本說明書一個或多(duo)個實(shi)施(shi)例涉(she)及半導(dao)體工藝，尤其涉(she)及一種(zhong)基于mems芯片的封裝結構。

背景技術：

1、目前(qian)市面上的(de)超(chao)聲波傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)幾乎都是(shi)壓(ya)(ya)電(dian)陶(tao)瓷超(chao)聲波傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)，由于發生原(yuan)理的(de)原(yuan)因，壓(ya)(ya)電(dian)陶(tao)瓷片必須粘接聲阻抗匹配器(qi)(qi)，以提高電(dian)聲轉化的(de)效(xiao)率，這也就導致超(chao)聲波傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)的(de)尺寸較大；由于性能(neng)以及可靠性的(de)要(yao)求，壓(ya)(ya)電(dian)式超(chao)聲波傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)的(de)封裝(zhuang)結構較為(wei)固(gu)化，修改(gai)封裝(zhuang)結構設計難，對(dui)于一些定制化需求，例(li)如(ru)視場(chang)需求，只有(you)在超(chao)聲波傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)的(de)外(wai)圍在加結構，傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)的(de)尺寸進一步加大。

2、綜上(shang)(shang)所(suo)述(shu)，本申請現提出基(ji)于(yu)mems芯片的封(feng)裝結(jie)構解決上(shang)(shang)述(shu)出現的問(wen)題。

技術實現思路

1、本(ben)實(shi)(shi)用(yong)新型旨在(zai)解(jie)決背景技術中提(ti)(ti)出(chu)的(de)問(wen)題，本(ben)說明書(shu)一個(ge)(ge)或多個(ge)(ge)實(shi)(shi)施例(li)的(de)目的(de)在(zai)于(yu)提(ti)(ti)出(chu)基于(yu)mems芯片的(de)封裝結構，采用(yong)mems芯片的(de)背腔發射超聲波信號，封裝體積小(xiao)，成本(ben)低。

2、基于上述(shu)(shu)目的(de)(de)，本說明書一(yi)個(ge)或(huo)多個(ge)實施例(li)提供了一(yi)種基于mems芯(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)封裝結構，包括：內部開設(she)容納(na)腔(qiang)(qiang)的(de)(de)框(kuang)(kuang)架，所(suo)述(shu)(shu)框(kuang)(kuang)架具有相對的(de)(de)正面及背(bei)面，所(suo)述(shu)(shu)框(kuang)(kuang)架的(de)(de)背(bei)面設(she)置(zhi)底(di)板(ban)(ban)，所(suo)述(shu)(shu)框(kuang)(kuang)架的(de)(de)正面設(she)置(zhi)芯(xin)(xin)板(ban)(ban)，所(suo)述(shu)(shu)芯(xin)(xin)板(ban)(ban)上開設(she)第一(yi)發聲口作為喉管，所(suo)述(shu)(shu)容納(na)腔(qiang)(qiang)內設(she)置(zhi)mems芯(xin)(xin)片(pian)(pian)，且所(suo)述(shu)(shu)mems芯(xin)(xin)片(pian)(pian)與芯(xin)(xin)板(ban)(ban)固定連(lian)接，mems芯(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)背(bei)腔(qiang)(qiang)朝向芯(xin)(xin)板(ban)(ban)，所(suo)述(shu)(shu)mems芯(xin)(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)背(bei)腔(qiang)(qiang)發射(she)超聲波信(xin)號(hao)，超聲波信(xin)號(hao)穿過喉管向外發出(chu)。

3、根據(ju)本實(shi)用(yong)新(xin)型實(shi)施例(li)所(suo)述(shu)的(de)基于(yu)mems芯片的(de)封裝結構，所(suo)述(shu)底板和框(kuang)架架通過第一金屬層回流導通。

4、根據本(ben)實用(yong)新型實施例(li)所述的基于mems芯片的封(feng)裝結構，所述框(kuang)架架和芯板通過(guo)第二金屬(shu)層回流導通。

5、根據本(ben)實(shi)用新型實(shi)施例所述的(de)基(ji)于mems芯片(pian)的(de)封裝結構，所述mems芯片(pian)開孔(kong)的(de)圓心(xin)和芯板(ban)開孔(kong)的(de)圓心(xin)一致(zhi)。

6、根據本實用新型實施例(li)所述的(de)(de)基于mems芯(xin)片的(de)(de)封裝結構，所述芯(xin)板(ban)開(kai)孔(kong)的(de)(de)直(zhi)徑大于mems芯(xin)片開(kai)孔(kong)的(de)(de)直(zhi)徑。

7、根據本實用新型實施例所述的(de)(de)(de)基于mems芯片的(de)(de)(de)封裝結構，還包(bao)括：設置在(zai)芯板(ban)遠(yuan)離框架的(de)(de)(de)側面的(de)(de)(de)頂板(ban)，所述頂板(ban)上開設有第二發聲口作為號筒，所述mems芯片發射(she)超(chao)聲波(bo)(bo)(bo)信(xin)號，超(chao)聲波(bo)(bo)(bo)信(xin)號穿過喉(hou)管和(he)號筒向外發出(chu)，部(bu)分超(chao)聲波(bo)(bo)(bo)信(xin)號碰到號筒內壁后向外發出(chu)，號筒限定超(chao)聲波(bo)(bo)(bo)信(xin)號的(de)(de)(de)視場，減(jian)小超(chao)聲波(bo)(bo)(bo)信(xin)號的(de)(de)(de)探(tan)測盲區。

8、根據本實(shi)用新型實(shi)施例所述的基于(yu)mems芯片的封裝結構(gou)，所述芯板和頂板通過第三金屬(shu)層(ceng)回流導通。

9、根據本實(shi)(shi)用新型實(shi)(shi)施例所(suo)述(shu)的基于(yu)mems芯(xin)(xin)片(pian)的封裝結構，所(suo)述(shu)mems芯(xin)(xin)片(pian)開(kai)孔(kong)的圓(yuan)心、芯(xin)(xin)板開(kai)孔(kong)的圓(yuan)心以及頂板開(kai)孔(kong)的圓(yuan)心一致(zhi)。

10、根據本實用(yong)新型實施例所述的(de)基于mems芯片的(de)封裝結構(gou)，所述芯板(ban)(ban)開(kai)孔的(de)直徑(jing)小于頂板(ban)(ban)開(kai)孔的(de)直徑(jing)。

11、根據本實用新(xin)型(xing)實施例所述的基于(yu)mems芯片(pian)的封(feng)裝結(jie)構，底板(ban)、框(kuang)架和(he)芯板(ban)均(jun)為材質相同的基板(ban)。

12、下面(mian)根據本實用新型的實施(shi)例及附圖來詳細(xi)描述本實用新型的有益效(xiao)果(guo)。

1.一種基于mems芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)封裝結(jie)構，其特征在于，包括：內(nei)部開設容納腔(qiang)(qiang)的(de)(de)框架(jia)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)框架(jia)具有相對的(de)(de)正面(mian)(mian)及背(bei)面(mian)(mian)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)框架(jia)的(de)(de)背(bei)面(mian)(mian)設置(zhi)(zhi)底板(ban)(1)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)框架(jia)的(de)(de)正面(mian)(mian)設置(zhi)(zhi)芯(xin)(xin)(xin)(xin)板(ban)(4)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)芯(xin)(xin)(xin)(xin)板(ban)(4)上開設第一發聲(sheng)口作(zuo)為喉管(guan)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)容納腔(qiang)(qiang)內(nei)設置(zhi)(zhi)mems芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(2)，且(qie)所(suo)(suo)述(shu)(shu)mems芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(2)與芯(xin)(xin)(xin)(xin)板(ban)(4)固定(ding)連接，mems芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(2)的(de)(de)背(bei)腔(qiang)(qiang)朝向芯(xin)(xin)(xin)(xin)板(ban)(4)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)mems芯(xin)(xin)(xin)(xin)片(pian)(2)的(de)(de)背(bei)腔(qiang)(qiang)發射超聲(sheng)波信(xin)(xin)號，超聲(sheng)波信(xin)(xin)號穿過喉管(guan)向外發出。

2.根(gen)據權(quan)利(li)要求1所述的(de)基于mems芯(xin)片的(de)封裝(zhuang)結構，其(qi)特征在于，所述底(di)板(1)和框架(jia)(jia)(3)架(jia)(jia)通過第一(yi)金屬層(101)回流導通。

3.根據(ju)權利要(yao)求1所(suo)述(shu)的基(ji)于mems芯片的封裝結構，其特征(zheng)在于，所(suo)述(shu)框架(3)架和芯板(ban)(4)通(tong)過(guo)第二金屬層(ceng)(301)回流導通(tong)。

4.根據權(quan)利要求1所述的基于(yu)mems芯(xin)片的封(feng)裝(zhuang)結構，其(qi)特征(zheng)在于(yu)，所述mems芯(xin)片(2)開孔的圓心和芯(xin)板(ban)(4)開孔的圓心一致。

5.根(gen)據權利要求(qiu)4所(suo)(suo)述的(de)基于mems芯(xin)(xin)片(pian)的(de)封裝結構，其特(te)征在(zai)于，所(suo)(suo)述芯(xin)(xin)板(4)開(kai)孔的(de)直徑(jing)大(da)于mems芯(xin)(xin)片(pian)(2)開(kai)孔的(de)直徑(jing)。

6.根據權利要求1-5中任(ren)意一(yi)項所述的(de)基于mems芯片(pian)的(de)封裝結構(gou)，其特征在于，還包括：設(she)置在芯板(4)遠離框架的(de)側面的(de)頂板(5)，所述頂板(5)上開設(she)有第二發(fa)聲(sheng)口(kou)作為(wei)號(hao)(hao)(hao)筒(tong)，所述mems芯片(pian)(2)發(fa)射超(chao)聲(sheng)波(bo)(bo)信(xin)號(hao)(hao)(hao)，超(chao)聲(sheng)波(bo)(bo)信(xin)號(hao)(hao)(hao)穿過喉管(guan)和(he)號(hao)(hao)(hao)筒(tong)向(xiang)外發(fa)出，部分(fen)超(chao)聲(sheng)波(bo)(bo)信(xin)號(hao)(hao)(hao)碰到(dao)號(hao)(hao)(hao)筒(tong)內壁后向(xiang)外發(fa)出，號(hao)(hao)(hao)筒(tong)限定超(chao)聲(sheng)波(bo)(bo)信(xin)號(hao)(hao)(hao)的(de)視場，減(jian)小超(chao)聲(sheng)波(bo)(bo)信(xin)號(hao)(hao)(hao)的(de)探測盲(mang)區。

7.根(gen)據權(quan)利要(yao)求6所述的基于mems芯片的封裝結(jie)構，其特征在于，所述芯板(4)和頂板(5)通(tong)過第三(san)金屬層(401)回流(liu)導通(tong)。

8.根據(ju)權利要求6所(suo)述的基(ji)于(yu)(yu)mems芯(xin)(xin)片的封(feng)裝結構(gou)，其特征在(zai)于(yu)(yu)，所(suo)述mems芯(xin)(xin)片(2)開(kai)(kai)孔的圓心(xin)、芯(xin)(xin)板(ban)(4)開(kai)(kai)孔的圓心(xin)以及頂板(ban)(5)開(kai)(kai)孔的圓心(xin)一(yi)致。

9.根(gen)據權利要求6所述的基(ji)于mems芯片的封裝結(jie)構(gou)，其特征在于，所述芯板(ban)(4)開孔(kong)(kong)的直徑小于頂板(ban)(5)開孔(kong)(kong)的直徑。

10.根據權(quan)利(li)要求6所述(shu)的基于mems芯片的封(feng)裝結構(gou)，其特征在于，所述(shu)底板(1)、框架(jia)(3)和芯板(4)均為材(cai)質相同的基板。