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一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器的制造方法

文檔序號:10615609閱讀(du):395來源:國知局
一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器,其特征在于,主要由處理芯片U,與處理芯片U相連接的同步振蕩電路,分別與同步振蕩電路和處理芯片U的+TR管腳相連接的諧波消除電路,一端與處理芯片U的VDD管腳相連接、另一端則接5V電源的電阻R5,一端與處理芯片U的VSS管腳相連接、另一端接電源的電阻R6,正極與處理芯片U的RC管腳相連接、負極經電阻R8后與處理芯片U的R管腳相連接的電容C3等組成。本發明可以產生與輸入信號相同頻率的驅動波形,從而極大的提高了本發明信號變換的效率。同時,本發明可以對信號的頻率進行處理,極大的提高了信號的分辨率,從而使信號更加容易識別。
【專利說明】
一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器
技術領域
[0001]本發明涉及一種倍頻器,具體是指一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器。
【背景技術】
[0002]隨著電子技術的不斷發展,倍頻器應用越來越廣泛,如發射機采用倍頻器后可使主振器振蕩在較低頻率,以提高頻率穩定度;調頻設備用倍頻器來增大頻率偏移;在相位鍵控通信機中,倍頻器是載波恢復電路的一個重要組成單元。由此可見,倍頻器在工業生產的過程中起到重要的作用。然而目前使用的倍頻器因產生大量諧波使輸出信號相位不穩定,從而使倍頻器噪音過大。并且,其倍頻次數越高倍頻噪聲就越大,使倍頻器的應用受到限制,尤其是在要求倍頻噪聲較小的設備中則無法使用。

【發明內容】

[0003]本發明的目的在于克服目前的倍頻器噪音過大的缺陷,提供一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器。
[0004]本發明的目的用以下技術方案實現:一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器,主要由處理芯片U,與處理芯片U相連接的同步振蕩電路,分別與同步振蕩電路和處理芯片U的+TR管腳相連接的諧波消除電路,一端與處理芯片U的VDD管腳相連接、另一端則接5V電源的電阻R5,一端與處理芯片U的VSS管腳相連接、另一端接電源的電阻R6,正極與處理芯片U的RC管腳相連接、負極經電阻R8后與處理芯片U的R管腳相連接的電容C3,一端與處理芯片U的C管腳相連接、另一端則與電容C3的負極相連接的電阻R7,與處理芯片U的Q管腳相連接的頻率合成電路,以及與頻率合成電路相連接的輸出放大電路組成。
[0005]進一步的,所述頻率合成電路由非門AI,三極管VT6,與非門A2,負極與與非門A2的正極相連接、正極作為該頻率合成電路的輸入端的電容ClO,串接在電容ClO的正極和非門Al的正向端之間的電阻R15,正極與非門Al的反向端相連接、負極則與與非門A2的負極相連接的電容Cll,一端與電容Cll的負極相連接、另一端接地的電阻R18,串接在與非門A2的負極和三極管VT6的基極之間的電阻R19,一端與三極管VT6的集電極相連接、另一端接地的電阻R20,以及一端與電容ClO的負極相連接、另一端經電阻R17后與電容Cll的負極相連接的電阻R16組成;電阻R16和電阻R17的連接點接5V電壓,所述三極管VT6的發射極與與非門A2的輸出端相連接;所述與非門A2的輸出端作為該頻率合成電路的輸出端并與輸出放大電路相連接;所述頻率合成電路的輸入端與處理芯片U的Q管腳相連接。
[0006]所述同步振蕩電路由三極管VT4,三極管VT5,負極與三極管VT4的基極相連接、正極作為該同步振蕩電路的輸入端的電容C5,正極與三極管VT4的發射極相連接、負極接地的電容C6,負極接地、正極經電阻Rl I后與三極管VT4的基極相連接的電容C7,串接在電容C7的正極和三極管VT5的集電極之間的電阻R12,正極與三極管VT4的集電極相連接、負極經電阻R14后作為該同步振蕩電路的輸出端的電容C9,串接在電容C9的負極和三極管VT5的集電極之間的電阻R13,以及負極與三極管VT5的發射極相連接、正極經電阻RlO后與三極管VT4的集電極相連接的電容C8組成;所述三極管VT4的基極與三極管VT5的基極相連接;所述電容CS的正極接5V電壓;所述同步振蕩電路的輸入端與諧波消除電路相連接、其輸出端則與處理芯片U的-TR管腳相連接。
[0007]所述諧波消除電路由三極管VTl,三極管VT2,負極與三極管VTl的發射極相連接、正極接地的電容Cl,串接在三極管VTl的集電極和三極管VT2的基極之間的電阻Rl,N極與處理芯片U的+TR管腳相連接、P極經電阻R2后與三極管VTl的集電極相連接的二極管D2,串接在三極管VT2的集電極和處理芯片U的+TR管腳之間的電阻R3,N極與同步振蕩電路的輸入端相連接、P極經電阻R4后與三極管VT2的發射極相連接的二極管D3,N極與三極管VT2的發射極相連接、P極則與二極管D3的P極相連接的二極管Dl,以及正極與二極管Dl的P極相連接、負極則與二極管02的_及相連接的電容C2組成;所述三極管VTl的基極作為該諧波消除電路的輸入端。
[0008]所述輸出放大電路由放大器P,三極管VT3,P極與頻率合成電路的輸出端相連接、N極則與三極管VT3的基極相連接的二極管D4,串接在放大器P的正極和輸出端之間的電阻R9,N極與放大器P的輸出端相連接、P極則與三極管VT3的集電極相連接的二極管D5,以及正極與放大器P的輸出端相連接、負極則作為該輸出放大電路的輸出端的電容C4組成;所述三極管VT3的集電極接地、其發射極則與放大器P的負極相連接。
[0009]所述處理芯片U為⑶4047集成芯片。
[0010]本發明與現有技術相比,具有以下優點及有益效果:
[0011](I)本發明可以減少信號頻率在變換過程產生的諧波,使輸出的信號更加穩定,從而降低了輸出信號的倍頻噪聲。
[0012](2)本發明采用⑶4047集成芯片作為處理芯片,使本發明更加節能。
[0013](3)本發明可以產生與輸入信號相同頻率的驅動波形,從而極大的提高了本發明信號變換的效率。
[0014](4)本發明可以對信號的頻率進行處理,極大的提高了信號的分辨率,從而使信號更加容易識別。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發明的整體結構示意圖。
[0016]圖2為本發明的同步振蕩電路的結構圖。
[0017]圖3為本發明的頻率合成電路的結構圖。
【具體實施方式】
[0018]下面結合具體實施例對本發明作進一步地詳細說明,但本發明的實施方式不限于此。
[0019]實施例
[0020]如圖1所示,本發明主要由處理芯片U,與處理芯片U相連接的同步振蕩電路,分別與同步振蕩電路和處理芯片U的+TR管腳相連接的諧波消除電路,一端與處理芯片U的VDD管腳相連接、另一端則接5V電源的電阻R5,一端與處理芯片U的VSS管腳相連接、另一端接電源的電阻R6,正極與處理芯片U的RC管腳相連接、負極經電阻R8后與處理芯片U的R管腳相連接的電容C3,一端與處理芯片U的C管腳相連接、另一端則與電容C3的負極相連接的電阻R7,與處理芯片U的Q管腳相連接的頻率合成電路,以及與頻率合成電路相連接的輸出放大電路組成。為了更好的實施本發明,所述處理芯片U優選CD4047集成芯片來實現。
[0021 ] 其中,該諧波消除電路由三極管VTl,三極管VT2,電阻Rl,電阻R2,電阻R3,電阻R4,電容Cl,電容C2,二極管Dl,二極管D2以及二極管D3組成。
[0022]連接時,電容Cl的負極與三極管VTl的發射極相連接、其正極接地。電阻Rl串接在三極管VTl的集電極和三極管VT2的基極之間。二極管02的~極與處理芯片U的+TR管腳相連接、其P極經電阻R2后與三極管VTI的集電極相連接。電阻R3串接在三極管VT2的集電極和處理芯片U的+TR管腳之間。二極管03的~極與同步振蕩電路的輸入端相連接、其P極經電阻R4后與三極管VT2的發射極相連接。二極管Dl的N極與三極管VT2的發射極相連接、其P極則與二極管D3的P極相連接。電容C2的正極與二極管Dl的P極相連接、其負極則與二極管D2的N極相連接。所述三極管VTl的基極作為該諧波消除電路的輸入端并接外部信號輸出設備。
[0023]另外,所述輸出放大電路由放大器P,三極管VT3,電阻R9,二極管D4,二極管D5以及電容C4組成。
[0024]該二極管D4的P極與頻率合成電路的輸出端相連接、其N極則與三極管VT3的基極相連接。電阻R9串接在放大器P的正極和輸出端之間。二極管D5的N極與放大器P的輸出端相連接、其P極則與三極管VT3的集電極相連接。電容C4的正極與放大器P的輸出端相連接、其負極則作為該輸出放大電路的輸出端。所述三極管VT3的集電極接地、其發射極則與放大器P的負極相連接。
[0025]如圖2所示,該同步振蕩電路由三極管VT4,三極管VT5,電阻RlO,電阻Rl I,電阻尺12,電阻1?13,電阻1?14,電容05,電容06,電容07,電容08,以及電容09組成。
[0026]其中,電容C5的負極與三極管VT4的基極相連接、其正極作為該同步振蕩電路的輸入端并與二極管03的_及相連接。電容C6的正極與三極管VT4的發射極相連接、其負極接地。電容C7的負極接地、其正極經電阻Rl I后與三極管VT4的基極相連接。電阻Rl 2串接在電容C7的正極和三極管VT5的集電極之間。電容C9的正極與三極管VT4的集電極相連接、其負極經電阻R14后作為該同步振蕩電路的輸出端并與處理芯片U的-TR管腳相連接。電阻R13串接在電容C9的負極和三極管VT5的集電極之間。電容C8的負極與三極管VT5的發射極相連接、其正極經電阻RlO后與三極管VT4的集電極相連接。所述三極管VT4的基極與三極管VT5的基極相連接;所述電容C8的正極接5V電壓。
[0027]如圖3所示,該頻率合成電路由非門Al,三極管VT6,與非門A2,電阻R15,電阻R16,電阻R17,電阻R18,電阻R19,電阻R20,電容ClO以及電容Cll組成。
[0028]連接時,電容ClO的負極與與非門A2的正極相連接、其正極作為該頻率合成電路的輸入端并與處理芯片U的Q管腳相連接。電阻R15串接在電容ClO的正極和非門Al的正向端之間。電容Cll的正極與非門Al的反向端相連接、其負極則與與非門A2的負極相連接。電阻R18的一端與電容Cl I的負極相連接、其另一端接地。電阻R19串接在與非門A2的負極和三極管VT6的基極之間。電阻R20的一端與三極管VT6的集電極相連接、其另一端接地。電阻R16的一端與電容ClO的負極相連接、其另一端經電阻R17后與電容Cll的負極相連接。電阻R16和電阻R17的連接點接5V電壓,所述三極管VT6的發射極與與非門A2的輸出端相連接。所述與非門A2的輸出端作為該頻率合成電路的輸出端并與二極管D4的P極相連接。
[0029]本發明可以減少信號頻率在變換過程產生的諧波,使輸出的信號更加穩定,從而降低了輸出信號的倍頻噪聲。本發明可以產生與輸入信號相同頻率的驅動波形,從而極大的提高了本發明信號變換的效率;同時,本發明可以對信號的頻率進行處理,極大的提高了信號的分辨率,從而使信號更加容易識別。
[0030]如上所述,便可很好的實現本發明。
【主權項】
1.一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器,其特征在于,主要由處理芯片U,與處理芯片U相連接的同步振蕩電路,分別與同步振蕩電路和處理芯片U的+TR管腳相連接的諧波消除電路,一端與處理芯片U的VDD管腳相連接、另一端則接5V電源的電阻R5,一端與處理芯片U的VSS管腳相連接、另一端接電源的電阻R6,正極與處理芯片U的RC管腳相連接、負極經電阻R8后與處理芯片U的R管腳相連接的電容C3,一端與處理芯片U的C管腳相連接、另一端則與電容C3的負極相連接的電阻R7,與處理芯片U的Q管腳相連接的頻率合成電路,以及與頻率合成電路相連接的輸出放大電路組成。2.根據權利要求1所述的一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器,其特征在于:所述頻率合成電路由非門Al,三極管VT6,與非門A2,負極與與非門A2的正極相連接、正極作為該頻率合成電路的輸入端的電容C1,串接在電容C1的正極和非門AI的正向端之間的電阻R15,正極與非門Al的反向端相連接、負極則與與非門A2的負極相連接的電容Cl I,一端與電容Cl I的負極相連接、另一端接地的電阻R18,串接在與非門A2的負極和三極管VT6的基極之間的電阻R19,一端與三極管VT6的集電極相連接、另一端接地的電阻R20,以及一端與電容ClO的負極相連接、另一端經電阻R17后與電容Cll的負極相連接的電阻R16組成;電阻R16和電阻R17的連接點接5V電壓,所述三極管VT6的發射極與與非門A2的輸出端相連接;所述與非門A2的輸出端作為該頻率合成電路的輸出端并與輸出放大電路相連接;所述頻率合成電路的輸入端與處理芯片U的Q管腳相連接。3.根據權利要求2所述的一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器,其特征在于:所述同步振蕩電路由三極管VT4,三極管VT5,負極與三極管VT4的基極相連接、正極作為該同步振蕩電路的輸入端的電容C5,正極與三極管VT4的發射極相連接、負極接地的電容C6,負極接地、正極經電阻Rl I后與三極管VT4的基極相連接的電容C7,串接在電容C7的正極和三極管VT5的集電極之間的電阻R12,正極與三極管VT4的集電極相連接、負極經電阻R14后作為該同步振蕩電路的輸出端的電容C9,串接在電容C9的負極和三極管VT5的集電極之間的電阻R13,以及負極與三極管VT5的發射極相連接、正極經電阻RlO后與三極管VT4的集電極相連接的電容C8組成;所述三極管VT4的基極與三極管VT5的基極相連接;所述電容C8的正極接5V電壓;所述同步振蕩電路的輸入端與諧波消除電路相連接、其輸出端則與處理芯片U的-TR管腳相連接。4.根據權利要求3所述的一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器,其特征在于:所述諧波消除電路由三極管VTl,三極管VT2,負極與三極管VTl的發射極相連接、正極接地的電容Cl,串接在三極管VTI的集電極和三極管VT2的基極之間的電阻Rl,N極與處理芯片U的+TR管腳相連接、P極經電阻R2后與三極管VTl的集電極相連接的二極管D2,串接在三極管VT2的集電極和處理芯片U的+TR管腳之間的電阻R3,N極與同步振蕩電路的輸入端相連接、P極經電阻R4后與三極管VT2的發射極相連接的二極管D3,N極與三極管VT2的發射極相連接、P極則與二極管D3的P極相連接的二極管Dl,以及正極與二極管Dl的P極相連接、負極則與二極管02的_及相連接的電容C2組成;所述三極管VTl的基極作為該諧波消除電路的輸入端。5.根據權利要求4所述的一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器,其特征在于:所述輸出放大電路由放大器P,三極管VT3,P極與頻率合成電路的輸出端相連接、N極則與三極管VT3的基極相連接的二極管D4,串接在放大器P的正極和輸出端之間的電阻R9,N極與放大器P的輸出端相連接、P極則與三極管VT3的集電極相連接的二極管D5,以及正極與放大器P的輸出端相連接、負極則作為該輸出放大電路的輸出端的電容C4組成;所述三極管VT3的集電極接地、其發射極則與放大器P的負極相連接。6.根據權利要求5所述的一種基于同步振蕩電路的頻率合成型低噪音倍頻器,其特征在于:所述處理芯片U為⑶4047集成芯片。
【文檔編號】H03B19/14GK105978490SQ201610407154
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年6月7日
【發明人】湯福瓊
【申請人】成都卡諾源科技有限公司
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