半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體加工設備，尤其是一種半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置。
【背景技術】
[0002]蒸發鍍膜是將熔點較低的金屬進行加熱，使得金屬蒸發并附著于待加工的圓片之上以形成鍍膜的工藝。現有鍍膜工藝中，金屬蒸發產生的氣相金屬通過自由運動與圓片相接觸，其勢必導致加工過程中，大量的金屬得以揮發至工作腔室內其余區域，從而使得原料產生不必要的浪費。

【發明內容】

[0003]本發明要解決的技術問題是提供一種半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其可使得金屬鍍膜原料朝向待加工圓片位置運動，以避免原料的浪費。
[0004]為解決上述技術問題，本發明涉及一種半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其包括有工作腔室，工作腔室下端面設置有用于放置金屬物料的放置臺，放置臺內部設置有電熱源，工作腔室上端部設置有用于固定圓片的固定臺，固定臺由設置在工作腔室外部的電機進行驅動;所述放置臺的側端部設置有多個導向管道，其連通至設置在工作腔室外部的空氣壓縮機，多個導向管道關于放置臺的軸線成旋轉對稱，且其均朝向固定臺的軸線進行延伸。
[0005]作為本發明的一種改進，所述工作腔室的上端部設置有輔助導向管道，其連通至設置在工作腔室外部的真空吸附栗;所述輔助導向管道成環形分布，且其直徑在豎直方向上由下至上逐漸增加，輔助導向管道于工作腔室內部的端部直徑與固定臺的直徑相同。采用上述設計，其可通過輔助導向管道的結構設置，使得其形成自固定臺軸線朝向其邊部進行擴散的氣流，從而使得在導向管道作用下朝向固定臺端面上運動的氣相金屬得以在固定臺各個范圍內均勻分布，從而使得鍍膜均度與精度均可得以改善。
[0006]作為本發明的一種改進，所述輔助導向管道與真空吸附栗之間通過多根吸附管道進行連接，多根吸附管道關于固定臺的軸線成旋轉對稱;每一根吸附管道的直徑均在真空吸附栗朝向輔助導向管道的延伸方向上逐漸增加。采用上述設計，其可通過吸附管道的位置設置使得輔助導向管道各個位置可產生均勻的吸附作用。
[0007]采用上述技術方案的半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其可通過導向管道所輸出的流動氣體，使得金屬蒸發后產生的氣相金屬得以在氣流作用下朝向固定臺的端面進行運動，從而避免了氣相金屬無規則運動而導致的鍍膜原料浪費現象，同時亦可顯著改善圓片鍍膜的效果。
【附圖說明】
[0008]圖1為本發明示意圖；
[0009]附圖標記列表:
[0010]i 一工作腔室、2 一放置臺、3—固定臺、4 一電機、5—導向管道、6—空氣壓縮機、7—輔助導向管道、8—真空吸附栗、9 一吸附管道。
【具體實施方式】
[0011]下面結合【具體實施方式】，進一步闡明本發明，應理解下述【具體實施方式】僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。
[0012]實施例1
[0013]如圖1所示的一種半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其包括有工作腔室I，工作腔室I下端面設置有用于放置金屬物料的放置臺2，放置臺2內部設置有電熱源，工作腔室I上端部設置有用于固定圓片的固定臺3，固定臺3由設置在工作腔室I外部的電機4進行驅動;所述放置臺2的側端部設置有多個導向管道5，其連通至設置在工作腔室I外部的空氣壓縮機6，多個導向管道5關于放置臺2的軸線成旋轉對稱，且其均朝向固定臺3的軸線進行延伸。
[0014]采用上述技術方案的半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其可通過導向管道所輸出的流動氣體，使得金屬蒸發后產生的氣相金屬得以在氣流作用下朝向固定臺的端面進行運動，從而避免了氣相金屬無規則運動而導致的鍍膜原料浪費現象，同時亦可顯著改善圓片鍍膜的效果。
[0015]實施例2
[0016]作為本發明的一種改進，所述工作腔室I的上端部設置有輔助導向管道7，其連通至設置在工作腔室I外部的真空吸附栗8;所述輔助導向管道7成環形分布，且其直徑在豎直方向上由下至上逐漸增加，輔助導向管道7于工作腔室I內部的端部直徑與固定臺3的直徑相同。采用上述設計，其可通過輔助導向管道的結構設置，使得其形成自固定臺軸線朝向其邊部進行擴散的氣流，從而使得在導向管道作用下朝向固定臺端面上運動的氣相金屬得以在固定臺各個范圍內均勻分布，從而使得鍍膜均度與精度均可得以改善。
[0017]作為本發明的一種改進，所述輔助導向管道7與真空吸附栗8之間通過四根吸附管道9進行連接，多根吸附管道9關于固定臺3的軸線成旋轉對稱;每一根吸附管道9的直徑均在真空吸附栗8朝向輔助導向管道7的延伸方向上逐漸增加。采用上述設計，其可通過吸附管道的位置設置使得輔助導向管道各個位置可產生均勻的吸附作用。
[0018]本實施例其余特征與優點均與實施例1相同。
【主權項】
1.一種半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其包括有工作腔室，工作腔室下端面設置有用于放置金屬物料的放置臺，放置臺內部設置有電熱源，工作腔室上端部設置有用于固定圓片的固定臺，固定臺由設置在工作腔室外部的電機進行驅動;其特征在于，所述放置臺的側端部設置有多個導向管道，其連通至設置在工作腔室外部的空氣壓縮機，多個導向管道關于放置臺的軸線成旋轉對稱，且其均朝向固定臺的軸線進行延伸。2.按照權利要求1所述的半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其特征在于，所述工作腔室的上端部設置有輔助導向管道，其連通至設置在工作腔室外部的真空吸附栗;所述輔助導向管道成環形分布，且其直徑在豎直方向上由下至上逐漸增加，輔助導向管道于工作腔室內部的端部直徑與固定臺的直徑相同。3.按照權利要求2所述的半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其特征在于，所述輔助導向管道與真空吸附栗之間通過多根吸附管道進行連接，多根吸附管道關于固定臺的軸線成旋轉對稱;每一根吸附管道的直徑均在真空吸附栗朝向輔助導向管道的延伸方向上逐漸增加。
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其包括有工作腔室，工作腔室下端面設置有用于放置金屬物料的放置臺，工作腔室上端部設置有用于固定圓片的固定臺；所述放置臺的側端部設置有多個導向管道，其連通至設置在工作腔室外部的空氣壓縮機，多個導向管道關于放置臺的軸線成旋轉對稱，且其均朝向固定臺的軸線進行延伸；采用上述技術方案的半導體加工用蒸發臺的鍍膜原料導向裝置，其可通過導向管道所輸出的流動氣體，使得金屬蒸發后產生的氣相金屬得以在氣流作用下朝向固定臺的端面進行運動，從而避免了氣相金屬無規則運動而導致的鍍膜原料浪費現象，同時亦可顯著改善圓片鍍膜的效果。
【IPC分類】C23C14/24
【公開號】CN205188415
【申請號】CN201520929691
【發明人】史進, 伍志軍
【申請人】蘇州賽森電子科技有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2015年11月20日