本申請涉(she)及(ji)顯示技(ji)術(shu)領域，具體涉(she)及(ji)一種(zhong)金(jin)屬線、金(jin)屬線自修(xiu)復的(de)方法以(yi)及(ji)柔性顯示屏。

背景技術：

柔性(xing)顯示(shi)屏是一種(zhong)可彎(wan)曲或可折疊的(de)(de)柔性(xing)顯示(shi)屏系統，柔性(xing)顯示(shi)屏中的(de)(de)金屬線，經過多次彎(wan)折后，金屬線部分會出現(xian)不(bu)同(tong)程度的(de)(de)斷裂，從而(er)會影(ying)響(xiang)顯示(shi)器的(de)(de)顯示(shi)效(xiao)果。

針對上(shang)述問題，業界已有的(de)解(jie)決方案是當金屬(shu)(shu)線出現(xian)斷(duan)(duan)裂時(shi)，在(zai)金屬(shu)(shu)線上(shang)涂布一層修(xiu)(xiu)補(bu)液，修(xiu)(xiu)補(bu)液中存在(zai)一定的(de)修(xiu)(xiu)補(bu)粒子(zi)；在(zai)金屬(shu)(shu)線上(shang)加一定電(dian)壓(ya)，修(xiu)(xiu)補(bu)粒子(zi)會在(zai)斷(duan)(duan)裂處(chu)的(de)電(dian)場的(de)作(zuo)用下(xia)游離到金屬(shu)(shu)斷(duan)(duan)裂處(chu)，從而(er)起(qi)到修(xiu)(xiu)復(fu)效果；該(gai)方法需要額外使用修(xiu)(xiu)補(bu)液，修(xiu)(xiu)補(bu)過程(cheng)比較(jiao)繁(fan)瑣。

鑒于此，特提出本申(shen)請(qing)。

技術實現要素：

本申請的一個方面(mian)在于(yu)提供一種金屬線，該(gai)金屬線在使用過程中出現斷(duan)裂時可(ke)自修復。

本申請的另一個(ge)方面在于提供一種金(jin)屬(shu)線(xian)自修(xiu)復(fu)的方法，該方法可方便的實現(xian)金(jin)屬(shu)線(xian)的自修(xiu)復(fu)。

本(ben)申請的(de)再一(yi)個(ge)方面在(zai)于提(ti)供一(yi)種(zhong)柔(rou)性(xing)顯(xian)示屏(ping)，該柔(rou)性(xing)顯(xian)示屏(ping)中的(de)金屬線(xian)可實現自修復。

本申請的具體技術方案為：

一(yi)種金屬線(xian)，所述金屬線(xian)內(nei)分布有修(xiu)復粒子，所述修(xiu)復粒子包括導(dao)電(dian)性(xing)外(wai)殼(ke)和填充在所述導(dao)電(dian)性(xing)外(wai)殼(ke)內(nei)的熱膨脹性(xing)導(dao)電(dian)材料。

優選(xuan)的，所述熱(re)膨脹性導(dao)電材料選(xuan)自膨脹石墨、有機(ji)熱(re)膨脹性導(dao)電材料中的至少(shao)一種(zhong)。

優選的，所(suo)述熱膨脹性導電材料(liao)為膨脹石墨。

優選的(de)，所述導電性外(wai)殼為金屬(shu)外(wai)殼。

優選的(de)，所(suo)述金屬外殼的(de)材料選自Ni、Ti、Mo、Al、Ag、ITO中的(de)至少一種。

優選的，所述(shu)修復粒子為納米粒子。

本申請還提(ti)供了一(yi)種金屬(shu)線自修(xiu)復的方法，該方法為(wei)：

所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)金(jin)屬線(xian)為前(qian)任一所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)的(de)金(jin)屬線(xian)；當(dang)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)金(jin)屬線(xian)出現斷(duan)(duan)(duan)裂時(shi)，使所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)金(jin)屬線(xian)的(de)斷(duan)(duan)(duan)裂處(chu)升(sheng)溫，當(dang)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)斷(duan)(duan)(duan)裂處(chu)的(de)溫度達到(dao)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)熱(re)膨脹性(xing)(xing)導電(dian)材料(liao)的(de)膨脹溫度后(hou)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)熱(re)膨脹性(xing)(xing)導電(dian)材料(liao)發(fa)生膨脹，沖出所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導電(dian)性(xing)(xing)外殼并填充到(dao)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)斷(duan)(duan)(duan)裂處(chu)，實(shi)現所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)金(jin)屬線(xian)的(de)自修(xiu)復(fu)。

優選(xuan)的(de)，當所(suo)(suo)述金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)線(xian)出現(xian)非完全斷裂(lie)時(shi)，對所(suo)(suo)述金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)線(xian)進行(xing)通電和(he)/或激(ji)光照射，以使所(suo)(suo)述金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)線(xian)的(de)斷裂(lie)處(chu)升溫(wen)；當所(suo)(suo)述金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)線(xian)出現(xian)完全斷裂(lie)時(shi)，對所(suo)(suo)述金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)線(xian)進行(xing)激(ji)光照射，以使所(suo)(suo)述金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)線(xian)的(de)斷裂(lie)處(chu)升溫(wen)。

優(you)選的，所(suo)(suo)述激(ji)光(guang)照射為對(dui)所(suo)(suo)述金(jin)(jin)屬線的斷裂(lie)處或對(dui)所(suo)(suo)述金(jin)(jin)屬線整(zheng)體進行激(ji)光(guang)照射。

本申(shen)請進一(yi)步提供一(yi)種柔性顯示屏(ping)，含有(you)前(qian)任一(yi)所述(shu)金屬線。

本申請提(ti)供的技術方案可以達到以下有益效果：

采用(yong)本申請的金(jin)屬(shu)線(xian)和(he)金(jin)屬(shu)線(xian)自修(xiu)復(fu)的方法(fa)，可在(zai)無需外加其它材料的情況下實現金(jin)屬(shu)線(xian)斷(duan)裂(lie)處的自行修(xiu)復(fu)；

進一步(bu)的，采(cai)用(yong)本申請的金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)線和金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)線自(zi)修(xiu)復(fu)的方法(fa)，可以無需對金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)線的斷(duan)裂處進行定位，直接(jie)對整體(ti)進行激光照射即(ji)可實現金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)線的自(zi)行修(xiu)復(fu)，從而不影響包(bao)含(han)有該金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)線的柔性顯(xian)示屏的顯(xian)示效果。

附圖說明

圖1為本申請實施例(li)的(de)修復(fu)粒(li)子結(jie)構(gou)示意圖；

圖2為(wei)本申請實施(shi)例的金屬線的示意(yi)圖；

圖3為本申(shen)請實施例(li)的(de)部分(fen)斷(duan)裂的(de)金屬線的(de)示意(yi)圖；

圖4為本(ben)申請實施例(li)的(de)部分斷裂的(de)金屬(shu)線(xian)發生自修復(fu)后(hou)的(de)結(jie)構(gou)示意(yi)圖；

圖(tu)5為本申請實(shi)施(shi)例的(de)(de)完(wan)全斷裂的(de)(de)金屬線的(de)(de)示意圖(tu)；

圖(tu)6為本申請實(shi)施(shi)例的完全斷裂的金屬線發(fa)生自修復后的結構(gou)示意(yi)圖(tu)；

附圖標記，

1-修復粒子；

11-導電性外殼；

12-膨脹石墨；

2-金屬線；

21-部(bu)分(fen)斷(duan)裂(lie)裂(lie)痕；

22-完(wan)全斷裂裂痕；

3-電源。

具體實施方式

為使本(ben)(ben)(ben)申(shen)(shen)請(qing)(qing)的(de)(de)目的(de)(de)、技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)方案和優點更加清楚，下面(mian)將結合本(ben)(ben)(ben)申(shen)(shen)請(qing)(qing)實施(shi)(shi)(shi)例(li)及附圖，對本(ben)(ben)(ben)申(shen)(shen)請(qing)(qing)的(de)(de)技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的(de)(de)實施(shi)(shi)(shi)例(li)是(shi)本(ben)(ben)(ben)申(shen)(shen)請(qing)(qing)一部分實施(shi)(shi)(shi)例(li)，而不是(shi)全部的(de)(de)實施(shi)(shi)(shi)例(li)。基于本(ben)(ben)(ben)申(shen)(shen)請(qing)(qing)提供的(de)(de)技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)方案及所給出的(de)(de)實施(shi)(shi)(shi)例(li)，本(ben)(ben)(ben)領域技(ji)(ji)(ji)(ji)術(shu)人員在沒(mei)有(you)做出創造(zao)性勞(lao)動前提下所獲得的(de)(de)所有(you)其他實施(shi)(shi)(shi)例(li)，都屬于本(ben)(ben)(ben)申(shen)(shen)請(qing)(qing)保護(hu)的(de)(de)范圍。

本申請涉及的一種(zhong)金(jin)屬(shu)線2，為(wei)：金(jin)屬(shu)線2內分布(bu)有修復粒子(zi)1，修復粒子(zi)1包括導電(dian)性外殼11和(he)填充(chong)在所(suo)述導電(dian)性外殼11內的熱膨脹性導電(dian)材料。

含有導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)性外殼(ke)(ke)11保證了金(jin)屬(shu)線(xian)2整體導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)性，在正常狀(zhuang)態下不影響金(jin)屬(shu)導(dao)(dao)(dao)(dao)線(xian)的(de)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)率(lv)；當(dang)金(jin)屬(shu)線(xian)2發生(sheng)斷(duan)裂(lie)時，斷(duan)裂(lie)處修復粒子1的(de)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)性外殼(ke)(ke)11中填(tian)充(chong)的(de)熱膨(peng)脹性導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)材料(liao)，在遇到高溫時可(ke)發生(sheng)膨(peng)脹沖出導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)性外殼(ke)(ke)，膨(peng)脹填(tian)充(chong)到斷(duan)裂(lie)處，而熱膨(peng)脹性導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)材料(liao)本身具有導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)性，因此斷(duan)裂(lie)填(tian)充(chong)后可(ke)恢復金(jin)屬(shu)線(xian)2的(de)導(dao)(dao)(dao)(dao)電(dian)功能，達(da)到自修復的(de)效果。

作為(wei)本(ben)申(shen)請的一(yi)種改(gai)進，本(ben)申(shen)請中(zhong)的導電(dian)性外(wai)殼為(wei)金屬(shu)外(wai)殼。

本申請中，對于(yu)金屬外殼的材料并沒有特別的限制，例如可以選自Ni、Ti、Mo、Al、Ag、ITO中的至少(shao)一種。ITO是Indium Tin Oxides的縮寫，即(ji)銦錫金屬氧(yang)化物。

作(zuo)為本申請的(de)一(yi)種改進(jin)，本申請熱膨脹性導(dao)電材(cai)料選自膨脹石墨12或其(qi)它(ta)具有(you)高熱膨脹系數(shu)的(de)有(you)機熱膨脹性導(dao)電材(cai)料中的(de)至少一(yi)種。

優選的，本申請熱膨(peng)(peng)脹(zhang)性導(dao)電(dian)(dian)材料為膨(peng)(peng)脹(zhang)石墨12。現(xian)有(you)膨(peng)(peng)脹(zhang)石墨12的膨(peng)(peng)脹(zhang)起(qi)始(shi)溫度(du)為80℃～150℃，達到該溫度(du)后(hou)可(ke)瞬間體(ti)積膨(peng)(peng)脹(zhang)150～300倍(bei)，沖出外(wai)殼后(hou)膨(peng)(peng)脹(zhang)填充(chong)到斷裂處(chu)，而膨(peng)(peng)脹(zhang)石墨12本身具(ju)有(you)導(dao)電(dian)(dian)性，因此斷裂處(chu)被膨(peng)(peng)脹(zhang)石墨12填充(chong)后(hou)可(ke)恢(hui)復金屬(shu)線2的導(dao)電(dian)(dian)功能。

特別(bie)是，當金屬(shu)線2在(zai)通電使用過程中(zhong)出現(xian)斷(duan)(duan)裂(lie)時，在(zai)斷(duan)(duan)裂(lie)處(chu)(chu)的(de)溫(wen)度(du)會明顯(xian)高于其它地方的(de)溫(wen)度(du)，待此處(chu)(chu)溫(wen)度(du)達到(dao)一(yi)定值后，膨脹(zhang)石墨(mo)12發生(sheng)膨脹(zhang)沖出金屬(shu)外(wai)殼，填充到(dao)斷(duan)(duan)裂(lie)處(chu)(chu)，從而起(qi)到(dao)自修復的(de)效果。

較佳的，修復粒子1均(jun)勻地分布(bu)在金(jin)屬線2的內(nei)部。

較(jiao)佳(jia)的，修復粒子1為納米粒子。

本申(shen)請中所述的(de)金屬(shu)線(xian)2可以(yi)是(shi)適用于(yu)不同(tong)領(ling)域中的(de)金屬(shu)線(xian)2，而且對(dui)金屬(shu)線(xian)2的(de)金屬(shu)材(cai)料本身不作限制，可以(yi)是(shi)任何金屬(shu)材(cai)料的(de)金屬(shu)線(xian)2。

進一(yi)步的(de)，本申請所述的(de)金(jin)屬線(xian)2可以是(shi)應用于柔性顯示(shi)屏中的(de)金(jin)屬線(xian)2，該(gai)(gai)金(jin)屬線(xian)2的(de)材料(liao)選(xuan)自(zi)Ni、Ti、Mo、Al、Ag、ITO等，該(gai)(gai)金(jin)屬線(xian)導電性外殼(ke)的(de)材料(liao)可選(xuan)自(zi)Ni、Ti、Mo、Al、Ag、ITO中的(de)至(zhi)少(shao)一(yi)種。

一般，對于(yu)不同阻(zu)抗(kang)要求的金(jin)(jin)屬(shu)線2，金(jin)(jin)屬(shu)線2直徑不同。應(ying)用于(yu)柔性顯(xian)示屏中的金(jin)(jin)屬(shu)線2截面(mian)直徑應(ying)小于(yu)1μm。

本申請由此還提供一(yi)種(zhong)柔(rou)性(xing)顯(xian)示(shi)屏(ping)，該柔(rou)性(xing)顯(xian)示(shi)屏(ping)含(han)有上(shang)述的金屬線2。

柔性顯(xian)示屏中的(de)(de)金屬線2只有當置于顯(xian)微鏡下才可看得見，當金屬線2發生斷裂時(shi)，顯(xian)示屏的(de)(de)顯(xian)示效果會(hui)發生異常(chang)。

本申請還涉及一(yi)(yi)種金(jin)屬(shu)(shu)線(xian)(xian)自(zi)修復(fu)的(de)(de)方法，該方法特別針對于前任一(yi)(yi)述(shu)(shu)及的(de)(de)金(jin)屬(shu)(shu)線(xian)(xian)2的(de)(de)自(zi)修復(fu)；當(dang)所述(shu)(shu)金(jin)屬(shu)(shu)線(xian)(xian)2出(chu)(chu)現(xian)(xian)斷裂時，使所述(shu)(shu)金(jin)屬(shu)(shu)線(xian)(xian)2的(de)(de)斷裂處升(sheng)溫，當(dang)所述(shu)(shu)斷裂處的(de)(de)溫度(du)達到所述(shu)(shu)熱膨脹(zhang)(zhang)性導電(dian)材料的(de)(de)膨脹(zhang)(zhang)溫度(du)后，所述(shu)(shu)熱膨脹(zhang)(zhang)性導電(dian)材料發生膨脹(zhang)(zhang)，沖出(chu)(chu)所述(shu)(shu)導電(dian)性外殼并填(tian)充到所述(shu)(shu)斷裂處，實現(xian)(xian)所述(shu)(shu)金(jin)屬(shu)(shu)線(xian)(xian)2的(de)(de)自(zi)修復(fu)。

優選的，使(shi)所述斷裂處升溫(wen)的方(fang)法(fa)可以是使(shi)所述金(jin)屬線2通電或對(dui)金(jin)屬線2進行激(ji)光照射。

其中，激光(guang)照射(she)為對所述金(jin)(jin)屬(shu)線2的斷裂處或對所述金(jin)(jin)屬(shu)線2整體進行激光(guang)照射(she)。

作為本(ben)申(shen)請(qing)金(jin)屬線(xian)(xian)自(zi)修復(fu)的方法的一種實施情況，當所述(shu)金(jin)屬線(xian)(xian)2出現非完全(quan)斷(duan)裂(lie)時，對(dui)(dui)所述(shu)金(jin)屬線(xian)(xian)2進行通(tong)電和/或對(dui)(dui)金(jin)屬線(xian)(xian)2進行激光(guang)照射，以使所述(shu)金(jin)屬線(xian)(xian)2的斷(duan)裂(lie)處(chu)升溫。

作為本申請金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)自修復的(de)方法(fa)的(de)另一種實施情況，當所述(shu)金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)2出現完全(quan)斷裂時，對所述(shu)金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)2進行激光照射，以使所述(shu)金(jin)(jin)屬(shu)線(xian)2的(de)斷裂處(chu)升溫。

當金(jin)(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)(xian)2本(ben)身比較細，斷(duan)裂(lie)(lie)處(chu)比較隱蔽(bi)難以(yi)發(fa)現，在使用本(ben)申請(qing)前述內部(bu)分布有(you)(you)修復粒(li)子的(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)(xian)2時(shi)，當金(jin)(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)(xian)2發(fa)生斷(duan)裂(lie)(lie)時(shi)只有(you)(you)斷(duan)裂(lie)(lie)處(chu)的(de)(de)(de)修復粒(li)子暴露在金(jin)(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)(xian)2之外(wai)，無需定位(wei)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)(xian)2的(de)(de)(de)斷(duan)裂(lie)(lie)位(wei)置，可(ke)直接(jie)對金(jin)(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)(xian)2進(jin)(jin)行(xing)整體激(ji)光照(zhao)射(she)，斷(duan)裂(lie)(lie)處(chu)的(de)(de)(de)修復粒(li)子因為沒有(you)(you)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)線(xian)(xian)(xian)材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)束縛，激(ji)光照(zhao)射(she)條件下可(ke)瞬間高(gao)溫破裂(lie)(lie)，膨(peng)脹石墨(mo)12發(fa)生膨(peng)脹進(jin)(jin)而填充到斷(duan)裂(lie)(lie)處(chu)，從而起(qi)到自修復效(xiao)果。

以下通過具體實施例對本申請的技術方案(an)做進(jin)一(yi)步的闡釋：

一般按照溶液法制備粒(li)(li)(li)徑在10nm以(yi)下的修(xiu)復(fu)粒(li)(li)(li)子1，并根據不(bu)同(tong)的使(shi)用環境(jing)，選擇填充不(bu)同(tong)起始溫度的膨(peng)脹石墨12，修(xiu)復(fu)粒(li)(li)(li)子1如圖(tu)1所示。

用于柔(rou)性顯示屏(ping)的金屬(shu)線2的制(zhi)作方法：

膨脹石墨12的膨脹起(qi)始溫度為80℃時，主要使用(yong)溶液法制(zhi)備，即制(zhi)備金(jin)屬(shu)溶液(或漿料(liao))，而修(xiu)復(fu)(fu)粒子1均勻(yun)分布(bu)在該溶液(或漿料(liao))中，再通過旋(xuan)涂(spin)或者刮涂(slit)制(zhi)備一(yi)層金(jin)屬(shu)膜(mo)(內(nei)含(han)有均勻(yun)分布(bu)的修(xiu)復(fu)(fu)粒子1)，經(jing)過低溫烘干(gan)將溶劑揮發掉后最(zui)(zui)終形成一(yi)層干(gan)膜(mo)，再對(dui)干(gan)膜(mo)進行刻蝕，最(zui)(zui)終形成所需要的金(jin)屬(shu)線圖形。

膨脹(zhang)石墨12的膨脹(zhang)起(qi)始溫(wen)(wen)度(du)為150℃時，可以使用蒸鍍(du)或濺射(she)方法制(zhi)備金屬(shu)線。經過低溫(wen)(wen)烘干后最終形成一層干膜(mo)，再對干膜(mo)進行(xing)刻蝕，最終形成所需要的金屬(shu)線圖形，如圖2所示。

含(han)有該金屬(shu)線2的(de)柔性顯示(shi)屏，通電狀態下(xia)，當(dang)金屬(shu)線2發生未完全斷(duan)裂(lie)(lie)(lie)時出現部(bu)分斷(duan)裂(lie)(lie)(lie)裂(lie)(lie)(lie)痕21，如(ru)圖3所示(shi)。在電源3的(de)通電作用下(xia)，斷(duan)裂(lie)(lie)(lie)處(chu)的(de)溫(wen)度會明顯高于其它地(di)方的(de)溫(wen)度，待(dai)此處(chu)溫(wen)度達(da)到一定值后，膨脹(zhang)石墨12沖出金屬(shu)外殼，填(tian)充(chong)到斷(duan)裂(lie)(lie)(lie)處(chu)，從而起到自(zi)修復的(de)效果，如(ru)圖4所示(shi)。

當(dang)金屬線(xian)2處(chu)(chu)于完全斷(duan)裂(lie)(lie)時出(chu)現完全斷(duan)裂(lie)(lie)裂(lie)(lie)痕(hen)22，如(ru)圖5所示(shi)，對斷(duan)裂(lie)(lie)處(chu)(chu)或金屬線(xian)2整體(ti)置(zhi)于激光照射環境下，斷(duan)裂(lie)(lie)處(chu)(chu)的修復粒子經過(guo)瞬間高溫破裂(lie)(lie)，膨脹(zhang)石墨12可以膨脹(zhang)進而填充到斷(duan)裂(lie)(lie)處(chu)(chu)，從而起到自修復效果(guo)，如(ru)圖6所示(shi)。

本(ben)申(shen)(shen)請雖然以(yi)較佳實施例公開(kai)如上，但并不是用來限定(ding)權利要求，任(ren)何本(ben)領(ling)域技術(shu)人(ren)員在不脫離本(ben)申(shen)(shen)請構思的前提下(xia)，都可(ke)以(yi)做出若干(gan)可(ke)能的變動和修改，因(yin)此本(ben)申(shen)(shen)請的保護范圍應當以(yi)本(ben)申(shen)(shen)請權利要求所界定(ding)的范圍為準。