一種共陽極可控硅半控整流電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于電子電路技術領域，具體涉及一種共陽極可控硅半控整流電路。
【背景技術】
[0002]現有技術中的逆變發電機控制電路中，三相半控整流都是共陰極結構。如圖2所示，這種共陰極的觸發電路較為簡單，缺點是需要一個比高壓輸出端(V+)還要高的電源(V+15)為觸發電路供電。而且因為功率可控硅的陽極都是和外殼相連，這種連接方法共陰極的接法在可控硅與散熱片連接時，需要采取絕緣措施，散熱效果不好。不符合社會發展的需要。
【實用新型內容】
[0003]實用新型目的:本實用新型的目的是為了解決現有技術的不足，提供一種能提高可控硅的散熱效果且不需要高端電源的共陽極可控硅半控整流電路。
[0004]技術方案:本實用新型所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，包括觸發電路、可控硅半控整流電路、穩壓電路；
[0005]所述觸發電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、PNP三極管Q4，所述二極管D4、二極管D5、二極管D6并聯且它們的正極均與PNP三極管Q4的集電極C端相連；
[0006]所述可控硅半控整流電路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二極管D1、二極管D2、二極管D3 ;所述可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的陽極A端均與PNP三極管Q4的發射極E端相連且接地；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端均分別與二極管D4、二極管D5、二極管D6的負極連接；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端分別與二極管D1、二極管D2、二極管D3的正極連接；
[0007]所述穩壓電路與PNP三極管Q4的基極B端相連。
[0008]進一步的，所述穩壓電路還設有輸入控制電源端、接地端和高壓輸出端V+，所述高壓輸出端V+與二極管Dl、二極管D2、二極管D3的負極連接。
[0009]進一步優選的，所述輸入控制電源端包括正電源VCC和負電源一VCC。
[0010]進一步的，所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端與陰極K端之間還分別連接有電阻R1、電阻R2、電阻R3。
[0011]進一步的，所述可控硅半控整流電路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端均還連接有交流電源。
[0012]有益效果:本實用新型結構簡單，設計合理，將可控硅半控整流電路接成共陽極結構，并為此專門設計了本實用新型中的觸發電路。本實用新型工作時，無需高端電源為觸發電路供電，穩壓電路給PNP三極管Q4提供負觸發電流Ib，PNP三極管Q4導通后輸出電流Ic，電流Ic流過二極管D4、二極管D5、二極管D6，去觸發可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3。由于功率可控硅的陽極都是和外殼相連，這種連接方法保證了可控硅的外殼都接在了一起，并接地。這樣在可控硅與散熱片連接時，可以不采取絕緣措施，提高了可控硅的散熱效果。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型電路結構原理圖。
[0014]圖2為現有的可控硅半控整流電路結構原理圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結合具體實施例對本實用新型作進一步說明:
[0016]如圖1所示的一種共陽極可控硅半控整流電路，包括觸發電路、可控硅半控整流電路、穩壓電路。
[0017]觸發電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、PNP三極管Q4，二極管D4、二極管D5、二極管D6并聯且它們的正極均與PNP三極管Q4的集電極C端相連。
[0018]可控硅半控整流電路包括可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3和二極管D1、二極管D2、二極管D3。可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的陽極A端均與PNP三極管Q4的發射極E端相連且接地。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端均分別與二極管D4、二極管D5、二極管D6的負極連接。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端分別與二極管D1、二極管D2、二極管D3的正極連接。
[0019]穩壓電路與PNP三極管Q4的基極B端相連。
[0020]作為對本實用新型的進一步優化，穩壓電路還設有輸入控制電源端、接地端和高壓輸出端V+，高壓輸出端V+與二極管D1、二極管D2、二極管D3的負極連接。輸入控制電源端包括正電源VCC和負電源一VCC。可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端與陰極K端之間還分別連接有電阻R1、電阻R2、電阻R3。可控硅半控整流電路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端均還連接有交流電源
[0021]本實用新型的電路工作時，無需高端電源為觸發電路供電，穩壓電路給PNP三極管Q4提供負觸發電流Ib，PNP三極管Q4導通后輸出電流Ic，電流Ic流過二極管D4、二極管D5、二極管D6，去觸發可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3。
[0022]本實用新型結構簡單，設計合理，將可控硅半控整流電路接成共陽極結構，并為此專門設計了本實用新型中的觸發電路。由于功率可控硅的陽極都是和外殼相連，這種連接方法保證了可控硅的外殼都接在了一起，并接地。這樣在可控硅與散熱片連接時，可以不采取絕緣措施，提高了可控硅的散熱效果。
【主權項】
1.一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:包括觸發電路、可控硅半控整流電路、穩壓電路； 所述觸發電路包括二極管D4、二極管D5、二極管D6、PNP三極管Q4，所述二極管D4、二極管D5、二極管D6并聯且它們的正極均與PNP三極管Q4的集電極C端相連； 所述可控硅半控整流電路包括可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3和二極管Dl、二極管D2、二極管D3 ;所述可控硅Ql、可控硅Q2、可控硅Q3的陽極A端均與PNP三極管Q4的發射極E端相連且接地；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端均分別與二極管D4、二極管D5、二極管D6的負極連接；所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端分別與二極管Dl、二極管D2、二極管D3的正極連接； 所述穩壓電路與PNP三極管Q4的基極B端相連。2.根據權利要求1所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:所述穩壓電路還設有輸入控制電源端、接地端和高壓輸出端V+，所述高壓輸出端V+與二極管D1、二極管D2、二極管D3的負極連接。3.根據權利要求2所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:所述輸入控制電源端包括正電源VCC和負電源一VCC。4.根據權利要求1所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:所述可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的控制極G端與陰極K端之間還分別連接有電阻R1、電阻R2、電阻R3o5.根據權利要求1所述的一種共陽極可控硅半控整流電路，其特征在于:所述可控硅半控整流電路的可控硅Q1、可控硅Q2、可控硅Q3的陰極K端均還連接有交流電源。
【專利摘要】本實用新型公開了一種共陽極可控硅半控整流電路，包括觸發電路、可控硅半控整流電路、穩壓電路。觸發電路包括三個二極管、一個PNP三極管，三個二極管并聯且它們的正極均與PNP三極管的集電極端相連。可控硅半控整流電路包括三個可控硅和三個二極管。三個可控硅的陽極端均與PNP三極管的發射極端相連且接地。三個可控硅的控制極端均分別與三個二極管的負極連接。三個可控硅的陰極端分別與三個二極管的正極連接。穩壓電路與PNP三極管的基極端相連。本實用新型結構簡單，設計合理，將可控硅半控整流電路接成共陽極結構，由于功率可控硅的陽極是和外殼相連，保證了可控硅的外殼均連接并接地。可控硅與散熱片連接時，可以不采取絕緣措施，提高了散熱效果。
【IPC分類】H02M7/155
【公開號】CN204652253
【申請號】CN201520322462
【發明人】高玉海
【申請人】紹興標新機電科技有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年5月18日