單層鋁基板結構的mos管調壓器的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于調節電壓或電流的技術領域，具體是涉及一種用于摩托車或者電動車上的單層鋁基板結構的MOS管調壓器。
【背景技術】
[0002]如圖1和圖2所示為現有的調壓器的結構示意圖，現有的安裝在摩托車上的單相調壓器或者三相調壓器，通過插頭4連接在摩托車和供用電器之間，由于安裝位置以及變壓器大小的局限，考慮到現有的功率元件散熱問題，均采用雙層電路板布置結構，其中功率元件焊接在鋁基板上，功率元件主要是采用可控硅二極管5，用于電路控制的控制元件6焊接在PCB板3上，然后將鋁基板2和PCB板3合在一起進行合板裝配，合板焊接，然后組裝在調壓器機內，其工藝流程如圖3所示，但是雙層電路板結構的調壓器存在以下缺陷:1、生產工藝過程較難控制；2、容易造成裝配及焊接不良現象，影響調壓器質量。
【發明內容】
[0003]有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種單層鋁基板結構的MOS管調壓器，該單層鋁基板結構的MOS管調壓器通過將功率元件選用MOS管結構，將功率元件和控制元件貼裝到同一塊鋁基板上，不僅減少了調壓器的合板組裝工藝，提高裝配效益，而且減少人工焊接，提尚廣品的質量和合格率。
[0004]為了達到上述目的，本實用新型一種單層鋁基板結構的MOS管調壓器，包括設置在殼體內的單層鋁基板，所述單層鋁基板上設置有由MOS管、控制元件和集成芯片組成的集成電路。
[0005]進一步，所述集成芯片設置為MST2101。
[0006]進一步，所述集成芯片上設置有電源端(VCC)、接地端(GND)、第一信號輸入端(PHl)、第二信號輸入端(PH2 )、第三信號輸入端(PH3 )、輸出電壓取樣檢測輸入端(VSEM)、高壓電壓取樣檢測輸入端(VCH)、低壓電壓取樣檢測輸入端(VCL)、電源控制端(TD)、電壓輸出端(VREF )、蓄電池連接端(BAT )、正相激勵輸出端(DRVI)和反相激勵輸出端(DRV2 )。
[0007]進一步，所述MOS管包括MOS管I和MOS管II，所說MOS管I和MOS管II的D端分別與磁電機的輸出端連接，S端均與接地線連接，G端分別連接在集成芯片的正、反相激勵輸出端上。
[0008]進一步，所述集成電路包括整流電路和控制電路，所述控制電路包括第一控制通道、第二控制通道、第三控制通道、輸出電壓檢測電路、調整電壓檢測電路、電源控制電路和電源電路。
[0009]本實用新型的有益效果在于:
[0010]1、本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器通過將功率元件的可控硅選用MOS管結構，MOS管導通壓降比可控硅小一個數量級，能夠大幅度降低調壓器的熱負荷，一方面提高了調壓器可靠性，另一方面大幅度減小調壓器體積，減少資源消耗。
[0011]2、本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器將功率元件、控制元件和集成芯片貼裝到同一塊鋁基板上組成集成電路，工藝簡單、成本低、可靠性高、抗干擾能力強，提高裝配效益，并且減少人工焊接，降低焊接質量隱患；
[0012]3、本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器去除合板，減少了調壓器的合板組裝工藝，提高工作效率，避免合板過程中出現的裝配不良機焊接不良的現象，提高產品的質量和合格率。
【附圖說明】
[0013]為了使本實用新型的目的、技術方案和有益效果更加清楚，本實用新型提供如下附圖進行說明:
[0014]圖1為現有的SCR調壓器的剖視圖；
[0015]圖2為現有的SCR調壓器的主視圖；
[0016]圖3為現有的SCR調壓器的加工工藝流程圖；
[0017]圖4為本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器的加工工藝流程圖；
[0018]圖5為本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器的剖視圖；
[0019]圖6為本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器的主視圖；
[0020]圖7為現有的SCR調壓器的電路圖；
[0021]圖8為本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器的電路圖。
[0022]附圖標記:1_殼體；2_鋁基板；3_PCB板；4-插頭；5_可控硅二極管；6_控制元件；7-M0S管；8-集成芯片。
【具體實施方式】
[0023]下面將結合附圖，對本實用新型的優選實施例進行詳細的描述。
[0024]如圖5所示為本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器的剖視圖；如圖6所示為本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器的主視圖；本實用新型一種單層鋁基板結構的MOS管調壓器，包括設置在殼體I內的單層鋁基板2，所述單層鋁基板2上設置有由MOS管7、控制元件6和集成芯片8組成的集成電路，本實用新型通過將功率元件選用MOS管結構，將功率元件、控制元件和集成芯片貼裝到同一塊鋁基板上組成集成電路，工藝簡單、成本低、可靠性高、抗干擾能力強，提高裝配效益，并且減少人工焊接，降低焊接質量隱患，不僅減少了調壓器的合板組裝工藝，提高裝配效益，而且減少人工焊接，提高產品的質量和合格率。
[0025]進一步，優選的所述集成芯片8設置為MST2101，優選的集成芯片8設置為MST21011448D。
[0026]進一步，如圖8所示為本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器的電路圖，優選的所述集成芯片上設置有電源端(VCC)、接地端(GND)、第一信號輸入端(PH1)、第二信號輸入端(PH2)、第三信號輸入端(PH3)、輸出電壓取樣檢測輸入端(VSEM)、高壓電壓取樣檢測輸入端(VCH)、低壓電壓取樣檢測輸入端(VCL)、電源控制端(TD)、電壓輸出端(VREF)、蓄電池連接端(BAT )、正相激勵輸出端(DRVl)和反相激勵輸出端(DRV2 )。
[0027]進一步，優選的所述MOS管包括MOS管I和MOS管II，所說MOS管I和MOS管II的D端分別與磁電機的輸出端連接，S端均與接地線連接，G端分別連接在集成芯片的正、反相激勵輸出端上。
[0028]進一步，優選的所述集成電路包括整流電路和控制電路，所述控制電路包括第一控制通道、第二控制通道、第三控制通道、輸出電壓檢測電路、調整電壓檢測電路、電源控制電路和電源電路。
[0029]最后說明的是，以上優選實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非限制，盡管通過上述優選實施例已經對本實用新型進行了詳細的描述，但本領域技術人員應當理解，可以在形式上和細節上對其作出各種各樣的改變，而不偏離本實用新型權利要求書所限定的范圍。
【主權項】
1.一種單層鋁基板結構的MOS管調壓器，其特征在于:包括設置在殼體內的單層鋁基板，所述單層鋁基板上設置有由MOS管、控制元件和集成芯片組成的集成電路。2.根據權利要求1所述的一種單層鋁基板結構的MOS管調壓器，其特征在于:所述集成芯片設置為MST2101。3.根據權利要求1或2所述的一種單層鋁基板結構的MOS管調壓器，其特征在于:所述集成芯片上設置有電源端(VCC)、接地端(GND)、第一信號輸入端(PH1)、第二信號輸入端(PH2 )、第三信號輸入端(PH3 )、輸出電壓取樣檢測輸入端(VSEM)、高壓電壓取樣檢測輸入端(VCH)、低壓電壓取樣檢測輸入端(VCL)、電源控制端(TD)、電壓輸出端(VREF)、蓄電池連接端(BAT )、正相激勵輸出端(DRVI)和反相激勵輸出端(DRV2 )。4.根據權利要求3所述的一種單層鋁基板結構的MOS管調壓器，其特征在于:所述MOS管包括MOS管I和MOS管II，所說MOS管I和MOS管II的D端分別與磁電機的輸出端連接，S端均與接地線連接，G端分別連接在集成芯片的正、反相激勵輸出端上。5.根據權利要求3所述的一種單層鋁基板結構的MOS管調壓器，其特征在于:所述集成電路包括整流電路和控制電路，所述控制電路包括第一控制通道、第二控制通道、第三控制通道、輸出電壓檢測電路、調整電壓檢測電路、電源控制電路和電源電路。
【專利摘要】本實用新型公開了一種單層鋁基板結構的MOS管調壓器，包括設置在殼體內的單層鋁基板，所述單層鋁基板上設置有由MOS管、控制元件和集成芯片組成的集成電路，本實用新型單層鋁基板結構的MOS管調壓器通過將功率元件選用MOS管結構，將功率元件和控制元件貼裝到同一塊鋁基板上，不僅減少了調壓器的合板組裝工藝，提高裝配效益，而且減少人工焊接，提高產品的質量和合格率。
【IPC分類】H02M7/00, H02M7/217
【公開號】CN204652244
【申請號】CN201520369747
【發明人】郭成美, 宋宏均, 李良波
【申請人】重慶力華科技有限責任公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年6月2日