專利名稱：一種投影控制器的制作方法
技術領域：
本發明涉及電學領域，特別涉及ー種投影控制器。
背景技術：
投影儀是公司和學校必備的辦公和教學儀器，投影顯示的效果與室內的光線有很大關系，但現有的會議室和教室，照明系統和投影儀均為分立的儀器，各自獨立工作，需要人工調節光線和投影儀。而且，照明系統的突然開通和關斷，給人體的視覺影響比較大，會有眼部不適癥狀的出現。
發明內容
本發明提出ー種投影控制器，解決了現有技術中需要人工調節光線和投影儀，突然開通和關斷照明系統會對眼部造成不適的問題。本發明的技術方案是這樣實現的:ー種投影控制器，包括:投影儀；用于室內照明的LED燈；M0SFET晶體管，其源極連接到地電位，其漏極連接到所述LED燈；單片機，其輸入端連接到所述投影儀，輸出端輸出用于控制所述MOSFET晶體管導通和關斷的控制信號；功率放大電路，對單片機輸出的控制信號進行功率放大；濾波器，對功率放大電路的輸出信號進行濾波，將濾波后的直流電壓信號發送到所述MOSFET晶體管的柵極。可選地，所述MOSFET晶體管為N型MOSFET晶體管。可選地，所述單片機為51單片機。本發明的有益效果是:(I)開通投影儀時，自動關閉照明用的LED燈，方便操作，投影效果好；(2) LED燈的亮度為逐漸變化，人體舒適性好。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明ー種投影控制器的電路框圖。
具體實施例方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
如圖1所示，本發明的ー種投影控制器，包括:投影儀10 ;用于室內照明的LED燈20 ；M0SFET晶體管30，其源極連接到地電位，其漏極連接到LED燈20 ;單片機40，其輸入端連接到投影儀10，輸出端輸出用于控制MOSFET晶體管30導通和關斷的控制信號，例如單片機40為51單片機；功率放大電路50，對單片機40輸出的控制信號進行功率放大；濾波器60，對功率放大電路50的輸出信號進行濾波，將濾波后的直流電壓信號發送到MOSFET晶體管30的柵極，例如MOSFET晶體管為N型MOSFET晶體管。當投影儀10開通吋，單片機40接收到投影儀的開通信號，單片機40的輸出信號由高電平變為脈沖寬度逐漸減小的脈沖信號，經過功率放大電路50的放大和濾波器60的濾波，將直流電壓信號施加在MOSFET晶體管30的柵極，MOSFET晶體管30由開通狀態進入到可變電阻區，流過LED燈20的電流也逐漸減小，因此LED燈的亮度也逐漸減弱，人眼逐漸適應亮度的改變；當投影儀10關閉吋，單片機40接收到投影儀的關閉信號，單片機40的輸出信號由低電平變為脈沖寬度逐漸增大的脈沖信號，經過功率放大電路50的放大和濾波器60的濾波，將直流電壓信號施加在MOSFET晶體管30的柵極，MOSFET晶體管30由關斷狀態進入到可變電阻區，流過LED燈20的電流也逐漸増大，因此LED燈20的亮度也逐漸增強，人眼逐漸適應亮度的改變。本發明的投影控制器，開通投影儀時，自動關閉照明用的LED燈，方便操作，投影效果好；LED燈的亮度為逐漸變化，人體舒適性好。以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種投影控制器，其特征在于，包括: 投影儀； 用于室內照明的LED燈； MOSFET晶體管，其源極連接到地電位，其漏極連接到所述LED燈； 單片機，其輸入端連接到所述投影儀，輸出端輸出用于控制所述MOSFET晶體管導通和關斷的控制信號； 功率放大電路，對單片機輸出的控制信號進行功率放大； 濾波器，對功率放大電路的輸出信號進行濾波，將濾波后的直流電壓信號發送到所述MOSFET晶體管的柵極。
2.按權利要求1所述的投影儀控制系統，其特征在于，所述MOSFET晶體管為N型MOSFET晶體管。
3.按權利要求2所述的投影儀控制系統，其特征在于，所述單片機為51單片機。
全文摘要
本發明提出了一種投影控制器，包括投影儀；用于室內照明的LED燈；MOSFET晶體管，其源極連接到地電位，其漏極連接到所述LED燈；單片機，其輸入端連接到所述投影儀，輸出端輸出用于控制所述MOSFET晶體管導通和關斷的控制信號；功率放大電路，對單片機輸出的控制信號進行功率放大；濾波器，對功率放大電路的輸出信號進行濾波，將濾波后的直流電壓信號發送到所述MOSFET晶體管的柵極。
文檔編號G03B21/20GK103096583SQ20121056811
公開日2013年5月8日 申請日期2012年12月12日 優先權日2012年12月12日
發明者王玲 申請人:青島聯盟電子儀器有限公司