曝光基臺及曝光設備的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種曝光基臺及曝光設備，屬于顯示技術領域。曝光基臺包括：基臺本體、氣流控制系統和氣體噴嘴系統；氣體噴嘴系統設置在基臺本體上，且氣體噴嘴系統與氣流控制系統連接，氣流控制系統用于控制從氣體噴嘴系統噴出的氣體的流量，使從氣體噴嘴系統噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件的氣墊層。本實用新型解決了曝光的均一性較差的問題，達到了提高曝光的均一性的效果。
【專利說明】
曝光基臺及曝光設備
技術領域
[0001]本實用新型涉及顯示技術領域，特別涉及一種曝光基臺及曝光設備。【背景技術】
[0002]在顯示基板的制造過程中，通常需要在基板上形成薄膜，然后在薄膜上涂覆光刻膠，并采用曝光設備，通過具有一定圖形的掩膜版對光刻膠進行曝光，之后依次采用顯影、 刻蝕和光刻膠剝離工藝對基板進行處理，得到相應的圖形。
[0003]曝光設備可以包括曝光基臺，可以將涂覆有光刻膠的基板設置在曝光基臺上對光刻膠進行曝光。相關技術中，曝光基臺包括:基臺本體和設置在基臺本體上的真空吸附裝置，該真空吸附裝置可以為真空吸嘴、吸盤等，可以通過真空吸附裝置將涂覆有光刻膠的基板吸附在基臺本體上對光刻膠進行曝光。
[0004]在實現本實用新型的過程中，發明人發現相關技術至少存在以下問題:
[0005]相關技術中的曝光基臺采用真空吸附裝置將基板設置在曝光本體上，由于真空吸附裝置的吸附作用，基板上與真空吸附裝置對應的區域容易出現凹陷，導致基板的表面凹凸不平，基板不同區域的光刻膠的曝光強度不同，因此，曝光的均一性較差。【實用新型內容】
[0006]為了解決相關技術中的曝光基臺曝光的均一性較差的問題，本實用新型提供一種曝光基臺及曝光設備。所述技術方案如下:
[0007]第一方面，提供一種曝光基臺，所述曝光基臺包括:
[0008]基臺本體、氣流控制系統和氣體噴嘴系統；[〇〇〇9]所述氣體噴嘴系統設置在所述基臺本體上，且所述氣體噴嘴系統與所述氣流控制系統連接，所述氣流控制系統用于控制從所述氣體噴嘴系統噴出的氣體的流量，使從所述氣體噴嘴系統噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件的氣墊層。[〇〇1〇]可選地，所述氣體噴嘴系統包括:多個氣體噴嘴裝置，所述基臺本體的承載面上設置有均勻分布的多個開口，每個所述氣體噴嘴裝置通過一個所述開口設置在所述基臺本體上，每個所述氣體噴嘴裝置包括:氣體噴嘴和與所述氣體噴嘴連接的噴嘴控制器；[〇〇11]其中，每個所述氣體噴嘴分別與氣體源連接，所述氣流控制系統與每個所述噴嘴控制器電連接，所述氣流控制系統用于通過任一噴嘴控制器控制與所述任一噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和開口方向。
[0012]可選地，所述曝光基臺還包括:
[0013]平坦度獲取系統；
[0014]所述平坦度獲取系統設置在所述基臺本體的四周，且與所述氣流控制系統電連接；
[0015]所述平坦度獲取系統用于獲取所述待曝光器件的待曝光表面上的各個位置點的空間坐標數據，并向所述氣流控制系統發送所述各個位置點的空間坐標數據；
[0016]所述氣流控制系統用于根據所述各個位置點的空間坐標數據，確定所述待曝光表面上的凹凸不平的位置點的目標空間坐標數據，根據所述目標空間坐標數據確定所述凹凸不平的位置點在所述基臺本體的承載面上的正投影點，并通過控制以所述正投影點為圓心，預設距離為半徑的區域內的噴嘴控制器，控制與所述噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和開口方向中的至少一種來對所述待曝光表面的平坦度進行調節。
[0017]可選地，所述曝光基臺還包括:
[0018]應力獲取系統；
[0019]所述應力獲取系統設置在所述基臺本體的承載面上，且與所述氣流控制系統電連接，
[0020]所述應力獲取系統用于獲取所述待曝光器件與所述應力獲取系統接觸時產生的應力的大小，并向所述氣流控制系統發送所述應力的大小；
[0021]所述氣流控制系統用于判斷所述應力的大小是否位于預設應力數值范圍內，當所述應力的大小不位于預設應力范圍內，通過控制每個所述噴嘴控制器，控制與每個所述噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和開口方向中的至少一種來對所述應力的大小進行調節。
[0022]可選地，所述待曝光器件上設置有對位標記，所述氣流控制系統還與掩膜版對位系統電連接，
[0023]所述氣流控制系統還用于接收所述掩膜版對位系統發送的對位信息，所述對位信息是所述掩膜版對位系統根據掩膜版上的對位標記與所述待曝光器件上的對位標記，對所述掩膜版和所述待曝光器件對位后，根據對位結果生成的；
[0024]所述氣流控制系統還用于根據所述對位信息判斷所述掩膜版上的對位標記與所述待曝光器件上的對位標記是否對準，在所述掩膜版上的對位標記與所述待曝光器件上的對位標記未對準時，通過控制每個所述噴嘴控制器，控制與每個所述噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和開口方向中的至少一種來使所述待曝光器件上的對位標記與所述掩膜版上的對位標記對準。
[0025]可選地，所述基臺本體為設置有空腔的立方體結構，所述氣流控制系統包括:氣流控制器，所述氣流控制器設置在所述空腔內；
[0026]所述平坦度獲取系統包括:至少兩個平坦度光學感應器，所述至少兩個平坦度光學感應器均勻分布在所述基臺本體的四個側面中的任意相交的兩個側面所在側；[〇〇27] 所述應力獲取系統包括:至少兩個應力感應器，所述至少兩個應力感應器靠近所述基臺本體的承載面的四條邊中的任意相交的兩條邊設置，且均勻分布。
[0028]可選地，所述平坦度獲取系統還包括:至少兩個感應器支架；
[0029]所述至少兩個平坦度光學感應器通過所述至少兩個感應器支架設置在所述基臺本體的四個側面中的任意相交的兩個側面所在側。
[0030]可選地，每個所述平坦度光學感應器與所述基臺本體的側面中，靠近每個所述平坦度光學感應器的側面所在平面之間的距離的取值范圍為:〇.1厘米?10厘米；
[0031]每個所述平坦度光學感應器與所述基臺本體的承載面所在平面之間的距離的取值范圍為〇.1厘米?10厘米。
[0032]可選地，每個所述氣體噴嘴通過管線分別與所述氣體源連接；
[0033]所述氣流控制器分別與每個所述噴嘴控制器、每個所述平坦度光學感應器以及每個所述應力感應器電連接。
[0034]第二方面，提供一種曝光設備，所述曝光設備包括:第一方面所述的曝光基臺。
[0035]本實用新型提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0036]本實用新型提供的曝光基臺及曝光設備，曝光基臺包括基臺本體、氣流控制系統和氣體噴嘴系統，氣體噴嘴系統設置在基臺本體上且與氣流控制系統連接，氣流控制系統用于控制從氣體噴嘴系統噴出的氣體的流量，使從氣體噴嘴系統噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件的氣墊層。由于曝光基臺形成氣墊層來支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置， 本實用新型提供的曝光基臺無需吸附，可以避免由于吸附導致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區域的光刻膠的曝光強度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問題，達到了提高曝光的均一性的效果。
[0037]應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性的，并不能限制本實用新型。【附圖說明】
[0038]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1是本實用新型實施例提供的一種曝光基臺的結構示意圖；
[0040]圖2是圖1所示實施例提供的曝光基臺的剖面圖；
[0041]圖3是圖1所示實施例提供的一種氣體噴嘴裝置的結構示意圖；
[0042]圖4是本實用新型實施例提供的一種曝光基臺的使用場景圖；
[0043]圖5是圖4所示實施例提供的曝光基臺和基板的剖面圖。
[0044]此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本實用新型的實施例，并與說明書一起用于解釋本實用新型的原理。【具體實施方式】
[0045]為了使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部份實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0046]請參考圖1，其示出了本實用新型實施例提供的一種曝光基臺00的結構示意圖，參見圖1，該曝光基臺〇〇包括:基臺本體001、氣流控制系統002和氣體噴嘴系統003。
[0047]氣體噴嘴系統003設置在基臺本體001上，且氣體噴嘴系統003與氣流控制系統002 連接(圖1中未示出)，氣流控制系統002用于控制從氣體噴嘴系統003噴出的氣體的流量，使從氣體噴嘴系統003噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件(圖1中未示出)的氣墊層(圖1中未示出)。
[0048]綜上所述，本實用新型實施例提供的曝光基臺，由于曝光基臺形成氣墊層來支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置，本實用新型實施例提供的曝光基臺無需吸附，可以避免由于吸附導致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區域的光刻膠的曝光強度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問題，達到了提高曝光的均一性的效果。
[0049]進一步地，請參考圖2,其示出了圖1所示實施例提供的一種曝光基臺00的剖面圖， 參見圖2，從氣體噴嘴系統003噴出的氣體形成氣墊層D，氣體噴嘴系統003包括:多個氣體噴嘴裝置0031，基臺本體001的承載面M上設置有均勻分布的多個開口(圖2中未示出)，每個氣體噴嘴裝置0031通過一個開口設置在基臺本體001上，其中，開口的形狀和大小可以根據實際需要設置，本實用新型實施例對此不作限定。每個氣體噴嘴裝置0031包括:氣體噴嘴(圖2 中未示出)和與氣體噴嘴連接的噴嘴控制器(圖2中未示出)，每個氣體噴嘴分別與氣體源 (圖2中未示出)連接，比如，每個氣體噴嘴通過管線分別與氣體源連接，氣流控制系統002與每個噴嘴控制器電連接，氣流控制系統002用于通過任一噴嘴控制器控制與任一噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和開口方向。具體地，氣流控制系統002可以向任一噴嘴控制器發送開度調節信號和/或開口方向調節信號，該任一噴嘴控制器可以根據氣流控制系統002發送的開度調節信號和/或開口方向調節信號，調節與該任一噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和/或開口方向。
[0050]可選地，請參考圖3,其示出了圖1所示實施例提供的一種氣體噴嘴裝置0031的結構示意圖，參見圖3,氣體噴嘴裝置0031包括:氣體噴嘴00311和與氣體噴嘴00311連接的噴嘴控制器00312,噴嘴控制器00312可以控制氣體噴嘴00311的開度大小和開口方向，該氣體噴嘴00311可以與氣體源(圖3中未示出)連接，該噴嘴控制器00312可以與圖2所示的氣流控制系統002電連接。
[0051]進一步地，請繼續參考圖1或圖2,該曝光基臺00還包括:平坦度獲取系統004。平坦度獲取系統004設置在基臺本體001的四周，且平坦度獲取系統004與氣流控制系統002電連接(圖1和圖2中均未示出)。[〇〇52]平坦度獲取系統004用于獲取待曝光器件(圖1和圖2中均未示出)的待曝光表面上的各個位置點的空間坐標數據，并向氣流控制系統002發送各個位置點的空間坐標數據;氣流控制系統002用于根據各個位置點的空間坐標數據，確定待曝光表面上的凹凸不平的位置點的目標空間坐標數據，根據目標空間坐標數據確定凹凸不平的位置點在基臺本體001 的承載面M上的正投影點，并通過控制以該正投影點為圓心，預設距離為半徑的區域內的噴嘴控制器，控制與噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和開口方向中的至少一種來對待曝光器件的待曝光表面的平坦度進行調節。其中，平坦度獲取系統004可以包括至少兩個平坦度光學感應器0041，至少兩個平坦度光學感應器0041均勻分布在基臺本體001的四個側面中的任意相交的兩個側面所在側，可選地，平坦度獲取系統004還包括:至少兩個感應器支架 (圖1和圖2中均未示出)，至少兩個平坦度光學感應器0041通過至少兩個感應器支架設置在基臺本體001的四個側面中的任意相交的兩個側面所在側，也即是，每個平坦度光學感應器 0041由一個感應器支架支撐。[〇〇53]在本實用新型實施例中，平坦度光學感應器0041可以發射出紅外光線，可以通過平坦度光學感應器0041發出的紅外光線，來確定待曝光器件的待曝光表面上的各個位置點的空間坐標數據，該確定各個位置點的空間坐標數據的具體實現過程可以參考相關技術， 本實用新型實施例在此不再贅述。[〇〇54] 可選地，為了保證平坦度光學感應器0041對待曝光器件的待曝光表面上的各個位置點的空間坐標數據的有效獲取，每個平坦度光學感應器0041與基臺本體001的側面中，靠近每個平坦度光學感應器0041的側面所在平面之間的距離的取值范圍為:0.1厘米?10厘米，每個平坦度光學感應器0041與基臺本體001的承載面M所在平面之間的距離的取值范圍為0.1厘米?10厘米。
[0055]需要說明的是，本實用新型實施例是以在基臺本體001的四個側面中的任意相交的兩個側面所在側設置平坦度光學感應器0041為例進行說明的，實際應用中，還可以在基臺本體001的每個側面所在側都設置平坦度光學感應器0041，本實用新型實施例對此不作限定。[〇〇56]進一步地，請繼續參考圖1，該曝光基臺還包括:應力獲取系統005。應力獲取系統 005設置在基臺本體001的承載面M上，且應力獲取系統005與氣流控制系統002電連接(圖1 中未示出)。[〇〇57]應力獲取系統005用于獲取待曝光器件與應力獲取系統005接觸時產生的應力的大小，并向氣流控制系統002發送應力的大小;氣流控制系統002用于判斷應力的大小是否位于預設應力數值范圍內，當應力的大小不位于預設應力范圍內，通過控制每個噴嘴控制器，控制與每個噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和開口方向中的至少一種來對應力的大小進行調節。其中，應力獲取系統005可以包括至少兩個應力感應器0051，至少兩個應力感應器0051靠近基臺本體001的承載面M的四條邊中的任意相交的兩條邊設置，且均勻分布。 預設應力數值范圍可以根據實際需要進行設置，當應力的大小位于該預設應力數值范圍內時，待曝光器件與應力感應器0051之間的應力較小，這樣可以保證待曝光器件的變形較小， 避免待曝光器件出現凹凸不平。
[0058]需要說明的是，本實用新型實施例是以在基臺本體001的承載面的四條邊中的任意相交的兩條邊所在側設置應力感應器0051為例進行說明的，實際應用中，還可以在基臺本體001的承載面的每條邊所在側都設置應力感應器0051，本實用新型實施例對此不作限定。
[0059]可選地，待曝光器件可以為基板，且該基板可以為透明基板或者形成有一定圖形的基板。當待曝光器件為形成有一定圖形的基板時，該待曝光器件(圖1和圖2中均未示出) 上設置有對位標記，該對位標記用于掩膜版對位系統對曝光用的掩膜版與該待曝光器件對位。掩膜版對位系統可以根據掩膜版上的對位標記與待曝光器件上的對位標記，對掩膜版和待曝光器件進行對位，并根據對位結果生成對位信息。其中，掩膜版對位系統以及掩膜版對位系統對掩膜版和待曝光器件進行對位的過程可以參考相關技術，本實用新型實施例在此不再贅述。
[0060]在本實用新型實施例中，氣流控制系統002還與掩膜版對位系統(圖1和圖2中均未示出)電連接。氣流控制系統002還用于接收掩膜版對位系統發送的對位信息，對位信息是掩膜版對位系統根據掩膜版上的對位標記與待曝光器件上的對位標記，對掩膜版和待曝光器件對位后，根據對位結果生成的;氣流控制系統002還用于根據對位信息判斷掩膜版上的對位標記與待曝光器件上的對位標記是否對準，在掩膜版上的對位標記與待曝光器件上的對位標記未對準時，通過控制每個噴嘴控制器，控制與每個噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和開口方向中的至少一種來使待曝光器件上的對位標記與掩膜版上的對位標記對準。 其中，待曝光器件上的對位標記可以設置在待曝光器件的待曝光表面上，對位信息可以為掩膜版上的對位標記在待曝光器件上的待曝光表面上的正投影，與待曝光器件上的對位標記之間的距離，本實用新型實施例對此不作限定。
[0061]可選地，如圖2所示，基臺本體001為設置有空腔(圖2中未標出)的立方體結構，氣流控制系統002可以包括氣流控制器(圖2中未示出)，氣流控制器設置在基臺本體001的空腔內，且氣流控制器分別與每個噴嘴控制器、每個平坦度光學感應器以及每個應力感應器電連接。
[0062]隨著薄膜晶體管液晶顯不屏(英文:Thin Film Transistor Liquid Crystal Display;簡稱:TFT-1XD)顯示技術不斷進步，生產設備朝著精密化的方向發展，人們對于顯示面板的畫質也有了更高的追求。在顯示面板的生產過程中，曝光設備的曝光精度決定了所生產的顯示面板的分辨率，其中，曝光過程中，對于基板的平坦度有著極高要求，而傳統的曝光設備的曝光基臺采用真空吸嘴，通過真空吸附的方式固定基板，且真空吸嘴之間通常設置有用于對真空氣嘴之間的氣體進行導向的凹槽，這樣，基板上與真空吸嘴以及凹槽對應的區域容易出現凹陷，導致基板的表面凹凸不平，曝光的均一性較差，最終導致基板的顯示區域的顯示亮度或顯示顏色不均勻，造成顯示不良。[〇〇63]中國專利(公開號:CN105045048A)公開了一種曝光基臺裝置，該曝光基臺裝置包括底座以及設置在底座上的多個基臺本體和多個舉起部，相較于傳統的曝光基臺，入射至基臺本體與舉起部之間的間隔區域的曝光光線發生反射的光程差減小，從而使基板的曝光更加均勻。但是其依然需要真空吸附裝置，并不能從根本上解決因真空吸附所造成的顯示不良，所以依然存在基板的表面凹凸不平的問題，曝光的均一性較差。
[0064]本實用新型實施例提供的曝光基臺，通過形成氣墊層來支撐基板，相比于真空吸附裝置，無需吸附，可以避免由于吸附導致基板的表面凹凸不平，基板不同區域的光刻膠的曝光強度不同的情況，因此，可以提尚曝光的均一性，進而提尚廣品的良率。
[0065]綜上所述，本實用新型實施例提供的曝光基臺，由于曝光基臺形成氣墊層來支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置，本實用新型實施例提供的曝光基臺無需吸附，可以避免由于吸附導致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區域的光刻膠的曝光強度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問題，達到了提高曝光的均一性的效果。
[0066]請參考圖4和圖5,其示出了本實用新型實施例提供的曝光基臺的使用場景圖，參見圖4或圖5,該使用場景以待曝光器件為基板01為例進行說明，可以通過機械臂(圖4和圖5 中均未示出)對基板01進行搬運，該機械臂可以與曝光基臺的氣流控制系統002電連接。該曝光基臺在使用時，可以包括幾下幾個階段:
[0067]基板載入階段:機械臂將基板01搬運至曝光基臺上方之后，機械臂向氣流控制系統002發送用于指示載入基板01的載入信號，氣流控制系統002根據該載入信號，向每個氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器發送開度調大信號，每個噴嘴控制器控制相應的氣體噴嘴的開度增大，使從每個氣體噴嘴噴出的氣體的流量增大。[〇〇68]基板卸載階段:機械臂帶動基板01下降，使基板靠近01曝光基臺移動，隨著機械臂的下降，從每個氣體噴嘴噴出的氣體形成用于支撐基板01的氣墊層D(如圖5所示)，基板01 在該氣墊層D的托舉作用下懸浮。之后，機械臂退出曝光基臺，同時機械臂向氣流控制系統 002發送用于指示卸載基板01的卸載信號。
[0069]對位階段:氣流控制系統002根據卸載信號向每個氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器發送開度調小信號，每個噴嘴控制器控制相應的氣體噴嘴的開度減小，使從每個氣體噴嘴噴出的氣體的流量減小，在氣體的流量減小的過程中，基板01逐漸降低，當基板01降低至與基臺本體001的承載面M之間的距離在預設距離范圍內時，基板01與至少一個對位應力感應器接觸產生應力，該至少一個對位應力感應器可以獲取該應力并向氣流控制系統002發送該應力，氣流控制系統002接收到該應力時，通過每個氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器控制相應的氣體噴嘴的開度保持當前開度，同時，氣流控制系統002向每個氣體噴嘴裝置0031 的噴嘴控制器發送方向調節信號，每個噴嘴控制器通過控制相應的氣體噴嘴的開口方向對氣流方向進行調節，使氣墊層D移動并托舉基板01移動至與每個對位應力感應器接觸，基板 01與每個對位應力感應器擠壓產生應力，每個對位應力感應器可以獲取相應的應力的大小，并將該應力的大小發送給氣流控制系統002,氣流控制系統002判斷每個應力的大小是否位于預設應力數值范圍內，當存在至少一個應力的大小不位于預設應力數值范圍內時， 氣流控制系統002通過控制相應的氣體噴嘴裝置0031對該應力的大小進行調節，使該應力的大小位于該預設應力數值范圍內。當所有的對位應力感應器發送的應力的大小都位于預設應力數值范圍內時，基板01的對位完成。
[0070]平坦度調節階段，平坦度獲取系統004通過每個平坦度光學感應器0041獲取基板 01的待曝光表面上的各個位置點的空間坐標數據，并向氣流控制系統002發送各個位置點的空間坐標數據，氣流控制系統002通過對各個位置點的空間坐標數據進行對比，確定基板 01的待曝光表面上的凹凸不平的位置點的目標空間坐標數據，然后根據該目標空間坐標數據確定該凹凸不平的位置點在基臺本體001的承載面上的正投影點，根據該正投影點的坐標數據，向以該正投影點為中心，預設距離為半徑的區域內的每個氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器發送開度調節信號，來對該待曝光表面上的凹凸不平的位置點的目標空間坐標數據進行調節，使待曝光表面上的各個位置點的空間坐標數據的z軸數據相等，從而保證基板 01的待曝光表面的平坦度。
[0071]曝光階段:對基板01的待曝光表面的平坦度調節完成之后，就可以進行曝光作業。 [〇〇72]需要說明的是，以上是以基板01為不包括圖形的透明基板為例進行說明的當基板 01包括圖形時，基板01還設置有對位標記(圖4和圖5中均未示出)，可以結合對位應力感應器和掩膜版對位系統(圖4和圖5中均未示出)對基板01進行對位，具體地:
[0073]可以先由對位應力感應器配合氣流控制系統002對基板01進行對位，使所有的對位應力感應器獲取的應力的大小都位于預設應力數值范圍內，之后由平坦度光學感應器 0041和氣流控制系統002配合對平坦度進行調節，接著由掩膜版對位系統根據掩膜版上的對位標記與基板01上的對位標記，對掩膜版和基板01進行對位，掩膜版對位系統可以根據對位結果生成對位信息，并將對位信息發送給氣流控制系統002,氣流控制系統002可以根據對位信息，通過每個氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器控制相應的氣體噴嘴的開口方向來對氣墊層D進行移動，使得氣墊層D帶動基板01移動，從而使基板01上的對位標記與掩膜版上的對位標記對準，基板01的對位完成。[〇〇74]綜上所述，本實用新型實施例提供的曝光基臺，由于曝光基臺形成氣墊層來支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置，本實用新型實施例提供的曝光基臺無需吸附，可以避免由于吸附導致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區域的光刻膠的曝光強度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問題，達到了提高曝光的均一性的效果。
[0075]本實用新型實施例還提供了一種曝光設備，該曝光設備包括圖1或圖2所示的曝光基臺。
[0076]綜上所述，本實用新型實施例提供的曝光設備包括曝光基臺，由于曝光基臺形成氣墊層來支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置，本實用新型實施例提供的曝光基臺無需吸附，可以避免由于吸附導致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區域的光刻膠的曝光強度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問題，達到了提高曝光的均一性的效果。
[0077]本實用新型中術語“和/或”，僅僅是一種描述關聯對象的關聯關系，表示可以存在三種關系，例如，A和/或B，可以表示:單獨存在A，同時存在A和B，單獨存在B這三種情況。另夕卜，本文中字符7”，一般表示前后關聯對象是一種“或”的關系。
[0078]本實用新型中術語“A和B的至少一種”，僅僅是一種描述關聯對象的關聯關系，表示可以存在三種關系，例如，A和B的至少一種，可以表示:單獨存在A，同時存在A和B，單獨存在B這三種情況。
[0079]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種曝光基臺，其特征在于，所述曝光基臺包括:基臺本體、氣流控制系統和氣體噴嘴系統；所述氣體噴嘴系統設置在所述基臺本體上，且所述氣體噴嘴系統與所述氣流控制系統 連接，所述氣流控制系統用于控制從所述氣體噴嘴系統噴出的氣體的流量，使從所述氣體 噴嘴系統噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件的氣墊層。2.根據權利要求1所述的曝光基臺，其特征在于，所述氣體噴嘴系統包括:多個氣體噴嘴裝置，所述基臺本體的承載面上設置有均勻分 布的多個開口，每個所述氣體噴嘴裝置通過一個所述開口設置在所述基臺本體上，每個所 述氣體噴嘴裝置包括:氣體噴嘴和與所述氣體噴嘴連接的噴嘴控制器；其中，每個所述氣體噴嘴分別與氣體源連接，所述氣流控制系統與每個所述噴嘴控制 器電連接，所述氣流控制系統用于通過任一噴嘴控制器控制與所述任一噴嘴控制器連接的 氣體噴嘴的開度和開口方向。3.根據權利要求2所述的曝光基臺，其特征在于，所述曝光基臺還包括:平坦度獲取系統；所述平坦度獲取系統設置在所述基臺本體的四周，且與所述氣流控制系統電連接； 所述平坦度獲取系統用于獲取所述待曝光器件的待曝光表面上的各個位置點的空間 坐標數據，并向所述氣流控制系統發送所述各個位置點的空間坐標數據；所述氣流控制系統用于根據所述各個位置點的空間坐標數據，確定所述待曝光表面上 的凹凸不平的位置點的目標空間坐標數據，根據所述目標空間坐標數據確定所述凹凸不平 的位置點在所述基臺本體的承載面上的正投影點，并通過控制以所述正投影點為圓心，預 設距離為半徑的區域內的噴嘴控制器，控制與所述噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開度和開 口方向中的至少一種來對所述待曝光表面的平坦度進行調節。4.根據權利要求3所述的曝光基臺，其特征在于，所述曝光基臺還包括:應力獲取系統；所述應力獲取系統設置在所述基臺本體的承載面上，且與所述氣流控制系統電連接， 所述應力獲取系統用于獲取所述待曝光器件與所述應力獲取系統接觸時產生的應力 的大小，并向所述氣流控制系統發送所述應力的大小；所述氣流控制系統用于判斷所述應力的大小是否位于預設應力數值范圍內，當所述應 力的大小不位于預設應力范圍內，通過控制每個所述噴嘴控制器，控制與每個所述噴嘴控 制器連接的氣體噴嘴的開度和開口方向中的至少一種來對所述應力的大小進行調節。5.根據權利要求4所述的曝光基臺，其特征在于，所述待曝光器件上設置有對位標記， 所述氣流控制系統還與掩膜版對位系統電連接，所述氣流控制系統還用于接收所述掩膜版對位系統發送的對位信息，所述對位信息是 所述掩膜版對位系統根據掩膜版上的對位標記與所述待曝光器件上的對位標記，對所述掩 膜版和所述待曝光器件對位后，根據對位結果生成的；所述氣流控制系統還用于根據所述對位信息判斷所述掩膜版上的對位標記與所述待 曝光器件上的對位標記是否對準，在所述掩膜版上的對位標記與所述待曝光器件上的對位 標記未對準時，通過控制每個所述噴嘴控制器，控制與每個所述噴嘴控制器連接的氣體噴 嘴的開度和開口方向中的至少一種來使所述待曝光器件上的對位標記與所述掩膜版上的對位標記對準。6.根據權利要求4或5所述的曝光基臺，其特征在于，所述基臺本體為設置有空腔的立方體結構，所述氣流控制系統包括:氣流控制器，所述 氣流控制器設置在所述空腔內；所述平坦度獲取系統包括:至少兩個平坦度光學感應器，所述至少兩個平坦度光學感 應器均勻分布在所述基臺本體的四個側面中的任意相交的兩個側面所在側；所述應力獲取系統包括:至少兩個應力感應器，所述至少兩個應力感應器靠近所述基 臺本體的承載面的四條邊中的任意相交的兩條邊設置，且均勻分布。7.根據權利要求6所述的曝光基臺，其特征在于，所述平坦度獲取系統還包括:至少兩個感應器支架；所述至少兩個平坦度光學感應器通過所述至少兩個感應器支架設置在所述基臺本體 的四個側面中的任意相交的兩個側面所在側。8.根據權利要求6所述的曝光基臺，其特征在于，每個所述平坦度光學感應器與所述基臺本體的側面中，靠近每個所述平坦度光學感應 器的側面所在平面之間的距離的取值范圍為:0.1厘米?10厘米；每個所述平坦度光學感應器與所述基臺本體的承載面所在平面之間的距離的取值范 圍為0.1厘米?10厘米。9.根據權利要求6所述的曝光基臺，其特征在于，每個所述氣體噴嘴通過管線分別與所述氣體源連接；所述氣流控制器分別與每個所述噴嘴控制器、每個所述平坦度光學感應器以及每個所 述應力感應器電連接。10.—種曝光設備，其特征在于，所述曝光設備包括:權利要求1至9任一所述的曝光基臺。
【文檔編號】G03F7/20GK205665511SQ201620553224
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月1日
【發明人】余世榮, 吳春暉, 孟慶勇, 蔣盛超
【申請人】合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司