專利名稱：：金屬膜和金屬膜的形成方法金屬膜和金屬膜的形成方法
技術領域：
：本發明涉及金屬膜和該金屬膜的形成方法。
背景技術：
：通過圖案—智能(pattern-wise)蝕刻在基板上形成的金屬膜己用于各種電子產品。關于在基板上(金屬基板)形成的金屬膜，通過對基板進行表面粗糙處理使其具有錨固效應(anchoreffect)獲得基板和金屬膜間的粘附性質。結果，形成的金屬膜的基板界面變得粗糙，在使用金屬膜作為電氣布線的情況中，會導致高頻特性劣化的問題。此外，在形成金屬基板時，為進行表面粗糙處理，需要用諸如鉻酸之類的強酸處理基板的復雜工藝。為解決該問題，開發了如下的方法(參考日本專利申請特許公開(JP-A)No.58-196238):在基板上涂布含單體的涂布溶液，并用電子束或紫外光照射涂布溶液，以在基板上引入表面交聯聚合物，然后通過化學鍍形成金屬膜。在JP-ANo.58-196238中，對實際基板表面的狀況以及基板和金屬層的粘附性質沒有具體的研究。同樣，根據文獻的方法，由于交聯聚合物是通過涂布含單體的涂布溶液至基板，并用電子束或紫外光輻射形成，表面交聯聚合物的量應該很小，因此，基板和鍍膜(金屬膜)間的粘附強度應該很低。關于通過在基板上引入交聯聚合物，提高基板和金屬層粘附性質的方法，如下，公開了一種提高聚酰亞胺基板和銅層間的粘附性質的方法在聚酰亞胺基板上實施等離子體表面處理，在聚酰亞胺基板表面上引入聚合引發基團，從聚合引發基團聚合單體，在基板上引入交聯聚合物，并在交聯聚合物上形成金屬層(銅層)(參考EnTangKang，YanZhang,"Advanced禾才豐斗"，20，pl481-pl494禾口N.Inagaki,S.Tasaka，MMatsumoto，"Macromolecules"，29,pl642-p1648)。然而，該方法需要麻煩的等離子體表面處理，因此需要開發一種較簡便的方法。
發明內容本發明是在克服傳統技術的上述缺點的基礎上發明的，并且具有下述目的。艮P，本發明的一個目的是提供一種對基板具有優異粘附性質的金屬膜。本發明的另一目的是提供一種金屬膜形成方法，該方法通過簡單工藝能形成在基板上粘附性質優異且基板的界面處具有很小粗糙度的金屬膜。本發明人進行了各種研究，從而發現通過直接化學鍵合具有化學鍍催化劑的聚合物或其前體至基板，然后在聚合物上實施化學鍍，即使基板界面粗糙度很小，也可獲得粘附性質優異的金屬膜。現在，該發現導致了本發明的完成。本發明的金屬膜如下形成在表面粗糙度為500nm或更少的基板上的聚合物層上涂布化學鍍催化劑或其前體，然后實施化學鍍，所述聚合物層包含的聚合物具有能與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基且直接化學鍵合至基板，其中基板和金屬膜間的粘附強度為0,2kN/m或更多。聚合物層優選具有一個區域，該區域含25%體積百分比或更多的至少一種化學鍍催化劑和通過化學鍍沉積的金屬的分散細顆粒，在從聚合物層和金屬膜的界面朝向基板的方向上，該區域的厚度為0.05um或更多。基板優選為由lGHz下介電損耗因數為0.01或更少的絕緣樹脂制成的基板，或在基材上包括絕緣樹脂制成的層的基板。基板優選為由lGHz下介電常數為3.5或更少的絕緣樹脂制成的基板，或在基材上包括絕緣樹脂制成的層的基板。本發明中的基材指的是在其上形成金屬圖案的支持體材料，諸如聚酰亞胺膜或類似物。本發明中的基板指的是可與交聯聚合物直接化學鍵合的基板，下面將詳述交聯聚合物。例如，當諸如聚合引發層的中間層形成在基材上，然后在中間層上形成交聯聚合物時，基板包括基材和在基材上形成的中間層，當交聯聚合物直接形成在基材上時，基板指的是基材本身。本發明的金屬膜形成方法包括以下步驟(a)在表面粗糙度為500nm或更少的基板上引入聚合物，該聚合物具有能與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基并且能與基板直接化學鍵合；(b)在聚合物上涂布化學鍍催化劑或其前體；和(c)實施化學鍍。步驟(a)優選包括以下步驟(a-l)制造基板，其中含聚合引發劑的聚合引發層形成在表面粗糙度為500run或更少的基材上；和(a-2)在形成了聚合引發層的基板上引入聚合物，該聚合物具有能與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基和能與基板直接化學鍵合。步驟(a-2)優選包括使具有能與化學鍍催化劑或其前體相互作用的可聚合基和功能基的聚合物與形成有聚合引發層的基板接觸，然后向其施加能量，以使聚合物直接化學鍵合至基板的整個表面。在本發明的金屬膜形成方法中，一個優點是，具有理想膜厚的金屬圖案可在步驟(c)后，通過步驟(d)實施電鍍形成。在本發明的金屬膜形成方法中，在步驟(c)或步驟(d)后，優選實施干燥步驟。.本發明的機理不是特別清楚，但是認為如下在本發明中其上形成了金屬膜的基板為光滑基板，基板表面粗糙度為500nm或更少。然而，一般認為，通過表面交聯的表面改性導致金屬膜的基板界面和直接鍵合至基板的聚合物之間形成雜化態，因此，即使基板表面光滑，也可在金屬膜和基板間獲得高粘附性質。此外，用本發明的金屬膜形成方法中形成的交聯聚合物是通過基板界面聚合形成，因此，聚合物應該具有高移動性(mobility)并且易與化學鍍催化劑或其前體相互作用。此外，一般認為，由于交聯聚合物的高移動性，化學鍍溶液易滲透入形成的表面交聯層內部，因此化學鍍在表面交聯層的內部和上層進行，由此，雜化態易在金屬膜和直接鍵合至基板的聚合物間形成，其促進金屬膜和基板間粘附性質的提高。此外，本發明金屬膜形成方法的優選實施方案中，含聚合引發劑的聚合引發層形成在基材上。在該實施方案中，由于含聚合引發劑的聚合引發層形成在基材上，一般認為，在基板表面上產生的自由基(radicalspecies)的量僅通過照射諸如紫外光的通常使用的曝光源提高，由此，可產生大量交聯聚合物，使金屬膜和交聯聚合物的雜化態易于形成，基板和金屬膜間的粘附性質進一步提高。此外，本發明金屬膜形成方法的優選實施方案包括如下步驟使具有可聚合基和可與化學鍍催化劑或其前體相互作用功能基的聚合物與聚合引發層表面接觸，然后施加能量(applyingenergy)，使聚合物直接化學鍵合至基板。通常的交聯聚合方法涉及使形成了聚合引發層的基板浸入單體溶液，并施加能量。然而，用該技術很難實現大規模生產。同樣，涂布單體溶液至基板和施加能量的方法也是公知的，然而由于單體為液體形式，很難使單體在基板上保持均勻，且交聯后表面粗糙度下降。另一方面，當使用具有可聚合基和可與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基的聚會物時，由于可在形成了聚合引發層的基板上形成涂布膜，然后施加能量，大規模生產變為可行，并且由于聚合物為固體形式，可均勻地形成膜。下面，將詳述本發明。[金屬膜]本發明的金屬膜如下形成在表面粗糙度為500nm或更少的基板上的聚合物層上涂布化學鍍催化劑或其前體，然后實施化學鍍，聚合物層含有的聚合物具有可與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基且直接化學鍵合至基板，其中基板和金屬膜間的粘附強度為0.2kN/m或更多。g卩，盡管基板表面沒有糙化且因此很光滑，基板和金屬膜間的粘附性質很優異。本發明的基板的表面粗糙度為500nm或更少，優選100nm或更少，更優選50nm或更少，并且甚至更優選20nm或更少。如果基板的表面粗糙度在上述范圍內，當使用本發明的金屬膜進行配線等時，在高頻電傳輸時抑制電損失。基板表面的Rz(10-點平均粗糙度)為450nm或更少，優選80nm或更少，更優選40nm或更少，并且甚至更優選15nm或更少。按照JISB0601，測量Rz，在指定面上，從第一最大值到第五最大峰值的Z數據的平均值和從第一最小值到第五最小谷值平均值間的差別。本發明的金屬膜在基板和金屬膜間具有0.2kN/m或更多的粘附強度。盡管粘附強度沒有上限，通常，約為0,2到2.0kN/m。關于傳統金屬膜，基板和金屬膜間的粘附強度一般在0.2到3.0kN/m的范圍內。因此，可理解，實際使用中，本發明的金屬膜具有足夠的粘附強度。此外，在本發明中，金屬膜和基板間存在的聚合物層優選具有一個區域，該區域含25%體積百分比或更多的，至少一種化學鍍催化劑的分散細顆粒和通過化學鍍沉積的金屬，在從聚合物層和金屬膜的界面朝向基板的方向上，該區域的厚度為0.05um或更多。如下，更詳細地描述了聚合物層中存在的細顆粒的狀況在聚合物層(交聯膜)中，在從聚合物層和金屬膜的界面朝向基板的方向上，在聚合物層的界面側，以高密度分散有含化學鍍催化劑的細顆粒和/或通過化學鍍沉積的金屬。在細顆粒的該分散狀態中，從獲得金屬膜粘附強度考慮，優選具有一個區域，其在金屬膜和聚合物層的界面外圍含25%體積百分比或更多的細顆粒。細顆粒的量更優選至少30%體積百分比，更優選至少40%體積百分比，和甚至更優選至少50%體積百分比。在聚合物層中，存在高密度細顆粒的區域位于，在從聚合物層和金屬膜的界面朝向基板的方向上，優選0.05tim或更多的深度，更優選O.lpm或更多，更優選0.2,或更多，以及甚至更優選0.3pm或更多。通常，關于金屬膜，用基板控制界面處的粗糙度為500nm或更少并實施圖案一識別(pattern-wise)蝕刻可如下獲得高頻特性優異的金屬圖案。這里，高頻特性尤其是指降低傳輸損失的性能和尤其降低傳輸損失中傳導損失的性能。在這一點上，關于傳統的金屬膜，如果基板的表面粗糙度降低，基板和金屬膜間的粘附性質劣化。因此，不得不通過各種方法糙化基板表面，在其上形成金屬膜。因此，傳統的金屬膜和基板間的界面處的粗糙度通常為2000nm或更多。另一方面，因為基板界面處于金屬膜和直接化學鍵合至基板的聚合物層的雜化態，本發明的金屬膜能保持優異的粘附性質。如上述，在本發明的金屬膜中，將在基板界面處的粗糙度降低至最小程度，同時，保持基板和金屬膜間的粘附性質。本發明的金屬膜可用作電磁波保護膜，以及，通過蝕刻使金屬膜行成圖案，具有各種用途，諸如，半導體芯片，各種電氣布線板，FPC，COF，TAB，天線，多層配線板，主板。如下述，通過本發明的金屬膜形成方法可制造本發明的金屬膜。下面，將詳述本發明的金屬膜形成方法。本發明的金屬膜形成方法包括以下步驟(a)在表面粗糙度為500nm或更少的基板上引入聚合物，其具有能與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基團并且可直接化學鍵合至基板；(b)在聚合物山涂布化學鍍催化劑或其前體；和(c)實施化學鍍。下面，將依次詳述上述各個步驟(a)到(c)。[步驟(a)]步驟(a)中，在表面粗糙度為500nm或更少的基板上引入聚合物，其具有能與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基(下面，常稱作相互作用基)且可直接化學鍵合至基板。本發明中的步驟(a)優選包括以下步驟(a-l)制造基板，其中含聚合引發劑的聚合引發層形成在表面粗糙度為500nm或更少的基材上；和(a-2)在形成了聚合引發層的基板上引入聚合物，其具有能與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基團且可直接化學鍵合至基板。上述步驟(a-2)優選包括以下步驟使具有可聚合基和可與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基的聚合物接觸形成了聚合引發層的基板，然后，向其施加能量，直接化學鍵合聚合物至基板整個表面。(表面交聯)在本發明中，通過通常使用的所謂的表面交聯聚合，將聚合物引入基板表面。交聯聚合是通過加入活性基團至聚合物化合物鏈并使其與另一個能引發聚合的單體聚合，制備交聯聚合物的方法。尤其，當提供活性基團的聚合物化合物位于固體表面時，稱作表面交聯聚合。用于本發明的表面交聯聚合方法包括文獻中描述的任何已知方法。其例子包括NewPolymerExperimentalStudiesvol.10(Soc.PolymerScienceJapanEd.,1994，KyoritsuShuppanCo"Ltd.,p.135)中描述的接枝聚合方法和等離子體照射交聯聚合方法。此外，其例子也包括HandbookofAbsorptionTechnology(NTS.,TakeuchiEd"Feb.1999，p.203和695)中描述的使用Y射線或電子束的輻射照射交聯聚合方法。接枝(photo-graft)聚合方法的具體實例包括JP-ANos.63-92658，10-296895和11-119413中描述的方法。除了以上的方法，制備具有聚合物化合物鏈終端的直接化學鍵合的表面交聯層的方法包括在聚合物化合物鏈終端引入反應功能基，諸如三垸氧基硅基，異氰酸酯基，氨基，羥基或羧基，以及在基板表面上存在的功能基之間引發偶聯反應。在這些方法中，從產生更多表面交聯聚合物的角度考慮，接枝聚合方法是優選的。本發明的基板表面可與具有相互作用基的聚合物化合物終端直接或經主干聚合物化合物化學鍵合，基材可具有該表面性質，或獨立在基材上形成的中間層可具有該性質。同樣，具有相互作用基的聚合物化合物鏈的終端通過主干聚合物化合物直接與表面進行化學鍵合的方法是這樣一種方法合成聚合物化合物，該化合物具有可與基板表面上的功能基和相互作用基進行偶聯反應的功能基，接著通過基板表面上的功能基和聚合物化合物的偶聯反應形成表面。另一方法是，如果基板表面能夠產生自由基(radicalspecies)，合成聚合物化合物，該化合物具有可聚合基和相互作用基，將該聚合物化合物涂布到基板表面，產生自由基(radicalspecies)并引起基板表面和聚合物化合物間的聚合反應。在本發明中，如上述，活性基團在基板表面上產生，并通過該活性基團作為發起點，形成交聯聚合物。形成交聯聚合物時，從產生足夠活性中心和形成較大量表面交聯聚合物的角度考慮，優選在表面粗糙度為500nm或更少[步驟(a-l)]的基材上形成含聚合引發劑的聚合引發層。聚合引發層優選含有可聚合化合物和聚合引發劑。如下形成本發明中.的聚合引發層在溶劑中溶解需要的組分，該溶劑可溶解這些組分，通過涂布等在基板表面上提供這些組分，并通過加熱或光照固化。(a)可聚合化合物不特殊限制聚合引發層使用的可聚合化合物，只要與基材有好的粘附性質以及通過施加諸如活化光束照射的能量可形成表面交聯聚合物即可。作為可聚合化合物，可使用多官能團單體，并且尤其優選使用分子中具有可聚合基的疏水聚合物。疏水聚合物的實例包括諸如聚丁二烯，聚異戊二烯和聚戊二烯的二烯的均聚物；諸如(甲基)丙烯酸烯丙酯，(甲基)丙烯酸2-烯丙氧基乙基酯的含烷基單體均聚物；苯乙烯的二或多組分共聚物，(甲基)丙烯酸酯,甲基丙烯氰等，其含諸如丁二烯，異戊二烯和戊二烯的二烯型單體，或含烯丙基單體作為組成單元；和在分子中具有碳-碳雙鍵的線型聚合物或三維聚合物，諸如不飽和聚酯，不飽和環氧化物，不飽和聚酰氨，不飽和丙烯酸聚合物和高密度聚乙烯類化合物。在該說明書中，單詞"(甲基)丙烯酸"可用于表示丙烯酸和(甲基)丙烯酸的一種或兩種。基于聚合引發層的固體含量，聚合引發層中可聚合化合物的含量優選為0到100%質量百分比和更優選10到80%質量百分比。(b)聚合引發劑，聚合引發層含聚合引發劑，通過施加能量引發聚合。使用的聚合引發劑可從已知的熱聚合引發劑，光聚合引發劑等選擇，根據應用，通過施加某些能量，例如，活化光照射，熱，電子束照射等，這些引發劑可引起聚合。在這些聚合引發劑中，優選使用光聚合引發劑，因為從生產能力的角度考慮，優選使用光聚合。不特殊限制光聚合引發劑，只要其可通過活化光照射活化且可導致表面聚合，例如，可使用自由基聚合引發劑，陰離子聚合引發劑，陽離子聚合引發劑等，并且從反應性的角度考慮，優選自由基聚合引發劑。光聚合引發劑的具體實例包括苯乙酮類化合物，諸如對-四-丁基三氯苯乙酮，2,2'-二乙氧基苯乙酮和2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮；酮類，諸如二苯甲酮，4，4'-雙二甲基氨基苯乙酮，2-氯噻噸酮，2-甲基噻噸酮，2-乙基噻噸酮和2-異丙基噻噸酮；安息香醚類化合物，諸如，安息香，安息香甲基醚，安息香異丙基醚和安息香異丁基醚；芐基縮酮類化合物，諸如節基二甲基縮酮和羥基環己基苯基酮；等等。基于聚合引發層中的固體物質，聚合引發劑的含量優選在0.1到70%質量百分比范圍內和更優選在1到40%質量百分比范圍內。不特殊限制應用可聚合化合物和聚合引發劑時使用的溶劑，只要能溶解這些組分即可。從易干燥和可使用性的角度考慮，溶劑優選不具有過高的沸點，更具體的，溶劑沸點優選為約40到150。C。其具體實例包括丙酮，甲基乙基酮，環己烷，乙酸乙酯，四氫呋喃，甲苯，乙二醇單甲醚，乙二醇單乙醚，乙二醇二甲醚，丙二醇單甲醚，丙二醇單乙醚，乙酰丙酮，環己酮，甲醇，乙醇，l-甲氧基-2-丙醇，3-甲氧基丙醇，二乙二醇單甲醚，二乙二醇單乙醚，二乙二醇二甲醚，二乙二醇二乙醚，丙二醇單甲醚乙酸鹽，丙二醇單乙醚乙酸鹽，醋酸3-甲氧基丙酯，等等。這些溶劑可單獨或結合使用。涂布溶液中固體物質的濃度優選為2到50%質量百分比。在保持層的性能的同時，為充分引起聚合和防止層脫落，在基板上形成的聚合引發層的涂布量優選為0.1到20g/m和更優選l到15g/m作為干物質。本發明中，如上所述，在基材表面涂布用于形成聚合引發層的組分，然后去除溶劑，形成聚合引發層；并且同時優選通過加熱和/或光照硬化該層。尤其優選通過加熱干燥該層，接著通過光照部分地硬化該層，這樣可以使可聚合化合物部分硬化，在完成交聯反應后有效防止整個聚合引發層的脫落。使用光照射進行部分硬化的原因與光聚合引發劑部分中描述的相同。在充分去除涂布溶劑的條件范圍內可選擇適當的溫度和加熱時間，但溫度優選為100。C或更少和干燥時間為30分鐘或更少，此外，從生產能力的角度考慮，更優選干燥溫度為40到80。C和干燥時間為10分鐘或更少的加熱條件。在加熱干燥后，也可用下述交聯反應中使用的光源進行需要的光照射。為了不抑制隨后交聯反應中施加能量引起的聚合引發層上的活性中心和交聯鏈之間形成鍵合，優選實施一定程度的光照射，以使聚合引發層中的可聚合化合物僅部分，而不是完全的自由基聚合。光照射時間可根據光源的強度改變，但通常優選為30分鐘或更少。部分硬化的粗糙標準是，在溶劑洗滌后10%或更少的層殘留比率，以及部分硬化后的引發劑殘留比率為1%或更多。(基材)用于本發明中的基材優選具有尺寸穩定性且為板型材料。其實例包括紙，塑料(例如，聚乙烯，聚丙烯，聚苯乙烯)層壓紙，金屬板(例如，鋁，鋅，銅等)；塑料膜(例如，二乙酸纖維素，三乙酸纖維素，丙酸纖維素，丁酸纖維素，乙酸丁酸纖維素，硝酸纖維素，聚乙烯對苯二酸酯，聚乙烯，聚苯乙烯，聚丙烯，聚碳酸酯，聚乙烯縮醛，聚酰亞胺，環氧樹脂等)；紙或塑料膜，在其上層壓或真空沉積有上述金屬等。優選聚酯或聚酰亞胺膜作為用于本發明的基材。此外，通過使用蝕刻形成圖案，本發明的金屬膜可用于半導體封裝，各種電氣布線基板等。如下述，當金屬膜用于該場合時，優選使用絕緣樹脂作為基板。絕緣樹脂的實例包括樹脂，諸如聚苯醚或變性的聚苯醚，氰酸酯化合物和環氧化合物。優選使用含這些樹脂中至少一種的熱硬化性樹脂組合物形成的基板。當結合這些樹脂中的至少兩種形成樹脂組合物時，樹脂組合的優選實例包括聚苯醚或變性的聚苯醚和氰酸酯化合物的組合，聚苯醚或變性的聚苯醚和環氧化合物的組合，和聚苯醚或變性的聚苯醚和氰酸酯化合物和環氧化合物的組合。當使用熱硬化性樹脂組合物形成基板時，優選使用不含選自硅，云母，氫氧化鋁和氫氧化鎂的無機填充物的熱硬化性樹脂組合物，也優選使用含有溴化物或磷化合物的熱硬化性樹脂組合物。.其它絕緣樹脂的實例包括l，2-bis(乙烯基苯基)乙垸樹脂或聚苯醚樹脂和l,2-bis(乙烯基苯基)乙烷樹脂的變性樹脂。在"應用聚合物科學雜志(JournalofAppliedPolymerScience)"SatoruAmabaetal，vol.92，pp.1252到1258(2004)中進一步描述了該樹脂的細節。此外，其它絕緣樹脂的優選實例包括可購得的液晶聚合物，其商品名為"Vecster"(KurarayCo.，Ltd.制造)或氟代樹脂，諸如作為典型實例的聚四氟乙烯(PTFE)。在這些樹脂中，聚四氟^烯(PTFE)是在聚合物材料中具有最優異的高頻特性的材料。然而，由于PTFE是具有低Tg的熱塑料樹脂，和對熱具有差的尺寸穩定性，在機械強度方面，PTFE要比熱硬化性樹脂材料差。PTFE還具有可成型性和可使用性差的問題。此外，諸如聚苯醚(PPE)的熱塑料樹脂可與熱硬化性樹脂混合使用。混合的實例包括PPE和環氧樹脂的混合樹脂，PPE和三烯丙基異氰酸酯的混合樹脂或具有可聚合功能基的PPE樹脂和其它熱硬化性樹脂的混合樹脂。環氧樹脂本身沒有足夠的介電性質。然而，通過引入大的骨架等，環氧樹脂的性質得到改進。用這種方法，優選使用樹脂，其中各自的性質得到最好的應用，向其中引入補償缺點的結構，并改性。例如，在熱硬化性樹脂中，盡管氰酸酯為具有最優異的介電性質的樹脂，但不經常單獨使用氰酸酯，卻用作環氧樹脂，馬來酰亞胺樹脂或熱塑料樹脂的變性樹脂。在"電子技術(electronictechnology)"No.9,pp.35(2002)中描述了細節，且當選擇絕緣樹脂時，也可參考這些描述。當本發明金屬膜用于半導體封裝，各種電氣布線等時，從高速處理大量存儲數據的角度考慮，為降低信號延遲和衰減，降低基板的介電常數和介質損耗因數是有效的。如"ElectronicsPackagingInstitutionalJournal"vol.7，No.5,pp.397(2004)中所述，使用低介質損耗因數材料是正確的。從高速數據處理的角度考慮，尤其優選使用具有低介質損耗因數性質的絕緣材料。具體地，優選本發明中的基板為由絕緣樹脂制造的基板，該樹脂的介電常數，即相對介電常數在lGHz下為3.5或更少；或在基材上包括由絕緣樹脂形成的層的基板。同樣，優選本發明中的基板為由絕緣樹脂制造的基板，該樹脂的介質損耗因數在lGHz下為0.01或更少，或在基材上包括由絕緣樹脂制造的層的基板。絕緣樹脂的介電常數和介質損耗因數可通過傳統的方法測定，例如，在l8thJ正PAnnualMeeting,2004，pi89的摘要中描述的方法，其中使用了諧振腔微擾法(例如，KeycomCo.,Ltd制造的用于超薄板的er，tanS測量設備)。因此，在本發明中，根據介電常數和介質損耗因數選擇絕緣樹脂是有用的。介電常數為3.5或更少且介質損耗因數為0.01或更少的絕緣樹脂的實例包括液晶聚合物，聚酰亞胺樹脂，氟代樹脂，聚苯醚樹脂，氰酸酯樹脂，雙(雙苯基)乙烷樹脂等，并且還包括以上樹脂的改性樹脂。用于本發明的金屬膜形成方法的基板的表面粗糙度為500nm或更少，優選100nm或更少，更優選50nm或更少，并且甚至更優選20nm或更少。Rz(lO-點平均粗糙度)基板表面為500nm或更少，優選IOOnm或更少，更優選50nm或更少，并且甚至更優選20nm或更少。用于本發明的金屬膜形成方法的基材的表面粗糙度為500nm或更少，優選100nm或更少，更優選50nm或更少，并且甚至更優選20nm或更少。基材表面的Rz(10-點平均粗糙度)為500nm或更少，優選100nm或更少，更優選50nm或更少，和甚至更優選20nm或更少。根據JISB0601，測量Rz，在指定面上從第一最大值到第五最大峰值的Z數據的平均值和從第一最小值到第五最小谷值的平均值差別。(交聯聚合物的形成)關于步驟(a)中的交聯聚合物形成的實施方案，如上述，可使用利用在基板表面上的功能基和聚合物化合物終端或側鏈上的反應功能基進行偶聯反應的方法，或直接實施基板的光交聯聚合的方法。在本發明中，優選在形成了聚合引發層的基板上引入聚合物的實施方案[步驟(a-2)],該聚合物具有可與化學鍍催化劑或其前體相互作用且可直接化學鍵合至基板的功能基(相互作用基)。此外，更優選如下的實施方案使具有可聚合基和可與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基(相互作用基)的聚合物與形成了聚合引發層的基板接觸，然后施加能量，直接化學鍵合聚合物至基板整個表面。即，使含具有可聚合基和相互作用基化合物的組合物與具有聚合引發層的基板表面接觸，同時，通過在基板表面上產生的活性基團鍵合至基板表面。可通過將基板浸入含具有可聚合基和相互作用基化合物的液態組合物實施上述接觸，然而，從可操作性和生產效率的角度考慮，如下述，通過涂布方法，可在基板表面上形成含組合物的層，該組合物含具有可聚合基和相互作用基的化合物作為主要組分。<利用在基板表面上的功能基和聚合物化合物的終端或側鏈上的反應功能基進行偶聯反應的方法>在本發明中，用于形成交聯聚合物的偶聯反應可為任何反應。尤其優選基板表面的功能基和聚合物化合物的終端或側鏈上的反應功能基的組合，反應功能基可為(-COOH，胺)，(-COOH，azilidine),(-COOH，異氰酸酯)，(-COOH，環氧)，(-NH2，異氰酸酯)，(-NH2，醛)，(-OH，醇)，(-OH，鹵代化合物)，(-OH，胺)和(-OH，酸酐)。從高反應性的角度考慮，尤其優選(-OH，聚異氰酸酯)和(-OH，環氧)的組合。<基板的直接光交聯聚合法〉(具有相互作用基且經歷光交聯聚合的單體)在本發明中，具有相互作用基且可直接化學鍵合至基板，且通過基板的直接光交聯聚合可用于形成交聯聚合物的化合物實例包括以下單體，例如，單體，其具有以下功能基，諸如羧基，磺酸基，磷酸基，氨基和它們的鹽，羥基，氨基，磷化氫基，咪唑基，吡啶基和它們的鹽和醚基。具體實例包括(甲基)丙烯酸和其堿金屬鹽和胺鹽；亞甲基丁二酸和其堿金屬鹽和胺鹽；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯，(甲基)丙烯酰胺，N-單甲醇(甲基)丙烯酰胺，N-二甲醇(甲基)丙烯酰胺，和丙烯基胺和丙烯基胺氫鹵化物，3-乙烯基丙酸和其堿金屬鹽和胺鹽；乙烯基磺酸和g堿金屬鹽和胺鹽；(甲基)丙烯酸2-磺酸乙酯，聚環氧乙烷乙二醇單(甲基)丙烯酸酯，2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸，氧代磷酸(acidphosphoxy),聚環氧乙垸乙二醇單(甲基)丙烯酸酯，和N-乙烯基吡咯啉酮(下列結構)。這些單體可單獨或兩種或更多種結合使用。(具有相互作用基且可直接化學鍵合至基板的聚合物)本發明中的具有相互作用基并且可直接化學鍵合至基板的聚合物可以由具有相互作用基的單體形成。如下獲得聚合物將含乙烯基的可聚合不飽和基團(可聚合基)引入使用至少一種具有相互作用基的單體獲得的均聚物或共聚物，其中不飽和基團可以是可聚合的乙烯基，丙烯基，(甲基)丙烯酸基。即，具有可聚合基和相互作用基的聚合物更優選使用。具有可聚合基和相互作用基的聚合物在終端或側鏈上包括至少一種可聚合基，且更優選在終端具有可聚合基的聚合物，且甚至更優選在終端和側鏈上具有可聚合基的聚合物。如上述，因為以下原因，在本發明中優選使用具有可聚合基和相互作用基的聚合物。即，在使用單體交聯聚合的情況中，考慮到可使用性，很難通過浸入單體溶液的方法大規模生產。同樣，通過涂布單體溶液，并使單體溶液在基板上保持均勻，直到光照的方法，也很難大規模生產。此外，盡管在薄膜或類似物上覆蓋單體溶液的方法是已知的，但很難均勻覆蓋溶液且由于需要覆蓋工作，工作變得復雜。另一方面，在使用聚合物的情況下，聚合物在涂布后變為固體，并且因此，可形成均勻的膜和大規模生產也變得容易。用于合成上述聚合物的具有相互作用基的單體可為以下單體。其例子包括具有功能基的單體，功能基為，例如，羧基，磺酸基，磷酸基，氨基和它們的鹽，羥基，氨基，磷化氫基，咪唑基，吡啶基和它們的鹽，和醚基。其具體實例包括(甲基)丙烯酸或其堿金屬鹽和胺鹽；亞甲基丁二酸和其堿金屬鹽和胺鹽；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯，(甲基)丙烯酰胺，N-單甲醇(甲基)丙烯酰胺，N-二甲醇(甲基)丙烯酰胺和丙烯基胺和丙烯基胺氫鹵化物，3-乙烯基丙酸和其堿金屬鹽和胺鹽；乙烯基磺酸和其堿金屬鹽和胺鹽；(甲基).丙烯酸2-磺酸乙酯，聚環氧乙烷乙二醇單(甲基)丙烯酸酯，2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸，氧代磷酸(acidphosphoxy)，聚環氧乙烷乙二醇單(甲基)丙烯酸酯和N-乙烯基吡咯啉酮(下列結構)。這些單體可單獨或兩種或多種結合使用。可如下合成具有可聚合基和相互作用基的聚合物。合成方法的實例可為i)共聚具有相互作用基單體和具有可聚合基單體的方法；ii)共聚具有相互作用基的單體和具有雙鍵前體的單體，然后通過堿等處理，引入雙鍵的方法；和iii)使具有相互作用基的聚合物和具有可聚合基的單體反應和由此引入雙鍵(引入可聚合基)的方法。從適于合成的角度考慮，優選共聚具有相互作用基的單體和具有雙鍵前體的單體，然后通過用堿等處理引入雙鍵的方法ii)和使具有相互作用基的聚合物和具有可聚合基的單體反應和由此引入可聚合基的方法Ui)。用于合成具有可聚合基和相互作用基的聚合物的具有相互作用基的單體可為與上面示例的具有相互作用基的單體相似的單體。這些單體可單獨或兩種或多種結合使用。與具有相互作用基的單體共聚的具有可聚合基的單體可為(甲基)丙烯酸丙烯酯和甲基丙烯酸2-丙烯氧基乙酯。具有雙鍵前體的單體可為甲基丙烯酸2-(3-氯-l-氧丙氧基)乙酯和甲基丙烯酸2-(3-溴-l-氧丙氧基)乙酯。通過與具有相互作用基聚合物中的諸如羧基，氨基和其鹽，羥基和環氧基的功能基反應，用于生產不飽和基團的具有可聚合基的單體可為(甲基)丙烯酸，(甲基)丙烯酸縮水甘油酯，烯丙基縮水甘油醚和(甲基)丙烯酸2-異氰酸乙酯。在本發明中，可使用大分子單體。生產用于本發明中的大分子單體的方法可為，例如，"大分子單體化學和工業(ChemistryandIndustryofmacromonomer)"(Ed.，YuyaYamashita)，商業出版和咨詢公司(IndustrialPublishing&Consulting,Inc.)1989年9月20日出版，第2章"大分子單體合成(Synthesisofmacromonomer)"中描述的各種方法。用于本實施方案的大分子單體的尤其優選的實例包括衍生自諸如丙烯酸或甲基丙烯酸的含羧基單體的大分子單體；衍生自諸如2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸，乙烯基苯乙烯磺酸及其鹽的單體的磺酸型大分子單體；衍生自諸如(甲基)丙烯酰胺，N-乙烯基乙酰胺，N-乙烯基甲酰胺和N-乙烯基羧酸氨基化合物的單體的氨基型大分子單體；衍生自諸如甲基丙烯酸羥基乙酯，丙烯酸羥基乙酯和甲基丙烯酸單甘油酯的含羥基單體的大分子單體；衍生自諸如丙烯酸甲氧基乙酯，丙烯酸甲氧基聚乙烯乙二醇酯和丙烯酸聚乙烯乙二醇酯的含垸氧基或乙撐氧基的單體的大分子單體；等等。此外，也可有效地使用具有聚乙烯乙二醇鏈或聚丙烯乙二醇鏈的大分子單體作為用于本發明的大分子單體。這些大分子單體的分子量優選在250到100,000的范圍內，并且尤其優選在400到30，000的范圍內。不特殊限制用于含具有相互作用基的單體和具有可聚合基和相互作用基的聚合物的組合物的溶劑，只要其可以溶解具有相互作用基的單體和具有可聚合基和相互作用基的化合物，其為組合物中的主要組分。溶劑還可與表面活性劑混合。可用的溶劑為，例如，醇類溶劑，諸如甲醇，乙醇，丙醇，乙二醇，丙三醇，丙二醇單甲醚；酸，諸如乙酸；酮類溶劑，諸如丙酮和環己酮；和胺類溶劑，諸如甲酰胺和二甲基乙酰胺。不特殊限制加在溶劑中表面活性劑，只要其溶于溶劑即可，并且表面活性劑的實例包括陰離子型表面活性劑，諸如正十二烷基苯磺酸納；陰離子型表面活性劑，諸如正十二烷基三甲基氯化銨；非離子型表面活性劑，諸如聚氧乙烯壬基苯酚醚(商業產品例如，Emulgen910，KaoCorporation制造)，聚氧乙烯失水山梨醇單月桂酸酯(商業產品例如，商標名"Tween20")和聚氧乙烯月桂醇醚；等等。如果使用的組合物為液體，可自由使用表面活性劑。當通過涂布法形成含相互作用基的組合物涂層時，從獲得與鍍層的催化劑或前體充分相互作用并獲得均勻涂層的角度考慮，涂布量優選為O.l到lOg/n^和更優選0.5到5g/n^的固體物質。(施加能量)通過使用諸如熱或光的輻射射線，實施向基板表面施加能量的方法。例如，可利用使用UV燈或可見光線的光照射和通過熱板的加熱。可使用的光源為，例如，汞燈，金屬鹵化物燈，氙燈，化學燈和碳弧燈。同樣，可使用g-射線和i-射線。盡管其根據目標交聯聚合物和光源的產生量而不同，但施加能量所耗的時間一般在10秒到5小時的范圍內。通過如上述的步驟(a)，可將具有相互作用基的聚合物(交聯聚合物)引至基板上。[步驟(b)]在步驟(b)中，應用化學鍍催化劑或其前體至具有相互作用基的聚合物且通過步驟(a)引至基板上。〈化學鍍催化劑(Electrolessplatingcatalyst)>該步驟中使用的化學鍍催化劑主要為Pd，Ag，Cu,Ni，Al，Fe,Co等的0-價金屬。在本發明中，尤其優選Pd和Ag，因為較易處理和催化活性較高。在相互作用區固定0-價金屬的方法包括，例如，向交聯聚合物應用金屬膠體的方法，其中，調整電荷，以與交聯聚合物的相互作用基相互作用。通常，可通過在含帶電表面活性劑或帶電保護基的溶液中還原金屬離子制備金屬膠體。可通過使用的表面活性劑或保護試劑調節金屬膠體的電荷，以及當使這樣調整了電荷的金屬膠體與交聯聚合物的相互作用基相互作用時，由于相互作用基主要為極性基團，金屬膠體(化學鍍催化劑)將選擇性吸附在交聯聚合物上。<化學鍍催化劑前體>不特殊限制該步驟使用的化學鍍催化劑前體，只要其在化學反應中可變為化學鍍催化劑。通常使用用做化學鍍催化劑的o-價金屬的金屬離子。將化學鍍催化劑前體，金屬離子，在還原反應中轉化為化學鍍催化劑，o-價金屬。在加到基板之后且浸入到化學鍍浴之前，在獨立的還原步驟中可將化學鍍催化劑前體，金屬離子轉化為化學鍍催化劑，o-價金屬，或者，可將化學鍍催化劑前體浸入化學鍍浴并通過化學鍍浴中的還原劑轉化為金屬(化學鍍催化劑)。實際上，將化學鍍催化劑前體金屬離子以金屬鹽的形式加入到交聯圖案。不特殊限制使用的金屬鹽，只要其溶于合適的溶劑，提供金屬離子和堿(陰離子)，其實例包括M(N03)n，MCln,M2/n(S04),M3/n(P04)(M為n-價金屬原子)等。優選使用的金屬離子是通過上述的金屬鹽分裂形成的金屬離子。具體實例包括Ag離子，Cu離子，Al離子，Ni離子，Co離子，Fe離子，Pd離子等，且從催化活性的角度考慮，優選Ag和Pd離子。將金屬膠體(化學鍍催化劑)或金屬鹽(化學鍍催化劑前體)加到交聯聚合物上的方法可為如下方法在合適的分散介質中分散金屬膠體或將金屬鹽溶于合適的溶劑，以制備含解離金屬離子的溶液；和涂布該溶液至具有交聯聚合物的基板表面或將具有交聯聚合物的基板浸入溶液。接觸含金屬離子的溶液允許金屬離子通過離子-離子或偶極-離子相互作用吸附到相互作用區中的相互作用基上，或將金屬離子注入相互作用區。為了獲得該吸附或注入到滿意的程度，在接觸溶液中的金屬離子或鹽的濃度優選在0.01到50%質量百分比和更優選0.1到30%質量百分比的范圍內。此外，接觸時間優選為約1分鐘到24小時和更優選約5分鐘到1小時。[步驟(c)]在步驟(c)中，在加入了化學鍍催化劑或其前體的聚合物(交聯聚合物)表面上實施化學鍍，由此在其上形成了交聯聚合物的基板上形成高密度金屬膜。形成的金屬膜具有優異的導電性和粘附性質。<化爭鍍〉化學鍍是通過使用含待沉積的金屬離子的溶液，用化學反應沉積金屬的工藝。例如，通過用水清洗具有化學鍍催化劑的基板，去除多余的化學鍍催化劑(金屬)，然后浸入化學鍍浴，實施該步驟中的化學鍍。可使用本領域中已知的任何化學鍍浴作為化學鍍浴。當具有化學鍍催化劑前體的基板浸入化學鍍浴，在其上吸附了化學鍍催化劑前體或注入交聯聚合物中時，在用水清洗去除多余的前體(金屬鹽等)后，將基板浸入化學鍍浴。在這種情況中，在化學鍍浴中實施前體的還原和隨后的化學鍍。與上面相似，可使用本領域中已知的任何化學鍍浴作為化學鍍浴。普通化學鍍浴中的組合物主要含有1.鍍層金屬離子，2.還原劑和3.用于穩定金屬離子的添加劑(穩定劑)。除了上述的，鍍浴也可含任何已知的添加劑，諸如鍍液穩定劑等。用于化學鍍浴的金屬包括銅，錫，鉛，鎳，金，鈀和銠，且在這些金屬當中，從傳導率的角度考慮，尤其優選銅和金。根據金屬選擇最佳的還原劑和添加劑。例如，銅化學鍍浴含Cu(S04)2作為銅鹽，HCOH作為還原劑和螯合劑，諸如EDTA和四水合酒石酸鉀鈉(Rochellesalt)(銅離子穩定劑)作為添加劑。或者，用于CoNiP的化學鍍的鍍浴含硫酸鈷和硫酸鎳作為金屬鹽，次磷酸鈉作為還原劑和丙二酸鈉，蘋果酸鈉，琥珀酸鈉作為螯合劑。或者，鈀化學鍍浴含(Pd(NH3)4)Cl2作為金屬離子，NH3和H2NNH2作為還原劑和EDTA作為穩定劑。除了上面的組分外，這些鍍浴也可含其它組分。可通過控制鍍浴中金屬鹽或離子的濃度，在鍍浴中的浸入時間或鍍浴的溫度等調整這樣形成的金屬膜的厚度，從傳導率的角度考慮，優選為0.5拜或更多和更優選3pm或更多。鍍浴中的浸入時間優選為約1分鐘到6小時和更優選約1分鐘到3小時。這樣獲得的金屬膜的橫截面的SEM觀察揭示，有大量化學鍍催化劑和鍍層金屬的細顆粒緊密分散在表面交聯層(聚合物層)中，以及鍍層金屬還沉積在交聯層上。因為界面基板和金屬膜間的(鍍層)為交聯聚合物和細顆粒的雜化態，甚至當基板(有機組分)和無機物質(化學鍍催化劑和鍍層金屬)間的界面表面的不規則度為500nm或更少時，粘附度仍較好。橫截面狀況的細節與上述金屬膜的解釋細節相同。<電鍍步驟>根據本發明的金屬膜形成方法還具有另外的步驟(d)，用于在上面的步驟(c)后電鍍(電鍍步驟)。在該步驟中，在上面的化學鍍步驟(c)后，通過使用膜作為電極，電鍍在前面的步驟中形成的金屬膜。這使以與基板相比具有更好粘合力的金屬膜為基礎，形成另外的新的具有理想厚度的金屬膜較容易。當將根據本發明的金屬膜應用于各種不同情況時，擴充該步驟是有利的，其擴大金屬膜的厚度至一理想值。可使用迄今為止任何已知的方法作為本發明中的電鍍方法。該步驟中用于電鍍的金屬包括銅，鉻，鉛，鎳，金，銀，錫，鋅等和銅，從傳導率的角度考慮，優選金和銀且更優選銅。電鍍后獲得的金屬膜的厚度根據應用而改變，可通過調整鍍浴中含的金屬的濃度，浸入時間，電流密度等控制。從傳導率的角度考慮，通常使用的膜的厚度，例如，用于電氣布線的，優選為0.5pm或更多和更優選3拜或更多。在本發明中，從提高粘附性的角度考慮，優選在實施步驟(c)(化學鍍步驟)或步驟(d)(電鍍步驟)后實施干燥步驟。干燥步驟中的干燥工藝可使用任何方法，諸如自然干燥，加熱干燥，減壓干燥，減壓加熱干燥和空氣干燥。其中，鑒于防止干燥工藝引起的聚合物層劣化，優選在常溫或常溫附近實施干燥工藝。更具體地，在完成步驟(c)或(d)后，其上形成了金屬膜的材料優選保存在常溫下自然干燥,常溫下減壓干燥和常溫下空氣干燥。為了在不加熱的條件下盡可能多的去除含有的水，實施干燥工藝一個小時或更多，優選24小時或更多。考慮需要的粘附性質，合適地選擇需要的干燥條件。具體地，例如，在約25。C的溫度下保存其上形成了金屬膜的材料約1到3天，約1到3周或約1到2月，或通過普通真空干燥器在減壓下保存約1到3天或約1到3周。盡管干燥處理可提高粘附性的原理不夠清楚，但假定充分的干燥可防止水分殘留在金屬膜中，其可劣化粘附性，由此可降低隨時間延長水分引起的粘性劣化。在干燥步驟中，為防止銅等制成的金屬膜表面的氧化，優選在金屬膜表面應用抗氧化劑。可使用通常使用的抗氧化劑，例如，苯并三唑等。圖l為實施例2中獲得的金屬膜2的橫截面圖的SEM圖。圖2是為使粒子部分白和聚合物部分黑，通過對圖1中的剖視圖的SEM圖像實施圖像處理(二色調處理)獲得的圖像。具體實施例方式下面，將參見實施例更詳細地描述本發明，然而不意味著限定本發明為描述的實施例。[實施例l][基板的制造]通過使用#18棒將下列聚合引發層涂布溶液應用于聚酰亞胺膜(商品名Kapton，DuPontTorayCo.，Ltd.制造)且在80。C下干燥2分鐘。通過使用400W高壓汞燈(UVL-400P，RikoKagakuSangyoCo.，Ltd.制造)照射IO分鐘，將所得的膜初歩固化，在基材上形成聚合引發層。獲得的聚合引發層具有6.5^im的厚度。通過Nanopics1000(SeikoInstrumentsInc.第隨)，從40jxmx40pm范圍內的測量值，根據JISB0601計算，聚酰亞胺膜基材的Rz為15nm。對聚酰亞胺膜上形成的聚合引發層進行了相同測量，結果發現，Rz為10nm并且用于實施例的基板的表面粗糙度在本發明的優選范圍內。<聚合引發層的涂布溶液>芳基甲基丙烯酸/甲基丙烯酸共聚物4g;(摩爾比80/20，分子量100,000)環氧乙烷-改性的雙酚A二丙烯酸4g(商品名M210，ToagoseiCo.，Ltd.制造);1-羥基環己基苯基酮1.6g;和l-甲氧基-2-丙醇16g.[形成交聯聚合物]將以上述方法在其上形成了聚合引發層的聚酰亞胺膜浸入含丙烯酸(10%質量百分比)和高碘酸鈉(NaI04，0.01%質量百分比)的水溶液并使用上述氬氣氛中的1.5kW高壓汞燈的光照射10分鐘。光照射后，用離子交換水清洗獲得的膜，以獲得其上交聯了丙烯酸的基板l。以與聚酰亞胺膜情況中相同的方法測量基板l的Rz，結果為15nm。將獲得的基板1浸入0.1%質量百分比的硝酸鈀(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)的水溶液l小時和用蒸餾水清洗。然后，在下列化合物的化學鍍浴中實施化學鍍10分鐘，產生金屬膜l。<化學鍍浴組合物>硫酸銅0.3g;酒石酸鉀鈉(NaKtartrate)1.7g;氫氧化鈉0.7g;甲醛0.28;和水48g在下列組合物的電鍍浴中進一步電鍍實施例1中獲得的金屬膜15分鐘，產生金屬膜2。<電鍍浴組合物>硫酸銅38g;硫酸95g;鹽酸lmL;銅GleamPCM(MeltexCo.，Ltd.制造)3mL;禾口水500g(在其上形成了金屬膜的聚合物層中的細顆粒分散態)實施例2中，觀察了在其上形成了金屬膜的聚合物層中的細顆粒分散態。細節如下述。通過使用顯微鏡用裝有薄片切割機(LeikaCo.，Ltd.制造)的鉆石切割機(商品名Sumiknife)切割形成了金屬膜的區域，以獲得具有清潔電鍍橫截面的樣品。通過SEM觀察獲得的樣品，以確認與金屬膜相鄰的聚合物中的細顆粒的分散態。圖1為實施例2中獲得的金屬膜2的剖視圖的SEM圖像。從圖1的圖片，可證實按推測由至少一種化學鍍催化劑和化學鍍沉積的金屬制成的細顆粒，在金屬膜界面附近的聚合物層中以高密度存在。在聚合物層的深處(基板附近)幾乎觀察不到細顆粒。接著，關于SEM圖像，通過Photosh叩(AdobeInc.制造)實施了圖像處理。圖像處理的內容如下。將相對于聚合物層(顯示為圖l中的有機/無機雜化層)和金屬膜(化學鍍層)間的界面，深度分別為0.1pm,0.2nm和0.3nm的三個圖像在6脾寬的范圍內切割，并分別對切割圖像進行二色調處理(圖像處理)，以使細顆粒部分變為白色和聚合物部分變為黑色(二色調處理條件邊界的閾值；100)。以該方法獲得的圖像在圖2中示出。然后，通過圖像的柱狀圖計算圖2中各自深度的白色部分的比率，以確定鍍層下的聚合物層中細顆粒的比率。該結果與獲得的圖像一起在圖2中示出。如圖2中所示，確認細顆粒在聚合物層和金屬膜間的界面處或附近以高密度存在。[實施例3][形成交聯聚合物〗通過使用別8棒，將下列組合物的涂布溶液涂布至用于實施例l的在其上形成了聚合引發層的基板。所獲得的膜的厚度為0.8mn。對背面實施相同處理。<涂布溶液組合物>具有可聚合基(合成方法如下述)的聚合物A(X25g和環己酮8.0g〈具有可聚合基的聚合物A的合成方法〉(單體A的合成)向500mL三口瓶，加入58.6g甲基丙烯酸2-羥基乙酯，又加入250ml丙酮，并攪拌。在加入392g嘧啶和0.1g對-甲氧基苯酚后，在含冰水的冰浴中冷卻混合物。在將混合溶液冷卻到5。C后，通過滴液漏斗，用3小時滴加114.9g2-溴異丁酸溴化物。完成滴加后，從冰浴中取出混合物，然后攪拌3小時。將混合反應溶液傾入750ml水和攪拌l小時。用分液漏斗，將混合了水的液體用500ml乙酸乙酯萃取三次。接著連續用500mLlM鹽酸，500mL飽和碳酸氫鈉溶液和500mL飽和鹽水洗有機層。將100g硫酸鎂加入有機層，并將有機層去水，干燥和過濾。減壓下去除溶劑，獲得120:3g單體A。然后，將40gN，N-二甲基乙酰胺加入1000mL三口瓶和在氮氣流下加熱到70。C。用2.5小時，向其滴加40g含12.58g單體A的N,N-二甲基乙酰胺溶液，27.52g甲基丙烯酸和0.921gV-601(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)。滴加完成后，加熱混合物至卯。C，然后攪拌2小時。冷卻到室溫后，將反應溶液傾入3.5L水，以沉淀聚合物化合物。過濾分離沉淀的聚合物化合物和用水洗和干燥，以獲得30.5g聚合物化合物。通過凝膠滲透色譜法(GPC),使用聚苯乙烯作為標準物質測量獲得的聚合物化合物的重均分子量，結果發現，重均分子量為124,000。將獲得的26.0g聚合物化合物和0.1g對-甲氧基苯酚加入200mL三口瓶。并溶解于在含冰水的冰浴中冷卻的60gN，N-二甲基乙酰胺和60g丙酮中。在將溶液冷卻至5。C或更少后，用1小時，通過滴液漏斗滴加60.4g1,8-二氮雙環[5.4.0]-7-癸烯(DBU)。滴加完成后，移去冰水并攪拌混合物8小時。將所得的反應溶液傾入2L水中，其中溶解17mL濃鹽酸，以沉淀具有可聚合基的聚合物。過濾分離沉淀的具有可聚合基的聚合物A，水洗并干燥，以獲得15.6g聚合物A。然后，使用1.5kW高壓汞燈照射基板的前和后面5分鐘。用飽和碳酸氫鈉溶液洗所獲得的膜，以獲得基板2，在其兩面均具有交聯的含上述可聚合基的聚合物。以與上述聚酰亞胺膜相同的方法對基板2進行Rz測量，結果發現Rz為14nm。將獲得的基板2浸入含10%質量百分比硝酸銀(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)的水溶液l小時并用蒸餾水洗。然后，在下列組合物的化學鍍浴中實施化學鍍10分鐘。此外，在實施例2中使用的電鍍浴中實施電鍍15分鐘，以形成金屬膜3。<化學鍍浴組合物>硫酸銅4.5g;三乙醇胺8.0g;聚乙二醇0.03g;甲醛5.4g;氫氧化鈉2.7g;和水300g.通過#18棒，將下列組合物的涂布溶液涂布至實施例l中使用的在其上形成了聚合引發層的基板。獲得的膜的厚度為1.0拜。<涂布溶液組合物>具有可聚合基的親水聚合物B(合成方法下面描述)0.25g;水5g;和乙腈3g<具有可聚合基的親水聚合物8的合成方法>將18g聚(丙烯酸)(平均分子量25,000)溶解在300gDMAc中，并與0.41g對苯二酚，19.4g2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯和0.25g二月桂酸二丁基錫混合，并在65。C反應4小時。獲得的聚合物的酸值為7.02meq/g。然后，用1N氣氧化鈉水溶液中和聚合物的羧基，將得到的混合物加入乙酸乙酯，沉淀聚合物，洗凈，獲得具有可聚合基的親水聚合物B。使用1.5kW高壓汞燈照射獲得的膜5分鐘。然后，水洗獲得的膜，得到基板3，其含有具有可聚合基的交聯親水聚合物B。以與上述聚酰亞胺膜相同的方法測量基板3的Rz，結果發現，Rz為15nm。將獲得的3浸入含0.1%質量百分比硝酸銀(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)的水溶液5分鐘，并用蒸餾水洗。然后，在用于實施例3的化學鍍浴中實施化學鍍10分鐘。此外，在用于實施例2的電鍍浴中實施電鍍15分鐘。[實施例5][制造基板]<聚酰亞胺前體(聚酰胺酸)的合成〉在氮氣氣氛下將二胺化合物，4,4'-二氨基二苯基醚(28.7mmoD溶于N-甲基吡咯啉酮(30mL)并在室溫下攪拌30分鐘。向溶液加入3,3'，4，4'-苯甲酮四羧酸二酐(28.7mmo1)并在0。C攪拌5小時。反應溶液再次沉淀，得到聚酰亞胺前體l。通過'H-NMR和FT-IR確認產物的結構。將通過上述技術合成的聚酰胺酸溶解在DMAc(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)中，得到30%質量百分比的溶液。使用#36棒，將得到的溶液涂布至玻璃基板，在100。C干燥5分鐘并在250。C干燥30分鐘，然后從玻璃基板剝落形成的膜，得到聚酰亞胺基材。以與上述聚酰亞胺膜相同的方法測量得到的聚酰亞胺基材的Rz，結果發現，Rz為450nm且表面粗糙度在本發明的優選范圍內。在如上述獲得的基材的正面(前面)形成與實施例l中的相^i的中間層。以與上述聚酰亞胺膜相同的方法測量具有這樣獲得的中間層的基板的Rz，結果發現，Rz為400nm且表面粗糙度在本發明的優選范圍內。然后，使用#18棒，將用于實施例4的涂布溶液涂布至通過上述技術形成的中間層。獲得的膜的厚度為0.8fim。使用1.5kW高壓汞燈照射獲得的膜5分鐘。然后，水洗獲得的膜，獲得基板4，其具有含可聚合基的交聯聚合物。以與上述聚酰亞胺膜相同的方法測量基板4的Rz，結果發現Rz為420nm。在室溫下空氣干燥實施例2中獲得的金屬膜2—個月，獲得金屬膜6。[實施例7]使用真空泵(SatoVacuumCo.，Ltd.制造)在室溫下真空干燥實施例4中獲得的金屬膜4兩周，獲得金屬膜7。[實施例8]通過#20棒，用下列組合物的低介電絕緣聚合物涂布溶液涂布銅復合層壓板(基板玻璃環氧；銅厚度12非金屬化通孔)，且在110。C干燥10分鐘，制造低介電絕緣基板。以與上述聚酰亞胺膜相同的方法測量獲得的低介電絕緣基板的Rz,結果發現，Rz為120nm。<低介電絕緣聚合物涂布溶液>通過加入50g聚苯醚樹脂(PKN4752，NipponG.E.PlasticsCo.，Ltd.制造)，100g2，2-雙(4-氰酰苯基)丙烷(ArocyB-10，Asahi-CibaLtd.制造)，28.1g9，10-二氫-9-氧代-10-phosphaphenanthren-10-氧化物(商品名HCA-HQ，SankoChemicalCo.，Ltd.制造)，0.1g稀釋的17%的環垸酸錳(Mn含量6%質量百分比；NihonKagakuSangyoCo.，Ltd.制造)甲苯溶液和88.3g2，2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷(商品名DER331L，DowChemicalCo.制造)至183g甲苯，并通過在80。C加熱將其溶解，制備涂布溶液。[形成交聯聚合物〗使用#18棒，以與實施例4中的相同的程序涂布下列組合物的涂布溶液至獲得的低介電絕緣基板。獲得的膜的厚度為1.0nm。具有可聚合基的親水聚合物B0.25g;水5g;和乙腈3g.使用1.5kW高壓汞燈照射獲得的膜5分鐘。然后，水洗獲得的膜，得到基板5，其含有可聚合基的交聯親水聚合物B。以與上述聚酰亞胺膜相同的方法測量基板5的Rz，結果發現，Rz為100nm。將獲得的基板5浸入含0.1%質量百分比硝酸銀(WakoPureChemicalIndustries,Ltd.制造)的水溶液5分鐘，并用蒸餾水洗。然后，在用于實施例3的化學鍍浴中實施化學鍍10分鐘。此外，在用于實施例2的電鍍浴中實施電鍍15分鐘，以形成金屬膜8。在室溫下空氣干燥實施例8中獲得的金屬膜8—個月，得到金屬膜9。<評估>(粘附性質)用刀具在lcm寬范圍內刮擦實施例2到9中獲得的金屬膜2到9，根據JISC6481(試驗工具Autograph,ShimadzuCorp.制造)剝落邊緣，實施90-度剝離試驗。關于實施例l中獲得的金屬膜1，通過環氧型黏合劑(商品名Araldite，Ciba-GeigyCorp.制造)將銅片(寬度1cm和厚度0.1mm)粘合到膜表面且在140。C干燥4小時，根據JISC6481對得到的金屬膜實施90度-剝離試驗。在下表l中示出結果。(基板界面處粗糙度的評估)使用顯微鏡用薄片切割機，與基板平面垂直切割實施例1到9中獲得的金屬膜1到9，通過SEM觀察橫截面，確認鍍膜和電鍍催化劑層與交聯聚合物層(有機材料層)界面的粗糙度。根據JISB0601實施評估方法，和在鍍膜和電鍍催化劑層與交聯聚合物層(有機材料層)的界面處10拜寬度內，以第一最大值到第五最大峰值的平均值和第一最小值到第五最小谷值的平均值間的差別為基礎，計算每一樣品的粗糙度。結果在下表l示出。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>根據上面表l的結果，在實施例1到9中獲得的各自的金屬膜均具有500nm或更少的基板界面粗糙度(電鍍金屬和電鍍催化劑層(無機組分)與基板(有機組分)的界面的粗檸度)，且因此具有優異的表面光滑度，基板和金屬膜間的粘附性質也很優異。同樣，如實施例6，7和9的結果所示，通過在電鍍步驟后實施干燥步驟，顯著提高了粘附性質。如上述，根據發明，可提供與基板的粘附性質優異的金屬膜。同樣，根據發明，可提供包含容易的步驟的金屬膜形成方法，其可形成與基板的粘附性質優異且在基板的界面處粗糙度低的金屬膜。權利要求1.一種金屬膜，形成方法如下在表面粗糙度為500nm或更少的基板上的聚合物層上涂布化學鍍催化劑或其前體，然后實施化學鍍，含聚合物的聚合物層具有可與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基且直接化學鍵合至基板，其特征在于基板和金屬膜間的粘附強度為0.2kN/m或更多。2.權利要求l的金屬膜，其特征在于聚合物層含有一個區域，該區域含25%體積百分比或更多的至少一種化學鍍催化劑和通過化學鍍沉積的金屬的分散細顆粒，在從聚合物層和金屬膜的界面朝向基板的方向上，該區域的厚度為0.05um或更多。3.權利要求1或2的金屬膜，其特征在于基板為在lGHz下介質損耗因數為0.01或更少的絕緣樹脂制^的基板或在基材上含絕緣樹脂制成的層的基板。4.權利要求l-3中任一項的金屬膜，其特征在于基板為在lGHz下介電常數為3.5或更少的絕緣樹脂制成的基板或在基材上含絕緣樹脂制成的層的基板。5.—種金屬膜形成方法，含以下步驟(a)在表面粗糙度為500nm或更少的基板上引入聚合物，其具有可與化學鍍催化劑或其前體相互作用并且直接化學鍵合至基板的功能基；(b)在聚合物上涂布化學鍍催化劑或其前體；和(c)實施化學鍍。6.權利要求5的形成方法，其特征在于步驟(a)含以下步驟-(a-l)制造基板，其中含聚合引發劑的聚合引發層在表面粗糙度為500nm或更少的基材上形成；和(a-2)在形成了聚合引發層的基板上引入聚合物，其具有可與化學鍍催化劑或其前體相互作用并且直接化學鍵合至基板的功能基；7.權利要求6的形成方法，其特征在于步驟(a-2)包括使具有可聚合基和與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基的聚合物與形成了聚合引發層的基板接觸，然后，向其施加能量，直接化學鍵合聚合物至基板整個表面。8.權利要求5到7的任一個形承方法，還包括在步驟(c)后實施電鍍的步驟(d)。9.權利要求5到7的任一個的形成方法，在步驟(c)后還包括干燥步驟。10.權利要求8的形成方法，在步驟(d)后還包括干燥步驟。全文摘要本發明提供一種金屬膜，其由如下方法形成在表面粗糙度為500nm或更少的基板上的聚合物層上涂布化學鍍催化劑或其前體，然后實施化學鍍，該聚合物層含聚合物，該聚合物具有可與化學鍍催化劑或其前體相互作用的功能基且直接化學鍵合至基板，其中基板和金屬膜間的粘附強度為0.2kN/m或更多。文檔編號C25D5/56GK101103138SQ20068000223公開日2008年1月9日申請日期2006年1月13日優先權日2005年1月13日發明者加納丈嘉,川村浩一申請人:富士膠片株式會社