專利名稱：：微粒的制造方法及其微粒的制作方法
技術領域：
：本發明涉及可制作均勻的微粒的、且可以能量效率高地容易地進行制造的、可以大量生產的再分散性良好的微粒的制造方法。
背景技術：
：非專利文獻1小泉光惠(等)著，“t^r-JT>Θ最新技術”，第1版，株式會社*一工Λ*—出版，2001年4月非專利文獻2納米技術手冊編輯委員會編，“””)D—)、、yF7',>7-I編創3，，，第1版，株式會社才一A社，2003年5月專利文獻1特開平7-144102號公報專利文獻2特開2002-97281號公報專利文獻3特開2007-8924號公報微粒、特別是IOOnm以下的納米粒子，表面積相對于粒子的體積的比急劇增大、呈現新的特性，因此單獨納米粒子或其集合體、有機_無機復合體等，作為納米材料，被寄予作為21世紀的材料的很大的期待(非專利文獻1)。即，僅僅通過將以往的物質微粒化，可使該物質呈現新的功能，因此，在整個產業界納米粒子成為重要的主題，在使納米技術前進方面，與微粒、特別是納米粒子的關系當然不可分割(非專利文獻2)。因此，希望制造微粒的新型制造方法。進而，為了在工業上靈活應用，確立穩定地、且大量生產的制造方法是納米技術中的最重要的課題。作為在液體中制作微粒的方法，有如專利文獻1所示一邊攪拌溶解了特定的溶質的溶液，一邊利用由于溫度差所產生的溶媒對于溶質的溶解度差而使微粒析出的方法。在該方法中，利用的是在一定溫度下的溶媒對于溶質的溶解度通過降低溶媒的溫度而溶解度降低、超過飽和溶解度的量的溶質在溶媒中析出。但是，由于該方法使用具有Phaudler翼的通用釜，實質上難以制作納米尺寸的粒子，另外在以使結晶析出作為目的的情況下，其結晶型難以變得均勻。因此，如專利文獻2，將有機物溶解于有機溶媒，將該有機物溶液注入溶解度比上述有機溶媒還低的溶媒中的方法，即通過混合對溶質的溶解度高的良溶媒和溶解度低的貧溶媒，降低良溶媒的表觀溶解度，使超過飽和溶解度的溶質析出而得到微粒的方法正在變得普通。但是，上述2種方法都是用所謂的批式的反應容器、及反應釜使物質析出的方法，穩定地制造納米尺寸的微粒或均勻的結晶型等非常難。其理由是由以下導致的即在一般使用攪拌操作的在批內的析出反應的情況下，在其批內必定產生因溫度梯度、濃度梯度、由此導致的反應場的不均勻化。因此，批內的溫度管理、濃度管理非常難，必然難以進行均勻的反應。因此，必然發生延長反應時間的必要等，對全部的反應條件進行管理是極為困難的。另外，如專利文獻3所述，有使用微小反應器、微小流路式反應器即微混合器或微反應器利用溶解度差而得到微粒的方法。但是，在使用一般的微反應器的情況下，雖然微器件及系統的優點有一些，但實際上如果微流路直徑變得越窄，其壓力損失與流路的4次方成反比，即實際上難以獲得送入流體的泵而需要大的送液壓力，另外在伴有析出的反應的情況下，產物在流路中堵塞現象、因反應發生的泡而引起的微流路的關閉、進而基本上在分子的擴散速度方面期待該反應，因此對于全部的反應而言微空間不能說是有效適合的，現實中存在在反復試驗方式中試行反應、選擇首尾良好的必要性等，其問題也多。進而即使對于放大(scaleup)，增加微反應器本身的數量的方法、即通過層疊(numberingup)來解決，但實際上可層合數目以為數十層為界限，層疊僅用于制品價值高的制品，另外，裝置增加，其故障原因的絕對數目也增加，實際上在發生堵塞等的問題的情況下，查出其故障地點等、問題地點可能變得非常困難。鑒于上述內容，本發明為微粒的制造方法，其是在是在可接近·分離的相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面之間形成的薄膜流體中，利用通過流體的溫度差所引起的飽和溶解度的變化而使溶解物析出來得到微粒的方法，以提供以下的微粒的制造方法為課題即在該薄膜流體中的溫度的均勻性高，在反應容器的攪拌中的均勻性高，因此容器內的溫度分布及濃度分布非常均勻，故可根據目的制作單分散的微粒，并且，由于自我排出性，也沒有產物的堵塞，不需要大的壓力，另外生產率也高，以提供微粒的制造方法為課題。而且以與到現在為止的制造方法相比、低能量地制作微粒為課題。
發明內容本申請的權利要求1涉及的發明，為微粒的制造方法，其特征在于，將溶解有至少1種微粒原料的流體導入可接近·分離地相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面之間而形成薄膜流體，冷卻或加熱(加溫)該薄膜流體而使飽和溶解度變化，由此使微粒析出。另外本申請的權利要求2涉及的發明，為微粒的制造方法，其特征在于，使用至少2種流體，對于其中至少1種流體，含有至少1種微粒原料，對于上述以外的流體中的至少1種流體，相對于前述含有微粒原料的流體具有溫度差，在可接近·分離地相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面間形成的薄膜流體中使上述的各流體合流，在該薄膜流體中，利用通過上述含有微粒原料的流體的溫度變化所引起的飽和溶解度的變化，使微粒析出。另外本申請的權利要求3涉及的發明，為權利要求1至2中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，上述析出反應具有對被處理流體賦予規定壓力的流體壓力賦予機構，第1處理用部、及可相對于該第1處理用部相對地接近分離的第2處理用部的至少2個處理用部，使上述的第1處理用部和第2處理用部相對地進行旋轉的旋轉驅動機構；在上述的各處理用部中相互對向的位置上設置有第1處理用面及第2處理用面的至少2個處理用面；上述的各處理用面構成上述規定壓力的被處理流體流過的、被密封了的流路的一部分；在上述的兩處理用面間將至少任一種中含有微粒原料的2種以上的被處理流體均勻混合，使其積極地反應；上述第1處理用部和第2處理用部中，至少第2處理用部具有受壓面，且該受壓面的至少一部分是由上述的第2處理用面構成；該受壓面受到上述的流體壓力賦予機構賦予被處理流體的壓力，產生在使第2處理用面從第1處理用面分離的方向移動的力，通過將上述規定壓力的被處理流體通入可接近分離且相對地進行旋轉的第1處理用面和第2處理用面之間，上述被處理流體一邊形成規定膜厚的流體膜，一邊通過兩處理用面間；而且具有獨立于上述所定壓力的被處理流體流過的流路的另外的導入路；上述第1處理用面和第2處理用面的至少任一個中具有至少一個與上述的導入路相通的開口部；將從上述導入路輸送的至少一種被處理流體導入上述兩處理用面間，至少上述的各被處理流體的任一種中所含有的上述的微粒原料和與上述被處理流體不同的被處理流體，通過在上述流體膜內的利用均勻攪拌的混合，可達到所希望的反應狀態。另外本申請的權利要求4涉及的發明，為權利要求1至3中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，上述流體中的至少1種流體中含有表面活性劑。另外本申請的權利要求5涉及的發明，為權利要求1至4中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，在上述微粒的制造方法中，加熱(加溫)上述處理用面間、或對上述處理用面間照射紫外線(UV)、或對上述處理用面間給予超聲波能。另外本申請的權利要求6涉及的發明，為權利要求1至5中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，在能確保減壓或真空狀態的容器內進行上述析出反應，至少處理后流體被排出的2次側成為減壓或真空狀態，由此可進行上述的反應中產生的氣體及上述流體中所含有的氣體的脫氣、或上述流體的脫溶劑。另外本申請的權利要求7涉及的發明，為權利要求1至6中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，利用上述制造方法得到的微粒的再分散性良好。另外本申請的權利要求8涉及的發明，為權利要求1至7中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，得到的微粒的平均一次粒徑為0.5lOOOOnm。另外本申請的權利要求9涉及的發明，為通過權利要求1至8中任一項記載的制造方法得到的微粒。本發明，為在具有對向配設的可接近分離的處理用面、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面之間形成的薄膜流體中，通過利用流體的溫度差使飽和溶解度變化而使溶解物析出所產生的微粒的制造方法、及通過該制造方法所制造的微粒。得到的微粒與到以往的方法相比，可得到粒徑小、再分散性優異、不凝集、單分散的微粒。另外，通過連續的短時間且比到現在為止的制造方法還低能量的處理，可提供更便宜的微粒。另外本發明，可根據必要的生產量使用一般的放大概念來進行裝置的大型化。圖1(A)是表示本申請發明的實施中使用的裝置的概念的簡略縱剖面圖，⑶是表示上述裝置的其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖，(C)是表示上述裝置的另外其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖，(D)是表示上述裝置的進一步其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖2㈧⑶分別是表示圖1所示裝置的進一步其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖3(A)是圖2(C)所示裝置的主要部分的簡略仰視圖，(B)是上述裝置的其它實施方式的主要部分的簡略仰視圖，(C)是另外其它實施方式的主要部分的簡略仰視圖，(D)是表示上述裝置的進一步其它實施方式的概念的簡略仰視圖，(E)是表示上述裝置的另外進一步其它實施方式的概念的簡略仰視圖，(F)是表示上述裝置的進一步另外其它實施方式的概念的簡略仰視圖。圖4㈧⑶分別是表示圖1所示裝置的進一步其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖5㈧⑶分別是表示圖1所示裝置的進一步其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖6㈧⑶分別是表示圖1所示裝置的進一步其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖7㈧⑶分別是表示圖1所示裝置的進一步其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖8(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的進一步其它的實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖9(A)(C)分別是表示圖1所示裝置的進一步其它的實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖10(A)(D)分別是表示圖1所示裝置的進一步其它的實施方式的概念的簡略縱剖面圖。圖11(A)及(B)分別表示上述圖1所示裝置的進一步其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖，(C)為圖I(A)所示裝置的主要部分的簡略仰視圖。圖12(A)是關于圖I(A)所示裝置的受壓面、表示其它實施方式的主要部分的簡略縱剖面圖，(B)是該裝置的進一步其它實施方式的主要部分的簡略縱剖面圖。圖13是關于圖12(A)所示裝置的連接觸表面壓力賦予機構4的、其它實施方式的主要部分的簡略縱剖面。圖14是關于圖12(A)所示裝置上的、設置了溫度調節用封套的、其它實施方式的主要部分的簡略縱剖面圖。圖15是關于圖12(A)所示裝置的接觸表面壓力賦予機構4的，進一步其它實施方式的主要部分的簡略縱剖面圖。圖16(A)是圖12(A)所示裝置的進一步其它實施方式的主要部分的簡略橫剖面圖，(B)(C)(E)(G)是該裝置的另外其它實施方式的主要部分的簡略橫剖面圖，(D)是該裝置的另外其它實施方式的局部的主要部分的簡略縱剖面圖。圖17是圖12(A)所示裝置的進一步其它實施方式的主要部分的簡略縱剖面圖。圖18(A)是表示在本申請發明的實施中使用的裝置的進一步其它實施方式的概念的簡略縱剖面圖，(B)是該裝置的局部的主要部分的說明圖。圖19(A)是圖12(A)所示裝置的第1處理用部的俯視圖，(B)是其主要部分的縱剖面圖。圖20(A)是圖12(A)所示裝置的第1及第2處理用部的主要部分的縱剖面圖，(B)是隔開微小間隔的上述第1及第2處理用部的主要部分的縱剖面圖。圖21(A)是上述第1處理用部的其它實施方式的俯視圖，(B)是其主要部分的簡略縱剖面圖。圖22(A)是上述第1處理用部的進一步其它實施方式的俯視圖，(B)是其主要部分的簡略縱剖面圖。圖23(A)是第1處理用部的另外其它實施方式的俯視圖，(B)是第1處理用部的進一步另外其它實施方式的俯視圖。圖24(A)(B)(C)分別是關于處理后的被處理物的分離方法、表示上述以外的實施方式的說明圖。圖25是用于說明本申請發明的裝置的概要的縱剖面的概略圖。圖26㈧是圖25所示裝置的第1處理用面的簡略俯視圖，(B)是圖25所示裝置的第1處理用面的主要部分的擴大圖。圖27(A)是第2導入路的剖面圖，(B)是用于說明第2導入路的處理用面的主要部分的擴大圖。圖28(A)及(B)分別是用于說明設置于處理用部的傾斜面的主要部分的擴大剖面圖。圖29是用于說明設置于處理用部的受壓面的圖，㈧是第2處理用部的仰視圖，(B)是第1及第2處理用部的主要部分的擴大剖面圖。具體實施例方式以下，對關于本發明的微粒的制造方法，進行詳細說明。本發明，其特征在于，使用在溶媒中溶解有至少1種微粒原料的流體，利用由于流體溶媒的溫度差所引起的飽和溶解度的變化，在流體中使溶解物析出而制造微粒時，將上述流體導入可接近·分離的相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面之間而形成薄膜流體；在該薄膜流體中，利用由于流體的溫度差所引起的飽和溶解度的變化，使溶解物析出。另外，本文中所用的“溶解”，包括溶解于水那樣的表示溶質在水中分解為陽離子和陰離子的溶解，也包含如分子分散那樣的不分解為離子，溶質分子與溶媒分子融合，或混雜在一起。作為在本發明中使用的、可接近分離的相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面之間形成的薄膜流體中均勻攪拌·混合的方法，可使用與例如本申請的申請人在特開2004-49957號公報中記載的同樣原理的裝置。以下，對適于該方法的實施的流體處理裝置進行說明。如圖1(A)所示，該裝置具有對向的第1及第2的2個處理用部10、20，至少一方的處理用部進行旋轉。兩處理用部10、20的對向面分別作為處理用面1、2，在兩處理用面間進行被處理流體的處理。第1處理用部10具有第1處理用面1，第2處理用部20具有第2處理用面2。兩處理用面1、2與被處理流體的流路連接，構成被處理流體的流路的一部分。更詳細而言，該裝置構成至少2個被處理流體的流路，同時使各流路合流。即，該裝置與第1被處理流體的流路接接，形成該第1被處理流體的流路的一部分，同時形成除了第1被處理流體外的第2被處理流體的流路的一部分。并且，該裝置使兩流路合流，在處理用面1、2間，混合兩流體，在伴有反應的情況下使其反應。在圖I(A)所示的實施方式中，上述的各流路是被密閉的，形成液密(被處理流體為液體的情況)氣密(被處理流體為氣體的情況)。如果具體地說明，如圖I(A)所示，該裝置具有上述的第1處理用部10、上述的第2處理用部20、保持第1處理用部10的第1托架11，保持第2處理用部20的第2托架21、接觸表面壓力賦予機構4、旋轉驅動部、第1導入部dl、第2導入部d2、流體壓力賦予機構pl、第2流體供給部p2及殼體3。予以說明的是，旋轉驅動部省略圖示。第1處理用部10和第2處理用部20的至少任一方可相對于至少任意另一方接近·分離，兩處理用面1、2可接近·分離。在本實施方式中，第2處理用部20相對于第1處理用部10接近分離。但是，也可與之相反，第1處理用部10相對于第2處理用部20接近·分離，也可以兩處理用部10、20相互接近·分離。第2處理用部20配置在第1處理用部10的上方，第2處理用部20的朝向下方的面、即下表面，為上述的第2處理用面2，第1處理用部10的朝向上方的面、即上面，為上述的第1處理用面1。如圖KA)所示，在本實施方式中，第1處理用部10及第2處理用部20分別為環狀體，即圓環。以下，根據需要，稱第1處理用部10為第1圓環10，稱第2處理用部20為第2圓環20。在本實施方式中，兩圓環10、20是金屬制的一端被鏡面研磨了的構件，以該鏡面作為第1處理用面1及第2處理用面2。S卩，第1圓環10的上端面作為第1處理用面1，被鏡面研磨，第2圓環的下端面作為第2處理用面2，被鏡面研磨。至少一方的托架可通過旋轉驅動部相對于另一方的托架相對地進行旋轉。圖1(A)的50表示旋轉驅動部的旋轉軸。在旋轉驅動部中可采用電動機。通過旋轉驅動部，可使一方的圓環的處理用面相對于另一方的圓環的處理用面相對地進行旋轉。在本實施方式中，第1托架11通過旋轉軸50受到來自旋轉驅動部的驅動力，相對于第2托架21進行旋轉，這樣，和第1托架11形成一體的第1圓環10相對于第2圓環20旋轉。在第1圓環10的內側，旋轉軸50以如下方式設置在第1托架11上，即，俯視時，與圓形的第1圓環10的中心同心。第1圓環10的旋轉以圓環10的軸心為中心。雖未圖示，但是，軸心指圓環10的中心線，是假想線。如上所述，在本實施方式中，第1托架11使第1圓環10的第1處理用面1朝向上方，保持第ι圓環10，第2托架21使第2圓環20的第2處理用面2朝向下方，保持第2圓環20。具體而言，第1及第2托架11、21分別具有凹狀的圓環收容部。在本實施方式中，第1圓環11嵌合于第1托架11的圓環收容部，第1圓環10固定于圓環收容部，以使得不能從第1托架11的圓環收容部出沒。S卩，上述第1處理用面1從第1托架11露出，面向第2托架21側。第1圓環10的材質除了金屬以外，還可采用對陶瓷、燒結金屬、耐磨耗鋼、其它金屬實施了固化處理的材質、對硬質材料進行內襯、涂覆、實行了鍍覆等的材質。特別是，因為旋轉，優選用輕質的原料形成第1處理部10。關于第2圓環20的材質，也可以采用與第1圓環10相同的材質。另一方面，第2托架21所具有的圓環收容部41可出沒地收容第2圓環20的處理用部2。該第2托架21所具有的圓環收容部41是收容第2圓環20的、主要是與處理用面2側相反側部位的凹部，在俯視時呈圓形，即形成環狀的溝槽。圓環收容部41的尺寸比第2圓環20大，與第2圓環20之間有足夠的間隔，收容第2圓環20。通過該間隔，在該圓環收容部41內，該第2圓環20可在環狀的圓環收容部41的軸方向以及在與該軸方向交叉的方向位移。換言之，通過該間隔，該第2圓環20能夠以改變與上述圓環收容部41的軸方向的平行關系的方式使圓環20的中心線相對于圓環收容部41位移。以下，將第2托架21的被第2圓環20圍繞的部位稱為中央部分22。對于上述說明，換言之，該第2圓環20以如下方式收容在圓環收容部41內，S卩，能夠在圓環收容部41的推力方向即上述出沒方向位移，另外，能夠在相對于圓環收容部41的中心偏心的方向位移。并且，第2圓環20以如下方式被收容，即，相對于圓環收容部41，在圓環20的周方向的各位置，能夠以從圓環收容部41出沒的幅度分別不同的方式位移，即，能夠中心振擺。雖然第2圓環20具有上述3個位移的自由度，即，與圓環收容部41相對的第2圓環20的軸方向、偏心方向、中心振擺方向的自由度，但第2圓環20以不隨第1圓環10旋轉的方式保持在第2托架21上。雖未圖示，但有關這一點，只要在圓環收容部41和第2圓環20上分別相對于圓環收容部41設置限制在其周方向的旋轉的適當的突出部即可。但是，該突出部不得破壞上述3個位移的自由度。上述接觸表面壓力賦予機構4沿使第1處理用面1和第2處理用面2接近的方向對處理用部賦予力。在本實施方式中，接觸表面壓力賦予機構4設置在第2托架21上，將第2圓環20向第1圓環10彈壓。接觸表面壓力賦予機構4將第2圓環20的周方向的各位置、即處理用面2的各位置均等地向第1圓環10彈壓。接觸表面壓力賦予機構4的具體結構在后面進行詳細敘述。如圖I(A)所示，上述殼體3配置在兩圓環10、20外周面的外側，收容產物，該產物在處理用面1、2之間生成并排出到兩圓環10、20的外側。如圖I(A)所示，殼體3是收容第1托架10和第2托架20的液密的容器。但是，第2托架20可以作為該殼體的一部分而與殼體3—體地形成來實施。如上所述，不必說形成殼體3的一部分的情況，即使在與殼體3分體地形成的情況下，第2托架21也同樣不可動，以使得不會影響兩圓環10、20間的間隔，即，兩處理用面1、2之間的間隔。換言之，第2托架21不會對兩處理用面1、2之間的間隔產生影響。在殼體3上，殼體3的外側設有用于排出產物的排出口32。第1導入部dl向兩處理用面1、2之間供給第1被處理流動物。上述流體壓力賦予機構pi直接或間接地與該第1導入部dl連接，對第1被處理流體賦予流體壓力。在流體壓力賦予機構Pl中，可采用壓縮機等其它泵。在該實施方式中，第1導入部dl是設置在第2托架21的上述中央部分22內部的流體通道，其一端在第2托架21的俯視為圓形的第2圓環20的中心位置開口。另外，第1導入部dl的另一端在第2托架20的外部、即殼體3的外部與上述流體壓力賦予機構pi相連接。第2導入部d2向處理用面用1、2供給與第1被處理流體混合的第2流體。在該實施方式中，第2導入部為設置在第2圓環20內部的流體通道，其一端在第2處理用面2開口，其另一端與第2流體供給部p2相連接。在第2流體供給部p2中，可采用壓縮機等其它泵。通過流體壓力賦予機構pi加壓的第1被處理流體從第1導入部d1被導入兩圓環10、20的內側的空間，通過第1處理用面1和第2處理用面2之間，從兩圓環10、20的外側穿過。此時，受到第1被處理流體的輸送壓力的第2圓環20克服接觸表面壓力賦予機構4的彈壓，遠離第1圓環10，使兩處理用面間分開微小的間隔。關于因兩處理用面1、2的接近·分離而形成的兩面1、2間的間隔，后面詳細敘述。在兩處理用面1、2間，從第2導入部d2供給第2被處理流體并與第1被處理流體合流，利用處理用面的旋轉促進混合(反應)。然后，兩流體的混合(反應)所生成的產物從兩處理用面1、2排出到兩圓環10、20的外側。在圓環10、20外側排出的產物最終通過殼體的排出口排出到殼體的外部(自我排出)。上述的被處理流體的混合及反應(在伴有反應的情況下)通過相對于第2處理用部20的第1處理用部10的由驅動部5所產生的旋轉，在第1處理用面1與第2處理用面2進行。在第1及第2處理用面1、2間，第2導入部d2的開口部m2的下游側形成使上述第1被處理流體和第2被處理流體混合的處理室。具體而言，在兩處理用面1、2間，在表示第2圓環20的底面的圖11(C)中以斜線表示的第2圓環20直徑的內外方向rl上，第2導入部的開口部m2即第2開口部m2的外側區域H作為上述處理室發揮功能。因此，該處理室在兩處理用面1、2間位于第1導入部dl和第2導入部d2的兩開口部ml、m2的下游側。從第2開口部m2導入至兩處理用面1、2間的第2被處理流體，在上述形成處理室的區域H內，與從第1開口部ml經過圓環內側的空間的導入至兩處理用面1、2之間的第1被處理流體混合，在伴有反應的情況下兩被處理流體反應。流體通過流體壓力賦予機構Pl而受到輸送壓力，并在兩處理用面1、2間的微小間隔中朝著圓環的外側移動，但是，由于第1圓環10旋轉，所以，在上述反應區域H內，被混合的流體并不是在圓環直徑的內外方向上從內側向外側直線地移動，而是在俯視處理用面的狀態下，以圓環的旋轉軸為中心，渦旋狀地從圓環的內側向外側移動。這樣，在進行混合(反應)的區域H，通過螺旋狀地從圓環的內側向外側移動，從而可以確保在兩處理用面1、2間的微小間隔中具有充分的混合(反應)所需要的區間，可促進均勻的混合。另外，混合(反應)產生的產物在上述微小的第1及第2處理用面1、2間形成均質的產物，特別是在結晶、析出的情況下形成微粒。至少，在上述流體壓力賦予機構pi負荷的輸送壓力、上述接觸表面壓力賦予機構4的彈壓力、以及圓環的旋轉所產生的離心力的平衡的基礎上，可使兩處理用面1、2之間的間隔平衡為為優選的微小間隔，并且，受到流體壓力賦予機構Pl負荷的輸送壓力及圓環的旋轉所產生的離心力的被處理流體，渦旋狀地在上述處理用面1、2之間的微小間隔中移動，促進混合(反應)。上述的混合(反應)通過流體壓力賦予機構Pl負荷的輸送壓力、圓環的旋轉而強制地進行。即，混合(反應)在可接近·分離地對向配設的且至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面1、2，強制地均勻發生。所以，特別是，由反應所產生的產物的結晶或析出，可通過流體壓力賦予機構ρ1負荷的輸送壓力的調整、圓環的旋轉速度即圓環的轉速的調整這樣的、比較容易控制的方法來控制。這樣，該流體處理裝置，通過輸送壓力、離心力的調整，進行對產物的大小給予影響的處理用面1、2間的間隔的控制，并且，在對產物的均勻生成給予影響的上述反應區域H中進行移動的距離的控制方面優異。另外，上述的處理的產物并不局限于產物析出的情況，也包括液體的情況。另外，在產物為微粒等的微細的固體物的情況下，產物也可以在處理后的流體中沉淀，另外，也可處于在連續相中分散相存在的分散液的狀態。予以說明的是，旋轉軸50并不限于垂直配置，也可以水平方向配置，也可傾斜配置。處理中，圖示為兩處理用面1、2間的微小間隔內進行混合(反應)的情況，這是因為實質上可以排除重力的影響。圖1㈧中示出第1導入部dl在第2托架21中，與第2圓環20的軸心一致，上下垂直第進行延伸的機構。但是，第1導入部dl并不僅限于與第2圓環20的軸心一致，只要是能夠向兩圓環10、20所圍成的空間供給第1被處理流體即可，也可以設置在第2托架21的中央部分22的其它位置，而且，也可以是非垂直的傾斜進行延伸。圖12(A)表示上述裝置的更優選的實施方式。如圖所示，第2處理用部20具有上述第2處理用面2，同時具有受壓面23，該受壓面23位于第2處理用面2的內側并與該第2處理用面2鄰接。以下，該受壓面23又稱為分離用調整面23。如圖所示，該分離用調整面23為傾斜面。如前所述，在第2托架21的底部、即下部，形成圓環收容部41，該圓環收容部41內收容有第2處理用部20。另外，雖沒有圖示，但通過旋轉阻止裝置，使第2處理用部20相對于第2托架21不旋轉地被收容。上述的第2處理用面2從第2托架21中露出。在該實施方式中，處理用面1、2間的、第1處理用部10及第2處理用部20的內側為被處理物的流入部，第1處理用部10及第2處理用部20的外側為被處理物的流出部。上述的接觸表面壓力賦予機構4相對于第1處理用面1以壓接或接近的狀態推壓第2處理用面2，通過該接觸表面壓力與流體壓力等的使兩處理用面1、2間分離的力的均衡，產生上述的規定膜厚的流體膜。換言之，通過上述力的均衡，兩處理用面1、2間的間隔保持為規定的微小間隔。具體而言，在該實施方式中，接觸表面壓力賦予機構4由以下部分構成上述的圓環收容部41；發條收容部42，該發條收容部42設置在圓環收容部41的內部即圓環收容部41的最深處；彈簧43；和空氣導入部44。但是，接觸表面壓力賦予機構4也可具有上述圓環收容部41、上述發條收容部42、彈簧43以及空氣導入部44中的至少任意一個。圓環收容部41與第2處理用部20間隙配合，以使得圓環收容部41內的第2處理用部20的位置或深或淺地、即上下位移。上述彈簧43的一端與發條收容部42的內部抵接，彈簧43的另一端與圓環收容部41內的第2處理用部20的前部即上部抵接。在圖1中，彈簧43雖僅顯示1個，但是優選通過多個彈簧44來推壓第2處理用部20的各個部分。即，這是因為通過增加彈簧43的數目，可以給予第2處理用部20更加均等的推壓力。所以，對于第2托架21，優選為安裝數個至數十個彈簧43的復合型。在該實施方式中，可通過上述空氣導入部44向圓環收容部41內導入空氣。通過這樣的空氣的導入，將圓環收容部41與第2處理用部20之間作為加壓室，將彈簧43與空氣壓力一起作為推壓力給予第2處理用部20。因此，通過調整從空氣導入部44導入的空氣壓力，可調整運轉中第2處理用面2相對于第1處理用面1的接觸表面壓力。予以說明的是，也可代替利用空氣壓力的空氣導入部44、利用通過油壓等其它的流體壓力而產生推壓力的機構來實施。接觸表面壓力賦予機構4除了供給、調節上述推壓力即接觸表面壓力的一部分之夕卜，還兼作位移調整機構和緩沖機構。詳細而言，接觸表面壓力賦予機構4作為位移調整機構，通過空氣壓力的調整而追隨啟動時、運轉中的向軸方向的伸展、磨耗所引起的軸向位移，可維持初期的推壓力。另夕卜，如上所述，接觸表面壓力賦予機構4通過采用可位移地保持第2處理用部20的浮動機構，也作為作為微振動、旋轉定位的緩沖機構而發揮功能。接著，對于采用上述的構成的處理裝置的使用的狀態，根據圖I(A)進行說明。首先，第1被處理流體受到來自流體壓力賦予機構Pl的輸送壓力，從第1導入部dl導入被密閉了的殼體的內部空間。另一方面，通過由旋轉驅動部所產生的旋轉軸50的旋轉，第1處理用部10旋轉。由此，第1處理用面1與第2處理用面2在保持微小間隔的狀態下相對地進行旋轉。第1被處理流體在保持微小間隔的兩處理用面1、2間形成流體膜，從第2導入部d2導入的第2被處理流體在兩處理用面1、2間與該流體膜合流，同樣構成流體膜的一部分。通過該合流，第1及第2被處理流體混合而形成產物。而且，在伴有反應的情況下兩流體反應，均勻的反應得到促進，形成該反應產物。由此，在伴有析出的情況下可比較均勻地生成微細的粒子，即使在不伴有析出的情況下，仍可實現均勻的混合狀態(在伴有反應的情況下均勻的反應)。予以說明的是，可認為析出的產物由于第1處理用面1的旋轉而在與第2處理用面2之間受到剪切，有時被進一步微小化。在此，通過將第1處理用面1與第2處理用面2的間隔調整為1μm至1mm、特別是1μm至10μm的微小間隔，從而能夠實現均勻的混合狀態(伴有反應的情況下均勻的反應)，同時，可生成數nm單位的超微粒。產物從兩處理用面1、2間排出，從殼體3的排出口33排出到殼體外部。排出的產物通過公知的減壓裝置在真空或減壓了的環境內形成霧狀，在碰到環境內的其它部分后作為流體而流下，可以作為除氣后的液態物回收。予以說明的是，在該實施方式中，處理裝置雖具有殼體，但也可以不設置這樣的殼體來實施。例如，可以設置除氣用的減壓罐，即真空罐，在該罐內部配置處理裝置來實施。在該情況下，在處理裝置上當然不具有上述排出口。如上所述，可將第1處理用面1與第2處理用面2的間隔調整為機械的間隔設定不可能達到的μm單位的微小間隔，其機理說明如下。第1處理用面1與第2處理用面2可相對地接近分離，并且相對地進行旋轉。在該例中，第1處理用面1旋轉，第2處理用面2具有在軸方向可移動的構造(浮動構造)、相對于第1處理用面1接近分離。因此，在該例中，第2處理用面2的軸方向位置通過力、即上述的接觸表面壓力與分離力的平衡，設定為ym單位的精度，由此進行處理用面1、2間的微小間隔的設定。如圖12㈧所示，作為接觸表面壓力，可以舉出以下在接觸表面壓力賦予機構4中，從空氣導入部44賦予的空氣壓力、即正壓的情況下的該壓力、彈簧43的推壓力。予以說明的是，在圖1315所示的實施方式中，為避免圖面的繁雜，第2導入部d2省略進行描述。關于這一點，也可以看成是未設置第2導入部d2的位置的剖面。另外，圖中，U表示上方，S表示下方。另一方面，作為分離力，可以舉出以下作用在分離側的受壓面、即第2處理用面2及分離用調整面23上的流體壓力、第1處理用部1的旋轉所產生的離心力和對空氣導入部44施加負壓的情況下的該負壓。予以說明的是，在對裝置進行清洗時，通過增大施加于上述空氣導入部44的負壓，可加大兩處理用面1、2的分離，可容易地進行清洗。并且，通過這些力的均衡，使第2處理用面2以相對于第1處理用面1隔開規定的微小間隔的位置來穩定化，由此實現μm單位的精度的設定。對分離力進一步詳細地說明。首先，關于流體壓力，在密閉了的流路中的第2處理用部20受到來自于流體壓力賦予機構P的被處理流體的送入壓力即流體壓力。此時，與流路中的第ι處理用面對向的面、即第2處理用面2和分離用調整面23成為分離側的受壓面，流體壓力作用在該受壓面上，產生因流體壓所引起的分離力。其次，關于離心力，如果第1處理用部10高速旋轉，則離心力作用于流體，該離心力的一部分成為分離力，該分離力作用在兩處理用面1、2相互遠離的方向上。而且，在從上述的空氣導入部44向第2處理用部20給予負壓的情況下，該負壓作為分離力起作用。以上，在本申請的發明中，將使第1與第2處理用面1、2相互分離的力作為分離力進行說明，并非將上述表示的力從分離力中排除。如上所述，在被密閉了的被處理流體的流路中，介由處理用面1、2間的被處理流體，形成分離力與接觸表面壓力賦予機構4實現的接觸表面壓力達到均衡的狀態，由此在兩處理用面1、2間實現均勻的混合狀態，在伴有反應的情況下實現均勻的反應，同時形成適合進行微細產物的結晶析出的流體膜。這樣，該裝置，通過在兩處理用面1、2間強制地介由流體膜，可維持兩處理用面1、2間的間隔為以往的機械的裝置中不可能實現的微小間隔，從而實現高精度地生成作為產物的微粒。換言之，處理用面1、2間的流體膜的膜厚，通過上述的分離力與接觸表面壓力的調整而調整至所希望的厚度，能夠進行必要的均勻的混合狀態(在伴有反應的情況下均勻的反應)的實現和微細的產物的生成處理。因此，在要形成小的流體膜厚度的情況下，只要調整接觸表面壓力或分離力以使得接觸表面壓力對于分離力相對第增大即可，相反地，在要形成大的流體膜厚度的情況下，只要調整接觸表面壓力或分離力以使得分離力對于接觸表面壓力相對地增大即可。在增加接觸表面壓力的情況下，在接觸表面壓力賦予機構4中，從空氣導入部44賦予空氣壓力即正壓，或者，將彈簧43變更為推壓力大的彈簧或增加其個數即可。在增加分離力的情況下，可以增加流體壓力賦予機構pi的送入壓力，或者增加第2處理用面2、分離用調整面23的面積，另外除此之外，還可以調整第2處理用部20的旋轉使離心力增大，或者降低來自空氣導入部44的壓力。或者可以賦予負壓。彈簧43是作為在伸長方向產生推壓力的推力發條，但是，也可以是作為在收縮方向產生力的拉力發條，可形成接觸表面壓力賦予機構4的構成的一部分或全部。在減小分離力的情況下，可以減少流體壓力賦予機構pi的送入壓力，或者減少第2處理用面2、分離用調整面23的面積，另外除此之外，還可以調整第2處理用部20的旋轉使離心力減小，或者增大來自空氣導入部44的壓力。或者也可以降低負壓。而且，作為接觸表面壓力以及分離力的增加減少的要素，除上述以外，還可加入粘度等的被處理流體的性狀，這樣的被處理流體的性狀的調整也可作為上述要素的調整來進行。予以說明的是，分離力中，作用于分離側的受壓面即第2處理用面2以及分離用調整面23上的流體壓力，可理解為構成機械密封中的開啟力的力。在機械密封中，第2處理用部20相當于密封環，但在對該第2處理用部20施加流體壓力的情況下，當從第1處理用部1分離第2處理用部2的力發揮作用時，該力為開啟力。更詳細而言，如上述的第1實施方式那樣，當在第2處理用部20中僅設置分離側的受壓面、即第2處理用面2以及分離用調整面23的情況下，送入壓力的全部構成開啟力。予以說明的是，當在第2處理用部20的背面側也設置受壓面的情況下，具體而言，在后述的圖12(B)及圖17的情況下，在送入壓力中，作為分離力發揮作用的力與作為接觸表面壓力發揮作用的力的差形成開啟力。在此，使用圖12(B)對第2處理用部20的其它實施方式進行說明。如圖12(B)所示，在從該第2處理用部20的圓環收容部41露出的部位并且在內周面側，設置面向第2處理用面2的相反側即上方側的接近用調整面24。即，在該實施方式中，接觸表面壓力賦予機構4由圓環收容部41、空氣導入部44以及上述接近用調整面24構成。但是，接觸表面壓力賦予機構4也可以只具備上述圓環收容部41、上述發條收容部42、彈簧43、空氣導入部44以及上述接近用調整面24中的至少任意一個。該接近用調整面24受到施加在被處理流體上的規定壓力，產生使第2處理用面2向第1處理用面1接近的方向移動的力，作為接近用接觸表面壓力賦予機構4的一部分，擔當接觸表面壓力的供給側的作用。另一方面，第2處理用面2與上述的分離用調整面23，受到施加在被處理流體上的規定壓力，產生在使第2處理用面2從第1處理用面1分離的方向移動的力，擔當對于分離力的一部分的供給側的作用。接近用調整面24、第2處理用面2以及分離用調整面23均為受到上述的被處理流體的輸送壓力的受壓面，根據其方向，實現產生上述接觸表面壓力與產生分離力這樣的不同的作用。接近用調整面24的投影面積Al與合計面積A2的面積比A1/A2稱為平衡比K，對上述的開啟力的調整是重要的，其中，接近用調整面24的投影面積Al是在與處理用面的接近·分離的方向、即第2圓環20的出沒方向正交的假想平面上投影的接近用調整面24的投影面積，合計面積A2是在該假想平面上投影的第2處理用部20的第2處理用面2及分離側受壓面23的投影面積的合計面積。接近用調整面24的前端與分離側受壓面23的前端，一同被限定在環狀的第2調整用部20的內周面25即前端線Ll上。因此，通過決定接近用調整面24的基端線L2的位置，可進行平衡比K的調整。S卩，在該實施方式中，在利用被處理用流體的送出壓力作為開啟力的情況下，通過使第2處理用面2以及分離用調整面23的合計投影面積大于接近用調整面24的投影面積，可產生與其面積比率相對應的開啟力。對于上述的開啟力，變更上述平衡線、即接近用調整面24的面積Al，由此，能夠通過被處理流體的壓力、即流體壓力進行調整。滑動面實際表面壓力P、即接觸表面壓力中的流體壓力所產生的表面壓力可用下式計算。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>式中，Pl表示被處理流體的壓力、即流體壓力，K表示上述平衡比，k表示開啟力系數，Ps表示彈簧及背壓力。通過該平衡線的調整來調整滑動面實際表面壓力P，由此使處理用面1、2間形成所希望的微小間隔量，形成被處理流體所產生的流體膜，使產物變微細，進行均勻的混合(反應)。通常，如果兩處理用面1、2之間流體膜的厚度變小，則可使產物更細。相反，如果流體膜的厚度變大，處理變得粗糙，每單位時間的處理量增加。所以，通過上述的滑動面實際表面壓力P的調整，能夠調整兩處理用面1、2間的間隔，可以實現所希望的均勻混合狀態(伴有反應的情況下均勻的反應)，同時得到微細的產物。以下，稱滑動面實際表面壓力P為表面壓力P。歸納該關系，在上述產物粗的情況下，可以減小平衡比，減小表面壓力P，增大上述間隔，增大上述膜厚。相反，在上述產物較細的情況下，可以增大平衡比K，增大表面壓力P，減小上述間隔，減小上述膜厚。這樣，作為接觸表面壓力賦予機構4的一部分，形成接近用調整面24，通過其平衡線的位置，可以實施接觸表面壓力的調整，即可調整處理用面間的間隔。在上述間隔的調整中，如上所述，考慮通過改變上述彈簧43的推壓力、空氣導入部44的空氣壓力來進行。另外，流體壓力即被處理流體的輸送壓力的調整、及成為離心力的調整的第1處理用部10即第1托架11的旋轉的調整，也是重要的調整要素。如上所述，該裝置以如下方式構成，即，對于第2處理用部20及相對于第2處理用部20進行旋轉的第1處理用部10，通過取得被處理流體的送入壓力、該旋轉離心力以及接觸表面壓力的壓力平衡，在兩處理用面上形成規定的流體膜。另外，圓環的至少一方作為浮動構造，吸收芯振動等的定位，排除接觸所引起的磨耗等的危險性。該圖12⑶的實施方式中，對于具備上述調整用面以外的構成，與圖I(A)所示的實施方式一樣。另外，在圖12(B)所示的實施方式中，如圖17所示，頁可以不設置上述分離側受壓面23來實施。如圖12(B)、圖17所示的實施方式那樣，在設置接近用調整面24的情況下，通過使接近用調整面24的面積Al大于上述面積A2，從而不產生開啟力，相反，施加在被處理流體上的規定壓力全部作為接觸表面壓力而起作用。也可進行這樣的設定，在該情況下，通過增大其它的分離力，可使兩處理用面1、2均衡。通過上述的面積比決定了作用在使第2處理用面2從第1處理用面1分離方向的力，該力作為從流體所受到的力的合力。上述實施方式中，如上所述，彈簧43為了對滑動面即處理用面給予均勻的應力，安裝個數越多越好。但是，該彈簧43也可如圖13所示那樣，采用單卷繞型彈簧。其為如圖所示的、中心與環狀的第2處理用部20同心的1個卷繞型彈簧。第2處理用部20與第2托架21之間以成為氣密的方式密封，該密封可采用公知的手段。如圖14所示，第2托架21中設有溫度調整用封套46，該溫度調整用封套46冷卻或加熱第2處理用部20，可調節其溫度。并且，圖14的3表示上述的殼體，在該殼體3中，也設有同樣目的的溫度調節用封套35。第2托架21的溫度調節用封套46是水循環用空間，該水循環用空間形成于在第2托架21內的圓環收容部41的側面，并與與第2托架21外部相通的通道47、48相連接。通道47、48的其中一方向溫度調整用封套46導入冷卻或加熱用的介質，其中另一方排出該介質。另外，殼體3的溫度調整用封套35是通過加熱用水或冷卻水的通道，其通過設置在覆蓋殼體3的外周的覆蓋部34而設置在殼體3的外周面與該覆蓋部34之間。在該實施方式中，第2托架21及殼體3具備上述溫度調整用封套，但是，第1托架11中也可設置這樣的封套。作為接觸表面壓力賦予機構4的一部分，除上述以外，也可設置如圖15所示的汽缸機構7。該汽缸機構7具有汽缸空間部70，該汽缸空間部70設置在第2托架21內；連接部71，該連接部71連接汽缸空間部70與圓環收容部41；活塞體72，該活塞體72收容在汽缸空間部70內且通過連接部71與第2處理用部20相連接；第1噴嘴73，該第1噴嘴73與汽缸空間部70的上部相連接；第2噴嘴74，該第2噴嘴74位于汽缸空間部70的下部；推壓體75，該推壓體75為介于汽缸空間部70上部與活塞體72之間的發條等。活塞體72可在汽缸空間部70內上下滑動，通過活塞體72的該滑動，第2處理用部20上下滑動，從而可變更第1處理用面1與第2處理用面2之間的間隔。雖未圖示，具體而言，將壓縮機等的壓力源與第1噴嘴73相連接，通過從第1噴嘴73向汽缸空間部70內的活塞體72的上方施加空氣壓力即正壓，使活塞體72向下方滑動，第2處理用部20可使第1與第2處理用面1、2之間的間隔變窄。另外，雖未圖示，將壓縮機等的壓力源與第2噴嘴74相連接，通過從第2噴嘴74向汽缸空間部70內的活塞體72的下方施加空氣壓力即正壓，使活塞體72向上方滑動，從而可使第2處理用部20朝著擴大第1與第2處理用面1、2之間的間隔的方向即打開的方向移動。這樣，利用從噴嘴73、74得到的空氣壓力，可調整接觸表面壓力。即使圓環收容部41內的第2處理用部20的上部與圓環收容部41的最上部之間有足夠的空間，通過與汽缸空間部70的最上部70a抵接地設定活塞體7，該汽缸空間部70的最上部70a也限定了兩處理用面1、2間的間隔的寬度的上限。即，活塞體7與汽缸空間部70的最上部70a作為抑制兩處理用面1、2分離的分離抑制部而發揮作用，換言之，作為限制兩處理用面1、2之間的間隔的最大分開量的機構發揮作用。另外，即使兩處理用面1、2彼此未抵接，通過與汽缸空間部70的最下部70b抵接地設定活塞體7，該汽缸空間部70的最下部70b限定了兩處理用面1、2之間的間隔寬度的下限。即，活塞體7與汽缸空間部70的最下部70b作為抑制兩處理用面1、2接近的接近抑制部而發揮作用，更換言之，作為限制兩處理用面1、2之間的間隔的最小分開量的機構而發揮作用。這樣，一邊限定上述間隔的最大及最小的分開量，一邊可通過上述噴嘴73、74的空氣壓力來調整汽缸體7與汽缸空間部70的最上部70a的間隔zl，換言之，調整汽缸體7與汽缸空間部70的最下部70b的間隔z2。噴嘴73、74可以與另一個壓力源連接，也可以通過切換或轉接連接于一個壓力源。另外壓力源可以是供給正壓或供給負壓的任一種來實施。在真空等的負壓源與噴嘴73、74相連接的情況下，形成與上述的動作相反。取代上述的其它接觸表面壓力賦予機構4或者作為上述的接觸表面壓力賦予機構4的一部分，設置這樣的汽缸機構7，根據被處理流體的粘度、性狀，進行與噴嘴73、74相連接的壓力源的壓力、間隔zl、z2的設定，使流體液膜的厚度達到所期望的值，施以剪切力，實現均勻的混合狀態(在伴有反應的條件下為均勻的反應)，可生成微細的粒子。特別是，通過這樣的汽缸機構7，可以在清洗、蒸汽滅菌時等進行滑動部的強制開閉，可提高清洗、滅菌的可靠性。如圖16㈧(C)所示，可以在第1處理用部10的第1處理用面1上形成從第1處理用部10的中心側朝向外側、即在徑向上延伸的溝槽狀凹部13...13來實施。在該情況下，如圖16(A)所示，凹部13...13可作為在第1處理用面1上彎曲或渦旋狀延伸來實施，如圖16(B)所示，也可以各個凹部13彎曲為L字型來實施，另外，如圖16(C)所示，凹部13...13也可呈直線放射狀延伸來實施。另外，如圖16(D)所示，優選圖16㈧(C)的凹部13以成為向第1處理用面1的中心側逐漸加深的方式形成梯度來實施。另外，溝槽狀的凹部13除了可以是連續的之外，也可是間斷的來實施。通過形成這樣的凹部13，具有應對被處理流體的排出量的增加或發熱量的減少、空蝕控制、流體軸承等的效果。在上述的圖16所示的各實施方式中，凹部13雖然形成在第1處理用面1上，但也可實施為形成在第2處理用面2上，并且，也可實施為形成在第1及第2處理用面1、2雙方上。在處理用面上未設置上述凹部13、錐形的情況下，或者，在使它們偏置于處理用面的一部分的情況下，處理用面1、2的表面粗糙度給予被處理流體的影響比形成上述凹部13的大。因此，在這樣的情況下，如果要使被處理流體的粒子變小，就必須降低表面粗糙度，即形成光滑的面。特別是，在以均勻的混合(反應)為目的的情況下，對于其處理用面的表面粗糙度，在以實現均勻的混合狀態(在伴有反應的情況下均勻的反應)、得到微粒為目的的情況下，前述鏡面、即施加了鏡面加工的面有利于實現微細的單分散的產物的結晶·析出。在圖12至圖17所示的實施方式中，對于特別明示了的以外的構成，與圖I(A)或圖Il(C)所示實施方式相同。另外，在上述的各實施方式中，殼體內全部被密封，但除此以外，也可實施為，僅第1處理用部10及第2處理用部20的內側被密封，其外側開放。即，直到通過第1處理用面1及第2處理用面2之間為止，流路被密封，被處理流體受到全部輸送壓力，但是，在通過后，流路被開放，處理后的被處理流體不受到輸送壓力。在流體壓力賦予機構pi中，作為加壓裝置，如上所述，優選使用壓縮機來實施，但是，只要能一直對被處理流體施加規定壓力，也可使用其它的手段來實施。例如，可以通過利用被處理流體的自重、一直對被處理流體施加一定的壓力來實施。概括上述各實施方式中的處理裝置，其特征為，對被處理流體施加規定壓力，在受到該規定壓力的被處理流體所流過的被密封了的流體流路中，連接第1處理用面1及第2處理用面2的至少2個可接近分離的處理用面，賦予使兩處理用面1、2接近的接觸表面壓力，通過使第1處理用面1與第2處理用面2相對地進行旋轉，使用被處理流體而產生機械密封中用于密封的流體膜，與機械密封相反(不是將流體膜用于密封)，使該流體膜從第1處理用面1及第2處理用面2之間特意漏出，在兩面1、2間成為膜的被處理流體間，實現混合(反應)的處理，進行回收。通過這樣的劃時代的方法，可將兩處理用面1、2間的間隔調整為1μm至1mm，特別是可以為1IOym的調整。在上述的實施方式中，裝置內構成被密閉了的流體的流路，通過在處理裝置的(第1被處理流體的)導入部側設置的流體壓力賦予機構pl，被處理流體被加壓。另外，也可以不用這樣的流體壓力賦予機構pl進行加壓，而是通過被處理流體的流路被開放來實施。圖18至圖20表示這樣的處理裝置的一個實施方式。予以說明的是，在該實施方式中，作為處理裝置，示例有具有除氣功能的裝置、即，具有從作為處理物而生成的物質中除去液體、最終僅確保作為目的的固體(結晶)的功能的裝置。圖18(A)為處理裝置的簡略縱剖面圖，圖18(B)是其局部的擴大剖面圖。圖19是圖18所示的處理裝置具有的第1處理用部1的俯視圖。圖20是上述處理裝置的第1及第2處理用部1、2的局部的主要部分的簡略縱剖面圖。該圖18至圖20中所示的裝置，如上所述在大氣壓下，投入作為處理的對象的流體，即被處理流體或輸送這樣的處理的對象物的流體。予以說明的是，圖18⑶及圖20中，為避免圖面的繁雜，第2導入部d2省略進行描述(也可看成不設有第2導入部d2位置的剖面)。如圖18(A)所示，該流體處理裝置具備混合裝置G及減壓泵Q。該混合裝置G具備作為進行旋轉的構件的第1處理用部101；保持該處理用部101的第1托架111；作為相對于殼體被固定了的構件的第2處理用部102；固定該第2處理用部102的第2托架121；彈壓機構103；動壓發生機構104(圖19(A))；使第1處理用部101與第1托架111一同旋轉的驅動部；罩體106；供給(投入)第1被處理流體的第1導入部dl；向減壓泵Q排出流體的排出部108。關于驅動部省略圖示。上述第1處理用部101及第2處理用部102分別為具有挖空圓柱中心的形狀的環狀體。兩處理用部101、102是分別把兩處理用部101、102所呈圓柱的一個底面為作為處理用面110、120的構件。上述處理用面110、120具有被鏡面研磨了的平坦部。在該實施方式中，第2處理用部102的處理用面120是整個面都實施了鏡面研磨的平坦面。另外，雖然使第1處理用部101的處理用面110的整個面成為與第2處理用部102相同的平坦面，但是，如圖19(A)所示，在平坦面中，有多個溝槽112...112。該溝槽112...112以第1處理用部101所呈圓柱的中心為中心側，向圓柱的外周方向放射狀地延伸。對于的上述第1及第2處理用部101、102的處理用面110、120的鏡面研磨，優選表面粗糙度Ra為0.011.0μm。對于該鏡面研磨更優選Ra為0.030.3μm。對于處理用部101、102的材質，采用硬質且可以鏡面研磨的材質。有關處理用部101,102的該硬度，優選為至少維氏硬度1500上。另外，優選采用線膨脹系數小的原料或熱傳導高的原料。這是由于，在處理時產生熱量的部分與其它部分之間，如果膨脹率的差較大，就會發生變形，從而影響適當間隔的確保。作為上述處理用部101、102的原料，尤其優選采用以下物質等SIC即碳化硅，其維式硬度為20002500；表面以DLC即類金剛石碳涂層的SIC，其中類金剛石碳的維式硬度為30004000；WC即碳化鎢，其維式硬度為1800；表面施加了DLC涂層的WC、ZrB2或以BTC,B4C為代表的硼系陶瓷，維式硬度為40005000。圖18所示的罩體106雖省略了底部的圖示，但是為有底的筒狀體，上方被上述第2托架121覆蓋。第2托架121在其下表面固定有上述第2處理構件102，在上方設有上述導入部dl。導入部dl具有用于從外部投入流體、處理物的料斗170。雖未圖示，上述的驅動部具有電動機等的動力源和從該動力源接受動力供給而旋轉的軸50。如圖18(A)所示，軸50配置于罩體106的內部朝上下延伸。并且，軸50的上端部設有上述的第1托架111。第1托架111是保持第1處理用部101，通過設置在上述軸50上，使第1處理用部101的處理用面110與第2處理用部102的處理用面120相對應。第1托架111為圓柱狀體，在其上表面中央固定有第1處理用部101。第1處理用部101與第1托架111成為一體地被固定，相對于第1托架111不改變其位置。另一方面，在第2托架121的上表面中央形成有收容第2處理用部102的收容凹部124。上述的收容凹部124具有環狀的橫剖面。第2處理用部102以與收容凹部124同心的方式收容在圓柱狀的收容凹部124內。該收容凹部124的構成與圖I(A)所示的實施方式相同(第1處理用部101對應第1圓環10，第1托架111對應第1托架11，第2處理用部102對應第2圓環20，第2托架121對應第2托架21)。并且，該第2托架121具備上述的彈壓機構103。優選彈壓機構103使用彈簧等的彈性體。彈壓機構103與圖KA)的接觸表面壓力賦予機構4對應，采用同樣構成。S卩，彈壓機構103推壓與第2處理用部102的處理用面120相反側的面、即底面，對位于第1處理用部101側、即下方的第2處理用部102的各位置均等地彈壓。另一方面，收容凹部124的內徑大于第2處理用部102的外徑，由此，當如上所述同心地配設時，在第2處理用部102的外周面102b與收容凹部124的內周面之間，如圖18(B)所示那樣，設定間隔tl。同樣，在第2處理用部102的內周面102a與收容凹部124的中心部分22的外周面之間，如圖18(B)所示那樣，設定間隔t2。上述間隔tl、t2分別用于吸收振動、偏心舉動，其大小以如下方式設定，S卩，大于等于能夠確保動作的尺寸并且可以形成密封。例如，在第1處理用部101的直徑為IOOmm至400_的情況下，優選該間隔tl、t2分別為0.050.3_。第1托架111被一體地固定在軸50上，與軸50—起旋轉。另外，雖未圖示，利用制動器，第2處理用部102不會相對于第2托架121旋轉。但是，在兩處理用面110、120間，為了確保處理所必要的0.110微米的間隔，即圖20(B)所示的微小間隔t，如圖18(B)所示，在收容凹部124的底面、即頂部以及面向第2處理用部102的頂部124a、即上面之間，設有間隔t3。對于該間隔t3，與上述間隔一起，考慮軸50振動、伸長而設定。如上所述，通過間隔tlt3的設定，第1處理用部101，如圖18⑶所示，在相對于第2處理用部102接近分離的方向zl上可變，對于其處理用面110的傾斜方向也可變。S卩，在該實施方式中，彈壓機構103和上述間隔tlt3構成浮動機構，通過該浮動機構，至少第2處理用部102的中心、傾斜可以在從數微米至數毫米左右的很小量可變。由此，吸收旋轉軸的芯振動、軸膨脹、第1處理用部101的面振動、振動。對第1處理用部101的處理用面110所具有的上述的溝槽112，進一步詳細地說明如下。溝槽112的后端到達第1處理用部101的內周面101a，其前端朝著第1處理用部101的外側y即外周面側延伸。該溝槽112如圖19(A)所示，其橫截面積從環狀的第1處理用部101的中心X側朝著第1處理用部101的外側y即外周面側逐漸減少。溝槽112的左右兩側面112a、112b的間隔wl隨著從第1處理用部101的中心χ側朝著第1處理用部101的外側y即外周面側減小。并且，溝槽112的深度W2如圖19(B)所示，隨著從第1處理用部101的中心χ側朝著第1處理用側101的外側y即外周面側減小。即，溝槽112的底112c隨著從第1處理用部101的中心χ側朝著第1處理用部101的外側y即外周面側變淺。這樣，溝槽112的寬度及深度兩者隨著朝著外側y即外周面側逐漸減小，從而使其橫截面積朝著外側y逐漸減小。并且，溝槽112的前端即y側成為終點。即，溝槽112的前端即y側不到達第1處理用部101的外周面101b，在溝槽112的前端與外周面IOlb之間，隔著外側平坦面113。該外側平坦面113為處理用面110的一部分。在該圖19所示的實施方式中，這樣的溝槽112的左右兩側面112a、112b及底112c構成流路限制部。該流路限制部、第1處理用部101的溝槽112周圍的平坦部以及第2處理用部102的平坦部構成動壓發生機構104。但是，也可僅對溝槽112的寬度及深度的其中任一方采用上述構成，減小截面積。上述的動壓發生機構104通過在第1處理用部101旋轉時穿過兩處理用部101、102間的流體，在兩處理用部101、102間可確保所希望的微小間隔，在使兩處理用部101、102分離的方向上產生作用力。通過這樣的動壓的發生，可在兩處理用面110、120間產生0.110μm的微小間隔。這樣的微小間隔，雖可以根據處理的對象進行調整選擇，但是，優選16μπι，更優選12μπι。在該裝置中，可實現通過上述微小間隔產生的以往不可能的均勻的混合狀態(在伴有反應的情況下均勻的反應)和生成微粒。溝槽112...112分別能夠以如下方式實施，即，筆直地從中心χ側朝向外側y延伸。但是，在該實施方式中，如圖19(A)所示，對于第1處理用部101的旋轉方向r，溝槽112的中心χ側以比溝槽112的外側y先行的方式、即位于前方的方式彎曲，使溝槽112延伸。通過這樣的溝槽112...112彎曲地延伸，可更有效地通過動壓發生機構104產生分離力。下面，對該裝置的動作進行說明。如圖18(A)所示，從料斗170投入的、通過第1導入部dl的第1被處理流體R通過環狀的第2處理用部102的中空部，受到第1處理用部101的旋轉所產生的離心力，進入兩處理用部101、102間，在進行旋轉的第1處理用部101的處理用面110與第2處理用部102的處理用面120之間，進行均勻的混合(反應)及根據情況進行微細粒子的生成，隨后，來到兩處理用部101、102的外側，從排出部108排出至減壓泵Q側(以下，根據需要將第1被處理流體R僅稱為流體R)。在上述中，進入到環狀的第2處理用部102的中空部的流體R如圖20(A)所示，首先，進入旋轉的第1處理用部101的溝槽112。另一方面，被鏡面研磨的、作為平坦部的兩處理用面110、120即使通入空氣或氮氣等氣體也維持氣密性。所以，即使受到旋轉所產生的離心力，流體R也不能夠原樣從溝槽112進入由彈壓機構103壓合的兩處理用面110、120之間。但是，流體R與作為流路限制部而形成的溝槽112的上述兩側面112a、112b、底112c慢慢地碰撞，產生作用于使分離兩處理用面110、120分離的方向上的動壓。如圖20(B)所示，由此，流體R從溝槽112滲出到平坦面上，可確保兩處理用面110、120間的微小間隔t即間隙。而且，在這樣的被鏡面研磨了的平坦面之間，進行均勻的混合(反應)、以及根據情況的微細粒子的生成。另外上述溝槽112的彎曲更為可靠地對流體作用離心力，更有效地產生上述的動壓。這樣，該流體處理裝置通過動壓與彈壓機構103所產生的彈壓力的均衡，能夠在兩鏡面即處理用面110、120之間確保微細、均勻的間隔即間隙。而且，通過上述的構成，該微小間隔可形成為1μm以下的超微細間隔。另外，通過采用上述浮動機構，處理用面110、120間的定位的自動調整成為可能，對于因旋轉、產生的熱所引起的各部分的物理變形，能夠抑制處理用面110、120間的各個位置的間隔的偏差，可維持該各個位置的上述微小間隔。予以說明的是，在上述實施方式中，浮動機構是僅在第2托架121上設置的機構。除此以外，還可以取代第2托架121，或者與第2托架121—起在第1托架111上也設置浮動機構來實施。圖21至圖23表示上述的溝槽112，示出其它的實施方式。如圖21㈧⑶所示，溝槽112作為流路限制部的一部分，可在前端具備平坦的壁面112d來實施。并且，在該圖21所示的實施方式中，在底112c中，在第1壁面112d與內周面IOla之間設有臺階112e，該臺階112e也構成流路限制部的一部分。如圖22(A)(B)所示，溝槽112可實施為，具有多個分叉的枝部112f...112f，各枝部112f通過縮小其寬度而具有流路限制部來實施。在圖21及圖22的實施方式中，特別是對于沒有示出的結構，與圖1(A)、圖11(C)、圖18至圖20中所示的實施方式相同。并且，在上述各實施方式中，對于溝槽112的寬度及深度的至少其中一方，從第1處理用部101的內側朝向外側，逐漸減小其尺寸，由此構成流路限制部。此外，如圖23(A)、圖23(B)所示，通過不改變溝槽112的寬度、深度，在溝槽112中設置終端面112f，該溝槽112的終端面112f也可以形成流路限制部。如圖19、圖21及圖22表示的實施方式所示，動壓產生以如下方式進行，即，通過溝槽112的寬度及深度如前述那樣變化，使溝槽112的底、兩側面成為傾斜面，由此，該傾斜面成為相對于流體的受壓部，產生動壓。另一方面，在圖23(A)(B)所示實施方式中，溝槽112的終端面成為相對于流體的受壓部，產生動壓。另外，在該圖23(A)(B)所示的情況下，也可同時使溝槽112的寬度及深度的至少其中一方的尺寸逐漸減小來實施。予以說明的是，關于溝槽112的結構，并不限定于上述圖19、圖21至圖23所示，也可具有其它形狀的流路限制部來實施。例如，在圖19、圖21至圖23所示結構中，溝槽112并不穿透到第1處理用部101的外側。即，在第1處理用部101的外周面與溝槽112之間，存在外側平坦面113。但是，并不限定于這樣的實施方式，只要能產生上述的動壓，溝槽112也可到達第1處理用部101的外周面側來實施。例如，在圖23(B)所示的第1處理用部101的情況下，如虛線所示，可實施為，使剖面面積小于溝槽112的其它部位的部分形成于外側平坦面113上。另外，如上所述，以從內側向外側逐漸減小截面積的方式形成溝槽112，使溝槽112的到達第1處理用部101的外周的部分(終端)形成最小截面積即可(未圖示)。但是，為有效地產生動壓，如圖19、圖21至圖23所示，優選溝槽112不穿透第1處理用部101的外周面側。在此，對上述圖18至圖23所示的各種實施方式進行總結。該流體處理裝置使具有平坦處理用面的旋轉構件與同樣具有平坦處理用面的固定構件以它們的平坦處理用面同心地相互對向、在旋轉構件的旋轉下，一邊從固定構件的開口部供給被反應原料，一邊在兩構件的對向平面處理用面間進行處理的流體處理裝置中不機械地調整間隔、而是在旋轉構件上設置增壓機構，通過其其壓力的產生來保持間隔，并且可形成機械的間隔調整所不可能達到的16μm的微小間隔，混合(反應)的均勻化以及、根據情況的生成粒子的微細化的能力也顯著提高。S卩，在該流體處理裝置中，旋轉構件與固定構件在其外周部具有平坦處理用面，該平坦處理用面中，通過具有面上的密封功能，提供產生流體靜力學的力即流體靜力、流體動力學的力即流體動力、或者空氣靜力學-空氣動力學的力的高速旋轉式的流體處理裝置。上述的力使上述密封面間產生微小的間隔，并可提供具有如下功能的流體處理裝置，即，非接觸、機械安全、具有高度的混合(反應)的均勻化的功能。能形成該微小間隔的要因，一個是旋轉構件的轉速，另一個是被處理物(流體)的投入側與排出側的壓力差。在投入側設置壓力賦予機構的情況下，在投入側未設置壓力賦予機構的情況即在大氣壓下投入被處理物(流體)的情況下，由于無壓力差，必須只依靠旋轉構件的轉速來產生密封面間的分離。這作為流體動力學的力或空氣動力學的力而已知。圖18(A)所示裝置中，雖表示為將減壓泵Q連接在混合裝置G的排出部，但也可如前面所述那樣實施為，不設置罩體106，且不設置減壓泵Q，而是如圖24(A)所示，將處理裝置作為減壓用的罐T，在該罐T中配設混合裝置G。在該情況下，通過使罐T內減壓至真空或接近真空的狀態，混合裝置G中生成的被處理物成霧狀地噴射到罐T內，通過回收碰到罐T的內壁而流下的被處理物，或，回收相對于上述流下的被處理物作為氣體(蒸汽)被分離的、充滿罐T內上部的物質，可得到處理后的目的物。另外，在使用減壓泵Q的情況下，如圖24(B)所示，混合裝置G經由減壓泵Q連接氣密的罐T，在該罐T內，處理后的被處理物形成霧狀，可進行目的物的分離·抽出。此外，如圖24(C)所示，減壓泵Q直接連接于罐T，在該罐T內，連接減壓泵Q以及除了減壓泵Q之外的流體R的排出部，可進行目的物的分離。在該情況下，對于氣化部，液體R(液狀部)被減壓泵Q吸引聚集，從排出部排出，而不從氣化部排出。在上述各實施方式中，示出了如下，即，將第1及第2的兩種被處理流體分別從第2托架21、121及第2圓環20、102導入，使其混合(反應)。下面，對被處理流體向裝置導入所涉及的其它實施方式按順序進行說明。如圖I(B)所示，可實施為，在圖KA)所示的處理裝置中，設置第3導入部d3，將第3被處理流體導入兩處理用面1、2間，使其與第2被處理流體同樣地與第1被處理流體混合(反應)。第3導入部d3向處理用面1、2間供給與第1被處理流體混合的第3流體。在該實施方式中，第3導入部d3是設在第2圓環20的內部的流體的通道，其一端在第2處理用面2上開口，另一端連接第3流體供給部p3。在第3流體供給部p3中，可采用壓縮機、其它的泵。第3導入部d3在第2處理用面2上的開口部與第2導入部d2的開口部相比，位于第1處理用面1的旋轉中心的外側。即，在第2處理用面2上，第3導入部d3的開口部較第2導入部d2的開口部位于下游側。在第3導入部d3的開口部與第2導入部d2的開口之間，在第2圓環20的直徑的內外方向上隔開間隔。該圖I(B)所示裝置中，第3導入部d3以外的構成也與圖I(A)所示的實施方式相同，予以說明的是，在該圖I(B)及下面說明的圖1(C)、圖1(D)、圖2圖11中，為避免圖面的繁雜，省略了殼體3。予以說明的是，在圖9(B)(C)、圖10、圖11㈧⑶中，描述了殼體3的一部分。另外，如圖I(C)所示，可實施為，在圖I(B)所示處理裝置中，設置第4導入部d4，將第4被處理流體導入兩處理用面1、2間，使其與第2及第3被處理流體同樣地與第1被處理流體混合(反應)。第4導入部d4向處理用面1、2間供給與第1被處理流體混合的第4被處理流體。在該實施方式中，第4導入部d4是設在第2圓環20的內部的流體的通道，其一端在第2處理用面2上開口，另一端連接第4流體供給部p4。在第4流體供給部p4中，可采用壓縮機、其它的泵。第4導入部d4在第2處理用面2上的開口部較第3導入部d3開口部位于第1處理用面1的旋轉中心的外側。即，在第2處理用面2上，第4導入部d4的開口部較第3導入部d3的開口部位于下游側。對于圖I(C)所示裝置的第4導入部d4以外的構成，與圖I(B)所示的實施方式相同。并且，雖未圖示，也可實施為，另外設置第5導入部、第6導入部等5個以上的導入部，分別使5種以上的被處理流體混合(反應)。另外，如圖I(D)所示，可實施為，在圖丄㈧的裝置中，將設置在第2托架21上的第1導入部dl與第2導入部d2同樣地設置在第2處理用面2上，以取代將其設置在第2托架21上。在該情況下，在第2處理用面2上，第1導入部dl的開口部也較第2導入部d2位于旋轉的中心側即上游側。在上述圖I(D)所示裝置中，第2導入部d2的開口部與第3導入部d3的開口部一起配置在第2圓環20的第2處理用面2上。但是，導入部的開口部并不限于上述相對于處理用面的配置。特別是，可如圖2(A)所示，將第2導入部d2的開口部設置在第2圓環20的內周面的、與第2處理用面2鄰接的位置來實施。在該圖2(A)所示裝置中，第3導入部d3的開口部雖與圖I(B)所示裝置同樣地配置在第2處理用面2上，但是，也可通過將第2導入部d2的開口部配置在上述第2處理用面2的內側，即與第2處理用面2鄰接的位置上，從而將第2被處理流體立刻導入到處理用面上。這樣通過將第1導入部dl的開口部設置在第2托架21上，將第2導入部d2的開口部配置在第2處理用面2的內側，即與第2處理用面2鄰接的位置(在該情況下，設置上述第3導入部d3不是必須的)，從而，特別是在使多個被處理流體反應的情況下，能夠將從第1導入部dl導入的被處理流體與從第2導入部d2導入的被處理流體在不反應的狀態下導入兩處理用面1、2間，并且可使兩者在兩處理用面1、2之間初次發生反應。因此，上述構成特別適合于使用反應性高的被處理流體的情況。予以說明的是，上述的“鄰接”并不僅限于以下情況，S卩，將第2導入部d2的開口部如圖2(A)所示地以與第2圓環20的內側側面接觸的方式設置。從第2圓環20至第2導入部d2的開口部的距離為以下程度即可，即，在多個的被處理流體被導入兩處理用面1、2間以前，不被完全混合(反應)的程度，例如，也可以設置在接近第2托架21的第2圓環20的位置。并且，也可以將第2導入部d2的開口部設置在第1圓環10或第1托架11側。另外，在上述的圖I(B)所示裝置中，在第3導入部d3的開口部與第2導入部d2的開口之間，在第2圓環20的直徑的內外方向隔開間隔，但也可實施為，如圖2(B)所示，不設置上述間隔，將第2及第3被處理流體導入兩處理用面1、2之間，立刻兩流體合流。根據處理的對象選擇上述圖2(B)所示裝置即可。另外，在上述的圖I(D)所示裝置中，第1導入部dl的開口部與第2導入部d2的開口之間，在第2圓環20直徑的內外方向隔開了間隔，但也可實施為，不設置該間隔，而將第1及第2被處理流體導入兩處理用面1、2之間，立刻使兩流體合流。根據處理的對象選擇這樣的開口部的配置即可。在上述的圖I(B)及圖I(C)所示實施方式中，在第2處理用面2上，將第3導入部d3的開口部配置在第2導入部d2的開口部的下游側，換言之，在第2圓環20的直徑的內外方向上，配置在第2導入部d2的開口部的外側。此外，如圖2(C)及圖3(A)所示，可在第2處理用面2上，將第3導入部d3的開口部配置于在第2圓環20的周方向r0上與第2導入部d2開口部不同的位置來實施。在圖3中，ml表示第1導入部dl的開口部即第1開口部，m2表示第2導入部d2的開口部即第2開口部，m3表示第3導入部d3的開口部(第3開口部)，rl為圓環直徑的內外方向。另外，在將第1導入部dl設置在第2圓環20上的情況下，也可如圖2(D)所示，在第2處理用面2上，將第1導入部dl的開口部配置于在第2圓環20的周方向與第2導入部d2的開口部不同的位置來實施。在上述圖3(A)所示裝置中，在第2圓環20的處理用面2上，2個導入部的開口部被配置在周方向rO的不同位置，但是，也可實施為，如圖3(B)所示，在圓環的周方向rO的不同位置配置3個導入部的開口部，或如圖3(C)所示，在圓環的周方向rO的不同位置配置4個導入部的開口部。予以說明的是，在圖3(B)(C)中，m4表示第4導入部的開口部，在圖3(C)中，m5表示第5導入部的開口部。并且，雖未圖示，也可實施為，在圓環的周方向rO的不同位置配置5個以上的導入部的開口部。在上述所示裝置中，第2導入部至第5導入部分別可導入不同的被處理流體，即第2、第3、第4、第5被處理流體。另一方面，可實施為，從第2第5的開口部m2m5，將全部同類的、即第2被處理流體導入處理用面之間。雖未圖示，在該情況下，可實施為，第2導入部至第5導入部在圓環內部連通，并連接到一個流體供給部，即第2流體供給部p2。另外，可以通過組合以下來實施，S卩，在圓環的周方向rO的不同位置設置多個導入部的開口部、和在圓環直徑方向即直徑的內外方向rl的不同位置設置多個導入部的開口部。例如，如圖3(D)所示，在第2處理用面2上設有8個導入部的開口部m2m9，其中的4個m2m5設置在圓環的周方向rO的不同位置且在直徑方向r1上的相同位置設置，其它4個m6m9設置在圓環的周方向rO的不同位置且在直徑方向rl上的相同位置。并且，該其它的開口部m6m9在直徑方向r上配置在上述4個開口部m2m5的直徑方向的外側。并且，該外側的開口部雖可分別設置于在圓環的周方向rO上與內側的開口部相同的位置，但是，考慮圓環的旋轉，也可實施為，如圖3(D)所示，設置在圓環的周方向rO的不同位置。另外，在該情況下，開口部可為圖3(D)所示的配置、數量。例如，如圖3(E)所示，也可將徑方向外側的開口部配置在多邊形的頂點位置，即該情況下的四邊形的頂點位置，將直徑方向內側的開口部配置在該多邊形的邊上。當然，也可采用其它的配置。另外，在第1開口部ml以外的開口部都將第2被處理流體導入處理用面間的情況下，可以實施為，各導入第2被處理流體的該開口部不是在處理用面的周方向rO上散布，而是如圖3(F)所示，在周方向rO上形成連續的開口部。予以說明的是，根據處理的對象，如圖4(A)所示，可實施為，在圖I(A)所示裝置中，將設置在第2圓環20上的第2導入部d2與第1導入部dl同樣地設置在第2托架21的中央部分22。在該情況下，相對于位于第2圓環20的中心的第1導入部dl的開口部，第2導入部d2的開口部位于其外側，并隔開間隔。并且，如圖4(B)所示，可實施為，在圖4(A)所示裝置中，將第3導入部d3設置于第2圓環20。如圖4(C)所示，可實施為，在圖4(A)所示裝置中，第1導入部dl的開口部與第2導入部d2的開口部之間不設置間隔，將第2及第3被處理流體導入第2圓環20內側的空間后，立刻兩流體合流。另外，根據處理的對象，可實施為，如圖4(D)所示，在圖4(A)所示裝置中，和第2導入部d2相同，第3導入部d3也設置在第2托架21上。雖未圖示，但是，也可實施為，在第2托架21上設置4個以上的導入部。并且，根據處理的對象，如圖5(A)所示，可實施為，在圖4(D)所示的裝置中，在第2圓環20上設置第4導入部d4，將第4被處理流體導入兩處理用面1、2之間。如圖5(B)所示，可實施為，在圖KA)所示裝置中，將第2導入部d2設置于第1圓環10，在第1處理用面1上具有第2導入部d2的開口部。如圖5(C)所示，可實施為，在圖5(B)所示裝置中，第1圓環10上設有第3導入部d3，在第1處理用面1上，第3導入部d3的開口部配置在與第2導入部d2的開口部在第1圓環10的周方向上不同的位置。如圖5(D)所示，可實施為，在圖5(B)所示裝置中，取代在第2托架21上設置第1導入部dl，在第2圓環20上設置第1導入部dl，在第2處理用面2上配置第1導入部dl的開口部。在該情況下，第1及第2導入部dl、d2的兩開口部在圓環直徑的內外方向上配置在相同位置。另外，如圖6(A)所示，也可實施為，在圖I(A)所示裝置中，第3導入部d3設置于第1圓環10，第3導入部d3的開口部設置在第1處理用面1上。在該情況下，第2及第3導入部d2、d3的兩開口部在圓環直徑的內外方向上配置在相同位置。但是，也可以將上述兩開口部在圓環的直徑的內外方向上配置于不同的位置。圖5(C)所示裝置中，雖然將第2及第3導入部d2、d3的兩開口部在第1圓環10的直徑的內外方向上設置在相同的位置，同時在第1圓環10的周方向即旋轉方向上設置在不同的位置，但是，也可實施為，在該裝置中，如圖6(B)所示，將第2及第3導入部d2、d3的兩開口部在第1圓環10的周方向上設置在相同的位置、同時在第1圓環10的直徑的內外方向上設置在不同的位置。在該情況下，可實施為，如圖6(B)所示，在第2及第3導入部d2、d3的兩開口部之間，在第1圓環10的直徑的內外方向上隔開間隔，另外，雖未圖示，也可實施為，不隔開該間隔，立刻使第2被處理流體與第3被處理流體合流。另外，可實施為，如圖6(C)所示，取代在第2托架21上設置第1導入部dl，而是與第2導入部d2—起，將第1導入部dl設置在第1圓環10上。在該情況下，在第1處理用面1中，第1導入部dl的開口部設置在第2導入部d2的開口部的上游側(第1圓環11的直徑的內外方向的內側)。在第1導入部dl的開口部與第2導入部d2的開口部之間，在第1圓環11的直徑的內外方向上隔開間隔。但是，雖未圖示，也可不隔開該間隔地實施。另外，可實施為，如圖6(D)所示，在圖6(C)所示裝置的第1處理用面1中，在第1圓環10的周方向的不同位置，分別配置第1導入部dl及第2導入部d2的開口部。另外，雖未圖示，在圖6(C)(D)所示的實施方式中，可實施為，在第1圓環10上設置3個以上的導入部，在第2處理用面2上的周方向的不同位置，或者，在圓環直徑的內外方向的不同位置，配置各開口部。例如，也可在第1處理用面1中采用第2處理用面2中所采用的圖3(B)圖3(F)所示開口部的配置。如圖7(A)所示，可實施為，在圖I(A)所示裝置中，取代在第2圓環20上設置第2導入部d2，在第1托架11上設置第2導入部。在該情況下，在被第1托架11上面的第1圓環10所包圍的部位中，優選在第1圓環10的旋轉的中心軸的中心配置第2導入部d2的開口部。如圖7(B)所示，在圖7(A)所示的實施方式中，可將第3導入部d3設置于第2圓環20，將第3導入部d3的開口部配置在第2處理用面2上。另外，如圖7(C)所示，可實施為，取代在第2托架21上設置第1導入部dl，在第1托架11上設置第1導入部dl。在該情況下，在被第1托架11上面的第1圓環10所包圍的部位中，優選在第1圓環10的旋轉的中心軸上配置第1導入部dl的開口部。另外，在該情況下，如圖所示，可將第2導入部d2設置于第1圓環10，將其開口部配置在第1處理用面1上。另外，雖未圖示，在該情況下，可將第2導入部d2設置于第2圓環20，在第2處理用面2上配置其開口部。并且，如圖7(D)所示，可實施為，將圖7(C)所示的第2導入部d2與第1導入部dl一起設置在第1托架11上。在該情況下，在被第1托架11上面的第1圓環10所包圍的部位中，配置第2導入部d2的開口部。另外，在該情況下，在圖7(C)中，也可把第2圓環20上設置的第2導入部d2作為第3導入部d3。在上述圖1圖7所示的各實施方式中，第1托架11及第1圓環10相對于第2托架21及第2圓環20旋轉。此外，如圖8(A)所示，可實施為，在圖I(A)所示裝置中，在第2托架2上設置受到來自旋轉驅動部的旋轉力而旋轉的旋轉軸51，使第2托架21在與第1托架11相反的方向上旋轉。對于旋轉軸51的旋轉驅動部，也可以與使第1托架11的旋轉軸50旋轉的裝置分開設置，或者作為如下實施，即，通過齒輪等動力傳遞手段，從使第1托架11的旋轉軸50旋轉的驅動部受到動力。在該情況下，第2托架2與上述殼體分體地形成，并與第1托架11同樣地可旋轉地收容在該殼體內。并且，如圖8(B)所示，可實施為，在圖8(A)所示裝置中，與圖7(B)的裝置同樣，在第1托架11上設置第2導入部d2，以取代在第2圓環20上設置第2導入部d2。另外，雖未圖示，也可實施為，圖8(B)所示裝置中，在第2托架21上設置第2導入部d2，以取代在第1托架11上設置第2導入部d2。在該情況下，第2導入部d2與圖4(A)的裝置相同。如圖8(C)所示，也可實施為，在圖8(B)所示裝置中，在第2圓環20上設置第3導入部d3，將該導入部d3的開口部設置在第2處理用面2上。并且，如圖8(D)所示，也可實施為，不使第1托架11旋轉，僅旋轉第2托架21。雖未圖示，也可實施為，在圖I(B)圖7所示的裝置中，第2托架21與第1托架11都旋轉，或僅第2托架21單獨旋轉。如圖9(A)所示，第2處理用部20為圓環，第1處理用部10不是圓環，而是與其它的實施方式的第1托架11同樣的、直接具有旋轉軸50作為進行旋轉的構件。在該情況下，將第1處理用部10的上表面作為第1處理用面1，該處理用面不是環狀，即不具備中空部分，形成一樣的平坦面。并且，在圖9(A)所示裝置中，與圖I(A)的裝置同樣，第2圓環20上設有第2導入部d2，其開口部配置在第2處理用面2上。如圖9(B)所示，可實施為，在圖9(A)所示裝置中，第2托架21與殼體3獨立，在殼體3與該第2托架21之間，設置接觸表面壓力賦予機構4，該接觸表面壓力賦予機構4是使第2托架21向設有第2圓環20的第1處理用部10接近分離的彈性體等。在該情況下，如圖9(C)所示，第2處理用部20不形成圓環，作為相當于上述第2托架21的構件，可將該構件的下表面作為第2處理用面2來形成。并且，如圖10(A)所示，可實施為，在圖9(C)所示裝置中，第1處理用部10也不形成圓環，與圖9(A)(B)所示裝置一樣，在其它的實施方式中，將相當于第1托架11的部位作為第1處理用部10，將其上表面作為第1處理用面1。在上述各實施方式中，至少第1被處理流體是從第1處理用部10與第2處理用部20即第1圓環10與第2圓環20的中心部供給的，通過利用其它的被處理流體所進行的處理，即混合(反應)后，被排出至其直徑的內外方向的外側。此外，如圖10⑶所示，也可實施為，從第1圓環10及第2圓環20的外側朝向內側供給第1被處理流體。在該情況下，如圖所示，以殼體3密閉第1托架11及第2托架21的外側，將第1導入部dl直接設置于該殼體3，在殼體的內側，該導入部的開口部配置在與兩圓環10、20的對接位置相對應的部位。并且，圖I(A)的裝置中，在設有第1導入部dl的位置，即成為第1托架11中的圓環1的中心的位置，設有排出部36。另外，夾著托架的旋轉的中心軸，在殼體的該開口部的相反側配置第2導入部d2的開口部。但是，第2導入部d的開口部與第1導入部dl的開口部相同，只要是在殼體的內側并且配置在與兩圓環10、20的對接位置相對應的部位即可，而不限定為上述那樣的形成在第1導入部dl的開口部的相反側。在該情況下，兩圓環10、20的直徑的外側成為上游，兩圓環10、20的內側成為下游側。這樣，在從外側向內側進行被處理流動體的移動的情況下，如圖16(E)所示，可在第1處理用部10的第1處理用面1中，從第1處理用部的外測向中心側延伸的溝槽狀凹部13...13來實施。通過形成這樣的凹部13...13，對于上述的平衡K，優選形成100%以上的不平衡型。其結果，在旋轉時，在上述的溝槽狀的凹部13...13中產生動壓，兩處理用面1、2可可靠地非接觸地進行旋轉，由接觸產生的磨耗等的危險消失，在如圖16(E)所示的實施方式中，由處理流體的壓力產生的分離力，在凹部13的內端13a處產生。如圖10(C)所示，可實施為，在圖10⑶所示裝置中，將設置于殼體3的側部的第2導入部d2，改變該位置，設置于第1圓環11上，將其開口部配置在第1處理用面1上。在該情況下，如圖10(D)所示，可實施為，第1處理用部10不作為圓環形成，與圖9(A)、圖9(B)、圖10(A)所示裝置相同，在其它的實施方式中，將相當于第1托架11的部位作為第1處理用部10，將其上表面作為第1處理用面1，并且，將第2導入部d2設置于該第1處理用部10內，將其開口部設置在第1處理用面1上。如圖Il(A)所示，可實施為，在圖10⑶所示的裝置中，第2處理用部20不作為圓環形成，在其它的實施方式中，將相當于第2托架21的構件作為第2處理用部20，將其下表面作為第2處理用面2。而且，可以實施為，將第2處理用部20作為與殼體3獨立的構件，在殼體3與第2處理用部20之間，與圖9(B)(C)、圖10(A)所示裝置相同，設有接觸表面壓力賦予機構4。另外，如圖Il(B)所示，也可實施為，將圖11㈧所示裝置的第2導入部d2作為第3導入部d3，另外設置第2導入部d2。在該情況下，在第2處理用面2中，將第2導入部d2的開口部相比第3導入部d3的開口部配置在下游側。上述圖4所示的各裝置、圖5(A)、圖7(A)(B)(D)、圖8(B)(C)所示裝置是其它被處理流體在到達處理用面1、2之間之前與第1被處理流體合流的裝置，不適合結晶、析出的反應快速的物質。但是，對于反應速度慢的物質則可采用這樣的裝置。關于適合本申請所涉及的方法發明的實施的流體處理裝置，歸納如下。如上所述，該流體處理裝置具有流體壓力賦予機構，該流體壓力賦予機構對被處理流體賦予規定壓力；第1處理用部10和第2處理用部20的至少2個處理用部，該第1處理用部10設置在該規定壓力的被處理流體流過的被密封了的流體流路中，該第2處理用部20相對于第1處理部10能夠相對地接近分離；該第1處理用面1及第2處理用面2的至少2個處理用面，第1處理用面1及第2處理用面2的至少2個處理用面在上述處理用部10、20中相互對向的設置；旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使第1處理用部10與第2處理用部20相對地旋轉；在兩處理用面1、2之間，進行至少2種被處理流體的混合的的處理(在伴有反應的情況下也進行反應的處理)。在第1處理用部10和第2處理用部20中的至少第2處理用部20具有受壓面，并且該受壓面的至少一部分由第2處理用面2構成，受壓面受到流體壓力賦予機構賦予被處理流體的至少一方的壓力，產生在第2處理用面2從第1處理用面1分離的方向上使其移動的力。而且，在該裝置中，在可接近分離且相對地旋轉的第1處理用面1與第2處理用面2之間，通入受到上述的壓力的被處理流體，由此，各被處理流體一邊形成規定膜厚的流體膜一邊通過兩處理用面1、2之間，從而，在該被處理流體間產生所希望的混合狀態(反應)。另外，在該流體處理裝置中，優選采用具備緩沖機構的裝置，該緩沖機構調整第1處理用面1及第2處理用面2的至少一方的微振動、定位。另外，在該流體處理裝置中，優選采用具備位移調整機構，該位移調整機構調整第1處理用面1及第2處理用面2的一方或雙方的、由磨耗等導致的軸方向的位移，可維持兩處理用面1、2之間的流體膜的膜厚。并且，在該流體處理裝置中，作為上述的流體壓力賦予機構，可采用對被處理流體施加一定的送入壓力的壓縮機等的加壓裝置。予以說明的是，這是因為上述的加壓裝置采用進行送入壓力的增減的調整的裝置。該加壓裝置需要能將設定的壓力保持一定，但作為調整處理用面間的間隔的參數，也有必要能進行調整。另外，在該流體處理裝置中，可以采用具有分離抑制部的結構，該分離抑制部規定上述的第1處理用面1與第2處理用面2之間的最大間隔，抑制最大間隔以上的兩處理用面1、2的分離。而且另外，在該流體處理裝置中，可以采用具有接近抑制部的結構，該接近抑制部規定上述第1處理用面1與第2處理用面2之間的最小間隔，抑制最小間隔以下的兩處理用面1、2的接近。并且，在該流體處理裝置中，可以采用以下結構，S卩，第1處理用面1與第2處理用面2雙方朝著相互想法反的方向旋轉。另外，在該流體處理裝置中，可以采用具有溫度調整用的封套的結構，該溫度調整用的封套調整上述第1處理用面1與第2處理用面2的一方或雙方的溫度。另外進一步，在該流體處理裝置中，優選采用以下結構，即，上述第1處理用面1與第2處理用面2的一方或雙方的至少一部分進行了鏡面加工。在該流體處理裝置中，可以采用以下結構，即，上述第1處理用面1與第2處理用面2的一方或雙方具有凹部。并且，在該流體處理裝置中，優選采用以下結構，即，作為向一方的被處理流體中混合(反應)的另一方的被處理流體的供給手段，具有獨立于一方的被處理流體的通道的另外的導入路，在上述第1處理用面1與第2處理用面2的至少任意一方上，具有與上述另外的導入路相通的開口部，可以將從該另外的導入路輸送的另一方的被處理流體導入上述一方的被處理流體。另外，作為實施本申請發明的流體處理裝置，可采用如下具有流體壓力賦予機構，該流體壓力賦予機構對被處理流體附加規定壓力；第1處理用面1及第2處理用面2的至少2個可相對地接近分離的處理用面，該第1處理用面1及第2處理用面2與該規定壓力的被處理流體流過的被密封了的流體流路連接；接觸表面壓力賦予機構，該接觸表面壓力賦予機構對兩處理用面1、2間賦予接觸表面壓力；旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使第1處理用面1及第2處理用面2相對旋轉；由此，在兩處理用面1、2間，進行至少2種的被處理流體的混合(反應)處理，在被賦予接觸表面壓力的同時相對進行旋轉的第1處理用面1及第2處理用面2之間，通入從流體壓力賦予機構賦予了壓力的至少1種被處理流體，并且，通過通入另一種被處理流體，從流體壓力賦予機構被賦予了壓力的上述1種被處理流體一邊形成規定膜厚的流體膜，一邊通過兩處理用面1、2之間，此時，該另一種被處理流體被混合，在被處理流體間，發生所希望的混合狀態(反應)。該接觸表面壓力賦予機構可以構成上述裝置中的調整微振動、定位的緩沖機構或位移調整機構來實施。進而，作為實施本申請發明的流體處理裝置，可以采用以下裝置，即，該裝置具有第1導入部，該第1導入部將被混合(反應)的2種被處理流體中的至少一方的被處理流體導入該裝置；流體壓力賦予機構P，該流體壓力賦予機構P連接于第ι導入部并向該一方的被處理流體賦予壓力；第2導入部，該第2導入部將被混合(反應)的2種被處理流體中的至少其它一方的被處理流體導入該裝置；至少2個處理用部，該至少2個處理用部為設置于該一方的被處理流體流過的被密封了的流體流路的第1處理用部10和相對于第1處理用部10可相對接近分離的第2處理用部20；第1處理用面1及第2處理用面2的至少2個處理用面，該第1處理用面1及第2處理用面2在這些處理用部10、20中設置在相互對向的位置；托架21，該托架21以第2處理用面2露出的方式收容第2處理用部20；旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使第1處理用部10與第2處理用部20相對地進行旋轉；接觸表面壓力賦予機構4，該接觸表面壓力賦予機構4推壓第2處理用部20，使第2處理用面2相對于第1處理用面1處于壓接或接近的狀態；在兩處理用面1、2間，進行被處理流體間的混合(反應)處理，上述托架21是不可動體，以使得在具有上述第1導入部的開口部的同時，對處理用面1、2間的間隔給予影響，第1處理用部10與第2導入部20的至少一方具有上述第2導入部的開口部，第2處理用部20為環狀體，第2處理用面2相對于托架21滑動，與第1處理用面1接近分離，第2處理用部20具有受壓面，受壓面受到流體壓力賦予機構ρ賦予被處理流體的壓力的作用，在使第2處理用面2從第1處理用面1分離的方向上產生使其移動的力，上述受壓面的至少一部分由第2處理用面2構成，在可接近分離且相對旋轉的第1處理用面1與第2處理用面2之間，被賦予了壓力的一方的被處理流體通入，同時，通過將另外一方的被處理流體供給到兩處理用面1、2間，兩被處理流體一邊形成規定膜厚的流體膜一邊通過兩處理用面1、2間，將通過中的被處理流體混合，由此促進被處理流體間的所希望的混合(反應)，通過接觸表面壓力賦予機構4的接觸表面壓力與流體壓力賦予機構P所賦予的流體壓力的使兩處理用面1、2之間分離的力的均衡，在兩處理用面1、2間保持產生上述規定膜厚的流體膜的微小間隔。該流體處理裝置也可實施為，第2導入部也與連接于第1導入部一樣地連接于另外的流體壓力賦予機構，從而被加壓。并且，也可實施為，從第2導入部導入的被處理流體不是被另外的流體壓力賦予機構加壓，而是被第2導入部中產生的負壓吸引并供給到兩處理用面1、2之間，上述負壓是由第1導入部所導入的被處理流體的流體壓力所產生的。并且，也可實施為，該另一方的被處理流體在第2導入部內通過其自重移動，即從上方流向下方，從而被供給至處理用面1、2之間。如上所述，不僅限于將第1導入部的開口部設置在第2托架上，也可將第1導入部的該開口部設置在第1托架上，上述第1導入部的開口部成為一方的被處理流體的向裝置內的供給口。另外，也可實施為，將第1導入部的該開口部形成在兩處理用面的至少一方。但是，在以下情況下，即，根據反應，有必要從第1導入部供給必須先導入處理用面1、2之間的被處理流體的情況下，形成另一方的被處理流體的裝置內的供給口的第2導入部的開口部無論位于哪一個處理用面，相比上述第1導入部的開口部都必須配置在下游側的位置。并且，作為用于實施本申請發明的流體處理裝置，可采用以下的裝置。該流體處理裝置具有多個的導入部，該多個的導入部分別導入混合(反應)的2種以上的被處理流體；流體壓力賦予機構P，該流體壓力賦予機構對該2種以上的被處理流體的至少一種賦予壓力；至少2個處理用部，該至少2個處理用部是設置在該被處理流體流動的被密封了的流體流路中的第1處理用部10與可相對于第1處理用部10相對地接近分離的第2處理用部20；第1處理用面1及第2處理用面2的至少2個處理用面1、2，該第1處理用面1及第2處理用面2設置在這些處理用部10、20中相互對向的位置；旋轉驅動機構，該旋轉驅動機構使第1處理用部10與第2處理用部20相對旋轉；在兩處理用面1、2間，進行被處理流體間的混合(反應)處理，在第1處理用部10與第2處理用部20中，至少第2處理用部20具有受壓面，并且，該受壓面的至少一部分由第2處理用面2構成，受壓面受到流體壓力賦予機構賦予被處理流體的壓力，在使第2處理用面2從第1處理用面1分離方向上產生使其移動的力，并且，第2處理用部20具有朝向與第2處理用面2相反側的接近用調整面24，接近用調整面24受到施加在被處理流體上的規定壓力，在使第2處理用面2向第1處理用面1接近的方向上產生使其移動的力，通過上述接近用調整面24的接近分離方向的投影面積與上述受壓面的接近分離方向的投影面積的面積比，決定第2處理用面2相對于第1處理用面1向分離方向移動的力，該力作為從被處理流體所受到的全壓力的合力，被賦予了壓力的被處理流體通入可接近分離且相對進行旋轉的第1處理用面1與第2處理用面2之間，在該被處理流體中被混合(反應)的其它的被處理流體在兩處理用面間被混合，被混合的被處理流體一邊形成規定膜厚的流體膜一邊通過兩處理用面1、2間，在處理用面間的通過中得到所希望的產物。另外，對本申請發明的處理方法歸納如下。該流體處理方法為賦予第1被處理流體規定壓力，將第1處理用面1及第2處理用面2至少的2個可相對接近·分離的處理用面連接于受到該規定壓力的被處理流體所流過的被密封了的流體流路，賦予使兩處理用面1、2接近的接觸表面壓力，使第1處理用面1與第2處理用面2相對地旋轉、且將被處理流體導入該處理用面1、2間，通過除了上述外的流路，將與該被處理流體混合(反應)的第2被處理流體導入上述處理用面1、2間，使兩被處理流體混合(反應)，至少將賦予第1被處理流體的上述規定壓力作為使兩處理用面1、2分離的分離力，使該分離力與上述接觸表面壓力介由處理用面1、2間的被處理流體而均衡，由此在兩處理用面1、2間維持規定的微小間隔，被處理流體成為規定厚度的流體膜通過兩處理用面1、2間，在該通過中均勻地進行兩被處理流體的混合(反應)，在伴有析出反應的情況下，可結晶、析出所希望的反應產物。以下，對本申請發明的其它實施方式進行說明。圖25是在可接近分離的至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面之間對被處理物進行處理流體處理裝置的簡略化剖面圖。圖26的(A)為圖25所示裝置的第1處理用面的簡略化俯視圖，(B)為圖25所示裝置的處理用面的主要部分的放大圖。圖27的(A)為第2導入路的剖面圖，(B)是用于說明第2導入路的處理用面的主要部分的放大圖。在圖25中，U表示上方，S表示下方。圖26(A)、圖27(B)中，R表示旋轉方向。在圖27⑶中，C表示離心力的方向(半徑方向)。該裝置使用至少2種流體，其中至少1種流體含有至少1種被處理物，在可接近分離的相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面之間，使上述各流體合流而形成薄膜流體，在該薄膜流體中對上述的被處理物進行處理反應。予以說明的是，上述的“處理”，不限予被處理物反應的形式，也包括不伴有反應而僅僅進行混合分散的形式。如圖25所示，該裝置具有第1托架11、在第1托架11上方配置的第2托架21、流體壓力賦予機構P、及接觸表面壓力賦予機構。接觸表面壓力賦予機構由彈簧43及空氣導入部44構成。在第1托架11上設有第1處理用部10及旋轉軸50。第1處理用部10是稱為配合環的環狀體，具有被鏡面加工了的第1處理用面1。旋轉軸50以螺栓等的固定件81固定在第1托架11的中心，其后端與電動機等的旋轉驅動裝置82(旋轉驅動機構)連接，將旋轉驅動裝置82的驅動力傳遞給第1托架11而使該第1托架11旋轉。第1處理用部10與上述第1托架11成為一體而進行旋轉。在第1托架11的上部，設有可收容第1處理用部10的收容部，通過嵌入該收容部內，第1處理用部10安裝在第1托架11上。并且，第1處理用部10通過止轉銷83固定，以使得不相對于第1托架11旋轉。但是，也可以取代止轉銷83，以熱壓配合等方法固定以使得不旋轉。上述第1處理用面1從第1托架11露出，朝向第2托架21。第1處理用面的材質采用對陶瓷、燒結金屬、耐磨耗鋼、其它金屬實施了固化處理的材質、對硬質材料進行內襯、涂覆、實行了鍍覆等的材質。在第2托架21上設有第2處理用部20；從處理用部內側導入流體的第1導入部dl；作為上述的接觸表面壓力賦予機構的彈簧43；和空氣導入部44。第2處理用部20是稱為壓縮環的環狀體，具有被鏡面加工了的第2處理用面2以及受壓面23(以下稱其為分離用調整面23)，該受壓面23位于第2處理用面2的內側并與該第2處理用面2鄰接。如圖所示，該分離用調整面23為傾斜面。對第2處理用面2所施加的鏡面加工采用與上述的第1處理用面1相同的方法。另外，第2處理用部20的原材料采用與第1處理用部10相同的原材料。分離用調整面23與環狀的第2處理用部20的內周面25鄰接。在第2托架21的底部(下部)，形成圓環收容部41，0形圓環與第2處理用部20一起被收容在該圓環收容部41內。并且，通過止轉銷84，第2處理用部20相對于第2托架21不旋轉地被收容。上述第2處理用面2從第2托架21露出。在該狀態下，第2處理用面2與第1處理用部10的第1處理用面1面對。該第2托架21所具有的圓環收容部41是收容第2圓環20的、主要是處理用面2側的相反側的部位的凹部，在俯視時，為形成環狀的溝槽。圓環收容部41以大于第2圓環20的尺寸的方式形成，在其與第2圓環20之間具有充分的間隔，收容第2圓環20。通過該間隔，該第2處理用部20以能夠在收容部41的軸向以及在與該軸向交叉的方向位移的方式收容在該圓環收容部41內。并且，該第2處理用部20以能夠以如下方式位移的方式被收容，即，相對于圓環收容部41，使第2處理用部20的中心線(軸方向)與上述圓環收容部41的軸方向不平行。至少在第2托架21的圓環收容部41中設有作為處理用部彈壓部的彈簧43。彈簧43將第2處理用部20向第1處理用部10彈壓。并且，作為其它的彈壓方法，也可使用空氣導入部44等供給空氣壓力或其它流體壓力的加壓手段，將第2托架21保持的第2處理用部20朝著接近第1處理用部10的方向彈壓。彈簧43及空氣導入部44等接觸表面壓力賦予機構將第2處理用部20的周方向的各位置(處理用面的各位置)均等地向第1處理用部10彈壓。在該第2托架21的中央設有上述第1導入部dl，從第1導入部dl朝著處理用部外周側被壓送的流體首先被導入以下空間內，即，該第2托架21保持的第2處理用部20、第1處理用部10及保持該第1處理用部10的第1托架11所圍的空間內。并且，在使第2處理用部20克服彈壓部的彈壓而從第1處理用部10分離的方向上，在第2處理用部20中設置的受壓面23上，受到來自流體壓力賦予機構P所產生的上述流體的輸送壓力(供給壓力)。予以說明的是，在其它位置，為簡略說明，雖僅對受壓面23加以說明，但是，正確而言，如圖29(A)(B)所示，與上述受壓面23—起，在與后述溝槽狀的凹部13的第2處理用部20相對應的軸方向投影面中，將未設有上述受壓面23的部分23X也作為受壓面，受到流體壓力賦予機構P所產生的上述流體的輸送壓力(供給壓力)。也可實施為，不設置上述受壓面23。在該情況下，如圖26(A)所示，也可使用通過第1處理用面1旋轉而得到的被處理流體向處理用面間的導入效果(微泵效果)，上述第1處理用面1具有接觸表面壓力賦予機構發揮功能而形成的溝槽狀的凹部13。這里的微泵效果是指，通過第1處理用面1的旋轉，凹部內的流體具有速度地向凹部13的外周方向前端前進，接著送入凹部13的前端的流體進一步受到來自凹部13的內周方向的壓力，最終形成向使處理用面分離的方向的壓力，同時具有將流體導入處理用面間的效果。并且，即使在不進行旋轉的情況下，設置于第1處理用面1的凹部13內的流體所受壓力最終作用在第2處理用面2上，該第2處理用面2作為作用于分離側的受壓面。對于設置于處理用面的凹部13，可對應于含有被處理物及產物的流體的物性來實施其深度、相對于處理用面在水平方向的總面積、條數、及形狀。予以說明的是，可實施為，將上述受壓面23與上述凹部13—同設置在一個裝置內。對于該凹部13的深度，是1μm50μm，更優選3μm至20μm，并且為設置在上述處理用面上的凹部，相對于處理用面在水平方向的總面積占處理用面整體的5%50%，優選15%25%，并且為設置在上述處理用面上的凹部，其條數為350條，優選824條，形狀為在處理用面上的彎曲或螺旋狀延伸的形狀，或者為呈L字形彎折的形狀，并且深度具有梯度，從高粘度區域到低粘度區域，即使在利用微泵效果導入的流體含有固體的情況下，也可將流體穩定地導入處理用面間。并且，設置在處理用面上的凹部在導入側即處理用面內側各凹部之間可以彼此連接，也可以斷開。如上所述，受壓面23為傾斜面。該傾斜面(受壓面23)以如下方式形成，即，以被處理流體的流動方向為基準的上游側端部的、與設有凹部13的處理用部的處理用面相對的軸方向上的距離，比下游側端部的同距離大。而且，優選該傾斜面的以被處理流體的流動方向為基準的下游側端部設置在上述凹部13的軸方向投影面上。具體而言如圖28(A)所示，上述傾斜面(受壓面23)的下游側端部60設置為使得在上述凹部13的軸方向投影面上。上述傾斜面的相對于第2處理用面2的角度θ1優選在0.1°至85°的范圍，更優選在10°至55°的范圍，進一步優選在15°至45°的范圍。該角度θ1可根據被處理物的處理前的性狀進行適當變更。另外，上述傾斜面的下游側端部60設置在以下區域，即，從與第1處理用面1上設置的凹部13的上游側端部13-b向下游側離開0.Olmm的位置開始，到與下游側端部13-c向上游側離開0.5mm的位置為止的區域內。更優選的是，設置在以下區域內，即，從與上游側端部13-b向下游側離開0.05mm的位置開始，到與下游側端部13-c向上游側離開1.Omm的位置為止的區域內。與上述傾斜面的角度相同，對于該下游側端部60的位置，也可根據被處理物的性狀進行適當變更。另外，也可如圖28(B)所示將傾斜面(受壓面23)作為弧形面來實施。由此，可進一步均勻地進行被處理物的導入。凹部13除如上述那樣連接之外，也可實施為間斷的形式。在間斷的情況下，間斷的凹部13的、第1處理用面1的最內周側上的上游側端部成為上述13-b；同樣第1處理用面1的最外周側上的上游側端部形成成為13-c。另外，雖然在上述中將凹部13形成在第1處理用面1上、將受壓面23形成在第2處理用面2上，但是，也可相反地實施為將凹部13形成在第2處理用面2上，將受壓面23形成在第1處理用面1上。進一步，也可為將凹部13形成在第1處理用面1與第2處理用面2兩方、將凹部13與受壓面23交替地設置在各處理用面1、2的周方向上，由此第1處理用面1上形成的凹部13與第2處理用面2上形成的受壓面23對向、同時、第1處理用面1上形成的受壓面23與第2處理用面2上形成的凹部13對向。在處理用面上，也可實施與凹部13不同的溝槽。作為具體的實例，如圖16(F)、圖16(G)所示，在較凹部13的徑向外側(圖16(F))或徑向內側(圖16(G))，可實施放射狀延伸的新的凹部14。這在想延長在處理用面間的停留時間的情況下、處理高粘稠物的流體的情況下是有利的。予以說明的是，對于與凹部13不同的溝槽，并不對形狀、面積、條數、深度作特別限定。可根據目的實施該溝槽。在上述的第2處理用部20中，獨立于被導入上述處理用面的流體的流路，形成具有與處理用面間相通的開口部d20的第2導入部d2。具體而言，第2導入部d2，如圖27(A)所示，從上述的第2處理用面2的開口部d20的導入方向相對于第2處理用面2以規定的仰角(θ1)傾斜。該仰角(θ1)被設定為大于0度小于90度，并且在反應速度快的反應的情況下，優選設置為1度以上45度以下。另外，如圖27(B)所示，從上述的第2處理用面2的開口部d20的導入方向在沿上述第2處理用面2的平面內具有方向性。對于該第2流體的導入方向，處理用面的半徑方向的成分為從中心遠離的外方向，并且，與旋轉的處理用面間的流體的旋轉方向相對的成分為正向。換言之，以通過開口部d20的半徑方向即外方向的線段作為基準線g，從該基準線g向旋轉方向R具有固定的角度(θ2)。對于該角度(θ2)，也設定為大于0度小于90度，向圖27(B)的網線部分，從開口部d20被排出。并且在反應速度快的反應的情況下，該角度(θ2)也可為小的角度，在反應速度慢的反應的情況下，優選該角度(θ2)設定為大的角度。另外，該角度可根據流體的種類、反應速度、粘度、處理用面的旋轉速度等的各種條件進行變更來實施。開口部d20的口徑優選為0.2μπι3000μπι，更優選為ΙΟμπιΙΟΟΟμπι。另夕卜實質上，在開口部d20的直徑不影響流體的流動的情況下，第2導入部d2的直徑設置在該范圍內即可。另外，在要求直線傳播性的情況下和要求擴散性的情況下，優選使開口部d20的形狀等變化，這些可根據流體的種類、反應速度、粘度、處理用面的旋轉速度等各種條件進行變更來實施。并且，上述另外的流路中的開口部d20可設置在以下點的外徑側，S卩，從設置在第1處理用面1的凹部通過微泵效果導入時的流動方向變換為在處理用面間形成的螺旋狀層流的流動方向的點。即，圖26(B)中，優選從第1處理用面1上設置的凹部13的處理用面徑向最外側向徑向外側的距離η為0.5mm以上。并且在對相同流體設置多個開口部的情況下，優選設置在同心圓上。另外，在對不同流體設置多個開口部的情況下，優選設置在半徑不同的同心圓上。如以(1)A+B—C(2)C+D—E這樣的反應以順序進行，有效地避免A+B+C—F這樣本來不應該同時反應的反應發生、被處理物無法有效的接觸而不進行反應這樣的問題。另外可實施為，將上述處理用部浸入流體中，將在上述處理用面間混合(反應)而得到的流體直接投入到在處理用部的外部的液體、或空氣以外的氣體中。并且也可對剛剛從處理用面間或處理用面排出的被處理物附加超聲波能。接著，為了在上述第1處理用面1與第2處理用面2之間，即處理用面間產生溫度差，對于第1處理用部10及第2處理用部20的至少之一設置調溫機構(溫度調節機構)Jl、J2的情況進行說明。雖然該調溫機構沒有特別的限定，但是，在以冷卻為目的的情況下，將冷卻部設置于處理用部10、20。具體而言，將作為調溫用介質的冰水、各種冷介質所通過的配管或者珀爾帖元件等能夠電或化學地進行冷卻作用的冷卻元件安裝于處理用部10、20。在以加熱為目的的情況下，在處理用部10、20上設有加熱部。具體而言，將作為調溫用介質的蒸汽、各種熱介質所通過的配管、或電加熱器等的能夠電或化學地進行發熱作用的發熱元件安裝于處理用部10、20。另外，也可在圓環收容部設置可與處理用部直接接觸的新的調溫用介質用的收容部。由此，可以利用處理用部的熱傳導進行處理用面的調溫。并且，將冷卻元件、發熱元件埋入處理用部10、20中并通電，或埋入冷熱介質通過用通道并使調溫用介質(冷熱介質)通過該通道，從而能夠從內側對處理用面進行調溫。予以說明的是，圖25所示的調溫機構J1、J2為其一例，是設置在各處理用部10、20內部的調溫用介質所通過的配管(封套)。利用上述調溫機構J1、J2，使一方的處理用面的溫度高于另一方的處理用面溫度，在處理用面間產生溫度差。例如，將第1處理用部10以上述任意的方法加溫至60°C，將第2處理用部20以上述任意的方法加溫至15°C。此時，導入處理用面間的流體的溫度從第1處理用面1向第2處理用面2從60°C變化至15°C。即，該處理用面間的流體中產生溫度梯度。而且，處理用面間的流體由于該溫度梯度開始對流，產生相對于處理用面垂直方向的流動。予以說明的是，上述的“垂直方向的流動”是指流動的方向成分中，至少含有垂直上述處理用面的成分。即使在第1處理用面1或第2處理用面2進行旋轉的情況下，由于相對于該處理用面垂直方向的流動持續，因此，可對處理用面進行旋轉所產生的處理用面間的螺旋狀層流的流動附加垂直方向的流動。該處理用面間的溫度差可實施為l°c400°C，優選為5°C100°C。予以說明的是，本裝置中的旋轉軸50并不限定為垂直地配置。例如也可為傾斜地配置。這是因為在處理中，通過在兩處理用面1、2之間形成的流體的薄膜，實質上可排除重力的影響。如圖25所示，第1導入部dl在第2托架21中與第2圓環20的軸心一致，并上下垂直地延伸。但是，第1導入部dl并不限于與第2圓環20的軸心一致，如果能向兩圓環10,20所圍空間供給第1被處理流體，在第2托架21的中央部分22中，也可設置在上述軸心以外的位置，并且，也可為非垂直而是斜向延伸。無論在哪個配置角度的情況下，通過處理用面間的溫度梯度，可產生相對于處理用面垂直的流動。上述處理用面間的流體的溫度梯度中，如果其溫度梯度小，則僅僅進行對流體熱傳導，但如果溫度梯度超過某臨界值，流體中產生所謂的貝納德(《f一>)對流現象。該現象，在處理用面間的距離為L、重力加速度為g、流體的體積熱膨脹率為β、流體的運動粘度系數為V、流體的溫度傳導率為α、處理用面間的溫度差為ΔΤ時，被以下式定義的無因次數的瑞利(XU—)數Ra所支配。Ra=L3·g·β·ΔT/(α·ν)開始產生貝納德對流的臨界瑞利數根據處理用面與被處理物流體的分界面的性質而不同，但大約為1700。比其大時產生貝納德對流。并且，當該瑞利數Ra滿足大于IOki附近的值的條件時，流體為紊流狀態。即，通過調節該處理用面間的溫度差ΔΤ或處理用面的距離L、以使瑞利數Ra為1700以上的方式調節本裝置，可在處理用面間產生相對于處理用面垂直方向的流動，可實施上述混合(反應)操作。但是，上述貝納德對流在1IOym左右的處理用面間的距離中難以產生。嚴密來說，上述瑞利數適用于10μm以下的間隔中的流體，當研究貝納德對流的發生條件時，如果為水，則其溫度差必須為數千。C以上，現實中很難實現。貝納德對流是由流體的溫度梯度的密度差所形成的對流，即與重力相關的對流。IOym以下的處理用面之間為微重力場的可能性高，在這樣的情況，浮力對流被抑制。即，在該裝置中現實地產生貝納德對流的是在處理用面間的距離超過10μm的情況。當處理用面間的距離為110μm左右時，并非通過密度差產生對流，而是通過溫度梯度所產生的流體的表面張力差來產生對流。這樣的對流為馬蘭哥尼(7，>5二)對流，在處理用面間的距離為L、流體的運動粘度系數為ν、流體的溫度傳導率為α、處理用面間的溫度差為ΔΤ、流體的密度為P、表面張力的溫度系數(表面張力的溫度梯度)為σ時，被下式定義的無因次數的馬蘭哥尼數所支配。Ma=σ·ΔT·L/(P·ν·α)開始產生馬蘭哥尼對流的臨界馬蘭哥尼數為80左右，在大于該值的條件下產生馬蘭哥尼對流。即，通過調節該處理用面間的溫度差ΔT或處理用面的距離L、調節本裝置以使得馬蘭哥尼數Ma為80以上，即使10μm以下的微小流路也能夠在處理用面間產生相對于處理用面垂直方向的流動，可實施上述混合(反應)操作。瑞利數的計算使用下式。數式1Ra=LATν-aΔT=(T1-T0)_kCC=---P'CpL處理用面間的距離[m]，β:體積熱膨脹率[1/Κ]，g重力加速度[m/s2]ν運動粘度系數[m2/s]，α溫度傳導率[(m2/s)]，ΔΤ:處理用面間的溫度差[K]ρ密度[kg/m3]，Cp定壓比熱[J/kg·K]，k熱傳導率[ff/m·K]T1處理用面中的高溫側的溫度[K]，T0處理用面中的低溫側的溫度[K]在將開始產生貝納德對流時的瑞利數作為臨界瑞利數Ra。的情況下，此時的溫度差ΔTca可以如下求得。數式2ΑτRac-ν-α—-L·-01Lh馬蘭哥尼數的計算使用下式。數式3<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>L處理用面間的距離[m],ν運動粘度系數[m2/s]，α溫度傳導率[(m2/s)]ΔT處理用面間的溫度差[K]，P密度[kg/m3]，Cp定壓比熱[J/kg·K]k熱傳導率[ff/m·K]，ot表面張力溫度系數[N/m·K]T1處理用面中的高溫側的溫度[K]，T0處理用面中的低溫側的溫度[K]在將開始產生馬蘭哥尼對流的馬蘭哥尼數作為臨界馬蘭哥尼數Mae的情況下，此時的溫度差ΔT。2可以如下方式求得。數式4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>可接近·分離地相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面1、2的材質，并不作特別的限制，可用對陶瓷、燒結金屬、耐磨耗鋼、其它金屬實施了固化處理的材質、對硬質材料進行內襯、涂覆、實行了鍍覆等的材質等來制作。本發明中的可接近·分離的相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面1、2間的距離為0.1μm100μm，特別優選為110μm。以下，更具體地對于微粒生成反應，以阿昔洛維(Acyclovir)為例更詳細地說明本發明。但是，本發明并不只限定于該方式。阿昔洛韋(一般名JAN，INN)[化學名9_[(2_羥基乙氧基)甲基]鳥嘌呤]，為具有嘌呤骨架的抗病毒作用藥，是作為單純皰疹病毒及水痘帶狀皰疹病毒所引起的感染癥，艮口，免疫功能下降了的患者(惡性腫瘤·自我免疫疾病等)發病了的單純皰疹水痘帶狀皰疹，腦炎腦膜炎等的治療劑，被廣泛地臨床使用的化合物。阿昔洛韋對常溫的水的溶解度低(約0.001w/v%0.01w/v%)，通過加溫至70°C以上，其溶解度增加，可達到約8w/乂％而溶解。該反應，在如圖1(A)所示裝置的、可接近分離地相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面1、2間，強制地一邊均勻混合一邊發生。首先，從作為1個流路的第1導入部dl，將作為第1流體的含有比下述第2流體的溫度低的水性溶媒的冷卻用流體，導入可接近分離地相互對向配置的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面1、2間，在該處理用面間做成第1流體膜。然后，從作為其它流路的第2導入部d2，將作為第2流體的、含有至少一種加溫至85°C的水中溶解了阿昔洛韋的溶液的流體，直接導入在上述處理用面1、2之間做成的第1流體膜中。如上所述，在通過流體的供給壓和在進行旋轉的處理用面之間施加的壓力的壓力平衡而控制距離的處理用面1、2之間形成的薄膜流體中，第1流體與第2流體合流。在該薄膜流體中，第1流體和第2流體被混合，通過第1流體與第2流體的混合液的溫度不滿70°C，在該混合液中，第2流體中原來所含有的阿昔洛韋析出。更具體而言，通過降低在處理用面1、2間阿昔洛韋溶液的溫度，使阿昔洛韋對水的溶解度下降，可使阿昔洛韋微粒析出。通過至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面1、2，在處理用面1、2間的薄膜流體強制地被均勻混合，因此不會在第1流體與第2流體之間形成界面致使其不能很好地混合，使由上述的溫度降低導致的溶解度的變化迅速。予以說明的是，由于能夠在處理用面1、2間進行上述反應(析出反應)即可，因此，也可與上述相反，從第1導入部dl導入第2流體，從第2導入部d2導入第1流體。即，各流體中的所謂第1、第2的稱謂，是表示多個存在的流體的第η個，只是為了識別的記號而已，也可以存在第3以上的流體。另外，也可在第1流體與第2流體的兩方中含有相同的微粒原料。得到的微粒的粒徑、單分散度，或結晶型的控制，可通過改變處理用面1、2的轉速或處理用面1、2之間的距離、以及薄膜流體的流速或溫度，或者原料濃度等進行調節。作為阿昔洛韋以外被使用的微粒原料，如果對溶液的溶解度隨著溫度而變化，就不對其作特別限定。此時，溶解度相對于溫度的曲線(溶解度曲線)，為溶解度由于溫度上升而上升的情況，也可為如相對于水的氫氧化鈣、硫酸銫那樣溶解度由于溫度上升而下降的情況下來實施。而且，也可如硫酸鈉那樣在特定溫度(該情況下為34.380C)溶解度變成最大的情況下來實施。雖然在上述阿昔洛韋的情況下，導入了冷卻用流體作為第2流體，但是，在氫氧化鈣、硫酸銫這樣的情況下，可以導入加溫用流體作為第2流體。在硫酸鈉那樣的情況下，可以以特定溫度為界限，分開使用冷卻用流體與加溫用流體。另外，使用的溶媒也與上述微粒原料一樣，并不對其作特別限定。也可使用水、離子交換水，超純水，酸性、堿性的水性溶媒，甲醇或乙醇，甲苯等的有機溶媒。另外，也可使用含有硅油或不飽和脂肪酸的油脂，向日葵油，或工業用的齒輪油這樣的油來實施。另外，也可不使用如上所述為了在處理用面1、2之間進行冷卻、加溫的上述冷卻用流體或加溫用流體等的溫度調節用流體來實施。該情況下，可第1處理用部10及第2處理用部20的至少一個設有調溫機構(溫度調整機構)Jl，J2，將溶解度隨著溫度變化而變化的微粒原料溶液用上述調溫機構直接對處理用面間進行調溫，在處理用面1、2間使微粒析出。該調溫結構，并不作特別的限定，在冷卻為目的的情況下，在處理用部10、20設置冷卻部。具體而言，在處理用部10、20上安裝可通過作為調溫用介質的冰水或各種冷卻介質的配管，或珀爾帖元件等的、電或化學地形成冷卻作用的冷卻元件。在加熱為目的的情況下，在處理用部10、20設置加熱部。具體而言，在處理用部10,20安裝通過作為調溫用介質的蒸汽或各種加溫介質的配管，或電加熱器等電或化學地形成發熱作用的發熱元件。另外，也可在圓環收容部設置可與處理用部直接接觸的新的調溫用介質用的收容部。由此，可以用處理用部的熱傳導進行處理用面的調溫。并且，將冷卻元件、發熱元件埋入處理用部10、20中并通電，或埋入冷熱介質通過用通道并使調溫用介質(冷熱介質)通過該通道，從而能夠從內側對處理用面進行調溫。予以說明的是，圖25所示的調溫機構J1、J2為其一例，是設置在各處理用部10、20內部的調溫用介質所通過的配管(封套)。也可將處理用部10、20的全部進入調溫用流體中來實施。例如，將處理用部收容在容器內，在該容器內導入調溫用流體，直接調溫處理用部及處理用面。另外，這樣的機構，即使在作為第2流體使用調溫用流體的情況下也可并用。另外，也可在上述的第1流體、第2流體等混合溶液的至少任何一方中含有表面活性劑來實施。作為使用的表面活性劑，可為公知的表面活性劑，也可為新合成的表面活性劑，并不作特別的限定，可使用對溶液具有良好的溶解性、同時可將析出的微粒在溶液中良好地分散的各種表面活性劑。可舉出各種陽離子性表面活性劑或陰離子性表面活性劑或非離子性表面活性劑，十二烷基苯磺酸鈉，十二烷基苯硫酸鈉，十四烷基硫酸鈉，十五烷基硫酸鈉，辛基硫酸鈉，油酸鈉，月桂酸鈉，硬脂酸鈉，硬脂酸鈣，蔗糖脂肪酸酯，Tween20及Tween80(這可從ICISpecialtyChemicals得到、為聚氧乙烯脫水山梨糖醇脂肪酸酯類)，聚乙烯吡咯烷酮，泰洛沙泊(tyloxapol)，PluronicF68及F108(這可從BASF得到、為環氧乙烷與環氧丙烷的嵌段共聚物)，Tetronic908(T908)(這可從BASF得到、為來自環氧乙烷及環氧丙烷向乙二胺的連續加成物的4官能性嵌段共聚物)，葡聚糖，卵磷脂，氣溶膠(Aerosol)OT(這可從AmericanCyanamid得到、為磺基丁二酸鈉的二辛酯)，DuponolP(這可從DuPont得到、為月桂基硫酸鈉)，TritonX-200(這可從RohmandHaas得到、為烷基芳基聚醚磺酸鹽)，Carbowax3350及934(這可從UnionCarbide得到的、為聚乙二醇類)，CrodestaF-110(這可從CrodaInc.得到的、為蔗糖硬脂酸酯及蔗糖二硬脂酸酯的混合物)，Crodesta5L-40(這可從CrodaInc.得到)，及SA90HC0(這為C18H37CH2-(CON(CH3)CH2(CHOH)4CH20H)2)等。也可按照目的的微粒分開使用。而且，可加熱(加溫)處理用面間、或向處理用面間照射紫外線(UV)、另外向處理用面間賦予超聲波能量。特別是，在第1處理用面1與第2處理用面2設置有溫度差的情況下，可在薄膜流體中發生對流，因此具有由此可促進反應的優點。更具體而言，對于加熱(加溫)，也如上述已經說明得那樣，例如，通過在各處理用部10、20的至少一方設置加熱器、通過熱介質的封套，可加熱(加溫)薄膜流體。另外，對于照射紫外線(UV)，例如，在各處理用部10、20的至少一方設置照射紫外線的燈等元件，可從對應的處理用面對薄膜流體照射紫外線(UV)。另外，對于供給超聲波能量，例如，可在各處理用部10、20的至少一方設置超聲波振蕩器。另外，通過將上述析出反應在能確保減壓或真空狀態的容器內進行、至少使處理后流體被排出的2次側成為減壓或真空狀態，進行反應中所發生的氣體及上述流體中所含有的氣體的脫氣，或上述流體的脫溶劑。由此，即使在與析出處理幾乎同時進行脫溶劑處理的情況下，含有在處理用面間被析出的的微粒的流體，從處理用面以噴霧狀態排出，因此該流體的表面積增大，具有脫溶劑效率非常高的優點。因此比以往還簡單、實質上1工序進行微粒制作處理和脫溶劑處理。這樣，可制造平均一次粒徑為0.5lOOOOnm，優選為1500nm，更優選為10200nm的微粒被分散了的懸浮液。而且，在含有微粒原料的溶液中添加了上述表面活性劑的情況下，可制作表面上分散有分散劑被配位了的微粒的懸浮液，得到的微粒的再分散性變得非常良好。另外，在制造工序中雜質混入少，在使結晶析出的情況下，可以高度控制其結晶化度。另外，如上所述，也可除第1導入部dl，第2導入部d2以外，在處理裝置上設置第3導入部d3。該情況下，例如從各導入部，可將調溫用流體、含微粒原料的溶液、表面活性劑分別導入處理裝置中。這樣，可各個管理各流體的濃度、壓力，能更精密地控制微粒生成的反應。即使在設置了第4以上的導入部的情況下，同樣也可以如此將向處理裝置導入的流體細分化。實施例以下，對于本發明公開實施例進行更詳細的說明，但是，本發明并不只限定于這些實施例。予以說明的是，在以下的實施例中，所謂“從中央”，指得是上述的、圖KA)所示處理裝置的“從第1導入部dl”的意思，第1流體是指上述的第1被處理流體，第2流體是指上述的、圖I(A)所示處理裝置的“從第2導入部d2導入的、上述的第2被處理流體。如圖KA)所示，在具有對向配設的可接近·分離的處理用面、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面1、2之間形成的薄膜流體中使用均勻擴散·攪拌·混合的反應裝置，將85°C的阿昔洛韋水溶液在薄膜流體中冷卻，進行阿昔洛韋的析出。(實施例1)從中央將作為第1流體的5%TweenSO水溶液，以供給壓力/背壓力=0.15MPa/0.OlMpa、轉速500rpm、送液溫度15°C進行送液；將作為第2流體的85°C、3%阿昔洛韋水溶液，以lOml/min導入處理用面間。第1流體和第2流體在薄膜內被混合，阿昔洛韋微粒分散溶液從處理用面被排出。排出液的溫度為48°C。阿昔洛韋微粒的粒度分布，使用應用了激光多普勒法的粒度分布測定裝置(日機裝(株)制品，商品名microtracUPA150)測定，結果平均粒徑為88.6nm。而且，將該阿昔洛韋分散溶液真空冷凍干燥得到的粉末狀阿昔洛韋微粒再次投入到離子交換水中，用高速攪拌型分散機(商品名=ClearMix,M技術社制)進行攪拌，結果再次得到阿昔洛韋微粒分散體，平均粒徑與真空冷凍干燥前相同，平均粒徑為88.lnm，確認得到的阿昔洛韋微粒粉體的再分散性良好。對于實施例24，使用與實施例1相同的Tween80水溶液和阿昔洛韋水溶液，改變轉速、供給壓力、背壓力，來得到阿昔洛韋微粒分散體及阿昔洛韋粉體。(比較例)一邊攪拌4%Tween80/2%阿昔洛韋水溶液，一邊加溫至85°C，溶解阿昔洛韋。然后，使用ClearMix(M技術社制)一邊攪拌該溶液，一邊冷卻至48°C，形成阿昔洛韋微粒分散體。此時，ClearMix的轉速以20000rpm進行。得到了平均粒徑為1340nm的阿昔洛韋微粒分散液。另外，與實施例同樣地確認為再分散性，但是，再分散后粒徑為3800nm，與真空冷凍干燥前相比強烈凝集。上述的結果表示在表1中。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>為了制造阿昔洛韋微粒所需要的能量投下率，與比較例相比，在本發明的實施例1為約200分之一，實施例2、3為約24分之一，實施例4為約3分之一。由此可知，實施例的調制方法不僅可以制作比比較例微小的粒子，而且能量效率優異。上述的結果表示在表2。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>權利要求微粒的制造方法，其特征在于，將溶解有至少1種微粒原料的流體導入可接近·分離地相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面之間而形成薄膜流體，冷卻或加熱(加溫)該薄膜流體而使飽和溶解度變化，由此使微粒析出。2.微粒的制造方法，其特征在于，使用至少2種流體，對于其中至少1種流體，含有至少1種微粒原料，對于上述以外的流體中的至少1種流體，相對于前述含有微粒原料的流體具有溫度差，在可接近·分離地相互對向配設的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面間形成的薄膜流體中使上述的各流體合流，在該薄膜流體中，利用通過上述含有微粒原料的流體的溫度變化所引起的飽和溶解度的變化，使微粒析出。3.權利要求1至2中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，上述析出反應具有對被處理流體賦予規定壓力的流體壓力賦予機構，第1處理用部、及可相對于該第1處理用部相對地接近·分離的第2處理用部的至少2個處理用部，使上述的第1處理用部和第2處理用部相對地進行旋轉的旋轉驅動機構；在上述的各處理用部中相互對向的位置上設置有第1處理用面及第2處理用面的至少2個處理用面；上述的各處理用面構成上述規定壓力的被處理流體流過的、被密封了的流路的一部分；在上述的兩處理用面間將至少任一種中含有微粒原料的2種以上的被處理流體均勻混合，使其積極地反應；上述第1處理用部和第2處理用部中，至少第2處理用部具有受壓面，且該受壓面的至少一部分是由上述的第2處理用面構成；該受壓面受到上述的流體壓力賦予機構賦予被處理流體的壓力，產生在使第2處理用面從第1處理用面分離的方向移動的力，通過將上述規定壓力的被處理流體通入可接近·分離且相對地進行旋轉的第1處理用面和第2處理用面之間，上述被處理流體一邊形成規定膜厚的流體膜，一邊通過兩處理用面間；而且具有獨立于上述所定壓力的被處理流體流過的流路的另外的導入路；上述第1處理用面和第2處理用面的至少任一個中具有至少一個與上述的導入路相通的開口部；將從上述導入路輸送的至少一種被處理流體導入上述兩處理用面間，至少上述的各被處理流體的任一種中所含有的上述的微粒原料和與上述被處理流體不同的被處理流體，通過在上述流體膜內的利用均勻攪拌的混合，可達到所希望的反應狀態。4.權利要求1至3中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，上述流體中的至少1種流體中含有表面活性劑。5.權利要求1至4中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，在上述微粒的制造方法中，加熱(加溫)上述處理用面間、或對上述處理用面間照射紫外線(UV)、或對上述處理用面間給予超聲波能。6.權利要求1至5中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，在能確保減壓或真空狀態的容器內進行上述析出反應，至少處理后流體被排出的2次側成為減壓或真空狀態，由此可進行上述的反應中產生的氣體及上述流體中所含有的氣體的脫氣、或上述流體的脫溶劑。7.權利要求1至6中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，利用上述制造方法得到的微粒的再分散性良好。8.權利要求1至7中任一項所述的微粒的制造方法，其特征在于，得到的微粒的平均一次粒徑為0.5lOOOOnm。9.通過權利要求1至8中任一項記載的制造方法得到的微粒。全文摘要本發明的課題提供可制造單分散的微粒、且通過自我排出性沒有產物的堵塞、不需要大的壓力、另外生產率也高的微粒的制造方法；將溶解有至少1種的微粒原料的流體導入可接近·分離地相互對向地配置的、至少一方相對于另一方進行旋轉的處理用面間而形成薄膜流體，通過冷卻或加熱(加溫)該薄膜流體而使飽和溶解度變化，使微粒析出。文檔編號A61P31/22GK101801520SQ20088010791公開日2010年8月11日申請日期2008年9月11日優先權日2007年9月21日發明者榎村真一申請人:M技術株式會社