濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體加工設備，尤其是一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置。
【背景技術】
[0002]半導體生產用硅片在濺射加工過程中，需對硅片襯底進行加熱處理。現有的加熱工藝往往采用背噴工藝，即將硅片放置于容器內部，通過容器底部的加熱孔向硅片輸送加熱氣體，以使得硅片襯底得以加熱；然而，上述工藝進行處理時，如若涉及批量硅片的襯底加熱，則需由人工對其擺放均勻，以避免硅片襯底無法與加熱介質接觸，從而致使生產效率降低。

【發明內容】

[0003]本發明要解決的技術問題是提供一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其可對批量加工的硅片進行均勻的襯底加熱處理。
[0004]為解決上述技術問題，本發明涉及一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤;所述放置盤的底端面設置有多個加熱孔，加熱孔連通至設置在放置盤外部的加熱管道，加熱管道連接有加熱源;所述放置盤之中設置有在水平方向上延伸的濾網，濾網的邊部設置有支撐邊框，支撐邊框固定設置于放置盤的側端面;所述放置盤之中，支撐邊框的底端部設置有多個振動電機，多個振動電機關于支撐邊框的軸線成旋轉對稱。
[0005]作為本發明的一種改進，所述支撐邊框的底端部設置有至少3個振動電機，其可從多個位置對濾網內的硅片進行均勻的振動，以使得硅片的分布更為均勻。
[0006]作為本發明的一種改進，每一個振動電機與放置盤的底端面之間均設置有防熱隔板，防熱隔板采用弧形結構，其朝向放置盤底端面進行彎曲，所述振動電機設置于防熱隔板內部。采用上述設計，其可通過防熱隔板對自加熱孔輸出的加熱介質進行阻隔，以使得加熱介質沿防熱隔板的曲面結構朝向濾網內部進行延伸，以對硅片進行加熱，從而避免了振動電機與加熱介質相接觸進而造成損壞。
[0007]作為本發明的一種改進，所述放置盤的側端面設置有卸料槽，卸料槽在支撐邊框與放置盤的上端部之間進行延伸;所述卸料槽兩側設置有滑槽，卸料槽之中設置有卸料擋板，其延伸至滑槽內部。采用上述設計，其可在硅片完成襯底加工后，通過卸料槽將進行批量加工的硅片傾倒而出，從而使得整體加工效率得以顯著改善。
[0008]采用上述技術方案的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其可通過濾網的設置使得硅片與放置盤的底端面之間存在一定的間隔，從而使得加熱介質可在濾網與放置盤底端部之間均勻分布，進而使得硅片襯底的處理效果得以改善;與此同時，濾網下方的振動電機可通過驅使濾網振動以使得濾網上的批量硅片得以均勻分布，避免批量硅片處理過程中需人工擺放均勻以導致的效率下降，同時可使得批量硅片在生產過程中的加熱均度得以改口 O
【附圖說明】
[0009]圖1為本發明不意圖；
[0010]圖2為本發明中卸料槽主視圖；
[0011]附圖標記列表:
[0012]I 一放置盤、2—加熱孔、3—加熱管道、4 一加熱源、5—濾網、6—支撐邊框、7—振動電機、8—防熱隔板、9 一卸料槽、10—卸料擋板。
【具體實施方式】
[0013]下面結合【具體實施方式】，進一步闡明本發明，應理解下述【具體實施方式】僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。
[0014]實施例1
[0015]如圖1所示的一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤I;所述放置盤I的底端面設置有多個加熱孔2，加熱孔2連通至設置在放置盤I外部的加熱管道3，加熱管道3連接有加熱源4;所述放置盤I之中設置有在水平方向上延伸的濾網5，濾網5的邊部設置有支撐邊框6，支撐邊框6固定設置于放置盤I的側端面;所述放置盤I之中，支撐邊框6的底端部設置有多個振動電機7，多個振動電機7關于支撐邊框6的軸線成旋轉對稱。
[0016]作為本發明的一種改進，所述支撐邊框6的底端部設置有4個振動電機7，其可從多個位置對濾網內的硅片進行均勻的振動，以使得硅片的分布更為均勻。
[0017]作為本發明的一種改進，每一個振動電機7與放置盤I的底端面之間均設置有防熱隔板8，防熱隔板8采用弧形結構，其朝向放置盤I底端面進行彎曲，所述振動電機7設置于防熱隔板8內部。采用上述設計，其可通過防熱隔板對自加熱孔輸出的加熱介質進行阻隔，以使得加熱介質沿防熱隔板的曲面結構朝向濾網內部進行延伸，以對硅片進行加熱，從而避免了振動電機與加熱介質相接觸進而造成損壞。
[0018]采用上述技術方案的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其可通過濾網的設置使得硅片與放置盤的底端面之間存在一定的間隔，從而使得加熱介質可在濾網與放置盤底端部之間均勻分布，進而使得硅片襯底的處理效果得以改善;與此同時，濾網下方的振動電機可通過驅使濾網振動以使得濾網上的批量硅片得以均勻分布，避免批量硅片處理過程中需人工擺放均勻以導致的效率下降，同時可使得批量硅片在生產過程中的加熱均度得以改口 ο
[0019]實施例2
[0020]作為本發明的一種改進，如圖2所示，所述放置盤I的側端面設置有卸料槽9，卸料槽9在支撐邊框6與放置盤I的上端部之間進行延伸;所述卸料槽9兩側設置有滑槽，卸料槽9之中設置有卸料擋板10，其延伸至滑槽內部。采用上述設計，其可在硅片完成襯底加工后，通過卸料槽將進行批量加工的硅片傾倒而出，從而使得整體加工效率得以顯著改善。
[0021 ]本實施例其余特征與優點均與實施例1相同。
【主權項】
1.一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤;其特征在于，所述放置盤的底端面設置有多個加熱孔，加熱孔連通至設置在放置盤外部的加熱管道，加熱管道連接有加熱源;所述放置盤之中設置有在水平方向上延伸的濾網，濾網的邊部設置有支撐邊框，支撐邊框固定設置于放置盤的側端面;所述放置盤之中，支撐邊框的底端部設置有多個振動電機，多個振動電機關于支撐邊框的軸線成旋轉對稱。2.按照權利要求1所述的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其特征在于，所述支撐邊框的底端部設置有至少3個振動電機。3.按照權利要求2所述的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其特征在于，每一個振動電機與放置盤的底端面之間均設置有防熱隔板，防熱隔板采用弧形結構，其朝向放置盤底端面進行彎曲，所述振動電機設置于防熱隔板內部。4.按照權利要求3所述的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其特征在于，所述放置盤的側端面設置有卸料槽，卸料槽在支撐邊框與放置盤的上端部之間進行延伸;所述卸料槽兩側設置有滑槽，卸料槽之中設置有卸料擋板，其延伸至滑槽內部。
【專利摘要】本實用新型公開了一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤；所述放置盤的底端面設置有多個加熱孔，加熱孔連通至設置在放置盤外部的加熱管道，加熱管道連接有加熱源；所述放置盤之中設置有在水平方向上延伸的濾網，濾網的邊部設置有支撐邊框，支撐邊框固定設置于放置盤的側端面；所述放置盤之中，支撐邊框的底端部設置有多個振動電機；采用上述技術方案的濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，濾網下方的振動電機可通過驅使濾網振動以使得濾網上的批量硅片得以均勻分布，避免批量硅片處理過程中需人工擺放均勻以導致的效率下降，同時可使得批量硅片在生產過程中的加熱均度得以改善。
【IPC分類】C23C14/34, C23C14/50, C23C14/54
【公開號】CN205188424
【申請號】CN201520929753
【發明人】史進, 伍志軍
【申請人】蘇州賽森電子科技有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2015年11月20日