基于mems寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器，包括MEMS寬頻帶相位檢測器、溫度補償電阻R、直流自動增益控制AGC放大器、第一壓控振蕩器VCO1、第二壓控振蕩器VCO2、第一可變電阻R1和第二可變電阻R2、除法器。本發明的有益效果為：倍頻器具有寬頻帶特性，可以實現對不同頻率的參考信號的倍頻；通過可變電阻對壓控振蕩器電壓的控制和對直流自動增益控制AGC放大器增益的控制，實現對參考信號和反饋信號的同步調節，即便在電路存在波動的情況下也能實現倍頻；具有溫度補償特性，在溫度發生變化時，能夠消除溫度變化對倍頻器狀態的影響，具有溫度穩定性；結構簡單新穎，操作方便，與GaAs單片微波集成電路兼容。
【專利說明】
基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器
技術領域
[0001] 本發明設及微電子機械系統領域，尤其是一種基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度 補償電阻的倍頻器。
【背景技術】
[0002] 倍頻器是一種利用反饋控制原理獲得參考信號頻率N倍的頻率信號的儀器。倍頻 器在眾多領域，如無線通信、雷達、數字電視中都有廣泛應用。
[0003] 現有技術中，倍頻器大多是針對單個頻點的倍頻，無法滿足寬帶通訊系統的需求， 此外，溫度穩定性也是對倍頻器的基本要求之一。

【發明內容】

[0004] 本發明所要解決的技術問題在于，提供一種結構合理的基于MEMS寬頻帶相位檢測 器和溫度補償電阻的倍頻器，實現寬頻帶范圍內不同頻率信號的倍頻，并避免溫度變化對 倍頻器的影響。
[0005] 為解決上述技術問題，本發明提供一種基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電 阻的倍頻器，包括MEMS寬頻帶相位檢測器、溫度補償電阻R、直流自動增益控制AGC放大器、 第一壓控振蕩器VC01、第二壓控振蕩器VC02、第一可變電阻R1和第二可變電阻R2、除法器； 溫度補償電阻R與直流自動增益控制AGC放大器的基極偏置電阻化并聯；電源Ve通過第一可 變電阻R1加載到第一壓控振蕩器VC01上，同時通過第二可變電阻R2加載到直流自動增益控 制AGC放大器上;第一壓控振蕩器VC01產生參考信號，通過調節第一可變電阻R1的大小改變 第一壓控振蕩器VC01的頻率;參考信號和反饋信號分別加載到MEMS寬頻帶相位檢測器的地 線2和CPW信號線3組成的兩個對稱的輸入端口，得到與相位差有關的直流電壓V，直流電壓V 輸入直流自動增益控制AGC放大器，放大后的信號為第二壓控振蕩器VC02的控制電壓Vc2,第 二壓控振蕩器VC02的輸出信號通過除法器后，頻率變為原來的1/N，作為倍頻器的反饋信號 輸入MEMS寬頻帶相位檢測器；調節第二可變電阻R2的大小控制直流自動增益控制AGC放大 器的增益，調節第二壓控振蕩器VC02的控制電壓，控制反饋信號的控制電壓和頻率；同步調 節第一可變電阻R1和第二可變電阻R2,使第二壓控振蕩器VC02的輸出頻率為第一壓控振蕩 器VC01輸出頻率的N倍，完成對不同頻率的參考信號的倍頻。
[0006] 優選的，當環境溫度升高時，MEMS寬頻帶相位檢測器輸出的直流電壓V變大，溫度 補償電阻R及其與化的并聯電阻也會增大，導致直流自動增益控制AGC放大器的基極電位降 低，增益減小，補償直流電壓V變大帶來的影響，同時調節第二可變電阻R2，使直流自動增益 控制AGC放大器的輸出電壓Vc2保持穩定，不受溫度變化的影響;溫度降低時，溫度補償電阻R 及其與化的并聯電阻減小，基極電位升高，直流自動增益控制AGC放大器的增益變大，補償 直流電壓V變小帶來的影響，同時調節第二可變電阻R2，使直流AGC放大器的輸出電壓Vc2保 持穩定，倍頻器具有溫度穩定性。
[0007] 優選的，電源化通過可變電阻第一可變電阻R1和第二可變電阻R2分別加載到第一 壓控振蕩器VCOl和直流自動增益控制AGC放大器上，第一壓控振蕩器VCOl在由第一電阻R1 調節的控制電壓Vci的控制下，輸出參考信號，通過調節第一電阻R1，控制參考信號的頻率； 參考信號和反饋信號通過輸入端口輸入MEMS寬頻帶相位檢測器后，首先通過功合器進行矢 量合成，合成信號通過熱電式功率傳感器轉化為與相位差有關的直流電壓V，經直流輸出電 極11輸出，此直流電壓V可W表示為:y=《c〇s銜V-心>-w)，其中K為與輸入信號幅度有關 的系數，ω ref為參考信號角頻率，ω back為反饋信號角頻率，巧為固有相位差;MEMS寬頻帶相 位檢測器輸出的直流電壓V通過第一端口 14輸入至直流自動增益控制AGC放大器進行放大， 放大后的直流電壓Vc2可W表示為乂： = (的-心坤)，其中A為直流自動增益控制AGC 放大器的增益系數，放大后的直流電壓Vc2為第二壓控振蕩器VC02的控制電壓，通過第二端 口 15控制第二壓控振蕩器VC02的輸出頻率，壓控振蕩器輸出頻率ω。可W通過下式表達： : = λ·..化'e?s((w.,, -W ,. )< +溝，通過調節第二可變電阻R2，改變直流自動增益控制AGC 放大器的直流偏置電源Ve實現對增益系數A的調節，從而改變第二壓控振蕩器VC02的控制 電壓及其相應的輸出信號的頻率;第二壓控振蕩器VC02的輸出信號通過第Ξ端口 16輸入除 法器，經過除法器后，頻率變為原來的1/N
此信號為倍頻器的反饋信號，通過第 四端口 17重新輸入MEMS寬頻帶相位檢測器;通過同步控制第一可變電阻R1和第二可變電阻 R2,使反饋信號和參考信號的頻率相等，目I
第二壓控振蕩器VC02的輸出頻 率是第一壓控振蕩器VC01輸出頻率的N倍，實現倍頻，得到在寬頻帶范圍內工作的倍頻器。
[0008] 優選的，MEMS寬頻帶相位檢測器在不同頻率下的輸出直流電壓V存在波動的情況 下，依然可W通過調節第一可變電阻R1和第二可變電阻R2來實現倍頻，倍頻后的信號通過 第五端口 18輸出。
[0009] 優選的，MEMS寬頻帶相位檢測器WGaAsl為襯底，包括功合器和熱電式功率傳感 器，功合器包括地線2、CPW信號線3、第一 ACPS傳輸線4、第二A(PS傳輸線5、第^ACPS傳輸線6 和隔離電阻7,熱電式功率傳感器包括終端電阻8、熱電堆半導體臂9、熱電堆金屬臂10、直流 輸出電極11;MEMS寬頻帶相位檢測器WGaAs為襯底，地線2與CPW信號線3構成功合器的輸入 和輸出端口，第一ACPS傳輸線4、第二ACPS傳輸線5和第SA(PS傳輸線6相級聯，隔離電阻7分 別設置在第一 ACPS傳輸線4、第二ACPS傳輸線5和第SACPS傳輸線6的末端，終端電阻8設置 在CPW信號線3的輸出端口處，熱電堆半導體臂9與熱電堆金屬臂10依次連接，構成熱電堆， 直流輸出電極11連接在熱電堆兩端。
[0010] 優選的，第一ACPS傳輸線4的特征阻抗為Z1，第二ACPS傳輸線5的特征阻抗為Z2,第 傳輸線6的特征阻抗為Z3。
[0011] 本發明的有益效果為:倍頻器具有寬頻帶特性，可W實現對不同頻率的參考信號 的倍頻;通過可變電阻對壓控振蕩器電壓的控制和對直流自動增益控制AGC放大器增益的 控制，實現對參考信號和反饋信號的同步調節，即便在電路存在波動的情況下也能實現倍 頻;具有溫度補償特性，在溫度發生變化時，能夠消除溫度變化對倍頻器狀態的影響，具有 溫度穩定性;結構簡單新穎，操作方便，與GaAs單片微波集成電路兼容。
【附圖說明】
[0012]圖1是本發明的倍頻器俯視圖。
[OOK]圖視本發明的倍頻器的A-A'向剖面圖。
[0014] 圖3是本發明的倍頻器的B-B'向剖面圖。
[0015] 圖4是本發明的倍頻器的C-C'向剖面圖。
【具體實施方式】
[0016] 如圖1、2、3和4所示，一種基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器， 包括MEMS寬頻帶相位檢測器、溫度補償電阻R、直流自動增益控制AGC放大器、第一壓控振蕩 器VC01、第二壓控振蕩器VC02、第一可變電阻R1和第二可變電阻R2、除法器;溫度補償電阻R 與直流自動增益控制AGC放大器的基極偏置電阻化并聯；電源Ve通過第一可變電阻R1加載到 第一壓控振蕩器VC01上，同時通過第二可變電阻R2加載到直流自動增益控制AGC放大器上； 第一壓控振蕩器VC01產生參考信號，通過調節第一可變電阻R1的大小改變第一壓控振蕩器 VC01的頻率;參考信號和反饋信號分別加載到MEMS寬頻帶相位檢測器的地線2和CPW信號線 3組成的兩個對稱的輸入端口，得到與相位差有關的直流電壓V，直流電壓V輸入直流自動增 益控制AGC放大器，放大后的信號為第二壓控振蕩器VC02的控制電壓Vc2,第二壓控振蕩器 VC02的輸出信號通過除法器后，頻率變為原來的1/N，作為倍頻器的反饋信號輸入MEM饋頻 帶相位檢測器;調節第二可變電阻R2的大小控制直流自動增益控制AGC放大器的增益，調節 第二壓控振蕩器VC02的控制電壓，控制反饋信號的控制電壓和頻率；同步調節第一可變電 阻R1和第二可變電阻R2,使第二壓控振蕩器VC02的輸出頻率為第一壓控振蕩器VC01輸出頻 率的N倍，完成對不同頻率的參考信號的倍頻。
[0017] 當環境溫度升高時，MEMS寬頻帶相位檢測器輸出的直流電壓V變大，溫度補償電阻 R及其與化的并聯電阻也會增大，導致直流自動增益控制AGC放大器的基極電位降低，增益 減小，補償直流電壓V變大帶來的影響，同時調節第二可變電阻R2,使直流自動增益控制AGC 放大器的輸出電壓Vc2保持穩定，不受溫度變化的影響;溫度降低時，溫度補償電阻R及其與 化的并聯電阻減小，基極電位升高，直流自動增益控制AGC放大器的增益變大，補償直流電 壓V變小帶來的影響，同時調節第二可變電阻R2，使直流AGC放大器的輸出電壓Vc2保持穩定， 倍頻器具有溫度穩定性。
[0018] 電源Ve通過可變電阻第一可變電阻R1和第二可變電阻R2分別加載到第一壓控振 蕩器VC01和直流自動增益控制AGC放大器上，第一壓控振蕩器VC01在由第一電阻R1調節的 控制電壓Vci的控制下，輸出參考信號，通過調節第一電阻R1，控制參考信號的頻率;參考信 號和反饋信號通過輸入端口輸入MEMS寬頻帶相位檢測器后，首先通過功合器進行矢量合 成，合成信號通過熱電式功率傳感器轉化為與相位差有關的直流電壓V，經直流輸出電極11 輸出，此直流電壓V可W表示為：^ = Kcos艇V-媒+如其中K為與輸入信號幅度有關的系 數，Wref為參考信號角頻率，《bask為反饋信號角頻率，夢為固有相位差;MEMS寬頻帶相位檢 測器輸出的直流電壓V通過第一端口 14輸入至直流自動增益控制AGC放大器進行放大，放大 后的直流電壓Vc2可W表示為:心=式KCO哦嗎。/ -?。冰+樹，其中A為直流自動增益控制AG訪義大 器的增益系數，放大后的直流電壓Vc2為第二壓控振蕩器VC02的控制電壓，通過第二端口 15 控制第二壓控振蕩器VC02的輸出頻率，壓控振蕩器輸出頻率ω。可W通過下式表達： ^ = K,^cos(斬.-心> +切，通過調節第二可變電阻R2，改變直流自動增益控制AGC 放大器的直流偏置電源Ve實現對增益系數A的調節，從而改變第二壓控振蕩器VC02的控制 電壓及其相應的輸出信號的頻率;第二壓控振蕩器VC02的輸出信號通過第Ξ端口 16輸入除 法器，經過除法器后，頻率變為原來的1/Γ'
此信號為倍頻器的反饋信號，通過第 四端口 17重新輸入MEMS寬頻帶相位檢測器;通過同步控制第一可變電阻R1和第二可變電阻 R2,使反饋信號和參考信號的頻率相等，目[
第二壓控振蕩器VC02的輸出頻 率是第一壓控振蕩器VC01輸出頻率的N倍，實現倍頻，得到在寬頻帶范圍內工作的倍頻器。
[0019] MEMS寬頻帶相位檢測器在不同頻率下的輸出直流電壓V存在波動的情況下，依然 可W通過調節第一可變電阻R1和第二可變電阻R2來實現倍頻，倍頻后的信號通過第五端口 18輸出。
[0020] MEMS寬頻帶相位檢測器WGaAsl為襯底，包括功合器和熱電式功率傳感器，功合器 包括地線2、CPW信號線3、第一 ACPS傳輸線4、第二ACPS傳輸線5、第SACPS傳輸線6和隔離電 阻7,熱電式功率傳感器包括終端電阻8、熱電堆半導體臂9、熱電堆金屬臂10、直流輸出電極 11;MEMS寬頻帶相位檢測器WGaAs為襯底，地線2與CPW信號線3構成功合器的輸入和輸出端 口，第一ACPS傳輸線4、第二ACPS傳輸線5和第SACF*S傳輸線6相級聯，隔離電阻7分別設置在 第一 A(PS傳輸線4、第二ACPS傳輸線5和第SACPS傳輸線6的末端，終端電阻8設置在CPW信號 線3的輸出端口處，熱電堆半導體臂9與熱電堆金屬臂10依次連接，構成熱電堆，直流輸出電 極11連接在熱電堆兩端。
[0021 ]第一 ACPS傳輸線4的特征阻抗為Z1，第二ACPS傳輸線5的特征阻抗為Z2，第SACPS 傳輸線6的特征阻抗為Z3。
[0022] 本發明的基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器的制備方法如下：
[0023] 1)準備GaAs襯底：選用外延的半絕緣GaAs襯底，其中外延N+GaAs的滲雜濃度為 10"cm-3，其方塊電阻值為100~130Ω/Π ;
[0024] 2)光刻并隔離外延的N+GaAs，形成熱電堆的半導體熱偶臂和溫度補償電阻的圖形 W及歐姆接觸區；
[0025] 3)反刻N+GaAs，形成其滲雜濃度為l〇i7cm-3的熱電堆的半導體熱偶臂和溫度補償 電阻；
[0026] 4)光刻:去除將要保留金錯儀/金地方的光刻膠；
[0027] 5)瓣射金錯儀/金，其厚度共為27抑)A;
[00%] 6)剝離，形成熱電堆的金屬熱偶臂；
[0029] 7)光刻:去除將要保留氮化粗地方的光刻膠；
[0030] 8)瓣射氮化粗，其厚度為1皿；
[0031] 9)剝離；
[0032] 10)光刻:去除將要保留第一層金的地方的光刻膠；
[0033] 11)蒸發第一層金，其厚度為0.3皿；
[0034] 12)剝離，形成CPW信號線、A(PS信號線、地線、直流輸出電極和金屬連接線；
[0035] 13)反刻氮化粗，形成終端電阻，其方塊電阻為25Ω/Π ;
[0036] 14)蒸發鐵/金/鐵，其厚度為500/1500,/300A:蒸發用于電鍛的底金；
[0037] 15)光刻:去除要電鍛地方的光刻膠；
[0038] 16)電鍛第二層金，其厚度為2皿；
[0039] 17)反刻鐵/金/鐵，腐蝕底金，形成CPW信號線、AWS信號線、地線、直流輸出電極和 金屬連接線；
[0040] 18)將該GaAs襯底背面減薄至100皿；
[0041] 19)將制備的MEMS寬頻帶相位檢測器與其它電路元件相連，構成倍頻器。
[0042] 區分是否為該結構的標準如下：
[0043] 本發明的基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器包含MEMS寬頻帶 相位檢測器，溫度補償電阻R，直流自動增益控制AGC放大器，第一壓控振蕩器VC01和第二壓 控振蕩器VC02,第一可變電阻R1和第二可變電阻R2W及除法器。MEMS寬頻帶相位檢測器通 過Ξ節傳輸線級聯結構實現寬帶特性。直流電源Ve通過第一可調電阻R1和第二可調電阻R2 分別連接到第一壓控振蕩器VC01和直流自動增益控制AGC放大器上，參考信號由第一壓控 振蕩器VC01產生，通過調節第一可調電阻R1的大小來控制參考信號的頻率。參考信號和反 饋信號通過MEMS寬頻帶相位檢測器后輸出包含相位差信息的直流電壓V，經直流自動增益 控制AG訪義大器進行放大，產生第二壓控振蕩器VC02的控制電壓Vc2,第二壓控振蕩器VC02的 輸出信號經除法器后產生反饋信號，直流自動增益控制AGC放大器的增益由第二可變電阻 R2控制，通過調節第二可變電阻R2的大小便可控制反饋信號的頻率，同步調節第一可變電 阻R1和第二可變電阻R2使第二壓控振蕩器VC02的輸出頻率是第一壓控振蕩器VC01輸出頻 率的N倍，完成倍頻，實現在寬頻帶范圍內工作的倍頻器。溫度補償電阻R的材料與熱電堆半 導體臂的材料同為N+GaAs，該材料電阻隨溫度升高而增大，隨溫度降低而減小。R與直流自 動增益控制AG訪義大器中基極偏置電阻化并聯。溫度升高時，MEMS寬頻帶相位檢測器輸出的 直流電壓V增大，但是R及其與化的并聯電阻阻值增大，使直流自動增益控制AGC放大器的基 極電位降低，增益減小，補償了直流電壓V增大帶來的影響，同時調節第二可變電阻R2,使直 流自動增益控制AGC放大器的輸出電壓Vc2保持穩定，不受溫度變化的影響。同理，當溫度降 低時，依然可W保持Ve2不變，倍頻器具有溫度穩定性。
[0044] 盡管本發明就優選實施方式進行了示意和描述，但本領域的技術人員應當理解， 只要不超出本發明的權利要求所限定的范圍，可W對本發明進行各種變化和修改。
【主權項】
1. 一種基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器，其特征在于，包括:MEMS 寬頻帶相位檢測器、溫度補償電阻R、直流自動增益控制AGC放大器、第一壓控振蕩器VC01、 第二壓控振蕩器VC02、第一可變電阻R1和第二可變電阻R2、除法器;溫度補償電阻R與直流 自動增益控制AGC放大器的基極偏置電阻R b并聯；電源VE通過第一可變電阻R1加載到第一壓 控振蕩器VC01上，同時通過第二可變電阻R2加載到直流自動增益控制AGC放大器上;第一壓 控振蕩器VC01產生參考信號，通過調節第一可變電阻R1的大小改變第一壓控振蕩器VC01的 頻率;參考信號和反饋信號分別加載到MEMS寬頻帶相位檢測器的地線（2)和CPW信號線（3) 組成的兩個對稱的輸入端口，得到與相位差有關的直流電壓V，直流電壓V輸入直流自動增 益控制AGC放大器，放大后的信號為第二壓控振蕩器VC02的控制電壓Vu，第二壓控振蕩器 VC02的輸出信號通過除法器后，頻率變為原來的1/N，作為倍頻器的反饋信號輸入MEMS寬頻 帶相位檢測器;調節第二可變電阻R2的大小控制直流自動增益控制AGC放大器的增益，調節 第二壓控振蕩器VC02的控制電壓，控制反饋信號的控制電壓和頻率；同步調節第一可變電 阻R1和第二可變電阻R2,使第二壓控振蕩器VC02的輸出頻率為第一壓控振蕩器VC01輸出頻 率的N倍，完成對不同頻率的參考信號的倍頻。2. 如權利要求1所述的基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器，其特征 在于，當環境溫度升高時，MEMS寬頻帶相位檢測器輸出的直流電壓V變大，溫度補償電阻R及 其與Rb的并聯電阻也會增大，導致直流自動增益控制AGC放大器的基極電位降低，增益減 小，補償直流電壓V變大帶來的影響，同時調節第二可變電阻R2,使直流自動增益控制AGC放 大器的輸出電壓V C2保持穩定，不受溫度變化的影響;溫度降低時，溫度補償電阻R及其與Rb 的并聯電阻減小，基極電位升高，直流自動增益控制AGC放大器的增益變大，補償直流電壓V 變小帶來的影響，同時調節第二可變電阻R2,使直流AGC放大器的輸出電壓VC2保持穩定，倍 頻器具有溫度穩定性。3. 如權利要求1所述的基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器，其特征 在于，電源VE通過可變電阻第一可變電阻R1和第二可變電阻R2分別加載到第一壓控振蕩器 VC01和直流自動增益控制AGC放大器上，第一壓控振蕩器VC01在由第一電阻R1調節的控制 電壓VC1的控制下，輸出參考信號，通過調節第一電阻R1，控制參考信號的頻率;參考信號和 反饋信號通過輸入端口輸入MEMS寬頻帶相位檢測器后，首先通過功合器進行矢量合成，合 成信號通過熱電式功率傳感器轉化為與相位差有關的直流電壓V，經直流輸出電極（11)輸 出，此直流電壓V表不為:Ρ?_(_(輯# -1 > + 0)，其中K為與輸入信號幅度有關的系數，ω ref 為參考信號角頻率，《bac;k為反饋信號角頻率J為固有相位差;MEMS寬頻帶相位檢測器輸出 的直流電壓V通過第一端口（ 14)輸入至直流自動增益控制AGC放大器進行放大，放大后的直 流電壓Vc2表示為:= -1)〃的，其中A為直流自動增益控制AGC放大器的增益系 數，放大后的直流電壓VC2為第二壓控振蕩器VC02的控制電壓，通過第二端口（ 15)控制第二 壓控振蕩器V C 0 2的輸出頻率，壓控振蕩器輸出頻率ω。通過下式表達：，通過調節第二可變電阻R2，改變直流自動增益控制AGC 放大器的直流偏置電源VC實現對增益系數Α的調節，從而改變第二壓控振蕩器VC02的控制 電壓及其相應的輸出信號的頻率;第二壓控振蕩器VC02的輸出信號通過第三端口（16)輸入 除法器，經過除法器后，頻率變為原來的1/N，，此信號為倍頻器的反饋信號，通過 第四端口（17)重新輸入MEMS寬頻帶相位檢測器;通過同步控制第一可變電阻R1和第二可變 電阻R2,使反饋信號和參考信號的頻率相等：，第二壓控振蕩器VC02的輸 出頻率是第一壓控振蕩器VC01輸出頻率的N倍，實現倍頻，得到在寬頻帶范圍內工作的倍頻 器。4. 如權利要求3所述的基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器，其特征 在于，MEMS寬頻帶相位檢測器在不同頻率下的輸出直流電壓V存在波動的情況下，依然可以 通過調節第一可變電阻R1和第二可變電阻R2來實現倍頻，倍頻后的信號通過第五端口（18) 輸出。5. 如權利要求1所述的基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器，其特征 在于，MEMS寬頻帶相位檢測器以GaAs (1)為襯底，包括功合器和熱電式功率傳感器，功合器 包括地線（2)、CPW信號線（3)、第一ACPS傳輸線(4)、第二ACPS傳輸線（5)、第三ACPS傳輸線 (6)和隔離電阻(7)，熱電式功率傳感器包括終端電阻(8)、熱電堆半導體臂(9)、熱電堆金屬 臂（10 )、直流輸出電極（11); MEMS寬頻帶相位檢測器以GaAs為襯底，地線（2)與CPW信號線 (3)構成功合器的輸入和輸出端口，第一ACPS傳輸線(4)、第二ACPS傳輸線(5)和第三ACPS傳 輸線(6)相級聯，隔離電阻(7)分別設置在第一 ACPS傳輸線(4 )、第二ACPS傳輸線（5)和第三 ACPS傳輸線(6)的末端，終端電阻(8)設置在CPW信號線（3)的輸出端口處，熱電堆半導體臂 (9)與熱電堆金屬臂（10)依次連接，構成熱電堆，直流輸出電極(11)連接在熱電堆兩端。6. 如權利要求5所述的基于MEMS寬頻帶相位檢測器和溫度補償電阻的倍頻器，其特征 在于，第一 ACPS傳輸線(4)的特征阻抗為Z1，第二ACPS傳輸線(5)的特征阻抗為Z2，第三ACPS 傳輸線(6)的特征阻抗為Z3。
【文檔編號】H03B19/00GK106059500SQ201610395545
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年6月6日
【發明人】廖小平, 韓居正
【申請人】東南大學