附載體銅箔的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種附載體銅箔。更詳細而言，本發明涉及一種用作印刷配線板的材 料的附載體銅箔。
【背景技術】
[0002] 印刷配線板通常是在將銅箔與絕緣基板接著而制成覆銅積層板后，經過通過蝕刻 在銅箔面形成導體圖案的步驟而制造。隨著近年來電子機器的小型化、高性能化需求的增 大，搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化進展，對于印刷配線板要求導體圖案的微細 化（細間距（fine pitch)化）或因應高頻等。
[0003] 因應細間距化，最近要求厚度9 μπι以下、進而厚度5 μπι以下的銅箔，但此種極薄 的銅箔由于機械強度較低，在制造印刷配線板時容易破損或產生皺褶，故而出現了利用具 有厚度的金屬箔作為載體，對其隔著剝離層電鍍極薄銅層而成的附載體銅箔。將極薄銅層 的表面貼合在絕緣基板并進行熱壓接后，經由剝離層將載體剝離去除。通過在露出的極薄 銅層上利用抗蝕劑形成電路圖案后，以硫酸-過氧化氫系蝕刻劑將極薄銅層蝕刻去除的方 法（MSAP :Modified-Semi-Additive_Process，改進半加成制造方法）而形成微細電路。
[0004] 此處，對成為與樹脂的接著面的附載體銅箔的極薄銅層的表面主要要求極薄銅層 與樹脂基材的剝離強度充足，并且在高溫加熱、濕式處理、焊接、化學處理等后亦可充分地 保持其剝離強度。作為提高極薄銅層與樹脂基材之間的剝離強度的方法，通常代表性的是 在增大表面輪廓（凹凸、粗糙度）的極薄銅層上附著大量粗化粒子的方法。
[0005] 然而，若在印刷配線板中尤其是必須形成微細的電路圖案的半導體封裝基板使用 此種輪廓（凹凸、粗糙度）較大的極薄銅層，則會在電路蝕刻時殘留不需要的銅粒子，產生 電路圖案間的絕緣不良等問題。
[0006] 因此，在W02004/005588號（專利文獻1)中，嘗試使用不對極薄銅層的表面實施 粗化處理的附載體銅箔作為以半導體封裝基板為代表的微細電路用途的附載體銅箔。此種 不實施粗化處理的極薄銅層與樹脂的密合性（剝離強度）因其低輪廓（凹凸、粗度、粗糙 度）的影響而存在與通常的印刷配線板用銅箔相比降低的傾向。因此，對附載體銅箔要求 進一步的改善。
[0007] 因此，在日本特開號公報（專利文獻2)及日本特開號 公報（專利文獻3)中，記載有在附載體極薄銅箔的與聚酰亞胺系樹脂基板接觸（接著）的 面設置Ni層或/及Ni合金層、設置鉻酸鹽層、設置Cr層或/及Cr合金層、設置Ni層與鉻 酸鹽層、及設置Ni層與Cr層。通過設置該等表面處理層，對于聚酰亞胺系樹脂基板與附載 體極薄銅箔的密合強度，可不進行粗化處理或降低粗化處理的程度（微細化）而獲得所需 的接著強度。進而，亦記載有以硅烷偶合劑進行表面處理或實施防銹處理。
[0008] [專利文獻 1]冊2〇04/0〇5588 號
[0009] [專利文獻2]日本特開號公報
[0010] [專利文獻3]日本特開號公報。

【發明內容】

[0011] [發明所欲解決的問題]
[0012] 迄今為止，附載體銅箔的開發中將重心置于確保極薄銅層與樹脂基材的剝離強 度。因此，關于細間距化，尚未進行充分的研宄，仍留有改善的余地。因此，本發明的課題在 于提供一種適于形成細間距的附載體銅箔。具體而言，課題在于提供一種可形成與認為是 迄今為止可以MSAP形成的極限的L/S = 20 μ m/20 μ m相比更微細的配線的附載體銅箔。
[0013] [解決問題的技術手段]
[0014] 為達成上述目的，本發明人等反復進行努力研宄，結果發現可通過將極薄銅層的 表面低粗度化、及在極薄銅層使微細粗化粒子在面內均勻地形成，而形成均勻且低粗度的 粗化處理面。并且，發現該附載體銅箔對形成細間距極有效果。
[0015] 本發明是基于上述見解而完成的，在一方面中是一種附載體銅箔，其依序具備載 體、剝離層、極薄銅層、及任意的樹脂層者，并且極薄銅層表面的Rz的平均值是利用接觸式 粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為1. 5 μ m以下，且Rz的標準偏差為0. 1 μ m以 下。
[0016] 本發明在另一方面中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、剝離層、極薄銅層、 及任意的樹脂層者，并且極薄銅層表面的Rt的平均值是利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-2001進行測定而為2. Ομπι以下，且Rt的標準偏差為0. 1 μπι以下。
[0017] 本發明在進而另一方面中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、剝離層、極薄銅 層、及任意的樹脂層者，并且極薄銅層表面的Ra的平均值是利用接觸式粗糙度計依據JIS B0601-1982進行測定而為0. 2 μπι以下，且Ra的標準偏差為0. 03 μπι以下。
[0018] 在本發明的附載體銅箔的一實施方案中，極薄銅層經粗化處理。
[0019] 本發明在進而另一方面中是一種印刷配線板，其是使用本發明的附載體銅箔而制 成。
[0020] 本發明在進而另一方面中是一種印刷電路板，其是使用本發明的附載體銅箔而制 成。
[0021] 本發明在進而另一方面中是一種覆銅積層板，其是使用本發明的附載體銅箔而制 成。
[0022] [發明的效果]
[0023] 本發明的附載體銅箔適于形成細間距，例如，可形成較認為是可以MSAP步驟形成 的極限的L/S = 20 μπι/20 μπι更微細的配線，例如L/S = 15 μπι/15 μπι的微細的配線。尤 其是在本發明中，極薄銅層的表面粗糙度的面內均勻性較高，由此在利用MSAP法形成電路 時的閃蝕中，面內均勻性變良好，因此可期待提高良率。
【附圖說明】
[0024] 圖1是表示使用轉筒的運箔方式的示意圖。
[0025] 圖2是表示利用彎折（zigzag folding)的運箔方式的示意圖。
[0026] 圖3是表示使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的步驟A 至Co
[0027] 圖4是表示使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的步驟D 至F。
[0028] 圖5是表示使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的步驟G 至I。
[0029] 圖6是表示使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例的步驟J 至K0
【具體實施方式】
[0030] < 1.載體 >
[0031] 可在本發明中使用的載體典型為金屬箔或樹脂膜，例如是以銅箔、銅合金箔、鎳 箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜（例如聚酰亞胺膜、 液晶聚合物（LCP)膜、聚對苯二甲酸乙二酯（PET)膜、聚酰胺膜、聚酯膜、氟樹脂膜等）的形 態提供。
[0032] 作為可在本發明中使用的載體，優選為使用銅箔。典型而言，載體是以壓延銅箔或 電解銅箔的形態提供。通常，電解銅箔是在鈦或不銹鋼的轉筒上將銅自硫酸銅鍍浴中電解 析出而制造，壓延銅箔是重復進行利用壓延輥的塑性加工及熱處理而制造。作為銅箔的材 料，除了精銅或無氧銅等高純度銅以外，亦可使用例如摻Sn銅、摻Ag銅、添加有Cr、Zr或Mg 等的銅合金、添加有Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。再者，在本說明書中，單獨 使用用語"銅箔"時，亦包含銅合金箔。
[0033] 關于可在本發明中使用的載體的厚度，亦并無特別限制，只要在達到作為載體的 作用效果上適當調節為適宜的厚度即可，例如可設為12μπι以上。但是，若過厚，則生產成 本提高，故而通常優選為設為70 μ m以下。因此，載體的厚度典型為12~70 μ m，更典型為 18 ~35 μ m〇
[0034] <2.剝離層>
[0035] 在載體上設置剝離層。亦可在銅箔載體與剝離層之間設置其他層。作為剝離層， 附載體銅箔可設置業者所知的任意剝離層。例如，剝離層優選為由包含Cr、Ni、Co、Fe、Mo、 11、1、？、(：11、41、211、或該等的合金、或該等的水合物、或該等的氧化物、或有機物中任一種以 上的層形成。剝離層亦可由多個層構成。再者，剝離層可具有防擴散功能。此處，所謂防擴 散功能，是具有防止來自母材的元素擴散至極薄銅層側的作用。
[0036] 在本發明的一實施方案中，剝離層是自載體側由如下層所構成：由Cr、Ni、Co、Fe、 Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群內的任一種元素所構成的單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、 Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一種以上元素所構成的合金層（該等具有防擴散 功能）、積層在其上的由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一種以上 元素的水合物或氧化物或有機物所構成的層。
[0037] 又，例如剝離層可自載體側由如下層構成：由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、 Zn的元素群內的任一種元素所構成的單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、 Cu、Al、Zn的元素群中的一種以上元素所構成的合金層，其次，由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、 P、Cu、