在第二存儲單元數組上還可以堆棧形成復數層的第二存儲單元數組。
再者，于上述的罩幕式只讀存儲器的制造方法與結構中，第二導體層與第四導體層的材質包括包括鋁、鎢、銅等金屬材質。
本發明提出一種罩幕式只讀存儲器的譯碼方法，此罩幕式只讀存儲器至少包括復數條字符線、配置在字符線上的復數的阱區，其中字符線的摻雜型態(N+type)不同于阱區的摻雜型態(P+type)，以及復數條位線，其中位線垂直于字符線且與該些字符線設置于不同高度，并且位線與字符線的部分交會處個別電性連接至阱區，此譯碼方法包括對一譯碼位置所對應的位線施加一第一電壓，對于此位線之外的其它位線施加一第二電壓，其中第一電壓大于第二電壓，同時對譯碼位置所對應的字符線施加第三電壓，對于此字符線之外的其它字符線施加第四電壓，其中第四電壓大于第三電壓。
本發明的罩幕式只讀存儲器的存儲單元數組由于由二極管所構成，使得存儲單元數組可以向上堆棧而形成一個三維的結構，因此，存儲單元的尺寸能夠縮小且內存元件的集成度能夠向上提升。
而且，由于本發明的罩幕式只讀存儲器在植入阱區的譯碼區(亦即是二極管)判定為「1」，而在未植入的區域系判定為零，因此其0/1的譯碼較晶體管形式的存儲單元更為清楚，并且其譯碼的裕度亦較大。
并且，在本發明的罩幕式只讀存儲器中，由于其位線能夠采用金屬材質形成，相較于公知在基底中摻雜所形成的位線，本發明所形成的位線阻值較小，并且能夠提升元件操作的速度。
此外，由于本發明不用形成晶體管，因此對制作工藝條件的要求較低，故而本發明的制造罩幕式只讀存儲器的制作工藝較公知的制作工藝簡單。
為讓本發明的上述和其它目的、特征、和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明。


圖1A至圖1F是依照本發明較佳實施例的罩幕式只讀存儲器的制造流程的剖面示意圖。
圖2是依照本發明較佳實施例的罩幕式只讀存儲器進行譯碼的示意圖。
標示說明100基底102柵極介電層104、106、114、118、126導體層 108、116、120介電層110、122編碼開口 112、124阱區202、204、206、208、210、212、214字符線252、254、256、258位線 270二極管具體實施方式
圖1A至圖1F所繪示為本發明較佳實施例的一種罩幕式只讀存儲器的制造流程剖面圖。
首先，請參照圖1A，提供一基底100，此基底100例如是半導體硅基底。并且于基底100已形成柵極介電層102與條狀的復數導體層104/106。其中柵極介電層102的材質例如是氧化硅，且導體層104的材質是N+type的摻雜多晶硅/金屬硅化物，而導體層106的材質是N+type的摻雜多晶硅。形成柵極介電層102與條狀的導體層104/106的方法例如是以熱氧化法在基底上形成一層氧化層(未繪示)，再以臨場摻雜離子的方式，利用化學氣相沉積法于基底100上形成一層摻雜多晶硅層/金屬硅化物/摻雜多晶硅(未繪示)。接著，利用微影蝕刻制作工藝，圖案化此摻雜多晶硅層，以形成條狀的復數導體層104/106。
接著，請參照圖1B，在基底100與導體層106上形成一層介電層108，其中此介電層108的材質例如是二氧化硅，形成此介電層108的方法例如是利用化學氣相沉積法于基底100上形成一層氧化硅層。
請繼續參照圖1B，于介電層108中形成編碼開口110以暴露出預定進行譯碼的位置，其中形成編碼開口110的方法例如是利用編碼光罩(未繪示)，于介電層108上形成圖案化的光阻層(未繪示)以定義出編碼位置，接著進行蝕刻制作工藝去除部分的介電層108而形成編碼開口110，并暴露出編碼開口110底部的導體層106。
接著，請參照圖1C，于編碼開口110中的導體層106上形成阱區112，其中形成此阱區112的方式例如是續以圖案化的光阻層為罩幕，進行一離子植入制作工藝，以于導體層106中形成摻雜區，然后，移除圖案化的光阻層，再進行一回火制作工藝而形成阱區112，其中阱區112具有與第一摻雜型態不同的第二摻雜型態(P型摻雜型態)。
請繼續參照圖1C，于介電層108上形成條狀的復數導體層114以作為位線，其中導體層114的走向垂直導體層106的走向，且導體層114填入編碼開口110中而與阱區112電性連接。此導體層114的材質例如是鋁、鎢、銅等金屬材質。形成此導體層114的方法例如是在介電層108上以物理氣相沉積法或是化學氣相沉積法覆蓋一層填滿開口的導體材料層，再經過微影蝕刻的步驟以于介電層108上形成條狀的復數導體層114。
經過上述圖1A至圖1C所述的步驟，可以在基底100上形成一層由二極管(指形成阱區112的存儲單元)構成的存儲單元數組，接著，請繼續參照圖1D至圖1F，以于存儲單元數組上堆棧另一層由二極管構成的存儲單元數組。
請參照圖1D，在介電層100與導體層114上形成一層介電層116，其中此介電層116用以隔離兩層不同的存儲單元數組，其材質例如是二氧化硅，形成此介電層116的方法例如是利用化學氣相沉積法于介電層100與導體層114上形成一層氧化硅層。
請繼續參照圖1D，于介電層116上形成條狀的導體層118，其中導體層118的材質例如是摻雜多晶硅/金屬硅化物/N+type的摻雜多晶硅，其形成的方法例如是以臨場摻雜離子的方式，利用化學氣相沉積法于介電層116上形成一層摻雜多晶硅層(未繪示)，再利用微影蝕刻制作工藝，圖案化此摻雜多晶硅層，以于介電層上形成條狀的復數導體層118。
接著，請參照圖1E，在介電層116與導體層118上形成一層介電層120，其中此介電層120的材質例如是二氧化硅，形成此介電層120的方法例如是利用化學氣相沉積法于介電層116與導體層118上形成一層氧化硅層。
請繼續參照圖1E，于介電層120中形成編碼開口122以暴露出預定進行譯碼的位置，其中形成編碼開口122的方法例如是利用編碼光罩(未繪示)，于介電層120上形成圖案化的光阻層(未繪示)以定義出編碼位置，接著進行蝕刻制作工藝去除部分的介電層120而形成編碼開口122，并暴露出編碼開口122底部的導體層118。
接著，請參照圖1F，于編碼開口122中的導體層118上形成阱區124，其中形成此阱區124的方式例如是續以圖案化的光阻層為罩幕，進行一離子植入制作工藝，以于導體層118中形成摻雜區，然后，移除圖案化的光阻層，再進行一回火制作工藝而形成阱區124，其中阱區124具有與導體層124上的復晶硅摻雜型態不同的第二摻雜型態(P型摻雜型態)。
請繼續參照圖1F，于介電層122上形成條狀的復數導體層126以作為位線，其中導體層126的走向垂直于導體層118的走向，且導體層126填入編碼開口122中而與阱區124電性連接。此導體層126的材質例如是鋁、鎢、銅等金屬材質。形成此導體層126的方法例如是在介電層120上以物理氣相沉積法或是化學氣相沉積法覆蓋一層填滿編碼開口122的導體材料層，再經過微影蝕刻的步驟以于介電層120上形成條狀的復數導體層126。
在經過上述圖1A至圖1F的步驟后，可以形成具有兩層以二極管構成存儲單元數組的罩幕式只讀存儲器。由于后續完成罩幕式內存的步驟為熟悉此技術者所周知，因此在此不再贅述。
請繼續參照圖1F以說明本發明的罩幕內存的結構。以單層存儲單元數組的結構為例，本發明的罩幕式只讀存儲器由基底100、柵極介電層102、條狀的復數堆棧層、復數的阱區112、介電層108、條狀的復數導體層114所構成。
柵極介電層102配置于基底100上。且條狀的復數堆棧層個別配置于柵極介電層102，其中每一堆棧層由導體層104與導體層106依序堆棧形成，用以作為內存元件的字符線，并且導體層106具有第一摻雜型態例如是N型摻雜型態。
介電層108配置于基底100與堆棧層上，其中介電層108具有復數個編碼開口110，并于編碼開口110的底部暴露出導體層106的表面。
復數的阱區112配置在編碼開口110底部的導體層106中，其中阱區112具有與第一摻雜型態不同的第二摻雜型態，例如是P型摻雜型態。
條狀的復數導體層114配置于介電層108上與編碼開口110中，用以作為內存元件的位線，其中導體層114的走向垂直于堆棧層的走向，并且導體層114與阱區112電性連接，以使導體層(字符線)106與導體層(位線)114的具有阱區112交會處形成一個二極管存儲單元。
上述的罩幕式只讀存儲器的結構為單層存儲單元數組的結構，而如果是雙層存儲單元數組的結構，則本發明的罩幕式只讀存儲器更包括介電層116、條狀的復數導體層118、復數的阱區124、介電層120、條狀的復數導體層126。
其中介電層116配置于介電層108與導體層114之上，用以隔離兩層不同的存儲單元數組。
條狀的復數導體層118個別配置于介電層116上，用以作為內存元件的字符線，并且導體層118具有第一摻雜型態例如是N型摻雜型態。
介電層120配置于介電層116與導體層118上，其中介電層120具有復數個編碼開口122，并于編碼開口122的底部暴露出導體層118的表面。
復數的阱區124配置在編碼開口122底部的導體層118中，其中阱區124具有與第一摻雜型態(N型摻雜型態)不同的第二摻雜型態(P型摻雜型態)。
條狀的復數導體層126配置于介電層120上與編碼開口122中，用以作為內存元件的位線，其中導體層126的走向垂直于導體層118的走向，并且導體層126與阱區124電性連接，以使導體層(字符線)118與導體層(位線)126之具有阱區124的交會處形成一個二極管存儲單元。因此，能夠得到如圖1F所示的由二層二極管存儲單元數組堆棧形成的罩幕式只讀存儲器。
接著，請參照圖2以說明本發明的罩幕式只讀存儲器的譯碼方法。于圖2中，202至214所代表的是字符線，252至258所代表的是位線。其中位線與字符線設置于不同高度，且在有進行譯碼植入的位置于字符線與位線的部分交會處的字符線上形成有阱區(未繪示)，并且位線(N+type)與阱區(P+type)電性連接以形成一個二極管，而在未譯碼植入的其它交會處則字符線與位線未電性連接。以圖2為例，當要對位置270進行譯碼時，對譯碼位置270所對應的位線254施加高電壓，其它的位線252、256、258則施加低電壓，同時，對位置270所對應的字符線208施加低電壓，其它的字符線202、204、206、210、212、214施加高電壓。經過此種譯碼方式的話，則能夠確保在譯碼時電流是依照圖2中箭頭所示路徑流動，而不會誤開啟位置270周邊的二極管而導致譯碼錯誤。
在上述較佳實施例中，其中形成導體層104(polycide)的制作工藝，為了使本發明能夠適用于公知罩幕式只讀存儲器制作工藝的同時形成周邊電路區而設置，在不考慮周邊電路區的情況下，本發明能夠不形成導體層104，而直接以導體層106(N+doped polysilicon)作為存儲單元數組的字符線。
而且，在上較佳述實施例中，以形成雙層的存儲單元數組以作說明，然而本發明并不限定于此，本發明亦可以依照實際的需要，進而調整其存儲單元數組的堆棧層數以形成二層以上的存儲單元數組。其例如是重復圖1D至圖1F的步驟，以于第二層的存儲單元數組上再堆棧形成復數層的存儲單元數組。
綜上所述，由于本發明的罩幕式只讀存儲器的存儲單元數組由二極管所構成，使得存儲單元數組可以向上堆棧一層以上而形成一個三維的結構，因此，存儲單元的尺寸能夠縮小且內存元件的集成度能夠向上提升。
而且，由于本發明的罩幕式只讀存儲器在植入阱區的譯碼區(亦即是二極管)判定為「1」，而在未植入的區域判定為零，因此其0/1的譯碼較晶體管形式的存儲單元更為清楚，并且其譯碼的裕度亦較大。
并且，在本發明的罩幕式只讀存儲器中，由于其位線能夠采用金屬材質形成，相較于公知在基底中摻雜所形成的位線，本發明所形成的位線阻值較小，并且能夠提升元件操作的速度。
此外，由于本發明不用形成晶體管，因此對制作工藝條件的要求較低，故而本發明的制造罩幕式只讀存儲器的制作工藝較公知的制作工藝簡單。
雖然本發明已以一較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發明，任何熟悉此技術者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視權利要求界定者為準。
權利要求
1.一種罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于包括下列步驟于一基底上依序形成柵極介電層與條狀的復數第一導體層；于該基底與該些第一導體層上形成一第一介電層；圖案化該第一介電層以形成復數的第一編碼開口，其中每一該些第一編碼開口底部暴露出該些第一導體層；于該些第一編碼開口底部的該些第一導體層中形成復數的第一阱區；以及于該第一介電層上與該些第一編碼開口中形成條狀的復數第二導體層，其中該些第二導體層電性連接該些第一阱區，以形成一第一存儲單元數組。
2.如權利要求1所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于該些第一導體層的材質包括摻雜多晶硅。
3.如權利要求1所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于該些第一導體層的摻雜型態不同于該些第一阱區的摻雜型態。
4.如權利要求1所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于該些第二導體層的材質包括選自鋁、鎢與銅所組的族群其中之一。
5.如權利要求1所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于該些第一導體層的走向垂直于該些第二導體層的走向。
6.如權利要求1所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于還包括于每一該些柵極氧化層與每一該些第一導體層之間形成一字符線。
7.如權利要求1所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于于該第一介電層上與該些第一編碼開口中形成條狀的該些第二導體層的步驟之后，還包括(a)于該第一介電層與該些第二導體層上形成一第二介電層；(b)于該第二介電層上形成條狀的復數第三導體層；(c)于該第二介電層與該些第三導體層上形成一第三介電層；(d)圖案化該第三介電層以形成復數的第二編碼開口，其中每一該些第二編碼開口暴露出該些第三導體層底部；(e)于該些第二編碼開口底部的該些第三導體層中形成復數的第二阱區；以及(f)于該第三介電層上與該些第二編碼開口中形成條狀的復數第四導體層，其中該些第四導體層電性連接該些第二阱區，以形成一第二存儲單元數組。
8.如權利要求7所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于該些第三導體層的材質包括摻雜多晶硅。
9.如權利要求7所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于該些第三導體層的摻雜型態不同于該些第二阱區的摻雜型態。
10.如權利要求7所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于該些第四導體層的材質包括選自鋁、鎢與銅所組的族群其中之一。
11.如權利要求7所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于該些第三導體層的走向垂直于該些第四導體層的走向。
12.如權利要求7所述的罩幕式只讀存儲器的制造方法，其特征在于還包括重復(a)～(f)的步驟，以于該第二存儲單元數組上更形成復數層第二存儲單元數組。
13.一種罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于包括一基底；柵極介電層，配置在該基底上；條狀的復數第一導體層，配置在該些柵極介電層上；一第一介電層，配置于該基底與該些第一導體層上，其中該第一介電層具有復數個第一編碼開口，且該些第一編碼開口暴露出該些第一導體層表面；復數個第一阱區，個別配置于該些第一編碼開口底部的該些第一導體層中；以及條狀的復數第二導體層，配置在該第一介電層上與該些第一編碼開口中，其中該些第二導體層電性連接該些第一阱區，并且該些柵極介電層、該些第一導體層、該第一介電層、該些第一阱區、該些第二導體層構成一第一存儲單元數組。
14.如權利要求13所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于該些第一導體層的材質包括摻雜多晶硅/金屬硅化物/N+type摻雜多晶硅。
15.如權利要求13所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于該些第一導體層的摻雜型態不同于該些第一阱區的摻雜型態。
16.如權利要求13所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于該些第二導體層的材質包括選自鋁、鎢與銅所組的族群其中之一。
17.如權利要求13所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于該些第一導體層的走向垂直于該些第二導體層的走向。
18.如權利要求13所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于更具有一字符線，配置于每一該些柵極氧化層與每一該些第一導體層之間。
19.如權利要求13所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于更具有一第二介電層，配置在該第一介電層與該些第二導體層上；條狀的復數第三導體層，配置在該第二介電層上；一第三介電層，配置于該第二介電層與該些第三導體層上，其中該第三介電層具有復數個第二編碼開口，且該些第二編碼開口暴露出該些第三導體層表面；復數個第二阱區，個別配置于該些第二編碼開口底部的該些第三導體層中；以及條狀的復數第四導體層，配置在該第三介電層上與該些第二編碼開口中，其中該些第四導體層電性連接該些第二阱區，并且該第二介電層、該些第三導體層、該第三介電層、該些第二阱區、該些第四導體層構成一第二存儲單元數組。
20.如權利要求19所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于該些第三導體層的材質包括摻雜多晶硅。
21.如權利要求19所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于該些第三導體層的摻雜型態不同于該些第二阱區的摻雜型態。
22.如權利要求19所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于該些第四導體層的材質包括選自鋁、鎢與銅所組的族群其中之一。
23.如權利要求19所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于該些第三導體層的走向垂直于該些第四導體層的走向。
24.如權利要求19所述的罩幕式只讀存儲器的結構，其特征在于還具有復數層第二存儲單元數組，依序堆棧于該第二存儲單元數組上。
25.一種罩幕式只讀存儲器的譯碼方法，該罩幕式只讀存儲器至少包括復數條字符線、配置在該些字符線上的復數的阱區，其中該些字符線的摻雜型態(N+type)不同于該些阱區的摻雜型態(P+type)，以及復數條位線，其中該些位線垂直于該些字符線且與該些字符線設置于不同高度，并且該些位線與該些字符線的部分交會處個別電性連接至該些阱區，其特征在于該譯碼方法包括對一譯碼位置所對應的一位線施加一第一電壓，對于該位線之外的其它該些位線施加一第二電壓，其中該第一電壓大于該第二電壓，同時對該譯碼位置所對應的一字符線施加一第三電壓，對于該字符線之外的其它該些字符線施加一第四電壓，其中該第四電壓大于該第三電壓。
全文摘要
一種罩幕式只讀存儲器的制造方法，此方法于一基底上依序形成柵極介電層與條狀的復數第一導體層，再于基底與第一導體層上形成介電層。接著，圖案化介電層以形成復數的編碼開口，其中每一編碼開口底部暴露出第一導體層，再于編碼開口底部的第一導體層中形成復數的阱區。然后，于介電層上與編碼開口中形成條狀的復數第二導體層并電性連接至阱區以形成一二極管存儲單元數組。并且此二極管存儲單元數組可以堆棧復數層以增加元件的集成度。
文檔編號H01L21/70GK1521837SQ03102690
公開日2004年8月18日 申請日期2003年2月14日 優先權日2003年2月14日
發明者林圣評, 周聰乙, 楊俊儀, 李祥邦 申請人:旺宏電子股份有限公司