本(ben)申請涉及(ji)用(yong)于異質集(ji)成電路(ic)封(feng)裝(zhuang)集(ji)成的(de)應力隔離，包(bao)括晶片(pian)級芯片(pian)級封(feng)裝(zhuang)(wlcsp)。

背景技術：

1、晶(jing)圓級(ji)芯片級(ji)封(feng)裝用(yong)于封(feng)裝集成(cheng)電(dian)路(ic)、微機電(dian)系統(tong)(mems)或兩者(zhe)。

技術實現思路

1、提(ti)(ti)供(gong)了(le)(le)表現出應(ying)力(li)隔(ge)離(li)的(de)(de)(de)異質集(ji)(ji)成電路(ic)封裝(zhuang)結構和技術。在一些實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，除了(le)(le)諸如穿硅過(guo)孔(kong)(tsv)、再分布層(rdl)和焊料凸塊特征的(de)(de)(de)信號路由特征之(zhi)外，還(huan)提(ti)(ti)供(gong)了(le)(le)具有(you)應(ying)力(li)隔(ge)離(li)的(de)(de)(de)晶片級(ji)芯(xin)(xin)(xin)(xin)片級(ji)封裝(zhuang)。該封裝(zhuang)結構包括具有(you)應(ying)力(li)隔(ge)離(li)特征的(de)(de)(de)內插器(qi)。在某(mou)些情況下，應(ying)力(li)隔(ge)離(li)特征是應(ying)力(li)隔(ge)離(li)平臺。應(ying)力(li)隔(ge)離(li)平臺被(bei)配置為將應(ying)力(li)與內插器(qi)所耦合的(de)(de)(de)基板隔(ge)離(li)，防止應(ying)力(li)從基板傳播到封裝(zhuang)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)。封裝(zhuang)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)可以是集(ji)(ji)成電路(ic)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)、微機電系統(mems)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)、傳感(gan)器(qi)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)(例(li)如，光學管芯(xin)(xin)(xin)(xin)、磁傳感(gan)器(qi)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)、生物傳感(gan)器(qi)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)和微流體管芯(xin)(xin)(xin)(xin))或組合、以及其他可能的(de)(de)(de)器(qi)件類型。在一些實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)，封裝(zhuang)多個管芯(xin)(xin)(xin)(xin)。

2、還(huan)公(gong)開了除晶片(pian)(pian)wlcsp之外的封(feng)裝結構，例如一般的2d和(he)3d異質ic封(feng)裝集成，例如多(duo)管芯倒裝芯片(pian)(pian)、扇(shan)入和(he)扇(shan)出(chu)封(feng)裝、晶片(pian)(pian)級(ji)封(feng)裝、硅(gui)、碳化硅(gui)、硅(gui)鍺(zang)、砷化鎵(jia)、氮化鎵(jia)、玻(bo)璃、陶(tao)瓷、層壓板或其他類型的ic管芯和(he)ic封(feng)裝。

3、描述了微(wei)制造器(qi)件(jian)的(de)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)，例如(ru)ic、mems和傳(chuan)感(gan)器(qi)器(qi)件(jian)。在至少一些實施例中，該封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)是晶片(pian)(pian)級芯片(pian)(pian)級封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)。晶片(pian)(pian)級芯片(pian)(pian)級封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)包(bao)括(kuo)內插器(qi)。內插器(qi)包(bao)括(kuo)應力(li)釋(shi)放特征。因此，源(yuan)自封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)的(de)應力(li)不會(hui)傳(chuan)播到被封(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)的(de)器(qi)件(jian)。

4、一(yi)些(xie)實施(shi)例(li)涉及一(yi)種3d異質封裝器(qi)(qi)件(jian)(jian)，包(bao)括：器(qi)(qi)件(jian)(jian)管芯；在(zai)多(duo)個接合點(dian)處與(yu)所述(shu)(shu)器(qi)(qi)件(jian)(jian)管芯耦合的(de)(de)內插器(qi)(qi)，所述(shu)(shu)內插器(qi)(qi)包(bao)括在(zai)與(yu)所述(shu)(shu)多(duo)個接合點(dian)將不同(tong)的(de)(de)位(wei)置(zhi)處的(de)(de)多(duo)個應(ying)力隔離平臺。

5、在一些實施例中(zhong)，所述多(duo)(duo)個應(ying)力隔(ge)離平(ping)臺中(zhong)的第(di)一應(ying)力隔(ge)離平(ping)臺通過多(duo)(duo)個應(ying)力隔(ge)離懸掛件耦(ou)合(he)到所述內插器的剩余部分。

6、在一(yi)些實施例中(zhong)，所(suo)述(shu)多個(ge)接合點是第(di)一(yi)多個(ge)接合點，并且其(qi)中(zhong)所(suo)述(shu)3d異質(zhi)封裝器(qi)件(jian)還包括(kuo)基(ji)板(ban)，所(suo)述(shu)基(ji)板(ban)在與多個(ge)應力(li)隔離平臺對(dui)準的第(di)二多個(ge)接合點處與所(suo)述(shu)內(nei)插器(qi)耦合，其(qi)中(zhong)所(suo)述(shu)內(nei)插器(qi)設置(zhi)在所(suo)述(shu)器(qi)件(jian)管芯和所(suo)述(shu)基(ji)板(ban)之間。

7、在(zai)一些實施例中(zhong)，所述(shu)(shu)器件管芯(xin)是(shi)集成電(dian)路(lu)管芯(xin)，并且所述(shu)(shu)基板(ban)是(shi)印刷電(dian)路(lu)板(ban)、硅(gui)基板(ban)、碳化硅(gui)基板(ban)、硅(gui)鍺基板(ban)、砷化鎵基板(ban)、氮化鎵基板(ban)、玻(bo)璃基板(ban)、陶瓷基板(ban)或(huo)層壓基板(ban)。

8、在一(yi)些實施例(li)中，所述(shu)器件管(guan)(guan)芯(xin)(xin)是(shi)集成電路(ic)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)、微機電系統(mems)管(guan)(guan)芯(xin)(xin)、傳(chuan)感(gan)器管(guan)(guan)芯(xin)(xin)、光學管(guan)(guan)芯(xin)(xin)、磁傳(chuan)感(gan)器管(guan)(guan)芯(xin)(xin)、生物傳(chuan)感(gan)器管(guan)(guan)芯(xin)(xin)和微流體管(guan)(guan)芯(xin)(xin)、或其組合。

9、在(zai)一些實施(shi)例中(zhong)，所(suo)述(shu)(shu)器件(jian)(jian)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)是第(di)一器件(jian)(jian)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)，并且其中(zhong)所(suo)述(shu)(shu)3d異質(zhi)封裝器件(jian)(jian)還包括以(yi)垂(chui)(chui)直(zhi)堆(dui)疊與所(suo)述(shu)(shu)第(di)一器件(jian)(jian)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)耦合的(de)(de)第(di)二器件(jian)(jian)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)，其中(zhong)所(suo)述(shu)(shu)內插(cha)器表(biao)示所(suo)述(shu)(shu)垂(chui)(chui)直(zhi)堆(dui)疊的(de)(de)底(di)層，所(suo)述(shu)(shu)第(di)一器件(jian)(jian)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)定位(wei)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)內插(cha)器上(shang)方作(zuo)(zuo)為所(suo)述(shu)(shu)垂(chui)(chui)直(zhi)堆(dui)疊的(de)(de)第(di)二層，并且所(suo)述(shu)(shu)第(di)二器件(jian)(jian)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)定位(wei)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一器件(jian)(jian)管芯(xin)(xin)(xin)(xin)上(shang)方作(zuo)(zuo)為所(suo)述(shu)(shu)垂(chui)(chui)直(zhi)堆(dui)疊的(de)(de)第(di)三層。

10、在一些實施例(li)中，所(suo)述(shu)內插器(qi)包括外部(bu)和內部(bu)，并且其中所(suo)述(shu)應(ying)力隔(ge)離平(ping)臺僅形(xing)成在所(suo)述(shu)內插器(qi)的外部(bu)。

11、一(yi)(yi)(yi)些實施例(li)涉(she)及一(yi)(yi)(yi)種3d異質(zhi)封(feng)裝(zhuang)器件(jian)(jian)(jian)，包括：基(ji)板；內插(cha)器，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)內插(cha)器結(jie)合(he)(he)到(dao)(dao)(dao)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)基(ji)板，包括：多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)應(ying)力(li)隔離(li)平臺，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)應(ying)力(li)隔離(li)平臺中(zhong)的(de)至少一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)限定所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)內插(cha)器的(de)一(yi)(yi)(yi)部(bu)分(fen)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)一(yi)(yi)(yi)部(bu)分(fen)通過多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)應(ying)力(li)隔離(li)懸掛(gua)件(jian)(jian)(jian)柔(rou)性地耦合(he)(he)到(dao)(dao)(dao)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)內插(cha)器的(de)剩余部(bu)分(fen)；接(jie)合(he)(he)焊盤，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)合(he)(he)焊盤形(xing)成(cheng)在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)多(duo)(duo)個(ge)(ge)(ge)應(ying)力(li)隔離(li)平臺中(zhong)的(de)至少一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)中(zhong)；接(jie)合(he)(he)件(jian)(jian)(jian)，與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)合(he)(he)焊盤接(jie)觸，將所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)內插(cha)器耦合(he)(he)到(dao)(dao)(dao)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)基(ji)板；耦合(he)(he)到(dao)(dao)(dao)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)內插(cha)器的(de)器件(jian)(jian)(jian)管(guan)芯(xin)，其(qi)中(zhong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)內插(cha)器設置(zhi)在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)器件(jian)(jian)(jian)管(guan)芯(xin)和(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)基(ji)板之間(jian)。

12、在一些(xie)實(shi)施例中(zhong)，至少八個(ge)應(ying)(ying)力隔離懸掛件將所(suo)述(shu)多個(ge)應(ying)(ying)力隔離平臺中(zhong)的至少一個(ge)柔性地耦合到所(suo)述(shu)內插器的剩(sheng)余部分。

13、在(zai)一些(xie)實施例中(zhong)，所述多個應力(li)隔離懸掛件中(zhong)的至(zhi)少一個形成在(zai)一對(dui)溝槽之間(jian)，所述一對(dui)溝槽在(zai)所述內插器(qi)的整個厚度(du)上延伸。

14、在一(yi)些實施例(li)中(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)內插(cha)器包括外(wai)部(bu)(bu)和(he)內部(bu)(bu)，并(bing)且其中(zhong)所(suo)(suo)述(shu)應力隔離(li)平(ping)臺僅形成在所(suo)(suo)述(shu)內插(cha)器的外(wai)部(bu)(bu)。

15、在一些(xie)實施例中(zhong)，所述(shu)(shu)器件管(guan)芯包(bao)括mems器件，并且所述(shu)(shu)內插器限定(ding)與所述(shu)(shu)mems器件對(dui)準的空腔。

16、在一些實施例(li)中(zhong)，所(suo)述(shu)內插器還包括將所(suo)述(shu)接合(he)焊盤電耦合(he)到所(suo)述(shu)器件管芯的(de)穿(chuan)硅過孔(kong)(tsv)。

17、在一(yi)(yi)(yi)些實施例中，所述(shu)器件(jian)管(guan)(guan)芯(xin)是第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器件(jian)管(guan)(guan)芯(xin)，并(bing)且其中所述(shu)3d異質封裝器件(jian)還包括(kuo)結合到所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器件(jian)管(guan)(guan)芯(xin)的第(di)(di)二器件(jian)管(guan)(guan)芯(xin)，使得所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)器件(jian)管(guan)(guan)芯(xin)位于(yu)所述(shu)內插器和所述(shu)第(di)(di)二器件(jian)管(guan)(guan)芯(xin)之間。

18、在一(yi)些實施例中，所(suo)述基板包(bao)括結(jie)合到印刷電路板的層(ceng)壓(ya)基板。

19、一(yi)些(xie)實(shi)施例涉(she)及一(yi)種制造(zao)3d異(yi)質封裝(zhuang)器(qi)件(jian)(jian)的(de)(de)(de)方法，包(bao)括：將(jiang)內(nei)(nei)插(cha)(cha)器(qi)接(jie)合(he)到(dao)器(qi)件(jian)(jian)管芯(xin)；用多個(ge)(ge)接(jie)合(he)焊(han)盤圖案化所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)內(nei)(nei)插(cha)(cha)器(qi)；通(tong)過蝕刻穿過所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)內(nei)(nei)插(cha)(cha)器(qi)的(de)(de)(de)多個(ge)(ge)溝槽來形成多個(ge)(ge)應力隔離平臺，使(shi)得所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)多個(ge)(ge)應力隔離平臺中的(de)(de)(de)至少(shao)一(yi)個(ge)(ge)包(bao)括所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)多個(ge)(ge)接(jie)合(he)焊(han)盤中的(de)(de)(de)接(jie)合(he)焊(han)盤；在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)內(nei)(nei)插(cha)(cha)器(qi)接(jie)合(he)到(dao)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)器(qi)件(jian)(jian)管芯(xin)的(de)(de)(de)情況下，將(jiang)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)內(nei)(nei)插(cha)(cha)器(qi)接(jie)合(he)到(dao)基板，使(shi)得所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)內(nei)(nei)插(cha)(cha)器(qi)位(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)器(qi)件(jian)(jian)管芯(xin)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)基板之間(jian)。

20、在一(yi)些實施例中，該(gai)方(fang)法(fa)還包括用凝膠(jiao)填充(chong)所述(shu)多個溝槽。

21、在(zai)一些實施例中，該(gai)方(fang)法還包括形成穿(chuan)過所述內插器(qi)(qi)(qi)的多個(ge)穿(chuan)硅過孔(tsv)，其中將(jiang)所述內插器(qi)(qi)(qi)結合到(dao)所述器(qi)(qi)(qi)件管(guan)(guan)芯(xin)包括將(jiang)所述器(qi)(qi)(qi)件管(guan)(guan)芯(xin)電耦(ou)合到(dao)所述tsv。

22、在一些實(shi)施例中，所(suo)(suo)述器(qi)(qi)件(jian)管芯包(bao)括mems器(qi)(qi)件(jian)，其中所(suo)(suo)述方法(fa)還包(bao)括通過所(suo)(suo)述內(nei)插器(qi)(qi)蝕(shi)刻空腔(qiang),其中將(jiang)所(suo)(suo)述內(nei)插器(qi)(qi)結合到(dao)所(suo)(suo)述器(qi)(qi)件(jian)管芯包(bao)括將(jiang)所(suo)(suo)述mems器(qi)(qi)件(jian)對準到(dao)所(suo)(suo)述空腔(qiang)。

技術特征：

1.一種3d異質封(feng)裝器件，包括：

2.根據權利要求1所述(shu)的(de)3d異質封裝器件，其中所述(shu)多(duo)個應力(li)隔離(li)平臺(tai)中的(de)第一應力(li)隔離(li)平臺(tai)通過多(duo)個應力(li)隔離(li)懸掛件耦(ou)合到所述(shu)內插器的(de)剩余(yu)部分。

3.根據權(quan)利要求(qiu)1所(suo)述(shu)(shu)(shu)的(de)3d異(yi)質(zhi)封(feng)裝(zhuang)器件，其(qi)中所(suo)述(shu)(shu)(shu)多(duo)個(ge)接合(he)點是第一(yi)多(duo)個(ge)接合(he)點，并(bing)且其(qi)中所(suo)述(shu)(shu)(shu)3d異(yi)質(zhi)封(feng)裝(zhuang)器件還包(bao)括基(ji)板，所(suo)述(shu)(shu)(shu)基(ji)板在(zai)與多(duo)個(ge)應力隔(ge)離平(ping)臺(tai)對準的(de)第二多(duo)個(ge)接合(he)點處與所(suo)述(shu)(shu)(shu)內插(cha)(cha)器耦合(he)，其(qi)中所(suo)述(shu)(shu)(shu)內插(cha)(cha)器設置在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)器件管芯(xin)和所(suo)述(shu)(shu)(shu)基(ji)板之間。

4.根據權利要(yao)求(qiu)3所述(shu)的3d異質封裝器件，其(qi)中(zhong)所述(shu)器件管芯(xin)是(shi)集成電路(lu)管芯(xin)，并且所述(shu)基(ji)板(ban)(ban)是(shi)印(yin)刷電路(lu)板(ban)(ban)、硅基(ji)板(ban)(ban)、碳化(hua)(hua)硅基(ji)板(ban)(ban)、硅鍺基(ji)板(ban)(ban)、砷化(hua)(hua)鎵基(ji)板(ban)(ban)、氮化(hua)(hua)鎵基(ji)板(ban)(ban)、玻(bo)璃基(ji)板(ban)(ban)、陶瓷基(ji)板(ban)(ban)或層壓基(ji)板(ban)(ban)。

5.根據權利(li)要求3所述的3d異質封(feng)裝器(qi)件，其中(zhong)所述器(qi)件管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)是集成電路(ic)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)、微機(ji)電系統(mems)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)、傳(chuan)感器(qi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)、光學(xue)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)、磁傳(chuan)感器(qi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)、生物傳(chuan)感器(qi)管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)和微流體管(guan)(guan)(guan)芯(xin)(xin)、或其組合。

6.根據權利要求3所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)的3d異(yi)質封裝器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)，其中(zhong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)管(guan)芯(xin)(xin)是(shi)第(di)(di)(di)一器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)管(guan)芯(xin)(xin)，并(bing)且(qie)其中(zhong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)3d異(yi)質封裝器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)還包括(kuo)以(yi)垂直(zhi)(zhi)堆(dui)疊與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)管(guan)芯(xin)(xin)耦合(he)的第(di)(di)(di)二(er)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)管(guan)芯(xin)(xin)，其中(zhong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內(nei)插(cha)器(qi)(qi)(qi)表示(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)垂直(zhi)(zhi)堆(dui)疊的底層(ceng)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)管(guan)芯(xin)(xin)定(ding)位(wei)(wei)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)內(nei)插(cha)器(qi)(qi)(qi)上方作為所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)垂直(zhi)(zhi)堆(dui)疊的第(di)(di)(di)二(er)層(ceng)，并(bing)且(qie)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)管(guan)芯(xin)(xin)定(ding)位(wei)(wei)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)管(guan)芯(xin)(xin)上方作為所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)垂直(zhi)(zhi)堆(dui)疊的第(di)(di)(di)三層(ceng)。

7.根(gen)據權(quan)利要求1所(suo)(suo)述(shu)的3d異質封裝器(qi)件(jian)，其中(zhong)所(suo)(suo)述(shu)內插器(qi)包括外部和內部，并(bing)且其中(zhong)所(suo)(suo)述(shu)應力(li)隔離平臺僅形成(cheng)在所(suo)(suo)述(shu)內插器(qi)的外部。

8.一(yi)種3d異質封裝器件，包括(kuo):

9.根據(ju)權利(li)要求8所(suo)述的3d異質封裝器(qi)(qi)件，其(qi)中至少八個(ge)應力隔離懸掛(gua)件將所(suo)述多個(ge)應力隔離平(ping)臺中的至少一個(ge)柔性地(di)耦合到(dao)所(suo)述內插器(qi)(qi)的剩余(yu)部分。

10.根據權利要求8所(suo)(suo)述(shu)的(de)(de)3d異(yi)質封裝(zhuang)器(qi)件(jian)，其中所(suo)(suo)述(shu)多個(ge)應力(li)隔離懸(xuan)掛件(jian)中的(de)(de)至(zhi)少一個(ge)形成在一對(dui)(dui)溝槽之間，所(suo)(suo)述(shu)一對(dui)(dui)溝槽在所(suo)(suo)述(shu)內插器(qi)的(de)(de)整個(ge)厚度上(shang)延(yan)伸。

11.根(gen)據權利要求8所述(shu)的3d異質封(feng)裝器件(jian)，其(qi)中所述(shu)內插器包括外(wai)部和內部，并且(qie)其(qi)中所述(shu)應力隔離(li)平(ping)臺僅形成在所述(shu)內插器的外(wai)部。

12.根據權利要(yao)求8所(suo)(suo)述(shu)(shu)的3d異質封裝器(qi)(qi)件(jian)，其(qi)中所(suo)(suo)述(shu)(shu)器(qi)(qi)件(jian)管芯包括mems器(qi)(qi)件(jian)，并且所(suo)(suo)述(shu)(shu)內插器(qi)(qi)限(xian)定與所(suo)(suo)述(shu)(shu)mems器(qi)(qi)件(jian)對(dui)準的空腔。

13.根(gen)據權利要(yao)求8所(suo)述(shu)(shu)的(de)3d異質封裝器件，其中所(suo)述(shu)(shu)內(nei)插(cha)器還包(bao)括將所(suo)述(shu)(shu)接(jie)合焊盤(pan)電(dian)耦合到所(suo)述(shu)(shu)器件管芯(xin)的(de)穿硅(gui)過孔(tsv)。

14.根(gen)據權(quan)利要求8所(suo)述(shu)的3d異(yi)質封裝器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)，其中所(suo)述(shu)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)管芯(xin)(xin)是第(di)(di)一(yi)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)管芯(xin)(xin)，并且其中所(suo)述(shu)3d異(yi)質封裝器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)還(huan)包括結合到(dao)所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)管芯(xin)(xin)的第(di)(di)二器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)管芯(xin)(xin)，使得所(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)管芯(xin)(xin)位于所(suo)述(shu)內插器(qi)(qi)和(he)所(suo)述(shu)第(di)(di)二器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)(jian)管芯(xin)(xin)之間(jian)。

15.根(gen)據權(quan)利(li)要求(qiu)8所述的3d異(yi)質封裝(zhuang)器件，其中所述基板(ban)包括結合到印刷電路板(ban)的層(ceng)壓基板(ban)。

16.一種(zhong)制造(zao)3d異質封裝器件(jian)的方法，包(bao)括:

17.根據權(quan)利要求(qiu)16所(suo)述的方法，還包括用凝膠填充所(suo)述多個溝槽(cao)。

18.根(gen)據權利(li)要求16所述(shu)的方法，還包(bao)括形成(cheng)穿過(guo)所述(shu)內(nei)插器(qi)的多個(ge)穿硅過(guo)孔(kong)(tsv)，其中將(jiang)(jiang)所述(shu)內(nei)插器(qi)結(jie)合(he)(he)到所述(shu)器(qi)件管芯(xin)(xin)包(bao)括將(jiang)(jiang)所述(shu)器(qi)件管芯(xin)(xin)電耦合(he)(he)到所述(shu)tsv。

19.根據權利要求16所述(shu)(shu)(shu)(shu)的方(fang)法，其中所述(shu)(shu)(shu)(shu)器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)管芯包括mems器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)，其中所述(shu)(shu)(shu)(shu)方(fang)法還包括通過所述(shu)(shu)(shu)(shu)內(nei)插器(qi)(qi)(qi)(qi)蝕刻空(kong)腔，其中將所述(shu)(shu)(shu)(shu)內(nei)插器(qi)(qi)(qi)(qi)結合(he)到所述(shu)(shu)(shu)(shu)器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)管芯包括將所述(shu)(shu)(shu)(shu)mems器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)對準到所述(shu)(shu)(shu)(shu)空(kong)腔。

20.根據權利要(yao)求16所述(shu)(shu)的(de)(de)方法(fa)，其中通過所述(shu)(shu)內(nei)插(cha)器蝕刻(ke)所述(shu)(shu)多個(ge)溝(gou)槽包(bao)括通過所述(shu)(shu)內(nei)插(cha)器的(de)(de)整個(ge)厚度蝕刻(ke)所述(shu)(shu)多個(ge)溝(gou)槽。

技術總結
描述了微制造器件的封裝，例如集成電路、微機電系統(MEMS)或傳感器器件。在至少一些實施例中，該封裝是3D異質封裝。3D異質封裝包括內插器。內插器包括應力釋放平臺。因此，源自封裝的應力不會傳播到被封裝的器件。應力隔離平臺是應力釋放功能的一個示例。應力隔離平臺包括內插器的一部分，該內插器經由應力隔離懸掛件耦合到內插器的其余部分。應力隔離懸掛件可以通過蝕刻穿過內插器的溝槽來形成。

技術研發人員：張欣,張江龍,陳立,J·C·考爾斯,M·朱蒂,S·賽義德
受保護的技術使用者：美國亞德諾半導體公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/19