專利名稱：電路基片的制造方法及其制造裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及電路基片的制造方法及其制造裝置。
近年來，隨著電子設備的小型化、高密度化，搭載電子部件的電路基片正從以往的單面基片向兩面基片及多層基片發展。因此，需要開發可將更多的電路集成在基片上的高密度電路基片。
在高密度電路基片中，正在研究采用可進行高速、微細加工的激光加工方法，取代迄今為止廣泛采用的通過鉆床加工對基片進行孔(通孔)加工的方法。特開平6-268345號公報提出了采用激光進行微細的孔加工及采用導電性糊劑(ペ-スト)連接部件進行層間連接的電路形成基片的方案。
在形成微細孔并用導電性糊劑將層間連接的技術中，微量的異物就會形成連接不良的原因。在該技術中，對粘附薄膜材料的基片材料進行開孔加工。該薄膜材料作為用于將導電性糊劑填充到微細孔中的掩模使用。因此，包括薄膜材料的整個基片必須保持潔凈。
但是，鉆床加工及激光加工兩者均會產生大量的加工屑。因此，會發生加工屑附著在基片材料上由加工屑堵塞連接用孔(通孔)等不良。另一方面，空氣中的微量的塵埃就有可能堵塞微細孔。在將導電性糊劑填充到孔中之前，要洗凈基片材料。在薄膜材料作為導電性糊劑充填用掩模使用后，要將粘附在基片材料上的薄膜材料自基片上剝離。因此，薄膜材料要以非常弱的強度粘附在基片材料上，使得薄膜材料易于自基片材料上剝離。
圖8A表示現有電路形成基片的制造方法中孔加工部平面圖，圖8B表示該孔加工部剖面圖。如圖8A、圖8B所示，粘附的聚對苯二甲酸乙酯(PET)片4a、4b在洗凈過程中粘接強度特別弱的部分有時會自基片材料1剝離。這種剝離發生在貫通孔(通孔)周圍時，連接用導電性糊劑31會浸入剝離部33內，因此相鄰的貫通孔間有可能發生短路32。
因此，洗凈基片材料1時，要注意不能給基片材料1帶來大的作用力，不能剝離薄膜材料4a、4b。但是，滿足這兩個條件是很困難的，不能充分地洗凈基片材料。
如上所述，在基片材料1上進行孔加工目的是使基片表面、背面或內層形成的電路相互連接。進行孔加工后，要進行鍍層加工及導電性糊劑的充填等連接部件的形成。
高密度電路基片中的孔及連接部件的尺寸非常微小。因此即使是微細的異物也會給連接部件的可靠性帶來重大的影響。所以，需要確實地清除異物。但是，現有的方法中，當大的作用力作用于基片材料1時，作為掩模的薄膜材料4a、4b會被剝離。因此，會失去作為掩模的功能，或者使導電性糊劑浸入基片材料。其結果，會發生絕緣可靠性惡化等問題。
本發明提供一種電路基片的制造方法及其制造裝置，可實現具有高品質微細孔的基片材料，成本低，且具有高的可靠性。
本發明電路基片的制造方法包括(a)將薄膜材料粘附在基片材料的表面并調制帶薄膜基片材料的工序，其中，所述薄膜材料貼附在所述基片材料的表面和背面中至少一個面上；(b)在所述帶薄膜基片材料上形成孔的工序，其中，所述孔包括貫通孔及非貫通孔中的至少一個，形成所述孔時，產生不需要品(unnecessary material)，所述不需要品附著在所述基片材料上，所述不需要品包括自由所述基片材料產生的變質部、變質物質及異物構成的群中選擇的至少一種；(c)在不使所述薄膜材料自所述基片材料剝離的前提下、將附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去的工序。
理想的是，所述電路基片的制造方法還包括(d)以所述薄膜材料為掩模，將導電性材料設置在形成于所述帶薄膜基片材料的所述孔中的工序；(e)自具有所述導電性材料的所述帶薄膜基片材料剝離所述薄膜材料的工序。
更理想的是，形成所述孔的工序包括通過照射激光形成孔的工序，由于該激光的照射產生所述不需要品。
理想的是，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液和超聲波振子的洗凈槽中，利用所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料選擇性除去的工序。
更理想的是，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括在所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間產生所述洗凈液的液流，一邊使液流接觸基片材料，一邊超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料。
更理想的是，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括在所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間設置板材的狀態下，超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料，利用所述板材控制到達所述帶薄膜基片材料的超聲波能的量。
更理想的是，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序，在利用板材夾持所述帶薄膜基片材料的狀態下，超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料。
更理想的是，在不自所述基片材料剝離所述薄膜材料的前提下，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括(ⅰ)將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液的洗凈槽中并選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的洗凈工序；(ⅱ)將除去所述不需要品的所述帶薄膜基片材料自所述洗凈槽中取出的工序；(ⅲ)除去自所述洗凈槽取出的所述帶薄膜基片材料上附著殘存的不需要品和洗凈液中的至少一種的工序，在所述(ⅰ)工序和所述(ⅲ)工序中至少一個工序中，加熱所述帶薄膜基片材料。
本發明的洗凈裝置自附著不需要品的帶薄膜基片材料除去所述不需要品。所述帶薄膜基片材料具有基片材料和粘接在所述基片材料上的作為掩模的薄膜材料，所述薄膜材料粘接在所述基片材料上，可自所述帶薄膜基片材料分離，所述不需要品在形成設在所述帶薄膜基片材料上的孔時產生，所述不需要品附著在所述帶薄膜基片材料上。
所述洗凈裝置包括洗凈槽；設置在所述洗凈槽中的洗凈液；設置在所述洗凈液中的超聲波振子；保持帶薄膜基片材料并將所述帶薄膜基片材料搬送到所述洗凈液中的投入裝置；不剝離所述薄膜材料自所述帶薄膜基片材料選擇性除去所述不需要品的選擇性除去機構。
所述選擇性除去機構包括自下述群中選擇的至少一個，該群中包括(ⅰ)在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子的上位置的所述帶薄膜基片材料之間產生水流的水流發生裝置；(ⅱ)設置在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子的上位置的所述帶薄膜基片材料之間的擴散板；(ⅲ)夾持所述帶薄膜基片材料的共振抑制板。
根據該結構，可得到潔凈并具有高品質微細孔的基片材料，可低成本地得到具有高的可靠性的電路基片。
附圖的簡要說明如下圖1A～圖1G是本發明實施例1的電路基片的制造方法的工序剖面圖；圖2是表示實施例1的粘接強度與水溫的關系的特性圖；圖3是取代圖1C的電路基片的制造方法的概略工序剖面圖；圖4是取代圖1C的電路基片的制造方法的概略工序剖面圖；圖5是本發明實施例2的電路基片的制造裝置的概略剖面圖；圖6是本發明實施例3的電路基片的制造裝置的概略剖面圖；圖7是本發明實施例4的電路基片的制造工序的流程圖；圖8A是現有電路基片的制造方法的孔加工部的平面圖，圖8B是孔加工部的剖面圖。
本發明電路基片的制造方法包括(a)將薄膜材料粘附在基片材料的表面并調制帶薄膜基片材料的工序，其中，所述薄膜材料貼附在所述基片材料的表面和背面中至少一個面上；(b)在所述帶薄膜基片材料上形成孔的工序，其中，所述孔包括貫通孔及非貫通孔中的至少一個，形成所述孔時，產生不需要品(unnecessary material)，所述不需要品附著在所述基片材料上，所述不需要品包括自由所述基片材料產生的變質部、變質物質及異物構成的群中選擇的至少一種；(c)在不使所述薄膜材料自所述基片材料剝離的前提下、將附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去的工序。
理想的是，所述電路基片的制造方法還包括(d)以所述薄膜材料為掩模，將導電性材料設置在形成于所述帶薄膜基片材料的所述孔中的工序；(e)自具有所述導電性材料的所述帶薄膜基片材料剝離所述薄膜材料的工序。
更理想的是，形成所述孔的工序包括通過照射激光形成孔的工序，由于該激光的照射產生所述不需要品。
所述不需要品包括由變質部、變質物質及異物構成的群中選擇的至少一種。
所述變質部由所述孔形成工序形成于所述基片材料的表面和所述孔的內壁。
所述變質物質包括在所述工序中或工序后，自所述基片材料游離后再次附著在所述基片材料上的粉狀物質或塊狀物質。
這樣，可形成所需貫通孔或非貫通孔，并得到潔凈的基片材料。
根據該制造方法，可實現潔凈的高品質的孔形成加工。并且可低成本地得到具有高可靠性的電路基片。
即使在由激光加工形成孔時，也可不失激光加工的高速性，得到具有優良的精度和潔凈性的電路基片。
理想的是，自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括通過超聲波洗凈具有所述不需要品的帶薄膜基片材料而選擇性除去所述不需要品的工序。所述超聲波洗凈在具有洗凈液和超聲波振子的水槽中進行洗凈。
更理想的是，自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括通過向所述帶薄膜基片材料噴吹氣體除去所述不需要品或水滴的吹風工序。
更理想的是，自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括使位于所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間的所述洗凈液產生液流，一邊使液流接觸基片材料，一邊驅動所述超聲波振子的工序。
這樣，使振動的聲場擴散。進而由超聲波振子產生的空穴作用(キヤビテ-シヨン)擴散。
因此，振動能被抑制，進而可抑制空穴作用給予帶薄膜基片用基材的損傷。從而，不用將薄膜材料自基片材料剝離即可選擇性地將不需要品自所述帶薄膜基片材料除去。其結果，得到潔凈的所需的孔形狀，進而可清潔帶薄膜基片材料。
理想的是，自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括在所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間設置板材，利用所述超聲波振子進行洗凈的工序。由此，控制帶給所述帶薄膜基片材料的振動能。通過控制振動能，抑制振動的聲場，可在不自帶薄膜基片材料剝離薄膜材料的情況下，將所述粉狀或塊狀的變質物質自所述基片材料選擇性地除去。其結果，可得到貫通孔或非貫通孔等的孔形狀。進而得到潔凈的帶薄膜基片材料。
理想的是，自所述基片材料除去所述不需要品的工序包括利用板材夾持所述帶薄膜基片材料，并利用超聲波振子進行洗凈的工序。或者自所述基片材料除去所述不需要品的工序包括在將板材貼附在所述基片材料的單側的狀態下，利用超聲波振子將所述帶薄膜基片材料洗凈的工序。由此抑制所述帶薄膜基片材料的共振，防止自所述基片材料和薄膜材料粘接強度弱的部分剝離薄膜材料，同時，可選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去變質物質。其結果，可得到所需貫通孔或非貫通孔等的孔形狀。進而使所述基片材料表面潔凈。
理想的是，使洗凈液產生流動的工序包括使用泵，并將水流的流速、量、方向控制在所需值的工序。
理想的是，使洗凈液產生流動的排出裝置包括縫隙狀排出口。由此，可不對作為被洗凈物的帶薄膜基片材料帶來沖擊，而在超聲波振子的整個有效區域產生水流。
理想的是，排出裝置具有噴頭狀排出口。由此，可容易地提高水壓。因此，即使在設置多聯振動子的情況下，也可產生到達所有振動子的全長的水流。
理想的是，排出裝置設置在多個部位。由此，可在需要的部分有效地產生水流。
理想的是，將平板設置在超聲波振子和帶薄膜基片材料之間。更理想的是，設置多張平板，平板的數量可控制。由此，可將超聲波振子的能量控制在所需水平。
理想的是，將波紋板設置在超聲波振子和帶薄膜基片材料之間。由此，超聲波振子的能量可大范圍擴散。
理想的是，具有駐波的1/4波長以下的直徑的至少一個孔設置在超聲波振子和帶薄膜基片材料之間。由此，可抑制空穴作用(cavitation)的影響，有效地得到超聲波振子的沖擊波。
理想的是，將金屬制的板設置在超聲波振子和帶薄膜基片材料之間。由此，可減少超聲波的沖刷(erosion)的影響，其結果，可延長裝置的壽命。
理想的是，將多張薄板設置在超聲波振子和帶薄膜基片材料之間。由此，可容易地控制聲壓。
理想的是，使用內部具有空氣層或氣泡的板作為夾持基片材料的板。由此，可抑制所述基片材料的共振。
理想的是，除去所述不需要品的工序包括在由板夾持帶薄膜基片材料之前用洗凈液浸濕所述帶薄膜基片材料的工序。由此，所述帶薄膜基片材料和板通過咬口(linking)牢固地緊密粘接。因此，顯著地抑制共振。并且，進入孔中的洗凈液具有清洗孔內的作用。
理想的是，超聲波振子具有9.55×1010μPa以上的聲壓，板設置在帶薄膜基片材料和超聲波振子之間。由此，可抑制聲壓，得到良好的孔形狀的條件的適應性變得容易。
理想的是，超聲波振子具有4.78×1010μPa至9.55×1010μPa范圍的聲壓，板設置在帶薄膜基片材料和超聲波振子之間。由此，可在不自帶薄膜基片材料剝離薄膜材料的情況下，得到良好的孔形狀。
理想的是，自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括在放入水槽的液體中洗凈所述帶薄膜基片材料的工序，和通過噴吹氣體除去附著在所述帶薄膜基片材料上的不需要品或水滴的吹風工序。或者，自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括在放入水槽的液體中洗凈所述帶薄膜基片材料的工序，和利用旋轉刷等除去附著在所述帶薄膜基片材料上的不需要品的機械清洗工序。所述洗凈工序、吹風工序和機械清洗工序中至少一個工序包括用加熱部件加熱所述帶薄膜基片材料的工序。通過添加加熱所述帶薄膜基片材料的工序，可防止薄膜材料在工序過程中自所述帶薄膜基片材料剝離。
理想的是，自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的工序包括在所述洗凈工序或吹風工序或機械清洗工序之前加熱所述帶薄膜基片材料的、采用預加熱部件進行預加熱的工序。由此，在各工序施加作用力之前，強化了薄膜材料和基片材料的粘接強度。其結果，可防止薄膜材料自帶薄膜基片材料剝離。
理想的是，用于所述帶薄膜基片材料的薄膜具有設置在貼附于基片材料的面上的熱硬性樹脂層。
理想的是，所述洗凈工序使用的液體被加熱。由此，可防止薄膜材料在洗凈中自帶薄膜基片材料剝離。
理想的是，所述吹風工序使用的氣體被加熱。由此，可強化帶薄膜基片材料的粘接強度。其結果，可防止風壓引起的薄膜材料的剝離。
理想的是，貼附工序后的基片材料和薄膜材料的緊密粘接強度具有與溫度成比例的物性。由加熱部件加熱的帶薄膜基片材料的加熱溫度是所述薄膜材料自第一溫度至第二溫度的范圍。第一溫度是在包括搬送的洗凈工序或吹風工序中、薄膜材料不會因施加在帶薄膜基片材料上的機械作用力或物理作用而自基片材料剝離的溫度，是可得到相當于剝離界限的緊密粘接強度的溫度。第二溫度是基片材料的耐熱溫度或薄膜材料的耐熱溫度或導致所需物性變化的臨界溫度。由此，可不損壞基片材料和薄膜材料的物性而得到具有優良性能的電路形成基片。
理想的是，基片材料將熱硬性樹脂含浸在補強材料中，具有B級的半固化浸膠物。由此，即使對于熱硬性樹脂含有未硬化成分的基片材料，也可使水分的影響達到最小限度。
理想的是，所述補強材料包括玻璃纖維織布或不織布。由此，可減輕熱硬性樹脂和補強材料的加工速度之差引起的孔內壁的凹凸。
理想的是，所述補強材料包括芳香族聚酰胺纖維制造的織布或不織布。芳香族聚酰胺纖維制造的織布或不織布具有優良的激光加工性，容易進行孔加工。即使在由激光加工時的熱熔融的熱硬性環氧樹脂作為具有粘接性的加工屑殘存于貫通孔內的情況下，也可進行有效的清洗。
理想的是，所述液體是水或精制的純水。由此，由于水的成本低，故制造工序的運轉成本低。并且，由于蒸發的水對人體無害，故不需要液體的回收裝置，制造裝置的成本低。
理想的是，所述液體為有機溶劑。通過使用具有所需沸點的有機溶劑，使不需要品除去工序后的基片材料的干燥工序變得容易。
理想的是，所述電路基片的制造方法還包括在所述貫通孔或非貫通孔設置將電路形成基片的表面上形成的表面電路或內部形成的內部電路相互連接的連接部件的工序。由此，可得到多層電路基片。
更理想的是，形成所述連接部件的工序包括將含有導電性粒子的糊劑填充到形成于基片材料上的所述孔中的工序。由此，由于孔的內壁具有少的凹凸形狀，加工粉也不會附著在孔內，故糊劑可良好地填充在孔中。
理想的是，形成所述連接部件的工序包括在所述孔進行鍍層加工的工序，由于孔的內壁凹凸形狀少，加工粉也不附著，故可提高鍍層的附著性。
理想的是，所述電路基片的制造方法還包括將所述帶薄膜基片材料保持在板材上并搬送到超聲波振子之上的工序。理想的是，該板材具有大于超聲波振子和基片材料各自面積的面積。由此，可抑制帶薄膜基片材料的共振，可連續地洗凈帶薄膜基片材料。
在由所述板材夾持所述帶薄膜基片材料的工序中，所述板材具有大于所述基片材料的面積的面積的面。由此，可確實地抑制基片材料的共振。
本發明的一個實施例的電路基片的制造裝置包括上述制造方法的說明中使用的裝置。
本發明的洗凈裝置自附著不需要品的帶薄膜基片材料除去所述不需要品。所述帶薄膜基片材料具有基片材料和粘接在所述基片材料上的作為掩模的薄膜材料，所述薄膜材料粘接在所述基片材料上，可自所述帶薄膜基片材料分離，所述不需要品在形成設在所述帶薄膜基片材料上的孔時產生，所述不需要品附著在所述帶薄膜基片材料上。
所述洗凈裝置包括洗凈槽；設置在所述洗凈槽中的洗凈液；設置在所述洗凈液中的超聲波振子；保持帶薄膜基片材料并將所述帶薄膜基片材料搬送到所述洗凈液中的投入裝置；不剝離所述薄膜材料自所述帶薄膜基片材料選擇性除去所述不需要品的選擇性除去機構。
所述選擇性除去機構包括自下述群中選擇的至少一個，該群中包括(ⅰ)產生與所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料接觸的水流的水流發生裝置；(ⅱ)設置在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料之間的擴散板；(ⅲ)夾持所述帶薄膜基片材料的共振抑制板。
根據該結構，可得到潔凈并具有高品質微細孔的基片材料，可低成本地得到具有高的可靠性的電路基片。
理想的是，保持在所述投入裝置的所述帶薄膜基片材料自距所述超聲波振子規定距離的上方通過，所述選擇性除去機構具有夾持所述帶薄膜基片材料的所述共振抑制板，所述搬送機構兼作所述共振抑制板，所述共振抑制板具有控制超聲波振子產生的超聲波能的功能。
更理想的是，所述共振抑制板具有與所述基片材料同等以上的面積。
更理想的是，所述投入裝置具有上傳送帶和下傳送帶，所述上傳送帶具有多個第一共振抑制板，所述下傳送帶具有多個第二共振抑制板，所述各個多個第一共振抑制板和所述各個多個第二共振抑制板夾持所述帶薄膜基片材料并通過所述超聲波元件的上方。
更理想的是，所述選擇性除去機構具有在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料之間產生水流的所述水流發生裝置，所述水流發生裝置包括水中泵。
所述水流具有可將滯留于帶薄膜基片材料附近的聲場確實地擴散的作用。并且，具有將所述超聲波振子產生的空穴作用以不到達所述帶薄膜基片材料的方式擴散的功能。
下面，根據


本發明的典型實施例。
典型實施例1圖1A～圖1G是本發明的一個實施例的電路基片的制造方法的工序剖面圖，表示多層電路基片的制造工序。圖1A中，基片材料1呈具有250nm角、厚度約150μm的形狀，具有作為絕緣材料的功能。基片材料1包括例如將熱硬性環氧樹脂3(以下稱作環氧樹脂)含浸于作為補強材料的由芳香族聚酰胺纖維2(以下稱作聚酰胺纖維)制成的不織布的樹脂含浸材料。環氧樹脂3未完全硬化，包括未硬化成分。也就是說，該樹脂含浸材料具有B級(ステ-ジ)狀態。因此基片材料1通常稱作半固化浸膠物(プリプ レゲ)。
薄膜材料4a、4b厚度具有約10μm。熱硬性環氧樹脂或具有硅化合物的分模劑的分模層涂敷在該薄膜材料的單側面上，該薄膜材料4a、4b可自基片材料剝離。更理想的是分模劑采用熱硬性環氧樹脂。薄膜材料4a、4b例如使用樹脂材料，使用聚對苯二甲酸乙酯(以下稱作PET)。該薄膜材料4a、4b用作掩模薄膜，使用后，在后工序剝離、廢棄。因此，，薄膜材料4a、4b以較弱的強度粘接在基片材料1上。薄膜材料4a、4b和基片材料1的粘接強度例如為剝皮(ピ-ル)強度的約1g/cm寬度。由此制作粘接有薄膜材料4a、4b的帶薄膜基片材料51。
接著，如圖1B所示，用激光9照射粘接有薄膜材料4a、4b的基片材料1，在薄膜材料和基片上形成貫通孔10。此時，包含于基片材料1的熱硬性環氧樹脂和聚酰胺纖維的大部分受熱升華而向周圍飛散。但是，熱硬性環氧樹脂和聚酰胺纖維的一部分未完全升華，而作為變質部11殘存在孔10的壁面上。該變質部11具有硬而脆的性質。另外，聚酰胺纖維與熱硬性環氧樹脂比具有較高的耐熱性。聚酰胺纖維激光加工的速度較低。因此，聚酰胺纖維未完全升華，而殘存在孔中。孔10的內壁形成如圖所示的凹凸形狀。另一方面，飛散在孔的周圍的熱硬性環氧樹脂和聚酰胺纖維的一部分形成作為變質物質的加工粉12，該加工粉12附著在基片材料1的表面或貫通孔10的內部。這樣的變質部11和變質物質12是基片材料不需要的不需要品。
如圖1C所示，將洗凈液19和超聲波振子13置于水槽中，在該水槽中浸泡帶孔10的帶薄膜基片材料51。洗凈液19的溫度保持在60℃。洗凈液的液流由泵18產生。同時，超聲波振子13被驅動。在該狀態下，將帶薄膜基片材料51接近超聲波振子13。泵18的排出口最好位于帶薄膜基片材料51和超聲波振子13之間。洗凈液的液流最好位于帶薄膜基片材料51和超聲波振子13之間。由此，利用超聲波振子13放射的聲波能量使帶薄膜基片材料51振動。然后，使變質部11及加工粉12自基片材料1脫落、剝離。從而，將變質部11及加工粉12等不需要品自帶薄膜基片材料51除去。
這樣，如圖1D所示，得到具有良好的孔形狀的帶薄膜基片材料51。
另外，本實施例中薄膜材料4a、4b和基片材料1的粘接強度和溫度的關系示于圖2。由于在不需要品的除去工序中，使用了B級狀態的熱硬性環氧樹脂，故最好施加不使所含有的環氧硬化的范圍的熱量。由此，薄膜材料4a、4b和基片材料1的粘接力顯著提高，使帶薄膜基片材料51整體的剝皮強度提高。
通過使洗凈液的液流發生在帶薄膜基片材料51和超聲波振子13之間，可防止形成薄膜材料和基片材料的剝離的原因的空穴的滯留。空穴為由超聲波振子的驅動發生在超聲波振子的附近的微細氣泡。并且，通過洗凈液的液流，使聲壓擴散，控制振動能。因此，可防止由空穴及聲壓使薄膜材料自基片材料剝離，同時，選擇性地自帶薄膜基片材料51除去硬而脆的變質部11及加工粉12等不需要品。
另外，也可采用多聯使用多個超聲波振子的結構。這種情況下，洗凈液液流的排出口最好采用與多個超聲波振子相同的數量。由此，使液流的強度變弱，可提高防止薄膜材料和基片材料的剝離的效果。
另一方面，作為圖1C的不需要品的除去工序，如下的除去工序也有效。
理想的是，超聲波振子13產生的振蕩的聲壓為9.55×1010μPa。
圖3表示本實施例的其他不需要品除去工序。圖3中，擴散板17設置在超聲波振子13和帶薄膜基片材料51之間。這種情況下，超聲波振子13產生的振蕩的聲壓控制在4.78×1010μPa至9.55×1010μPa的范圍。由此，可防止薄膜材料4a、4b自基片材料1剝離，并且，可選擇性地除去硬而脆的變質部11及加工粉12等不需要品。
圖4表示本實施例的另外的不需要品除去工序。圖4中，帶薄膜基片材料51預先由洗凈液浸濕。其后，該浸濕的帶薄膜基片材料51由共振抑制板20夾持。由該共振抑制板20夾持的帶薄膜基片材料51靠近洗凈液中的超聲波振子。在該狀態下，進行超聲波洗凈。
帶薄膜基片材料51例如通過噴頭由洗凈液浸濕。
通過由共振抑制板20夾持帶薄膜基片材料51，使基片材料1和薄膜材料4a、4b形成剛體，抑制了基片材料1和薄膜材料4a、4b的粘接強度弱的部分的共振。因此可防止薄膜材料4a、4b自基片材料1上浮起。此時，預先浸濕時，洗凈液充滿貫通孔10內。因此，使超聲波到達孔的內部，可選擇性地以良好的效率除去硬而脆的變質部11及加工粉12等不需要品。
然后，如圖1E所示，采用印刷等方法，將作為導電性材料的導電性糊劑14充填到貫通孔10內。這種情況下，薄膜材料發揮作為掩模的功能。由于貫通孔10具有良好的形狀，故導電性糊劑14可順暢地、不受阻礙地完全充填到貫通孔10的內部。在導電性糊劑14充填到貫通孔10的內部后，作為掩模的薄膜材料4a、4b自基片材料1剝離。
之后，如圖1F所示，由上金屬箔15a和下金屬箔15b構成的金屬箔15將具有導電性糊劑14的基片材料1夾住。然后，該基片材料51和金屬箔15通過熱壓裝置(未圖示)加熱加壓。由此，形成具有導電性糊劑14的基片材料1，同時，利用導電性糊劑14將上金屬箔15a和下金屬箔15b電連接。然后，將上金屬箔15a和下金屬箔15b中的至少一個金屬箔制圖成所需的形狀。從而形成如圖1G所示的電路圖形16。圖1G表示在基片材料1的兩面上具有電路圖形的兩面電路基片。
如上所述，本發明的洗凈裝置自附著不需要品的帶薄膜基片材料除去所述不需要品。所述帶薄膜基片材料具有基片材料和粘接在所述基片材料上的作為掩模的薄膜材料，所述薄膜材料粘接在所述基片材料上，可自所述帶薄膜基片材料分離，所述不需要品在形成設在所述帶薄膜基片材料上的孔時產生，所述不需要品附著在所述帶薄膜基片材料上。
所述洗凈裝置包括
洗凈槽；設置在所述洗凈槽中的洗凈液；設置在所述洗凈液中的超聲波振子；保持帶薄膜基片材料并將所述帶薄膜基片材料搬送到所述洗凈液中的投入裝置；不剝離所述薄膜材料自所述帶薄膜基片材料選擇性除去所述不需要品的選擇性除去機構。
所述選擇性除去機構包括自下述群中選擇的至少一個，該群中包括(ⅰ)產生與所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料接觸的水流的水流發生裝置；(ⅱ)設置在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料之間的擴散板；(ⅲ)夾持所述帶薄膜基片材料的共振抑制板。
理想的是，保持在所述投入裝置的所述帶薄膜基片材料自距所述超聲波振子規定距離的上方通過，所述選擇性除去機構具有夾持所述帶薄膜基片材料的所述共振抑制板，所述搬送機構兼作所述共振抑制板，所述共振抑制板具有控制超聲波振子產生的超聲波能的功能。
理想的是，所述共振抑制板具有與所述基片材料同等以上的面積。
理想的是，所述共振抑制板包括內部具有空氣層和氣泡中的至少一者的板。
理想的是，所述選擇性除去機構具有在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料之間設置的擴散板，所述擴散板具有控制所述超聲波振子產生的聲壓的功能。
理想的是，所述擴散板包括自平板、波紋板及金屬板構成的群中選擇的至少一種。
理想的是，所述擴散板具有多張薄板。
理想的是，所述制造裝置還包括除去附著在自所述洗凈槽中取出的所述帶薄膜基片材料上的、殘存的不需要品和洗凈液中至少一種的另外的除去裝置。
所述另外的除去裝置包括下列裝置中的至少一種(a)通過向殘存于所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗凈液噴吹氣體而將其除去的吹風裝置，(b)利用旋轉刷進行除去的機械清洗裝置。
理想的是，洗凈液使用水或純水。
另外，在本實施例中說明了兩面電路基片，但通過多次重復上述工序，可得到多層電路基片。也就是說，通過層積多個具有金屬箔電路圖形的基片材料可得到多層配線基片。
如上所述，可容易地在貼附作為掩模的薄膜材料的基片材料上形成高精度的孔。并且，可不自帶薄膜基片材料剝離薄膜材料而選擇性地、可靠地除去異物等不需要品。因此，可將薄膜材料作為掩模，高精度地將導電性材料設置在孔中。其結果，可得到低成本高可靠性的電路基片。尤其是，通過照射激光可高速形成高精度的孔。并且，可容易地除去該激光照射產生的變質物和異物。因此可得到具有高速加工性及高品質兩種性能的電路基片。
典型實施例2圖5表示本發明的一個實施例的電路基片的制造裝置的說明圖。圖5中，兼作搬送板的共振抑制板21兼有傳送帶32、34的功能。連續移動多個共振抑制板21。具有多個共振抑制板21的傳送帶包括上傳送帶32和下傳送帶34。洗凈液19和超聲波振子13設置在洗凈槽30中。在下傳送帶34上由投入裝置22依次載置帶薄膜基片材料51。載置該帶薄膜基片材料51的下傳送帶34依次向超聲波洗凈槽內移動。此時，上傳送帶32的共振抑制板21移動并將載置于下傳送帶34上的帶薄膜基片材料51夾住。在該狀態下，驅動超聲波振子13。由此，利用超聲波將殘存于帶薄膜基片材料51上的不需要品除去。這樣，使夾住帶薄膜基片材料51的共振抑制板21在洗凈槽中移動。將不需要品自基片材料除去后，利用取出裝置23取出帶薄膜基片材料51。
這樣，自帶薄膜基片材料51自動、連續地除去不需要品。從而，得到具有優良效率的電路基片的制造裝置。
典型實施例3
圖6表示另一個實施例的電路基片的制造裝置。圖6中，將洗凈液19、超聲波振子13及水流發生裝置18設置在洗凈槽30中。作為水流發生裝置的水中泵18設置在洗凈液19中。水中泵18產生洗凈液的液流。載置帶薄膜基片材料51的搬送裝置25向洗凈液19中運送，并在洗凈液19中移動。帶薄膜基片材料51具有基片材料1、薄膜材料4a、4b和變質部11及加工粉12。變質部11及加工粉12等不需要品在形成貫通孔10時生成，具有硬而脆的性質。水中泵18的排出口設置于使液流在超聲波振子13和帶薄膜基片材料51之間流動的位置。該結構中，利用超聲波振子在超聲波振子的附近產生空穴。空穴沿洗凈液的液流擴散。或者，超聲波振子產生的振動能擴散。因此，可防止空穴作用于帶薄膜基片材料51。或者控制振動能。因此，可防止薄膜材料4a、4b因空穴或振動能而自基片材料1剝離。另一方面，超聲波振子產生的振動能選擇性地除去帶薄膜基片的變質部11及加工粉12。因此，可防止薄膜材料4a、4b自基片材料1剝離，同時除去不需要品。其結果，可得到高品質的電路基片。
理想的是，所述水中泵具有縫隙狀排出口和噴頭形狀的排出口中至少一種排出口，所述排出口向所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間的方向產生水流。
理想的是，所述水流發生裝置具有設在所述洗凈槽中多個部位的排出口，各排出口向規定方向產生所述水流。
典型實施例4圖7表示還一個實施例的電路基片的制造裝置。圖7中，將洗凈液19設置在洗凈槽30中。將帶薄膜基片材料51向洗凈液19中運送，并使之在洗凈液19中移動。帶薄膜基片材料51具有基片材料1、薄膜材料4a、4b和變質部11及加工粉12。變質部11及加工粉12等不需要品在形成貫通孔10時生成，具有硬而脆的性質。在帶薄膜基片材料51在洗凈液中移動期間除去不需要品。然后，由取出裝置自洗凈液中取出帶薄膜基片材料。然后，向取出的帶薄膜基片材料噴吹氣體。氣體可使用空氣或氮氣等。利用噴吹該氣體的吹風工序，將殘存于帶薄膜基片材料上的變質物及異物等不需要品吹掉，除去。然后，將附著于帶薄膜基片材料上的洗凈液也除去。或者，由旋轉刷等機械洗凈裝置將殘存于帶薄膜基片材料上的不需要品及洗凈液除去。從而，將形成孔時產生的變質物及異物自帶薄膜基片材料上除去。另外，洗凈液最好是有機溶劑。另外，理想的是，在吹風工序或機械清洗工序之前預先將帶薄膜基片材料加熱至常溫以上的溫度。尤其理想的是，該加熱溫度在其作用不會使薄膜材料剝離的溫度至基片材料和薄膜材料的耐熱溫度及所需溫度的范圍內。由此，可顯著提高不需要品的除去效果。
典型實施例5所述典型實施例1、2、3的電路基片的制造方法及制造裝置也可還包括所述實施例4中所述的吹風工序或機械清洗工序。通過在典型實施例1、2、3所述的超聲波洗凈基礎上增加典型實施例的吹風工序或機械清洗工序，可顯著提高不需要品的除去效果。
在上述各典型實施例中，形成有貫通孔，但并不限于此，也可形成非貫通孔。并且，雖然使用了導電性糊劑，但并不限于此，也可使用鍍層等導電部件。這些情況下，也可得到與上述同樣的效果。
如上所述，根據本發明的電路形成基片的制造方法及制造裝置，可在貼附有作為掩模的薄膜材料的基片材料上形成高精度的孔。并且，可在不使薄膜材料自帶薄膜基片材料剝離的情況下，選擇性地可靠地除去異物等不需要品。因此，可將薄膜材料作為掩模，高精度地在孔中設置導電性材料。其結果，可低成本地得到可靠性高的電路基片。
權利要求
1.一種電路基片的制造方法，包括(a)將薄膜材料粘附在基片材料的表面并調制帶薄膜基片材料的工序，其中，所述薄膜材料貼附在所述基片材料的表面和背面中至少一個面上；(b)在所述帶薄膜基片材料上形成孔的工序，其中，所述孔包括貫通孔及非貫通孔中的至少一個，形成所述孔時，產生不需要品，所述不需要品附著在所述基片材料上，所述不需要品包括自由所述基片材料產生的變質部、變質物質及異物構成的群中選擇的至少一種；(c)在不使所述薄膜材料自所述基片材料剝離的前提下、將附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去的工序。(d)以所述薄膜材料為掩模，將導電性材料設置在形成于所述帶薄膜基片材料的所述孔中的工序；(e)自具有所述導電性材料的所述帶薄膜基片材料剝離所述薄膜材料的工序。
2.如權利要求1所述的電路基片的制造方法，其中，形成所述孔的工序包括通過照射激光形成所述孔的工序，照射所述激光時產生所述不需要品。
3.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，還包括(f)在具有所述導電性材料的所述基片材料的表面和背面的至少一個面上設置金屬箔圖形配線的工序，所述金屬箔圖形配線與所述導電性材料導通。
4.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，所述薄膜材料設置在所述基片材料的所述表面和所述背面兩個面上，所述孔包括貫通所述帶薄膜基片材料的表面和背面。
5.如權利要求4所述的電路基片的制造方法，其中，還包括(f)在具有所述導電性材料的所述基片材料的表面上設置第一金屬箔圖形配線的工序和在背面設置第二金屬箔圖形配線的工序，所述第一金屬箔圖形配線和所述第二金屬箔圖形配線與所述導電性材料導通。
6.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液和超聲波振子的洗凈槽中，同時，利用所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料選擇性除去的工序。
7.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液和超聲波振子的洗凈槽中，同時，利用所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料選擇性除去的工序；在所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間產生所述洗凈液的液流，一邊使液流接觸基片材料，一邊超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料。
8.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括(ⅰ)將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液和超聲波振子的洗凈槽中，同時，利用所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料選擇性除去的工序；(ⅱ)將除去所述不需要品的所述帶薄膜基片材料自所述洗凈槽中取出的工序；(ⅲ)向自所述洗凈槽取出的所述帶薄膜基片材料噴吹氣體、從而將附著在所述帶薄膜基片材料上的殘存的不需要品和洗凈液中的至少一種除去的工序；在所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間產生所述洗凈液的液流，一邊使液流與所述基片材料接觸，一邊超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料。
9.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液和超聲波振子的洗凈槽中，同時，利用所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料選擇性除去的工序；在所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間設置板材的狀態下，超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料，利用所述板控制到達所述帶薄膜基片材料的超聲波能的量。
10.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括(ⅰ)將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液和超聲波振子的洗凈槽中，同時，利用所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料選擇性除去的工序；(ⅱ)將除去所述不需要品的所述帶薄膜基片材料自所述洗凈槽中取出的工序；(ⅲ)向自所述洗凈槽取出的所述帶薄膜基片材料噴吹氣體、從而將附著在所述帶薄膜基片材料上的殘存的不需要品和洗凈液中的至少一種除去的工序；在所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間設置板材的狀態下，超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料，利用所述板控制到達所述帶薄膜基片材料的超聲波能的量。
11.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液和超聲波振子的洗凈槽中，同時，利用所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料選擇性除去的工序；在利用板夾持所述帶薄膜基片材料的狀態下，超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料。
12.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液和超聲波振子的洗凈槽中，同時，利用所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料選擇性除去的工序；在將板材貼附在所述帶薄膜基片材料的單側的狀態下，超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料。
13.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括(ⅰ)將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液和超聲波振子的洗凈槽中，同時，利用所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料選擇性除去的工序；(ⅱ)將除去所述不需要品的所述帶薄膜基片材料自所述洗凈槽中取出的工序；(ⅲ)向自所述洗凈槽取出的所述帶薄膜基片材料噴吹氣體、從而將附著在所述帶薄膜基片材料上的殘存的不需要品和洗凈液中的至少一種除去的工序；在利用板夾持所述帶薄膜基片材料的狀態及將板貼附在所述帶薄膜基片材料的單側的狀態中的至少一種狀態下，超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料。
14.如權利要求7所述的電路基片的制造方法，其中，所述洗凈液的所述液流由具有排出口和泵的排出裝置產生。
15.如權利要求7所述的電路基片的制造方法，其中，所述洗凈液的所述液流利用自縫隙狀排出口排出的洗凈液進行循環。
16.如權利要求7所述的電路基片的制造方法，其中，所述洗凈液的所述液流利用自噴頭狀排出口排出的洗凈液進行循環。
17.如權利要求7所述的電路基片的制造方法，其中，所述洗凈液的所述液流利用自多個排出口排出的洗凈液進行循環。
18.如權利要求9所述的電路基片的制造方法，其中，所述板包括平板。
19.如權利要求9所述的電路基片的制造方法，其中，所述板包括波紋板。
20.如權利要求9所述的電路基片的制造方法，其中，所述板包括平板和波紋板中的至少一種，所述板具有至少一個駐波的1/4波長以下的直徑的孔。
21.如權利要求9所述的電路基片的制造方洗其中，所述板材包括金屬。
22.如權利要求9所述的電路基片的制造方法，其中，所述板包括多個金屬薄板。
23.如權利要求13所述的電路基片的制造方法，其中，所述板內部具有空氣層和氣泡中的至少一種。
24.如權利要求13所述的電路基片的制造方法，其中，選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序還包括在用所述板材夾持所述帶薄膜基片材料之前，用所述洗凈液浸濕所述帶薄膜基片材料的工序。
25.如權利要求6所述的電路基片的制造方法，其中，所述超聲波振子產生9.55×1010μPa以上的聲壓。
26.如權利要求6所述的電路基片的制造方法，其中，在選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序中在所述帶薄膜基片材料和所述超聲波振子之間設置板材，同時，超聲波洗凈所述帶薄膜基片材料，利用所述板材，使到達所述帶薄膜基片材料的聲壓在4.78×1010μPa至9.55×1010μPa的范圍內。
27.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，在不自所述基片材料剝離所述薄膜材料的前提下選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括(ⅰ)將所述帶薄膜基片材料浸漬于具有洗凈液的洗凈槽中并選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的洗凈工序；(ⅱ)將除去所述不需要品的所述帶薄膜基片材料自所述洗凈槽中取出的工序；(ⅲ)除去自所述洗凈槽取出的所述帶薄膜基片材料上附著的殘存不需要品和洗凈液中的至少一種的工序，在所述(ⅰ)工序和所述(ⅲ)工序中的至少一個工序中，加熱所述帶薄膜基片材料。
28.如權利要求27所述的電路基片的制造方法，其中，除去自所述洗凈槽取出的所述帶薄膜基片材料上附著的殘存不需要品和洗凈液中的至少一種的工序包括下列工序中的至少一種(a)向殘存于所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗凈液噴吹氣體從而將其除去的工序，和(b)利用旋轉刷除去殘存于所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗凈液的機械清洗工序。
29.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，還包括在不自所述基片材料剝離所述薄膜材料的前提下、選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序之前、對所述帶薄膜基片材料進行預加熱的工序。
30.如權利要求6所述的電路基片的制造方法，其中，還包括在不自所述基片材料剝離所述薄膜材料的前提下、選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序之前、對所述帶薄膜基片材料進行預加熱的工序。
31.如權利要求27所述的電路基片的制造方法，其中，在不自所述基片材料剝離所述薄膜材料的前提下、選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序還包括在由所述洗凈工序、所述吹風工序和所述機械清洗工序構成的群中選擇的至少一個工序之前，對所述帶薄膜基片材料進行預加熱的工序。
32.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，所述洗凈液加溫至常溫以上的溫度。
33.如權利要求6所述的電路基片的制造方法，其中，所述洗凈液加溫至常溫以上的溫度。
34.如權利要求27所述的電路基片的制造方法，其中，所述洗凈液加溫至常溫以上的溫度。
35.如權利要求8所述的電路基片的制造方法，其中，所述氣體被加溫。
36.如權利要求10所述的電路基片的制造方法，其中，所述氣體被加溫。
37.如權利要求13所述的電路基片的制造方法，其中，所述氣體被加溫。
38.如權利要求27所述的電路基片的制造方法，其中，所述帶薄膜基片材料的加熱溫度為自其作用不會使所述薄膜材料自所述帶薄膜基片材料剝離的溫度、至所述基片材料和所述薄膜材料的耐熱溫度及達到所需物性變化的溫度的溫度范圍。
39.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，所述基片材料具有補強材料和含浸于所述補強材料中的熱硬性樹脂，所述基片材料包括B級化的半固化浸膠物。
40.如權利要求39所述的電路基片的制造方法，其中，所述補強材料包括玻璃纖維制成的織布及不織布中的至少一種。
41.如權利要求39所述的電路基片的制造方法，其中，所述補強材料包括芳香族聚酰胺纖維制成的織布及不織布中的至少一種。
42.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，所述洗凈液包括水及精制的純水中的至少一種。
43.如權利要求27所述的電路基片的制造方法，其中，所述洗凈液包括有機溶劑。
44.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，在所述孔設置所述導電性材料的工序包括向所述孔充填導電性糊劑的工序。
45.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，在所述孔設置所述導電性材料的工序包括在所述孔形成具有導電性的鍍層的工序。
46.如權利要求6所述的電路基片的制造方法，其中，在不自所述基片材料剝離所述薄膜材料的前提下、選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括使由具有與所述基片材料同等以上面積的搬送機構保持的所述帶薄膜基片材料、通過距所述超聲波振子規定距離的位置，同時，利用所述超聲波振子產生的振動能，自所述帶薄膜基片材料除去所述不需要品的工序。
47.如權利要求6所述的電路基片的制造方法，其中，在不自所述基片材料剝離所述薄膜材料的前提下、選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著在所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序包括使所述孔位于所述超聲波振子的上方，同時，利用由所述超聲波振子產生的振動能，將所述不需要品自所述帶薄膜基片材料除去的工序。
48.如權利要求3所述的電路基片的制造方法，其中，層積多個具有所述金屬箔配線圖形的所述基片材料，調制多層配線基片。
49.如權利要求2所述的電路基片的制造方法，其中，所述薄膜材料包括設置在該薄膜材料的單面和兩面中至少一個面上的熱硬性樹脂層。
50.一種洗凈裝置，自附著不需要品的帶薄膜基片材料除去所述不需要品，所述帶薄膜基片材料具有基片材料和粘接在所述基片材料上的作為掩模的薄膜材料，所述薄膜材料粘接在所述基片材料上，可自所述帶薄膜基片材料剝離，所述不需要品在形成設在所述帶薄膜基片材料上的孔時產生，所述不需要品附著在所述帶薄膜基片材料上，所述洗凈裝置包括洗凈槽；設置在所述洗凈槽中的洗凈液；設置在所述洗凈液中的超聲波振子；保持帶薄膜基片材料并將所述帶薄膜基片材料搬送到所述洗凈液中的投入裝置；不剝離所述薄膜材料自所述帶薄膜基片材料選擇性除去所述不需要品的選擇性除去機構，所述選擇性除去機構包括自下述群中選擇的至少一個，該群中包括(ⅰ)產生接觸所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料的洗凈液的液流的水流發生裝置；(ⅱ)設置在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料之間的擴散板；(ⅲ)夾持所述帶薄膜基片材料的共振抑制板。
51.如權利要求50所述的洗凈裝置，其中，保持在所述投入裝置的所述帶薄膜基片材料自距所述超聲波振子規定距離的上方通過，所述選擇性除去機構具有夾持所述帶薄膜基片材料的所述共振抑制板，所述搬送機構兼作所述共振抑制板，所述共振抑制板具有控制超聲波振子產生的超聲波能的功能。
52.如權利要求5l所述的洗凈裝置，其中，所述共振抑制板具有與所述基片材料同等以上的面積。
53.如權利要求51所述的洗凈裝置，其中，所述共振抑制板包括內部具有空氣層和氣泡中至少一者的板。
54.如權利要求5l所述的洗凈裝置，其中，所述投入裝置具有上傳送帶和下傳送帶，所述上傳送帶具有多個第一共振抑制板，所述下傳送帶具有多個第二共振抑制板，所述各個多個第一共振抑制板和所述各個多個第二共振抑制板夾持所述帶薄膜基片材料并通過所述超聲波元件的上方。
55.如權利要求50所述的洗凈裝置，其中，所述選擇性除去機構具有在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料之間產生洗凈液液流的所述水流發生裝置。
56.如權利要求55所述的洗凈裝置，其中，所述水流發生裝置包括水中泵，所述水中泵具有縫隙狀排出口和噴頭狀排出口中的至少一種排出口，所述排出口向所述超聲波振子和所述帶薄膜基片材料之間的方向產生所述洗凈液的液流。
57.如權利要求55所述的洗凈裝置，其中，所述水流發生裝置具有設置在所述洗凈槽中的多個部位的排出口，各個排出口向規定的方向產生所述洗凈液的液流。
58.如權利要求50所述的洗凈裝置，其中，所述選擇性除去機構包括水流發生裝置，在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料之間產生洗凈液的液流；共振抑制板，夾持所述帶薄膜基片材料，所述洗凈液的液流具有擴散所述超聲波振子產生的空穴和聲場中的至少一者的功能，所述共振抑制板具有控制超聲波振子產生的超聲波能的功能。
59.如權利要求50所述的洗凈裝置，其中，所述選擇性除去機構具有設置在所述超聲波振子和位于所述超聲波振子之上位置的所述帶薄膜基片材料之間的擴散板；所述擴散板具有控制所述超聲波振子產生的聲壓的功能。
60.如權利要求59所述的洗凈裝置，其中，所述擴散板包括自由平板、波紋板及金屬板構成的群中選擇的至少一種。
61.如權利要求59所述的洗凈裝置，其中，所述擴散板包括多張薄板。
62.如權利要求50所述的洗凈裝置，其中，所述聲壓具有4.78×1010μPa至9.55×1010μPa的范圍。
63.如權利要求50所述的洗凈裝置，其中，還包括將除去所述不需要品的所述帶薄膜基片材料自所述洗凈槽中取出的取出裝置；除去附著在自所述洗凈槽取出的所述帶薄膜基片材料上的殘存不需要品和洗凈液中的至少一種的洗凈裝置。
64.如權利要求50所述的洗凈裝置，其中，還包括除去附著在自所述洗凈槽取出的所述帶薄膜基片材料上的殘存不需要品和洗凈液中的至少一種的另外的除去裝置，所述另外的除去裝置具有(a)通過向殘存于所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗凈液噴吹氣體從而將其除去的吹風裝置和(b)利用旋轉刷將殘存于所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品和所述洗凈液除去的機械洗凈裝置中的至少一種。
65.如權利要求50所述的洗凈裝置，其中，還包括用于加熱所述帶薄膜基片材料的預加熱裝置，所述預加熱裝置對投入所述洗凈液中之前的所述帶薄膜基片材料進行加熱。
66.如權利要求64所述的洗凈裝置，其中，還包括用于加熱所述帶薄膜基片材料的預加熱裝置，所述加熱裝置對投入所述吹風裝置和所述機械洗凈裝置中的至少一種之前的所述帶薄膜基片材料進行加熱。
全文摘要
一種電路基片的制造方法及其裝置,除去形成孔時產生的變質物和異物,得到潔凈的高品質的電路基片。電路基片的制造方法包括:(a)將作為掩模的薄膜材料貼附在基片材料表面并調制帶薄膜基片材料的工序;(b)通過照射激光在所述帶薄膜基片材料上形成孔的工序;(c)通過超聲波洗凈,在不自所述基片材料剝離所述薄膜材料的前提下,選擇性地自所述帶薄膜基片材料除去附著于所述帶薄膜基片材料上的所述不需要品的工序。
文檔編號H05K3/00GK1304280SQ0013486
公開日2001年7月18日 申請日期2000年12月6日 優先權日1999年12月17日
發明者岸本邦雄, 西井利浩, 竹中敏昭, 中村真治, 三浦章宏 申請人:松下電器產業株式會社