附載體銅箔的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種附載體銅箔。更詳細而言，本發明涉及一種用作精細圖案用途的 印刷配線板的材料的附載體銅箔。
【背景技術】
[0002] 印刷配線板于近半個世紀取得了巨大發展，目前已用于幾乎所有電子機器中。近 年來，隨著電子機器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度安裝化或信號的高 頻化逐步推進，對于印刷配線板要求導體圖案的微細化（微間距化）或應對高頻等，尤其在 印刷配線板上搭載IC芯片的情形時，要求L/S = 20 μ m/20 μ m以下的微間距化。
[0003] 印刷配線板首先被制造成使銅箔、與以環氧玻璃基板、BT樹脂 (bismaleimide-triazine resin，雙馬來酰亞胺-三嘆樹脂）、聚酰亞胺膜等為主的絕緣基 板貼合而成的覆銅積層體。貼合使用將絕緣基板與銅箔重迭并加熱加壓而形成的方法（層 壓法），或將作為絕緣基板材料的前驅物的清漆涂布于具有銅箔的被覆層的面上，進行加熱 使其硬化的方法（流延法）。
[0004] 隨著微間距化，覆銅積層體中所使用的銅箔的厚度也成為9 μπκ進而5 μπι以下 等，即箔厚逐步變薄。然而，若箔厚成為9 μπι以下，則利用上述層壓法或流延法形成覆銅積 層體時的操作性極度惡化。因此，出現了利用具有一定厚度的金屬箔作為載體，經由剝離層 在其上形成極薄銅層的附載體銅箔。附載體銅箔的通常使用方法是將極薄銅層的表面貼合 于絕緣基板上并進行熱壓接后，經由剝離層剝離載體。
[0005] 作為關于附載體銅箔的技術，例如專利文獻1中揭示有如下方法：在載體的表面 依序形成防擴散層、剝離層、及銅電鍍層，且使用Cr或Cr水合氧化物層作為剝離層，使用 Ni、Co、Fe、Cr、Mo、Ta、Cu、Al、P的單質或合金作為防擴散層，由此保持加熱壓制后的良好的 剝離性。
[0006] 另外，眾所周知剝離層是由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或它們的合金或它們的水 合物所形成。此外，專利文獻2及3中記載有為了實現加熱壓制等高溫使用環境下的剝離 性的穩定化，有效的是在剝離層的基底設置Ni、Fe或它們的合金層。
[0007] 現有技術文獻
[0008] 專利文獻
[0009] 專利文獻1 :日本特開號公報
[0010] 專利文獻2 :日本特開號公報
[0011] 專利文獻3 :日本特開號公報。

【發明內容】

[0012] 發明所要解決的技術問題
[0013] 對于附載體銅箔，必須在向絕緣基板的積層步驟前避免極薄銅層自載體剝離，另 一方面，必須在向絕緣基板的積層步驟后可將極薄銅層自載體剝離。另外，對于附載體銅 箔，極薄銅層側的表面存在針孔的情況會導致印刷配線板的性能不良，故而欠佳。
[0014] 關于所述方面，【背景技術】并未進行充分的研宄，尚有改善的余地。因此，本發明的 課題在于提供一種在向絕緣基板的積層步驟前極薄銅層不會自載體剝離，另一方面，在向 絕緣基板的積層步驟后可能剝離的附載體銅箔。本發明的課題也在于進而提供一種抑制在 極薄銅層側表面的針孔的產生的附載體銅箔。
[0015] 解決技術問題的手段
[0016] 為了達成上述目的，本發明人反復進行努力研宄，結果發現如下情況極有效果：使 用銅箔作為載體，在極薄銅層與載體之間形成中間層，自銅箔載體側依序以鎳、與鉬或鈷或 鉬-鈷合金構成該中間層；控制鎳、鉬及鈷的附著量；及控制使上述中間層/極薄銅層之間 剝離時的中間層表面部分的鎳、鉬、鈷原子濃度。另外，發現如下情況也同樣地極有效果：將 絕緣基板熱壓接于極薄銅層，而控制自極薄銅層剝離載體時的中間層表面部分的鎳、鉬、鈷 原子濃度。
[0017] 本發明基于上述見解而完成，一方面為一種附載體銅箔，其依序具有銅箔載體、中 間層、及極薄銅層，并且上述中間層依序積層鎳、與鉬或鈷或鉬-鈷合金而構成，在上述中 間層，鎳的附著量為1000?40000 μ g/dm2,在包含鉬的情形時鉬的附著量為50?1000 μ g/ dm2,在包含鈷的情形時鈷的附著量為50?1000 μ g/dm2,當使上述中間層/極薄銅層之間剝 離時，若將根據利用XPS的自表面起算的深度方向分析而獲得的深度方向（X:單位nm)的 鎳的原子濃度（％)設為g(x)，將銅的原子濃度（％)設為h(x)，將鉬的合計原子濃度（％) 設為i (X)，將鈷的原子濃度（％ )設為j (X)，將氧的原子濃度（％ )設為k(x)，將碳的原子 濃度（％)設為100,將其他的原子濃度（％)設為m(x)，則在自上述中間層表面起算的深 度方向分析的區間[0·0,4·0]中，J i(x)dx/( J g(x)dx+ J h(x)dx+ J i(x)dx+ J j(x) dx+ f k (X) dx+ I I (X) dx+ I m(x) dx)或 i" j (x) dx/ ( i" g (x) dx+ f h (x) dx+ f i (x) dx+ J" j (X) dx+ J" k(x) dx+ J" I (X) dx+ J" m(x) dx)為 20%?80%，在[4. 0,12. 0]中，J" g(x) dx/ ( f g (x) dx+ I h (x) dx+ I i (x) dx+ I j (x) dx+ I k (x) dx+ I I (x) dx+ i" m(x) dx)滿足 40%以上。
[0018] 本發明的另一方面為一種附載體銅箔的制造方法，其包括：通過在銅箔載體上利 用干式鍍敷或濕式鍍敷形成鎳層，在上述鎳層上形成鉬層或鈷層或鉬-鈷層而形成中間層 的步驟；及通過電鍍在上述中間層上形成極薄銅層的步驟。
[0019] 本發明的另一方面為一種印刷配線板，其使用本發明的附載體銅箔而制造。
[0020] 本發明的另一方面為一種印刷電路板，其使用本發明的附載體銅箔而制造。
[0021] 本發明的另一方面為一種覆銅積層板，其使用本發明的附載體銅箔而制造。
[0022] 本發明的另一方面為一種印刷配線板的制造方法，其包括：
[0023] 準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；
[0024] 將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；及
[0025] 在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層后，經過將上述附載體銅箔的載體剝離的步 驟而形成覆銅積層板，
[0026] 其后，通過半加成法、減成法、部分加成法或改進半加成法（Modif ied Semi Additive)中的任一方法形成電路的步驟。
[0027] 本發明的另一方面為一種印刷配線板的制造方法，其包括：
[0028] 在本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成電路的步驟；
[0029] 以埋沒上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成樹脂層的 步驟；
[0030] 在上述樹脂層上形成電路的步驟；
[0031] 在上述樹脂層上形成電路后，剝離上述載體的步驟；及
[0032] 在剝離上述載體后，去除上述極薄銅層，由此使形成于上述極薄銅層側表面的埋 沒于上述樹脂層中的電路露出的步驟。
[0033] 發明的效果
[0034] 本發明的附載體銅箔在向絕緣基板的積層步驟前載體與極薄銅層的密接力高，另 一方面，在向絕緣基板的積層步驟后載體與極薄銅層的密接性降低，而可容易地在載體/ 極薄銅層的界面進行剝離，且可良好地抑制極薄銅層側表面的針孔的產生。
【附圖說明】
[0035] [圖1]A?C為使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的至 電路鍍敷、去除光阻劑為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0036] [圖2]D?F為使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的自 積層樹脂及第2層附載體銅箔至鐳射開孔為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0037] [圖3]G?I為使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的自 形成通孔填充物至剝離第1層載體為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0038] [圖4] J?K為使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的自 快速蝕刻至形成凸塊、銅柱為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
[0039] [圖5]為實施例5的基板貼合前的中間層表面的深度方向的XPS深度分布圖。
[0040] [圖6]為用以說明原子濃度的積分方法的概略圖。
[0041][圖7]為用以表示實施例的XPS測定區域的樣品片材的示意圖。
【具體實施方式】
[0042] < 1.載體 >
[0043] 使用銅箔作為可用于本發明的載體。典型而言，載體以壓延銅箔或電解銅箔的形 態提供。通常，電解銅箔自硫酸銅鍍浴在鈦或不銹鋼的轉筒上電解析出銅而制造，壓延銅箔 為重復進行利用壓延輥的塑性加工及熱處理而制造。作為銅箔的材料，除了精銅或無氧銅 等高純度的銅以外，也可使用例如摻Sn銅、摻Ag銅、添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加 有Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。再者，在本說明書中，單獨使用用語"銅箔" 時，也包含銅合金箔的含義。上述銅合金箔中，可含有銅以外的元素合計0質量％以上且50 質量％以下，可含有0. 0001質量％以上且40質量％以下，可含有0. 0005質量％以上且30 質量％以下，也可含有〇. 001質量％以上且20質量％以下。
[0044] 關于可在本發明中使用的載體的厚度，也并無特別限制，只要在達成作為載體的 作用的基礎上適當地調節為適宜的厚度即可，例如可設為12 μ m以上。但，若過厚，則生產 成本提高，故而通常優選設為35 μ m以下。因此，載體的厚度典型為12?70 μ m，更典型為 18 ?35 μ m〇
[0045] <2.中間層 >
[0046] 在銅箔載體上設置中間層。也可在銅箔載體與