具有電介質厚度改進控制的多層電子結構的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種具有電介質厚度改進控制的多層電子結構及其制造方法，所述多層電子結構包括層壓在介電材料內的銅子結構層，所述介電材料包括在聚合物基質中的連續玻璃纖維，其特征在于，所述介電材料是無孔隙的并且每個介電材料層的厚度控制在預定厚度的+-3微米內，標準偏差小于1微米。
【專利說明】具有電介質厚度改進控制的多層電子結構
【技術領域】
[0001]本發明涉及多層電子支撐結構例如插件及其制造方法。
【背景技術】
[0002]在對于越來越復雜的電子元件的小型化需求越來越大的帶動下，諸如計算機和電信設備等消費電子產品的集成度越來越高。這已經導致要求支撐結構如IC基板和IC插件具有通過介電材料彼此電絕緣的高密度的多個導電層和通孔。
[0003]這種支撐結構的總體要求是可靠性和適當的電氣性能、薄度、剛度、平整度、散熱性好和有競爭力的單價。
[0004]在實現這些要求的各種途徑中，一種廣泛實施的創建層間互連通孔的制造技術是采用激光鉆孔，所鉆出的孔穿透后續布置的介電基板直到最后的金屬層，后續填充金屬，通常是銅，該金屬通過鍍覆技術沉積在其中。這種成孔方法有時也被稱為“鉆填”，由此產生的通孔可稱為“鉆填通孔”。
[0005]但是，鉆填孔方法存在大量缺點。因為每個通孔需要單獨鉆孔，所以生產率受限，并且制造復雜的多通孔IC基板和插件的成本變得高昂。在大型陣列中，通過鉆填方法難以生產出高密度和高品質、彼此緊密相鄰且具有不同的尺寸和形狀的通孔。此外，激光鉆出的通孔具有穿過介電材料厚度的粗糙側壁和內向錐度。該錐形減小了通孔的有效直徑。特別是在超小通孔直徑的情況下，也可能對于先前的導電金屬層的電接觸產生不利影響，由此導致可靠性問題。而且，在被鉆的電介質是包括聚合物基體中的玻璃或陶瓷纖維的復合材料時，側壁特別粗糙，并且這種粗糙度可能會產生附加的雜散電感。
[0006]鉆出的通孔的填充過程通常是通過銅電鍍來完成的。電鍍沉積技術會導致凹痕，其中在通孔頂部出現小坑。或者，當通孔通道被填充超過其容納量的銅時，可能造成溢出，從而產生突出超過周圍材料的半球形上表面。凹痕和溢出往往在如制造高密度基板和插件時所需的后續上下堆疊通孔時造成困難。此外，應該認識到，大的通孔通道難以均勻填充，特別是在其位于插件或IC基板設計的同一互連層內的小通孔附近時。
[0007]雖然可接受的尺寸范圍和可靠性正在隨著時間的推移而改善，但是上文所述的缺點是鉆填技術的內在缺陷，并且會限制可制造的通孔的尺寸范圍。還應該注意的是，激光鉆孔是制造圓形通孔通道的最好方法。雖然可以通過激光銑削制造狹縫形狀的通孔通道，但是，可有效制造的鉆填孔的幾何形狀范圍比較有限。通過鉆填工藝制造通孔是昂貴的，并且難以利用相對具有成本效益的電鍍工藝用銅來均勻和一致地填充由此形成的通孔通道。
[0008]在復合介電材料中激光鉆出的孔實際上被限制在60X10_6m直徑，并且由于所涉及的燒蝕過程以及所鉆的復合材料的性質，甚至因此而遭受到顯著的錐度形狀以及粗糙側壁的不利影響。
[0009]除了上文所述的激光鉆孔的其它限制外，鉆填技術的另一限制在于難以在同一層中產生不同直徑的通孔，這是因為當鉆出不同尺寸的通孔通道并隨后用金屬填充以制造不同尺寸通孔時，通孔通道的填充速率不同。因此，作為鉆填技術的特征性的凹痕或溢出的典型問題被惡化，因為不可能對不同尺寸通孔同時優化沉積速率。
[0010]克服鉆填方法的許多缺點的可選解決方案是利用又稱為“圖案鍍覆”的技術，通過將銅或其它金屬沉積到在光刻膠中形成的圖案內來制造。
[0011]在圖案鍍覆中，首先沉積種子層。然后在其上沉積光刻膠層，隨后曝光形成圖案，并且選擇性移除該圖案以制成暴露出種子層的溝槽。通過將銅沉積到光刻膠溝槽中來形成通孔柱。然后移除剩余的光刻膠，蝕刻掉種子層，并在其上及其周圍層壓通常為聚合物浸潰玻璃纖維氈的介電材料，以包圍所述通孔柱。然后，可以使用各種技術和工藝來減薄所述介電材料，將其平坦化并暴露出所述通孔柱頂部以允許由此導電連接到底平面或基準面，用于在其上形成下一金屬層。可在其上通過重復該過程來沉積后續的金屬導體層和通孔柱，以形成所需的多層結構。
[0012]在一個替代但緊密關聯的技術即下文所稱的“面板鍍覆”中，將連續的金屬或合金層沉積到基板上。在其頂部沉積光刻膠層，并在其中顯影出圖案。剝除顯影光刻膠的圖案，選擇性地暴露出其下的金屬，該金屬可隨后被蝕刻掉。未顯影的光刻膠保護其下方的金屬不被蝕刻掉，并留下直立的特征結構和通孔的圖案。剝除未顯影光刻膠后，在所述直立的銅特征結構和/或通孔柱上及周圍層壓介電材料，如聚合物浸潰玻璃纖維氈。
[0013]通過上述圖案鍍覆或面板鍍覆方法創建的通孔層通常被稱為銅制“通孔柱”和特征層。
[0014]應該認識到，微電子演化的一般推動力涉及制造更小、更薄、更輕和更大功率的高可靠性產品。使用厚且有芯的互連不能得到超輕薄的產品。為了在互連IC基板或“插件”中形成更高密度的結構，需要具有甚至更小連接的更多層。事實上，有時希望在彼此的頂部上堆疊元件。
[0015]如果在銅或其它合適的犧牲基板上沉積鍍覆層壓結構，則可以蝕刻掉基板，留下獨立的無芯層壓結構。可以在預先附著在犧牲基板上的側面上沉積其它層，由此能夠形成雙面累積，從而最大限度地減少翹曲并有助于實現平坦化。
[0016]一種制造高密度互連的靈活技術是構建由在介電基質中的金屬通孔或特征結構構成的圖案或面板鍍覆多層結構。所述金屬可以是銅，所述電介質可以是纖維增強聚合物，通常使用的是具有高玻璃化轉變溫度(Tg)的聚合物，例如聚酰亞胺。這些互連可以是有芯的或無芯的，并可包括用于堆疊元件的空腔。它們可具有奇數或偶數層。實現技術描述在授予 Amitec-Advanced Multilayer Interconnect Technologies Ltd.的現有專利中。例如，赫爾維茨(Hurwitz)等人的題為“高級多層無芯支撐結構及其制造方法(Advancedmultilayer coreless support structures and method for their fabrication)，，的美國專利US7，682，972描述了一種制造包括在電介質中的通孔陣列的獨立膜的方法，所述膜用作構建優異的電子支撐結構的前體。該方法包括以下步驟:在包圍犧牲載體的電介質中制造導電通孔膜，和將所述膜與犧牲載體分離以形成獨立的層壓陣列。基于該獨立膜的電子基板可通過將所述層壓陣列減薄和平坦化，隨后終止通孔來形成。該公報通過引用全文并入本文。
[0017]赫爾維茨(Hurwitz)等人的題為“用于芯片封裝的無芯空腔基板及其制造方法(Coreless cavity substrates for chip packaging and their fabrication)，，的美國專利US7，669，320描述了一種制造IC支撐體的方法，所述IC支撐體用于支撐與第二 IC芯片串聯的第一 IC芯片；所述IC支撐體包括在絕緣周圍材料中的銅特征結構和通孔的交替層的堆疊，所述第一 IC芯片可粘合至所述IC支撐體，所述第二 IC芯片可粘合在所述IC支撐體內部的空腔中，其中所述空腔是通過蝕刻掉銅基座和選擇性蝕刻掉累積的銅而形成的。該公報通過引用全文并入本文。
[0018]赫爾維茨(Hurwitz)等人的題為“集成電路支撐結構及其制造方法(integratedcircuit support structures and their fabrication)，，的美國專利US7, 635，641 描述了一種制造電子基板的方法，包括以下步驟:(A)選擇第一基礎層；(B)將蝕刻阻擋層沉積到所述第一基礎層上；(C)形成交替的導電層和絕緣層的第一半堆疊體，所述導電層通過貫穿絕緣層的通孔而互連；(D)將第二基礎層涂覆到所述第一半堆疊體上；(E)將光刻膠保護涂層涂覆到第二基礎層上；(F)蝕刻掉所述第一基礎層；(G)移除所述光刻膠保護涂層；(H)移除所述第一蝕刻阻擋層；(I)形成交替的導電層和絕緣層的第二半堆疊體，導電層通過貫穿絕緣層的通孔而互連；其中所述第二半堆疊體具有與第一半堆疊體基本對稱的構造；(J)將絕緣層涂覆到交替的導電層和絕緣層的所述第二半堆疊體上；(K)移除所述第二基礎層，以及，(L)通過將通孔末端暴露在所述堆疊體的外表面上并對其涂覆終止物來終止基板。該公報通過引用全文并入本文。

【發明內容】

[0019]本發明的第一方面涉及提供一種電子支撐結構，該結構包括層壓在介電材料內的銅子結構層，所述介電材料包括在聚合物基質中的連續玻璃纖維，其特征在于介電材料層是無孔隙的并且每個介電材料層的厚度控制在預定厚度的+/-3微米內，其標準偏差小于I微米。
[0020]通常，銅子結構包括銅特征層和從銅特征層延伸的銅通孔層，其中每個介電材料層包括包覆在介電材料層內的特征層和銅通孔層二者，并且每個介電材料層的厚度在20微米至60微米的范圍內。
[0021]通常，相鄰的介電材料層具有相同的厚度+-3微米。
[0022]通常，聚合物基質包括選自熱固性樹脂和熱塑性樹脂的聚合物樹脂。
[0023]通常，聚合物基質還包括無機填料。
[0024]本發明的第二方面涉及多層電子支撐結構的外層，其包括層壓在介電材料內的銅子結構，所述介電材料包括在聚合物基質中的連續玻璃纖維，其特征在于，介電材料層是無孔隙的并且具有20微米至60微米范圍內的厚度，其中在固化之后和進一步處理之前，所述介電材料層的特征在于具有平滑的上表面并且覆蓋最高的銅子結構的介電材料層不超過10微米厚。
[0025]優選地，所述最高的銅子結構是銅通孔柱，并且介電材料層覆蓋所述通孔柱的兩端不超過10微米。
[0026]本發明的再一方面涉及提供一種制造多層電子支撐結構的方法，所述方法包括電鍍銅子結構；在所述銅子結構上層疊包括聚合物樹脂的介電預浸料；對離型膜施加200-600psi的壓力，所述離型膜的硬度高于預浸料的硬度，但低于固化樹脂的硬度；以及在保持壓力的同時通過固化循環進行加熱。
[0027]通常，所述銅子結構包括通孔柱。[0028]通常，所述方法的特征在于所述固化樹脂具有高度平坦的表面，所述表面通過小于10微米的固化樹脂覆蓋所述通孔柱上端。
[0029]通常，所述離型膜包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
[0030]優選地，所述離型膜的厚度至少為25 μ m。
[0031]優選地，所述離型膜的厚度不超過75 μ m。
[0032]在一些實施方案中，所述離型膜的至少一個表面上涂覆有硅氧烷。
[0033]在一些實施方案中，所述離型膜的兩個表面上涂覆有硅氧烷。
[0034]在一些實施方案中，所述銅子結構包括特征層。
[0035]在一些實施方案中，所述固化循環包括加熱至完全固化溫度并在完全固化溫度維持30至90分鐘。
[0036]在一些實施方案中，所述固化循環包括加熱至部分固化溫度并保持30至90分鐘，冷卻并施加選自機械、化學和化學機械加工的減薄及平滑化過程，然后再加熱至完全固化溫度30至90分鐘。
[0037]在全文中，術語微米或μ m是指微米或10_6米。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]為了更好地理解本發明并示出本發明的實施方式，純粹以舉例的方式參照附圖。
[0039]具體參照附圖時，必須強調的是特定的圖示是示例性的并且目的僅在于說明性地討論本發明的優選實施方案，并且基于提供被認為是對于本發明的原理和概念方面的描述最有用和最易于理解的圖示的原因而被呈現。就此而言，沒有試圖將本發明的結構細節以超出對本發明基本理解所必需的詳細程度來圖示；參照附圖的說明使本領域技術人員認識到本發明的幾種形式可如何實際體現出來。在附圖中:
[0040]圖1是現有技術中的多層復合支撐結構的簡化截面圖；
[0041]圖2是一種常規制造工藝的流程圖；
[0042]圖3是第二常規制造工藝的流程圖；
[0043]圖4是對硬表面進行層壓的示意圖；
[0044]圖5是對軟表面進行層壓的示意圖；
[0045]圖6a_c示出對雙動壓機墊進行層壓的示意圖；
[0046]
[0047]圖6d是示出通過圖6a_c的過程可得到的結構的顯微照片；
[0048]圖7a和7b是一個實施例中在通孔柱密集區和通孔柱稀疏區中的通孔柱上方及周邊的電介質的截面顯微照片，示出可得到無孔隙、平坦光滑的介電材料，只需移除相對很少的材料來暴露出銅通孔柱的端部，以及
[0049]圖8a和Sb是另一個實施例中在通孔柱密集區和通孔柱稀疏區中的通孔柱上方及周邊的電介質的截面顯微照片，示出可得到無孔隙、平坦光滑的介電材料，只需移除相對很少的材料來暴露出銅通孔柱的端部。
【具體實施方式】
[0050]在以下說明中，涉及的是包括在介電基體中的金屬通孔的支撐結構，特別是在聚合物基體中的銅通孔柱，所述聚合物基體例如是玻璃纖維增強的聚酰亞胺、環氧樹脂或BT(雙馬來酰亞胺/三嗪)或它們的共混物。
[0051]其它實施方案使用其它的熱塑性或熱固性聚合物。
[0052]圖1是現有技術的多層復合支撐結構的簡化截面圖。如US7，682，972、US7, 669，320和US7, 635，641中所述，例如，現有技術的多層支撐結構100包括被絕緣各層的介電層110、112、114、116隔離的元件或特征結構108的功能層102、104、106。穿過介電層的通孔118提供在相鄰的功能層或特征層102、104、106與特征結構108之間的電連接。因此，特征層102、104、106包括在X-Y平面內通常敷設在所述層內的特征結構108，以及跨介電層110、112、114、116導通電流的通孔118。通孔118大體設計為具有最小的電感并得到充分的隔離以在其間具有最小的電容。
[0053]參照圖2，在一些實施方案中，特征層可以通過下列步驟制造:獲得包括在電介質層中的上通孔層的基板，在其周圍進行拋光、減薄、平坦化或以其他方式進行處理以暴露出其中的銅一步驟(a)。在具有暴露的通孔端部的基板上覆蓋通常是銅的種子層一步驟(b)。種子層通常具有約0.5微米至1.5微米的厚度，并且可通過例如濺射或化學鍍來沉積。
[0054]為了幫助粘附，種子層可包括第一粘附金屬薄層，其可由例如鈦、鉻或鎳-鉻合金制造，并且通常具有0.04微米至0.1微米范圍的厚度。隨后，在種子層上沉積光刻膠層一步驟(C)，并且進行曝光以形成特征結構的負性圖案一步驟(d)。通過電鍍或化學鍍在所述金屬圖案內沉積金屬通常是銅一步驟(e)以制造特征層。移除光刻膠層以留下直立特征層一步驟(f)。接著，在種子層和直立特征層上沉積更深的第二光刻膠層一步驟(g)，并且在所述更深的第二光刻膠層中顯影出包括至少一個溝槽的通孔柱圖案，所述至少一個溝槽在X-Y平面內的長尺寸是其在X-Y平面內的短尺寸的至少3倍長一步驟(h)。在所述更深的第二光刻膠層的圖案內電鍍或化學鍍銅以制造通孔柱以及至少一個非圓柱形通孔柱，所述至少一個非圓柱形通孔柱在X-Y平面內的長尺寸是其在X-Y平面內的短尺寸的至少3倍長一步驟(i)。然后，剝除第二光刻膠層，保留下通孔柱和至少一個非圓柱形通孔柱，所述至少一個非圓柱形通孔柱在X-Y平面內的長尺寸是其在X-Y平面內的短尺寸的至少3倍長一步驟(j)。然后，通過將所述結構暴露于例如氫氧化銨或氯化銅的濕蝕刻來移除種子層一步驟(k)，接著在特征層和通孔層上層壓介電層一步驟(I)。接著，可以通過機械、化學或化學機械研磨或拋光對介電材料進行減薄以暴露出金屬，同時也使上表面平坦化一步驟U)，然后可以在減薄表面上沉積第二金屬種子層一步驟U)。
[0055]介電材料可包括聚合物，例如聚酰亞胺、環氧樹脂、雙馬來酰亞胺、三嗪及其混合物，所述介電材料可包括無機增強物，其通常包括玻璃纖維和陶瓷顆粒。實際上，介電材料通常由聚合物樹脂浸潰的包括陶瓷顆粒填料的織造纖維預浸料制成。
[0056]應該認識到，除了圖2所述的圖案鍍覆外，在圖3所示的替代方法中，至少一個通孔層由以下步驟制造:獲得包括具有暴露的銅的底部特征層的基板一步驟(i)。利用通常為銅的種子層覆蓋所述底部特征層一步驟(ii)。通常利用電鍍或化學鍍在所述種子層上沉積通常為銅的金屬層一步驟(iii)。在所述金屬層上沉積光刻膠層一步驟(iv)，并且顯影出通孔的正性圖案一步驟(V)。蝕刻掉暴露的金屬層一步驟(Vi)。當用銅制造時，可以使用濕的銅蝕亥Ij劑，例如氫氧化銨或氯化銅。剝除殘留的光刻膠一步驟(Vii)，留下在所述通孔層中直立的至少一個元件，以及在所述通孔層中的至少一個元件上層壓介電材料一步驟(Viii)。為了構建其它層，可以減薄電介質以暴露出金屬一步驟(ix)，然后可以在底表面上沉積金屬種子層一步驟(X)。
[0057]在上述兩種方法中，將包括在樹脂預浸料中的纖維的介電層敷設在通孔柱上并隨后在加熱壓機中固化以生成覆蓋通孔的介電層。為了暴露出通孔端部并且確保用于敷設進一步的特征層和通孔層以構建結構的平坦度，通過機械、化學或化學機械加工(CMP)對介電材料進行減薄和平坦化。
[0058]參照圖4，示出具有覆蓋電介質16的特征層12和通孔層14的基板10.電介質包括在聚合物樹脂中的連續纖維，其作為預浸料提供并在壓機20中進行熱壓以固化樹脂。已經發現，當電介質預浸料材料被壓機20的硬表面直接壓下時，電介質16的上表面可以變得平坦并且電介質16的厚度得到良好控制，但是存在在介電層內形成孔隙18的趨勢，通常是在與基板10 (或底層)的界面處。
[0059]參照圖5，因為介電層被施加在特征結構12或者特征結構12和通孔柱14的表面形貌上，所以當在電介質預浸料16和壓機20之間插入較軟的離型材料22時，預浸料順應銅特征結構12和通孔柱14，從而消除孔隙18。但是，如此形成的介電層16的上表面24趨向于跟隨下方形貌而成波浪形起伏。需要在進一步構建之前移除這種波浪狀起伏，因而需要移除較不為人所知量的材料并且難以獲得所期望的厚度。此外，有時介電層18的上表面24的凹部26可能下陷至所需厚度t之下，所以減薄至所需厚度t導致所得到的表面包括該凹部26，消除該凹部需要移除更多的材料，使得所得到的厚度小于t，這再次引起精確厚度控制的困難。為了克服這個問題，使用厚的預浸料，但是然后必須移除更多的材料以獲得所需厚度t，并且為了暴露出通孔柱14的端部需要進行額外的研磨，使得難以獲得高容許度的電介質厚度t。
[0060]因此，是否使用軟的離型層，都難以在控制介電層厚度的同時，避免產生孔隙和獲得平滑的上表面。
[0061]圖5a是通過參照圖5描述的方法制造的實際結構的顯微照片。
[0062]通過在研磨后使用兩種層壓技術，已經發現有可能實現+-10微米且標準偏差為+-3微米的厚度控制。使用不需要進行減薄和平坦化的鉆填技術，電介質的厚度可以控制到+-7.5微米，所以雖然鉆填技術存在其它缺點，但是對于介電層厚度控制而言，鉆填技術是有利的。
[0063]參照圖6，在本發明中，在將介電材料層壓至金屬結構上時使用雙動壓機墊，該金屬結構可以是銅通孔柱和/或銅特征層。在一個實施方案中，雙動壓機墊由聚酯制成。用于此目的的一種特別有用的聚酯是聚對苯二甲酸乙二醇酯PET，膜形式的PET通常是BoPET(雙軸取向拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯)。為了防止粘住預浸料和壓機，在雙動壓機墊的一個表面并且優選兩個表面上涂覆硅氧烷。
[0064]BoPET (雙軸取向拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜具有高粘度和熱穩定性。它被廣泛用于電容器、繪圖材料、薄膜基材和錄音磁帶等。
[0065]聚對苯二甲酸丁二醇酯的性質示于下表中:
[0066]
【權利要求】
1.一種電子支撐結構，其包括層壓在介電材料內的銅子結構層，所述介電材料包括在聚合物基質中的連續玻璃纖維，其特征在于，介電材料層是無孔隙的，并且每個介電材料層的厚度控制在預定厚度的+-3微米內，標準偏差小于I微米。
2.如權利要求1所述的電子支撐結構，其中所述銅子結構包括銅特征層和從所述銅特征層延伸的銅通孔層，其中每個介電材料層包括均包覆在所述介電材料內的所述銅特征層和所述銅通孔層，并且每個介電材料層的厚度在20微米至60微米的范圍內。
3.如權利要求2所述的電子支撐結構，其中相鄰的介電材料層具有相同的厚度+-3微米。
4.如權利要求1所述的電子支撐結構，其中所述聚合物基質包括選自熱固性樹脂和熱塑性樹脂中的聚合物樹脂。
5.如權利要求4所述的電子支撐結構，包括所述聚合物基質還包括無機填料。
6.—種多層電子支撐結構的外層,所述多層電子支撐結構的外層包括層壓在介電材料內的銅子結構，所述介電材料包括在聚合物基質中的連續玻璃纖維，其特征在于，介電材料層是無孔隙的并且具有20微米至60微米范圍內的厚度，其中在固化之后和進一步處理之前，所述介電材料層的特征在于具有平滑的上表面并且覆蓋最高的銅子結構的介電材料層不超過10微米厚。
7.如權利要求6所述的多層電子支撐結構的外層，其中所述最高的銅子結構是銅通孔柱，并且所述介電材料層覆蓋所述通孔柱的厚度不超過10微米。
8.—種制造多層電子支撐結構的方法，所述方法包括電鍍銅子結構；在所述銅子結構上層疊包括聚合物樹脂的介電預浸料；對離型膜施加200-600psi的壓力，所述離型膜的硬度高于所述預浸料的硬度，但低于固化樹脂的硬度；以及在保持壓力的同時通過固化循環進行加熱。
9.如權利要求8所述的方法，其中所述銅子結構包括銅通孔柱。
10.如權利要求9所述的方法，其中所述方法的特征在于所述固化樹脂具有高度平坦的表面，所述表面覆蓋所述通孔柱的端部的固化樹脂厚度小于10微米。
11.如權利要求8所述的方法，其中所述離型膜包括聚對苯二甲酸乙二醇酯PET。
12.如權利要求8所述的方法，其中所述離型膜具有至少25微米的厚度。
13.如權利要求8所述的方法，其中所述離型膜具有不大于75微米的厚度。
14.如權利要求8所述的方法，其中所述離型膜的至少一個表面上涂覆有硅氧烷。
15.如權利要求8所述的方法，其中所述離型膜的兩個表面上均涂覆有硅氧烷。
16.如權利要求8所述的方法，其中所述銅子結構包括特征層。
17.如權利要求8所述的方法，其中所述固化循環包括加熱至完全固化溫度和保持所述完全固化溫度30至90分鐘。
18.如權利要求8所述的方法，其中所述固化循環包括加熱至部分固化溫度并保持30至90分鐘，冷卻并施加選自機械、化學和化學機械加工的減薄及平滑化過程，然后再加熱至完全固化溫度持續30至90分鐘。
【文檔編號】H05K1/00GK103731970SQ201310157155
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年4月28日 優先權日:2012年10月15日
【發明者】卓爾·赫爾維茨, 陳先明, 黃士輔 申請人:珠海越亞封裝基板技術股份有限公司