切割膜和切割晶片粘合膜的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及一種切割膜（dicingfilm)和切割晶片粘合膜（dicingdie-bonding film),更具體而言，設及一種能夠改善在半導體封裝工藝的切割過程中的拾取能力并防止 薄型化的半導體晶片受損的切割膜，包括該切割膜的切割晶片粘合膜，W及使用該切割晶 片粘合膜的半導體晶圓（wafer)的切割方法。
【背景技術】
[0002] 一般而言，制備半導體晶片的工藝包括在晶圓形成微細圖案的工藝，并拋光晶圓 W滿足最終裝置規格而進行的工藝。所述封裝工藝包括：晶圓檢測工藝，檢測半導體晶 片（chip)的不良；切割晶圓W分離為單個的晶片的切割工藝；將分離的晶片附著至電路 膜（circuitfilm)或引線框架（leadframe)的安裝板的晶片粘合工藝（diebonding process);引線接合工藝，通過電連接構件（如導線）來將裝配在半導體晶片上的晶片襯 墊（chippad)和引線框架連接；模塑工藝，使用密封材料來覆蓋半導體晶片的外部W保 護半導體晶片的內部電路和其他組件；修整工藝，切割連接引線的堤巧杠（dambar);成型 (化rming)工藝，將引線彎曲成所期望的形狀；成品檢測工藝，用于檢測所完成的封裝的不 良，等。
[0003] 通過切割過程來制造彼此從由多個晶片所形成的半導體晶圓分離的單個晶片。從 廣義上說，所述切割工藝是，研磨（grinding)半導體晶圓的背面，并沿著晶片之間的切割 線切割半導體晶圓，由此制造多個彼此分離的單個晶片的工藝。
[0004] 同時，根據電子器件的微型化和存儲容量的增加，近來，已大量使用半導體晶片垂 直堆疊的多晶片封裝（MCP，multi-chippackage)技術，并且為了堆疊更多晶片，各個晶片 需要具有薄的厚度。
[0005] 根據上述半導體晶圓的薄型化，當粘合層和粘合層分離時施加過大的力的情況 下，存在的問題是薄型化的晶片會受到損害，從而在切割工藝中的拾取能力降低。

【發明內容】

[0006] 巧術目的
[0007] 本發明提供一種能夠改善在半導體封裝工藝的切割過程中的拾取能力并防止薄 型化的半導體晶片受損的切割膜、包括該切割膜的切割晶片粘合膜、W及使用該切割晶片 粘合膜的半導體晶圓的切割方法。
[0008] 巧術方案
[0009] 本發明的示例性實施方案提供一種切割膜，其包括：基底膜；和粘合層，其中所述 粘合層的儲能模量在30°C下為3. 0*105至4. 0*10中曰，且粘合層的交聯度為80%至99%。
[0010] 粘合層的儲能模量在80°C下可為1.0*105PaW上，或1.0*10申a至4. 0*10申曰。
[0011] 粘合層可包含粘結樹脂、光引發劑和交聯劑。
[0012] 粘結樹脂可包含玻璃化轉變溫度為-28°C至-58°C的（甲基）丙締酸醋類樹脂。在 本說明書中，（甲基）丙締酸醋可包含丙締酸醋和甲基丙締酸醋。
[0013] 交聯劑可包含選自異氯酸醋類化合物、氮丙晚（aziridine)類化合物、環氧類化 合物和金屬馨合物類化合物中的一種W上的化合物。
[0014] 粘合層可包含0. 1至20重量份的光引發劑和0. 1至40重量份的交聯劑，基于100 重量份的粘結樹脂計。
[001引基底膜可為選自聚締控膜、聚醋膜、聚碳酸醋膜、聚氯乙締膜、聚四氣乙締膜、聚下 締膜、聚下二締膜、氯乙締共聚物膜、乙締-乙酸乙締醋共聚物膜、乙締-丙締共聚物膜，W 及乙締-丙締酸烷基醋共聚物膜中的一種聚合物膜。
[0016] 基底膜的厚度可為10μηι至200μηι，且粘合層的厚度可為5μηι至100μηι。
[0017] 本發明的另一示例性實施方案提供一種切割晶片粘合膜，其包括：如上所述的切 割膜；W及形成于切割膜的至少一個表面的粘合層。
[0018] 粘合層可包含熱塑性樹脂、環氧樹脂和固化劑。
[0019] 熱塑性樹脂可包含選自聚酷亞胺、聚酸酷亞胺、聚醋酷亞胺、聚酷胺、聚酸諷、聚酸 酬、聚締控、聚氯乙締、苯氧基樹脂（phenoxy)、反應性下二締丙締臘共聚物橡膠和（甲基） 丙締酸醋類樹脂中的一種W上聚合物樹脂。
[0020] 固化劑可包含選自酪醒樹脂、胺類固化劑和酸酢類固化劑中的一種W上的化合 物。
[0021] 粘合層可包含10至1000重量份的熱塑性樹脂和10至700重量份的固化劑，基于 100重量份的環氧樹脂計。
[0022] 粘合層還可包含選自憐類化合物、棚類化合物、憐-棚類化合物和咪挫類化合物 中的一種W上固化催化劑。
[0023] 粘合層的厚度可為1ym至300ym。
[0024] 此外，本發明的另一示例性實施方案提供一種半導體晶圓的切割方法，其包括：通 過對包括切割晶片粘合膜和層壓于切割晶片粘合膜的至少一面的晶圓的半導體晶圓進行 部分預處理，從而使得半導體晶圓被完全切割或可切割；向已預處理的半導體晶圓的基底 膜照射紫外線，并拾取通過半導體晶圓的切割來分離的單個晶片。 陽做]有益效果
[00%] 根據本發明，可W提供一種能夠改善在半導體封裝工藝的切割過程中的拾取能力 和防止薄型化的半導體晶片受損的切割膜，包括所述切割膜的切割晶片粘合膜，W及使用 切割晶片粘合膜的半導體晶圓的切割方法。
[0027] 由于半導體晶圓厚度薄，當粘合層和粘合層分離時施加過大的力的情況下，薄型 化的晶片會受損且拾取能力會降低。然而，根據切割膜、切割晶片粘合膜、半導體晶圓的切 割方法，可改善拾取能力，從而可W順利地進行拾取工藝，并可防止薄型化的半導體晶片的 雙損。
【具體實施方式】
[0028] 在下文中，將更詳細地描述本發明示例性實施方案的切割膜、切割晶片粘合膜和 半導體晶圓的切割方法。
[0029] 根據本發明的示例性實施方案，可W提供一種切割膜，其包括：基底膜；和粘合 層，其中所述粘合層的儲能模量在30°C下為3*105至4*10 6Pa，且粘合層的交聯度為80%至 99%。
[0030] 本發明人對改善拾取能力和防止薄半導體晶片的受損進行了研究，并通過實驗證 實了如果使用包含具有特定儲能模量和交聯度的粘合層的切割膜，則可改善在半導體封裝 工藝的切割過程中的拾取能力并防止薄型化的半導體晶片的受損，從而完成了本發明。
[0031] 在相關技術中，已嘗試了降低切割膜的粘合層的粘合力W增加拾取能力的方法； 然而，簡單地通過只降低粘合層的粘合力來改善拾取能力存在一定限度，并且有可能會降 低拾取能力。因此，本發明人應用上述具有特定儲能模量和交聯度的粘合層，從而解決了所 述問題。 陽032]如上所述，粘合層的儲能模量在30°C下可為3*105至4*10中曰。當粘合層的儲能模 量在30°C下低于3*10申a時，當分離粘合層和粘合層時，需要大的力，且在切割過程中薄型 化的半導體晶片會受損。此外，當粘合層的儲能模量在3(TC下超過4*l〇6pa時會增加粘合 層的強度，從而使得拾取能力降低。
[0033] 此外，粘合層的交聯度可為80%至99%，或85%至98%。當粘合層的交聯度低于 80%時，會增加粘結劑和粘合劑之間的錯定（anchoring),從而會增加粘結劑和粘合劑分離 時所需的能量，因此有可能會降低半導體晶圓的拾取能力。此外，當粘合層的交聯度超過 99%時，粘合層的粘合力會很大程度地降低，使得在切割工藝中可能會發生晶片飛瓣的現 象等。
[0034] 此外，為了增加使用切割膜時的半導體晶圓的拾取能力，粘合層的儲能模量 在30°C下可為3*105至4*10申曰，粘合層的儲能模量在80°C下可為1. 0*10中a W上，或 1. 0*l〇5pa至4. 0*l〇6pa。