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一種類金剛石碳膜沉積裝置的制造方法

文檔序號(hao):9905266閱讀:625來源:國知局
一種類金剛石碳膜沉積裝置的制造方法
【技術領域】
[0001 ]本發明涉及鍍膜技術領域,尤其涉及一種類金剛石碳膜沉積裝置。
【背景技術】
[0002]類金剛石碳膜(Diamond Like Carbon,DLC)是一種以sp3和sp2鍵的形式結合生成的亞穩態材料,其不僅兼具了金剛石和石墨的優良特性,還具有高硬度、高電阻率和良好光學性能,同時又具有自身獨特摩擦學特性,可廣泛用于機械、電子、光學、熱學、聲學和醫學等領域。
[0003]由于DLC是亞穩態材料,在制備過程中需要荷能離子轟擊生長表面,通常,采用物理氣相沉積方法、化學沉積方法或等離子體增強化學氣相沉積(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposit1n,PECVD)方法進行制備,而PECVD方法由于沉積速率快、成膜質量好,被廣泛應用于DLC的制備。沉積裝置在制備DLC的過程中會出現沉積物垃圾,沉積物垃圾在沉積裝置的底部積累,若不及時清理干凈,沉積物垃圾將會影響下一次沉積。現有技術在清理沉積物垃圾時,首先將真空室的上蓋升起,接著將真空吸頭從真空室的上方伸入到真空室的底部,對底部的沉積物垃圾進行清理,由于真空吸頭往往不方便拐彎,因此在清理真空室底部的沉積物垃圾時,存在清理不徹底的問題。
[0004]為克服清理不徹底的問題,可以在真空室的側壁上設置門體,從而真空吸頭能夠從真空室側壁伸到內部進行清掃,真空吸頭不再需要拐彎,易于清理真空室底部的沉積物垃圾,清理徹底。但是,在設置門體時將會在真空室的側壁上開口,而開口會對真空室內的電場分布造成影響,造成電場不平衡。

【發明內容】

[0005]本發明通過提供一種類金剛石碳膜沉積裝置,解決了現有技術中在真空室側壁開設門體將會造成真空室內部電場不平衡的技術問題。
[0006]本發明實施例提供了一種類金剛石碳膜沉積裝置,包括真空室、門體、陽極靶、陰極靶、驅動機構、抽真空裝置和電場平衡機構;
[0007]所述真空室的上蓋與所述真空室的室底相對,所述真空室的側壁連接所述上蓋和所述室底,以形成一腔室;
[0008]所述側壁上開設有一開口;
[0009]所述門體與所述真空室連接,用于蓋設于所述開口;
[0010]所述電場平衡機構可拆卸地連接在所述開口處的所述側壁上,用于補全所述開口,其中,所述電場平衡機構呈板狀,且,所述電場平衡機構的尺寸大于等于所述開口的尺寸;
[0011]所述陽極靶和所述陰極靶設置在所述真空室的內部,且,所述陽極靶與所述陰極靶相對設置,所述陰極靶位于所述真空室的室底與所述陽極靶之間;
[0012]所述驅動機構穿過所述室底與所述陰極靶相連;
[0013]所述抽真空裝置與所述真空室連通。
[0014]優選的,所述電場平衡機構的尺寸與所述開口的尺寸相同。
[0015]優選的,所述電場平衡機構與所述真空室的側壁之間通過螺栓連接。
[0016]優選的,所述真空室為圓柱體,所述開口呈弧形,所述電場平衡機構為弧形板。
[0017]優選的,所述門體上具有一探視窗。
[0018]優選的,還包括升降機構;
[0019]所述升降機構與所述上蓋相連。
[0020]優選的,所述升降機構為電動升降機構或液壓升降機構。
[0021]優選的,所述驅動機構為電機。
[0022]優選的,還包括調節閥;
[0023]所述調節閥設置在所述抽真空裝置與所述真空室連通處。
[0024]優選的,所述調節閥為可調電動閥。
[0025]本發明實施例中的一個或多個技術方案,至少具有如下技術效果或優點:
[0026]本發明通過在真空室的側壁上設置門體,在需要清理沉積物垃圾時,打開側壁上的門體,將真空吸頭從真空室的側壁伸到內部進行清掃,真空吸頭不再需要拐彎,易于清理底部的沉積物垃圾,清理徹底,不會污染下一次沉積過程,并且,通過在真空室側壁上的開口處增設電場平衡機構,利用電場平衡機構補全真空室的側壁上的開口,從而能夠保證真空室內的電場平衡,保證了沉積效果。
【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本發明實施例中一種類金剛石碳膜沉積裝置的剖面圖;
[0029]圖2為本發明實施例中真空室與開口之間相對位置關系的示意圖;
[0030]圖3為本發明實施例中一種【具體實施方式】下的電場平衡機構的結構示意圖。
[0031]其中,I為真空室,101為開口,102為上蓋,2為門體,3為陽極靶,4為陰極靶,5為旋轉驅動機構,6為抽真空裝置,7為連接通道,8為機架,9為探視窗,10為升降機構,11為電場平衡機構。
【具體實施方式】
[0032]為解決現有技術中在真空室側壁開設門體將會造成真空室內部電場不平衡的技術問題,本發明提供一種類金剛石碳膜沉積裝置,通過在真空室側壁上的開口處增設電場平衡機構,利用電場平衡機構補全真空室的側壁上的開口,從而能夠保證真空室內的電場平衡,保證了沉積效果。
[0033]為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
[0034]本發明實施例提供一種類金剛石碳膜沉積裝置,如圖1所示,所述裝置包括真空室
1、門體2、陽極靶3、陰極靶4、驅動機構5、抽真空裝置6、連接通道7、機架8和電場平衡機構
II。真空室I的上蓋102與真空室I的室底相對,真空室I的側壁連接上蓋102和室底,以形成一腔室。真空室I放置于機架8上,真空室I的側壁上開設有一開口 101,門體2與真空室I連接,用于蓋設于開口 101。電場平衡機構11可拆卸地連接在開口 101處的真空室I的側壁上,用于補全開口 101,其中,電場平衡機構11呈板狀,且,電場平衡機構11的尺寸大于等于開口101的尺寸。陽極靶3和陰極靶4設置在真空室I的內部,且,陽極靶3與陰極靶4相對設置,且,陰極靶4位于,真空室I的室底與陽極靶3之間。驅動機構5穿過真空室I的室底與陰極靶4相連。抽真空裝置6與真空室I連通,具體的,抽真空裝置6通過連接通道7與真空室I連通。其中,抽真空裝置6為分子栗。
[0035]具體來講,當電場平衡機構11的尺寸大于開口101的尺寸時,電場平衡機構11與開口 101的形狀可以相同,也可以不同,只要在安裝后,電場平衡機構11能夠補全開口 1lgp可。而,當電場平衡機構11的尺寸等于開口 101的尺寸時,電場平衡機構11與開口 101的形狀相同,大小也相同,在安裝時,電場平衡機構11剛好能夠補全開口 101。本申請在真空室I的側壁上設置門體2,在需要清理沉積物垃圾時,打開側壁上的門體2,將真空吸頭從真空室I的側壁伸到內
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