技術編號：10277502
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。半導體生產用硅片在濺射加工過程中，需對硅片襯底進行加熱處理。現有的加熱工藝往往采用背噴工藝，即將硅片放置于容器內部，通過容器底部的加熱孔向硅片輸送加熱氣體，以使得硅片襯底得以加熱；然而，上述工藝進行處理時，如若涉及批量硅片的襯底加熱，則需由人工對其擺放均勻，以避免硅片襯底無法與加熱介質接觸，從而致使生產效率降低。發明內容本發明要解決的技術問題是提供一種濺射工藝中的批量硅片襯底處理裝置，其可對批量加工的硅片進行均勻的襯底加熱處理。為解決上述技術問題，本發明涉...
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