專利名稱：：玻璃涂覆法及由此形成的帶涂層的玻璃的制作方法
背景技術：
：1.發明領域本發明涉及一種將涂料涂覆于玻璃的方法，更具體地，是涉及一種連續化學氣相淀積法，通常稱為CVD法，該方法用于將二氧化硅涂料涂覆于玻璃基質上。2.現有技術描述通常將二氧化硅涂料單獨地或和其它涂料相組合涂覆于玻璃基質上，用于改進交通工具上和建筑場合使用的玻璃的性質。典型地，這類帶涂層的玻璃的生產方法是在其制造過程中利用一種稱為浮法玻璃工藝的方法連續地涂覆玻璃基質。根據本方法，玻璃熔液被淀積在封閉的、細長的、盛有錫熔液的熔池內，為了防止錫氧化，在該熔池的上方保持一層非氧化性氣氛。使玻璃熔液能在受控狀態下鋪展，以形成有預定厚度和寬度的帶，然后，當這帶被拉過該槽時就被逐漸冷卻，以便作為一連續帶在位于該槽出口端的提升棍上移走。此后，這連續帶在一系列的校平棍上被傳送穿過鄰近的封閉的退火爐，并按照預定的退火規范逐漸冷卻。當退火后的帶或片材借助這些棍在周圍大氣中傳送時被進一步冷卻到室溫，然后將它切成具有要求尺寸的單個片材或坯件。當然，為了利用帶形成過程中產生的剩余熱量，可以在帶形成過程中利用浮法玻璃工藝，將要求的一層或多層涂料層涂覆在玻璃基質表面上是有利的。授予Kirkbride等人的美國專利號4019887公開了這種帶有一層硅烷或二氧化硅絡合物的玻璃涂層，它是在一種含有甲硅烷的非氧化性氣氛條件下，利用對熱玻璃基質的連續化學處理方法形成的。為了改善二氧化硅絡合物涂層對堿性化合物的抗腐蝕性，在Kirkbride等人的非氧化性氣體中加入了乙烯，這在Landau的美國專利4188444中作了敘述。正如迄今為止所論述的，最理想的是能夠在浮法玻璃槽內；在玻璃帶產生的同時涂覆各種涂料的涂層，包括二氧化硅涂層。通過引進控制好比例的氮和氫，使浮法槽外罩內保持還原氣氛，以防止金屬熔液氧化。這樣，必須當心是否有氧化性組分引入浮法玻璃外罩中，以便使還原氣氛的污染降至最低。一種關于在浮法槽中淀積二氧化硅涂料的現有技術方法中，已提議由構成硅源的硅烷(SiH4)和諸如象乙烯化合物的給電子體化合物組成的混合物作為前體氣體。作為能夠與由硅烷分解產生的硅原子相結合的氧的唯一來源，該方法依賴于向表面擴散的玻璃基質中一定比例的氧原子。這種擴散作用能夠由玻璃表面處的給電子體的吸附作用而加強。但是，擴散的能力是非常有限的，并且產生的膜層在很多場合沒有足夠的厚度。美國專利號5304394公開了一種方法，這種方法只使用硅烷和乙烯化合物就能獲得基于硅、氧和碳的涂層并具有滿意的厚度而無需利用補充的氧氣源。更具體地說，就是建議采用增加前體氣體和玻璃之間的接觸時間便有可能加強氧氣通過玻璃厚度的擴散，并建議通過提供足夠的最小比例的硅烷和乙烯，以便利用這種氧形成具有所要求增加厚度的涂層。通過恰當選擇淀積區域的長度和玻璃基質通過該區時的速度，就能獲得必需的接觸時間。由于要求獲得必需的接觸時間，所以這一程序不可能很容易地適合于在浮法玻璃生產線速度下供常規的涂覆設備使用。發明概述根據本發明，它提供了一種在溫升條件下在玻璃基質上熱解形成二氧化硅涂層的改進方法。這方法特別適用于在浮法玻璃槽外罩內，在連續浮法玻璃帶上形成這類涂層，以便利用玻璃基質的剩余熱量和原始條件這類有利因素。但是，本方法可以在其它場合使用，例如在玻璃帶退火過程中在退火爐內，或在重新加熱到恰當溫度的各個玻璃板上使用。前體原料包括甲硅烷、自由基捕獲劑(radicalscauenger)、氧和一種或多種載體氣體，在梁式分配器裝置(distributorbeamdeuice)中進行混合，然后這混合物向著并沿著玻璃基質表面通過梁式分配器裝置的正下方。自由基捕獲劑的存在已表明允許會自燃的硅烷與氧預混合而不會發生過早點燃。甲硅烷的氧化作用明顯地是通過中介形式的自由基的形成而進行的，而當這氣體混合物處于低于某個溫度閾值時，起自由基捕獲劑作用的化合物的存在防止了這種反應的發生。在前體物管路和涂覆器表面保持處于250°F下進行的實驗室試驗和在這些部件類似地處于200°F條件下進行的聯機試驗均表明，過早的燃燒不會發生。自由基捕獲劑的存在提供的進一步優點，是它將有助于控制在玻璃上進行化學氣相淀積(CVD)反應的動力學并允許使其最佳化。雖然前體原料的最優組合包括甲硅烷(SiH4)、乙烯(C2H4)和氧、以及起自由基捕獲劑作用的乙烯，但預料其它不同的原料可以在這組合中用來作為自由基捕獲劑。附圖簡述在這些附圖中，其中相同數碼全都是指的相同部件圖1是實施浮法玻璃工藝的裝置和包括為涂覆按照本發明的涂層原料而設置的梁式氣體分配器的示意的、縱向剖面和垂直剖面視圖；圖2是按照本發明生產的帶有涂層的玻璃制品的局部剖面視圖；圖3是適用于在實施本發明時使用的梁式氣體分配器的放大的示意端視圖。優選實施方案的詳述現在參閱附圖，在圖1中的10處用示圖概括地說明了用于實施本發明的方法的一套浮法玻璃裝置實施設備。更具體地說，這套裝置包括有管道段12，玻璃熔液14沿著該管道從熔化爐(未示出)中流出，輸送到浮法槽段16，按照熟知的浮法工藝，玻璃熔液在浮法槽段中形成一條連續玻璃帶18。玻璃帶從浮法槽段一直送進到相鄰的退火爐20和冷卻段22。浮法槽段16包括其內盛有錫熔液池26的底段24、頂蓋28、兩個相對的側壁30、和二個端壁32。頂蓋、側壁和端壁限定了位于盛錫池26上方的外罩34，在其內保持著非氧化性氣氛，以防止錫熔液氧化。在操作過程中，玻璃熔液14沿管道36在調節板38的下方流動，并按控制量往下流到盛錫池26的表面。在盛錫池上面，玻璃熔液在重力和表面張力的影響下，以及某種機械作用下往橫向擴散，從而流遍盛錫池形成帶18。這帶在提升棍40上移動，此后被傳送穿過退火爐20和在校直棍42上的冷卻段22。適當的非氧化性氣氛保留于池的外罩34中，以防止盛錫池氧化，這種非氧化性氣氛通常是氮氣或氮和氫的混合物，在這混合物中以氮為主。上述氣氛氣體被導入導管44，該導管可操作地與分配歧管44相配合。引入非氧化性氣體的速率足以補償正常損耗和保持很小的正壓力，這正壓力的量級為高于環境大氣壓力大約0.001到大約0.01的大氣壓，以防止外界大氣的滲透。為保持盛錫池26和外罩內所要求的溫度狀態而需要的熱量，由置于外罩中的輻射加熱器48提供。退火爐20內的大氣通常是大氣，同時冷卻段22是不封閉的，故玻璃帶暴露于環境大氣中。利用冷卻段中的風扇50將周圍空氣吹向玻璃帶。當傳送玻璃帶穿過退火爐時，為了使其溫度按照預定的規范逐漸降低，在退火爐內也可設置加熱器(未示出)。正如迄今所指出的，按照本發明的玻璃制品可以包括就只涂有一層二氧化硅絡合物的涂層，或者可能是涂有多層涂料的涂層，其中二氧化硅絡合物可包括任一層或多層。圖2表明了具體實施本發明的玻璃制品。在圖2的52處概括地指明它包含有玻璃基質54，在其一個表面上涂覆著多層涂層56。作為例子，這多層涂層可以包含底層、中間層和頂層58、60和62，其中按照本發明形成的二氧化硅絡合物涂層可包括這些層中的任一層。可以設想，這種多層涂層可以達到七層，甚至更多層，其目的是使涂層設計能達到特定的光學效果。根據在現有技術中所公開的，各種層數包括的涂層有硅、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、二氧化硅絡合物等，它們可形成各種組合。由于二氧化硅涂層的形成沒有使用來自玻璃的氧，所以，該涂層可以在這種多層疊層中任一需要的位置形成。為了依次涂覆各種不同的涂料，多個梁式氣體分配器按常規置于浮法槽段16中，和/或置于退火爐20中，圖1說明了用于涂覆如圖2所示的三層涂層的典型系統。更具體地說，概括地表明在64和66處的梁式氣體分配器橫跨于浮法槽段16上，而梁式氣體分配器68則橫跨于退火爐20、位于傳送至此的玻璃帶18的上方。根據希望增加的涂覆層數，既可在浮法槽中，亦可在退火爐中設置補充的梁式分配器。按照本發明，適用于輸送前體原料的梁式分配器64、66和68，其常規結構形式大致示意地表示在圖3上。由彼此留有一定空間的內壁72和外壁74形成的框架70規定了封閉內腔76和78，一種適當的熱交換介質在此內腔中循環，以便使梁式分配器保持在要求的溫度下。輸送前體原料的方法是通過沿著梁式分配器伸展的冷卻流體供應導管80，再經沿供應導管以一定間隔分布的下降管82導入到送氣室84，該室位于由框架70支承的加熱器86之中。經下降管82導入的前體氣體，從供應室84經通道88朝著并沿著玻璃表面按圖3上箭頭所指方向排放。在供應室內可配備緩沖板90，用來調整前體原料，使其橫穿梁式分配器的流動，以保證該原料貼玻璃平穩地成層流狀排放，勻速流過整個梁式分配器。余下的前體原料以及圍繞梁式分配器四周的一定數量的大氣積聚起來，并沿著梁式分配器的側壁流至排氣室92。在現有技術中有著普遍都知道的適用于化學氣相淀積法的各種型式的分配器裝置，例如，在美國專利號4504526和5065696中所公開的。已經發現，通過將合適的自由基捕獲劑化合物和在有選擇地控制量的氧，與含有硅烷的氣體混合，不但能防止前體原料著火，而且能使二氧化硅淀積反應動力學最佳化。選出的合適的自由基捕獲劑實例是碳氫化合物，尤其是丙烯和乙烯。通過使用自由基捕獲劑和硅烷及分子氧，能防止這種潛在易爆混合物在反應所要求的溫度下著火，并能控制反應的速率，以便使這種反應傳遍于梁式氣體分配器下方的整個涂覆區域，從而使淀積速率和涂層均勻度能達到最大程度。硅烷轉化效率也極大地得到增加，以致使化學消耗和粉末生成達到最小程度，從而導致介于設備清洗而停車之間的運轉時間更長。迄今為止，在玻璃上的涂層結構中，在形成二氧化硅顏色抑制涂層方面，一般已習慣于使用其中包括二氯硅烷/氧系統或者硅烷/乙烯/丙酮系統。為了達到低光霧和作為目前正在開發的涂覆玻璃中顏色抑制結構的一個先決條件的低輻射率，最理想的是采用無氯前體物。本發明的硅烷/自由基捕獲劑/氧前體物不但代表著這樣一類無氯前體物，而且提供了顯著地高于二氯硅烷/氧前體物的硅烷轉化效率。本發明的前體物還提供了具有較好均勻度和較低折射率的涂層，這種前體物對玻璃溫度的敏感程度較低，并具有比硅烷/乙烯/丙酮系統有更高的硅烷轉化效率。按照本發明，涂有二氧化硅涂層的涂覆玻璃的實例將在下面敘述。當然，具體描述的實施方案僅為舉例目的而提供的，本發明可以按與具體說明和描述有所不同的方法實施，而不會違反它的精神和目標。欲用二氧化硅涂料進行涂覆的玻璃基質，在如圖1中的裝置那樣的金屬熔液池中被制成帶狀形狀，所用玻璃基質是一種普通市場上買得到的堿石灰-二氧化硅型玻璃。基體或基質玻璃的實際組成和厚度不會在結構上或化學上影響淀積其上的涂層的組成或影響淀積涂料的程序。當然，玻璃的組成，由于其不同的吸收特性而將影響最終產品的性能。可以預計，本發明可實施于不同組成的各種玻璃，包括透明的、蘭色的、綠色的、灰色的、和青銅色的玻璃。這些實驗涉及如圖2上所示的三層疊層結構，其中底號58和頂層62是按常規制造的氧化錫涂層。采用這三層疊層結構是為了便于測量二氧化硅涂層60的厚度，因為單獨測量二氧化硅在玻璃上的厚度是費時的，而且當涂層厚度小于500埃時是不夠精確的。在用于淀積底層58的梁式氣體分配器的前方，玻璃的溫度約為1290°F(699℃)。乙烯(C2H4)被用作自由基捕獲劑氣體，而甲硅烷(SiH4)則被用作含硅氣體。預計，其它碳氫化合物，尤其是烯烴類，可以充當自由基捕獲劑化合物，只要它們能防止前體原料過早點火，能起到控制CVD在玻璃上反應的動力學，同時又不會產生對浮法玻璃的環境或結構不利的副產品。乙烯被認為在這方面特別合適。雖然其它含有硅烷的氣體可能是適合使用的，只要它們能起反應形成要求的二氧化硅涂層和不產生不希望的副作用，但是，甲硅烷目前是優先選用的前體原料，因為它易于購得且價格合理。純氧可以用作前體物組分。但是，大氣空氣各組分通常是與梁式分配器的環境相一致的，并與金屬液槽中的大氣在要求的數量上相適應的，于是，為了經濟起見，可以利用空氣作為氧氣源。用于前體物的惰性載體氣體優選氮，或氮和氦的混合物，以便達到前體氣體所要求的密度。在這些實驗中，前體氣體包括氮和一定比例的氦作為載體氣體，以及按體積計高達約3.0％的硅烷和9.0％的氧，同時自由基捕獲劑氣體對硅烷的比例高達17∶1。前體氣體進入梁式分配器的流率為每米梁式分配器長度每分鐘高達約215標準升。預計，從70～215標準升每分鐘每米梁式分配長度的流率是適當的，而硅烷濃度按體積計約為0.05％～3.0％。氧的濃度按體積計可適當地約為0.15％～9％，此時，自由基捕獲劑，優選乙烯，對硅烷的比例約為3∶1～17∶1。氧對硅烷的比例優選為大約3∶1，而乙烯對硅烷的比例優選為大約9∶1。前體氣體被混合，然后經供應導管80和下降管82導入到梁式氣體分配器66的供氣室84中。上述氣體從供氣室排出經通道88后沿著玻璃表面流動。在退火爐20中的第三個梁式氣體分配器68處，按常規方法將氧化錫層涂覆在二氧化硅層上。在第一組試驗中，進行了18次計算機程序設計的實驗。工藝變量和對應的數量取自先前的實驗室實驗，并進行了挑選以便能包括所要求的淀積速率范圍，以每分鐘550英寸(13.97米)的線速度產生250埃二氧化硅涂層(該層適用于起顏色抑制作用)。工藝變量在以下量級下進行實驗流率116-138-159(標準升·每分鐘/每米梁式分配器長度)硅烷濃度0.8％-0.9％-1.0％乙烯/硅烷比值3-6-9氧濃度3％-5％-7％對于每組試驗參數，每隔5分鐘從玻璃帶上切下二條橫條，然后在每個橫條的左邊、中間和右邊三個位置處測量性能。對二氧化硅厚度、頂層的氧化錫厚度、輻射率和光霧進行測量。在每個橫條的三個位置上測定性能，而報告的性能是這六個測量值的平均值。此外，用目視檢查橫條的均勻性和外觀，并按下表確定等級差0中等+3中等1良好4中等2良好518次實驗的工藝變量和結果列于表I中表I實驗序號No.硅烷濃度(％)流率(標準升.每分鐘/每米長度)乙烯/硅烷比值氧濃度(％)SiO2厚度(A)10.901386.0528121.001386.0532430.801596.0331541.001599.0745351.001599.0338461.001169.0332171.001169.0729680.901166.0722790.801169.05212100.901389.03309110.801383.07192120.801599.07297131.001593.07294141.001593.03294</table>在第二組試驗中，進行了另外22次實驗，此時，工藝變量為以下數量級流率116-138-159(標準升每分鐘/每米梁式分配器長度)硅烷濃度0.6％-0.7％-0.8％乙烯/硅烷比值6-9-12氧濃度2％-4％-6％22次實驗的工藝變量和結果列于表II中已確定，當乙烯/硅烷的比值等于約9∶1時達到了最佳厚度。在較低的乙烯含量下，反應迅速，以致在前體氣體排放時穿過的通道88的下方立即發生。雖然這反應迅速地發生，但只一小部分涂覆區得到了利用，且二氧化硅涂層沒有達到最大厚度。中較高的乙烯含量下，反應比較緩慢，于是反應朝排氣室92方向擴展，結果是有些前體原料在起反應以前就被排出。這樣，涂覆區沒有得到足夠的利用，而且二氧化硅淀積速率降低，在中等量級的乙烯下，反應發生在梁式氣體分配器下方的整個涂覆區上，以致使淀積速度，因而二氧化硅層都達到最大。例如，使用一種包含1.8％硅烷、16.2％乙烯和5.4％氧的前體物，已發現能以每分鐘466英寸(11.8米)的流程速度產生厚約600的二氧化硅涂層。這一系列實驗的結果還表明，乙烯是達到可接受的涂層均勻度所必需的。在低的乙烯含量下，硅烷/氧混合物在熱基質上過度反應，結果導致流動紊亂，從而造成涂層出現諸如條紋、皰痕一類缺陷。乙烯不僅能防止前體混合物著火，而且在控制涂覆區中淀積反應動力學方面起著很重要作用。這必然有助于使淀積速率和涂層均勻度均達到最佳。二氧化硅涂層厚度直接正比于濃度，只要對乙烯和氧的濃度作適當的調整，就能獲得比至今可得到的要厚的二氧化硅涂層。硅烷轉化效率趨近于30％，此值比至今采用的二氯硅烷/氧的組合所達到的效率高約20％。因此，在設備上的淀積物減少，而且能使停車清洗之間的工作時間延長，特別是在較高的線速度下是如此。權利要求1.一種將含有二氧化硅的涂料淀積在玻璃基質上的方法，包含下列工序a)提供一種在升高溫度下的玻璃基質，該基質具有一個涂料將淀積其上的表面；b)將包括硅烷、自由基捕獲劑氣體、氧和惰性載體氣體的前體混合物，導向并沿著待涂覆的表面流動，同時該混合物在此表面或其附近反應，形成含有硅的涂層，提供的自由基捕獲劑在數量上足以防止前體氣體著火和控制該混合物的反應速率；和c)冷卻此帶有涂層的玻璃基質至室溫。2.根據權利要求1的在玻璃基質上淀積含有二氧化硅的涂料的方法，包括d)在工序b)之前，在該表面上淀積一種硅、金屬氧化物、或金屬氮化物的涂層。3.根據權利要求1的在玻璃基質上淀積含有二氧化硅的涂層的方法，包括d)在工序b)之后，在該表面上淀積一種硅、金屬氧化物、或金屬氮化物涂層。4.根據權利要求2的在玻璃基質上淀積含有二氧化硅的涂層的方法，包括e)在工序d)之后，在該表面上淀積一種硅、金屬氧化物或金屬氮化物涂層。5.根據權利要求3的淀積含有二氧化硅的涂層的方法，包括e)在完成了淀積一層硅、金屬氧化物或金屬氮化物的工序d)之后，重復工序b)，以在這層硅、金屬氧化物或金屬氮化物上淀積第二層含硅涂層。6.根據權利要求1的淀積含有二氧化硅的涂層的方法，其中在前體混合物中的硅烷是甲硅烷(SiH4)。7.根據權利要求1的淀積含有二氧化硅涂層的方法，其中在前體混合物中的自由基捕獲劑氣體從包括乙烯和丙烯的氣體中選擇。8.根據權利要求7的淀積含有二氧化硅的涂層的方法，其中自由基捕獲劑氣體是乙烯。9.根據權利要求1的淀積含有二氧化硅的涂層的方法，其中硅烷是甲硅烷(SiH4)，自由基捕獲劑是乙烯(C2H4)。10.根據權利要求9的淀積含有二氧化硅的涂層的方法，其中在前體混合物中的硅烷濃度按體積計約為0.05％～3.0％。11.根據權利要求9的淀積含有二氧化硅的涂層的方法，其中乙烯/硅烷的比值約為3∶1～17∶1。12.根據權利要求9的淀積含有二氧化硅的涂層的方法，其中在前體混合物中的氧濃度按體積計約為0.15％～9％。13.根據權利要求10的淀積含有二氧化硅的涂層的方法，其中乙烯/硅烷的比值約為3∶1～17∶1，氧的濃度按體積計約為0.15％～9％。14.根據權利要求13的淀積含有二氧化硅的涂層的方法，其中乙烯/硅烷的比值約為9∶1。15.生產在其一個表面上帶有含二氧化硅涂層的玻璃片基質的方法，包括以下工序a)保持玻璃片基質的溫度至少約為1050°F(566℃)和處于無氧化性氣氛中；b)將包括硅烷、自由基捕獲劑氣體、氧和惰性載體氣體的氣體前體混合物引向并沿著所述的一個表面流動，同時這混合物在所述的一個表面或其附近發生反應以形成含二氧化硅的涂層，提供的自由基捕獲劑在數量上足以防止前體混合物著火和選擇性地控制這前體混合物的反應速率；和c)將帶有涂層的玻璃基質從無氧化性氣氛中移出并冷卻這帶涂層的基質至室溫。16.根據權利要求15中所要求的生產在其一個表面上帶有含二氧化硅涂層的玻璃片基質的方法，包括在a)之后和b)之前的一道工序，這道工序是從包括硅、金屬氧化物和金屬氮化物的這類涂料中選擇一種涂料，將其淀積到所述的一個表面上。17.根據權利要求15中所要求的生產在其一個表面上帶有含二氧化硅涂層的玻璃片基質的方法，包括在b)之后的一道工序，這道工序是從包括硅、金屬氧化物和金屬氮化物的這類涂料中選擇一種涂料，將其淀積到所述的一個表面上。18.根據權利要求15中所要求的生產在其一個表面上帶有含二氧化硅涂層的玻璃片基質的方法，其中所述的非氧化性氣氛包括氮和氫的混合物，其中氮占主導，所述的硅烷包括甲硅烷，所述的自由基捕獲劑氣體包括乙烯，和所述的惰性載體氣體包括氮。19.根據權利要求18中所要求的生產在其一個表面上帶有含二氧化硅涂層的玻璃片基質的方法，其中甲硅烷濃度按體積計約為前體氣體的0.05％～3.0％，氧的濃度按體積計約為前體氣體的0.15～9％，和乙烯/硅烷的比值約為3∶1～17∶1。20.根據權利要求19中所要求的生產在其一個表面上帶有含二氧化硅涂層的玻璃片基質的方法，其中甲硅烷濃度約為0.6％～1.0％，氧的濃度約為1.0％～7％，和乙烯/硅烷的比值約為3∶1～12∶1。21.在其一個表面上帶有含一層二氧化硅涂料的玻璃基質，其形成方法包括a)保持玻璃基質處于溫升狀態下；b)將包括硅烷、自由基捕獲劑氣體、氧和惰性載體氣體在內的前體混合物引向并沿著該基質的上述表面流動，同時這混合物在此表面上或其附近發生反應，從而在該表面上形成含硅的涂層。c)降低該基質和其上的含硅涂層的溫度至室溫。22.根據權利要求21中所要求的其上帶有一層含二氧化硅涂料的玻璃基質，其中所述的含硅涂層是多元涂料層中的一層，這多元涂層就是將一層涂料淀積在所述表面上的另一層涂料上。23.根據權利要求22中所要求的其上帶有一層含二氧化硅涂料的玻璃基質，其中所述的多元涂料層包括至少一層是從包括硅、金屬氧化物和金屬氮化物的這類涂料中選定。24.根據權利要求22中所要求的其上帶有一層含二氧化硅涂料的玻璃基質，其中所述的含二氧化硅涂層包括所述的多元涂料層中的任一層。25.根據權利要求23中所要求的其上帶有一層含二氧化硅涂料的玻璃基質，包括至少二層所述含硅涂層被至少一層的硅、金屬氧化物或金屬氮化物所隔。26.根據權利要求21中所要求的其上帶有一層含二氧化硅涂料的玻璃基質，其中所述的溫升是至少約為600°F(316℃)。27.根據權利要求22中所要求的其上帶有一層含二氧化硅涂料的玻璃基質，其中的溫升是至少為1050°F(566℃)。全文摘要利用CVD法對玻璃基質(54)涂覆多層涂層(56),這些涂層分別包括底層、中間層和頂層(58、60和62),其中的這些層是二氧化硅、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物和二氧化硅絡合物等。在玻璃基質上涂覆二氧化硅涂層的CVD法中,使硅烷、氧、自由基捕獲劑如乙烯、以及載體氣體相混合成為前體混合物。文檔編號B32B17/06GK1169694SQ95196798公開日1998年1月7日申請日期1995年10月13日優先權日1994年10月14日發明者M·J·蘇貝朗德申請人:利比-歐文斯-福特公司