本技術涉及傳感(gan)器(qi)(qi)封裝(zhuang),特別涉及一(yi)種(zhong)mems傳感(gan)器(qi)(qi)封裝(zhuang)結構。
背景技術:
1、在電(dian)子(zi)封裝過(guo)程(cheng)中(zhong),基(ji)(ji)(ji)板(ban)主要(yao)起機械支撐保護(hu)與電(dian)互(hu)連(絕緣)作用(yong)(yong),電(dian)了封裝常用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)基(ji)(ji)(ji)板(ban)材料(liao)主要(yao)有(you)四大類:聚合物基(ji)(ji)(ji)板(ban)、金屬基(ji)(ji)(ji)板(ban)、復合基(ji)(ji)(ji)板(ban)、陶(tao)瓷(ci)基(ji)(ji)(ji)板(ban)。現有(you)的(de)(de)(de)(de)(de)封裝中(zhong),一(yi)般(ban)通過(guo)固體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)焊(han)(han)(han)料(liao)條進行(xing)焊(han)(han)(han)接(jie)(jie),但在焊(han)(han)(han)接(jie)(jie)過(guo)程(cheng)中(zhong)由(you)于焊(han)(han)(han)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)融化方向無法進行(xing)精確的(de)(de)(de)(de)(de)控制,如焊(han)(han)(han)料(liao)條可能(neng)(neng)會(hui)從(cong)兩邊開始融化,就可能(neng)(neng)會(hui)或多(duo)(duo)或少導(dao)致氣(qi)泡(pao)的(de)(de)(de)(de)(de)問題,氣(qi)泡(pao)多(duo)(duo)即(ji)空(kong)洞率(lv)高,空(kong)洞率(lv)高會(hui)導(dao)致封裝產(chan)品的(de)(de)(de)(de)(de)散熱困難(nan),從(cong)而(er)間接(jie)(jie)影響產(chan)品使用(yong)(yong)壽命和產(chan)品可靠性;另(ling)外,條狀焊(han)(han)(han)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)在焊(han)(han)(han)接(jie)(jie)時焊(han)(han)(han)料(liao)溢出到(dao)其它(ta)器(qi)件上(shang)會(hui)影響陶(tao)瓷(ci)封裝產(chan)品的(de)(de)(de)(de)(de)使用(yong)(yong)功能(neng)(neng)。現提出一(yi)種mems傳感器(qi)封裝結構以(yi)解決現有(you)技術中(zhong)存在的(de)(de)(de)(de)(de)問題
技術實現思路
1、本實用(yong)新型目的是:提供(gong)一種mems傳(chuan)感器封(feng)裝(zhuang)結構,以解決現有技術中在(zai)封(feng)裝(zhuang)焊接時(shi)氣泡及焊料(liao)溢(yi)出(chu)等問題。
2、本實用新(xin)型的技術方案是:一種mems傳感(gan)器封裝結構,包括(kuo)基(ji)板、芯片和殼體(ti),所述基(ji)板與殼體(ti)連接(jie)形成(cheng)腔體(ti),所述芯片設置在腔體(ti)內且與基(ji)板連接(jie);
3、所述(shu)基板上(shang)設置(zhi)有連接(jie)槽(cao),所述(shu)連接(jie)槽(cao)底(di)部設置(zhi)有多(duo)個通孔;所述(shu)殼(ke)體側壁(bi)底(di)部與連接(jie)槽(cao)連接(jie),且(qie)殼(ke)體底(di)部設置(zhi)有多(duo)個第一孔,所述(shu)第一孔與通孔對應(ying)連接(jie)。
4、優選的,多個所述第(di)一孔之間設(she)置(zhi)有溢流(liu)槽(cao),所述溢流(liu)槽(cao)的槽(cao)深度小(xiao)于第(di)一孔的孔深度。
5、優選的,所述通(tong)孔(kong)呈喇叭狀,且靠近基板底端的開口(kou)較(jiao)大。
6、優選的(de),所述通孔靠近殼體(ti)一(yi)端的(de)開口的(de)直徑(jing)大(da)于或(huo)等于第(di)一(yi)孔的(de)直徑(jing)。
7、優選的(de),所(suo)述殼體的(de)底端(duan)設置(zhi)有排(pai)(pai)氣(qi)槽(cao)(cao),所(suo)述排(pai)(pai)氣(qi)槽(cao)(cao)與溢流槽(cao)(cao)連接,且所(suo)述排(pai)(pai)氣(qi)槽(cao)(cao)連通殼體的(de)外(wai)側。
8、優(you)選的,所述排(pai)氣(qi)槽設置(zhi)(zhi)有多個,且與第一孔為依次間隔設置(zhi)(zhi)。
9、優選的,所(suo)述基(ji)板上設置有多個凸起,所(suo)述凸起沿(yan)連接槽的外壁(bi)輪廓設置。
10、優選的,封裝時,所述基板(ban)底部朝上,且采用粉末焊料。
11、與現有(you)技術(shu)相(xiang)比,本實(shi)用新型的優(you)點是:
12、(1)在(zai)封(feng)裝焊(han)接時,將基板的底部(bu)朝向(xiang)上(shang)端,通過(guo)第一孔填充粉末焊(han)料;焊(han)料熔融時,通過(guo)溢流(liu)(liu)(liu)槽流(liu)(liu)(liu)動且在(zai)流(liu)(liu)(liu)動過(guo)程中將空氣(qi)由(you)排(pai)氣(qi)槽排(pai)出,可避免空氣(qi)被封(feng)在(zai)焊(han)縫中;若由(you)過(guo)多(duo)的焊(han)料還可以由(you)排(pai)氣(qi)孔溢流(liu)(liu)(liu),可避免焊(han)料溢出影響(xiang)其他器件的情況的發(fa)生;
13、(2)粉末焊料的(de)導熱更塊且(qie)更加均勻(yun),在(zai)熔融過程中也不易產生氣泡(pao)被封(feng)鎖(suo)在(zai)焊料內部的(de)情況,進(jin)一步的(de)避免氣泡(pao)的(de)產生,進(jin)而(er)提高(gao)產品的(de)使用壽命和可靠(kao)性。
1.一種mems傳感器封(feng)裝結構(gou),其特征在(zai)于:包括基板(ban)(ban)、芯片(pian)和殼體(ti),所述基板(ban)(ban)與殼體(ti)連接形成(cheng)腔體(ti),所述芯片(pian)設置在(zai)腔體(ti)內(nei)且(qie)與基板(ban)(ban)連接;
2.根據(ju)權利要(yao)求1所述的(de)一(yi)種(zhong)mems傳(chuan)感器封(feng)裝結構(gou),其特征在于(yu):多個所述第一(yi)孔(kong)(kong)之間設(she)置有溢流槽(cao),所述溢流槽(cao)的(de)槽(cao)深度小于(yu)第一(yi)孔(kong)(kong)的(de)孔(kong)(kong)深度。
3.根據權利要求1所述的一種mems傳(chuan)感器(qi)封裝結(jie)構,其(qi)特征在于:所述通孔(kong)呈喇叭狀,且靠近基(ji)板底(di)端的開(kai)口較大。
4.根據權利要(yao)求3所述的(de)一(yi)種mems傳感器封裝結構,其特征在(zai)于:所述通孔靠近殼體一(yi)端的(de)開口的(de)直徑大于或等于第一(yi)孔的(de)直徑。
5.根據權(quan)利要求1所(suo)述的(de)一種mems傳感器封裝(zhuang)結構(gou),其特征在于:所(suo)述殼(ke)體的(de)底端設置(zhi)有(you)排氣槽(cao),所(suo)述排氣槽(cao)與溢流槽(cao)連接(jie),且所(suo)述排氣槽(cao)連通殼(ke)體的(de)外側。
6.根據權利要(yao)求5所述的一種mems傳感器封裝結構,其特征(zheng)在于:所述排氣槽設(she)置有多個,且與第一孔為依次(ci)間隔設(she)置。
7.根據(ju)權利(li)要求1所(suo)述(shu)的一種mems傳感器封(feng)裝結構,其特征(zheng)在(zai)于:所(suo)述(shu)基板(ban)上(shang)設置有多(duo)個凸起(qi),所(suo)述(shu)凸起(qi)沿連接槽(cao)的外壁輪廓設置。
8.根據權(quan)利要求1所(suo)述(shu)的(de)一種mems傳(chuan)感器封裝結構,其特征在于(yu):封裝時(shi),所(suo)述(shu)基板底(di)部朝上,且采(cai)用粉末焊(han)料。