一種具有高頻性能改良中間件的usb連接器的制造方法
【技術領域】
[0001 ]本實用新型涉及連接器技術領域，特別是涉及一種USB連接器。
【背景技術】
[0002]隨著USB連接器發展到USB 3.1標準，尤其是USB Type-C連接器的出現，對高頻信號的質量傳輸要求越來越高，在USB Type-C連接器中為了實現正反插的要求采用雙層的信號層結構并在雙層信號層之間通過中間件來獲得良好的EMI/EMC效果，但這會給高頻性能帶來一定的影響。
【實用新型內容】
[0003]基于此，有必要針對現有技術的不足，提供一種具有新型中間件的USB連接器，其高頻性能明顯改善。
[0004]本實用新型提供一種具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其包括外殼、固定于所述外殼內的絕緣本體、固定于所述絕緣本體且呈上下排分布的端子以及固定于所述上、下排端子之間的中間件，所述的端子包括多個差分信號對端子，所述的中間件在對應于所述差分信號對端子位置設有具有阻抗調節能力的槽孔。
[0005]在其中一個實施例中，所述的差分信號對端子包括與對方連接器端子電性接觸的接觸部、用于與印制電路板錫焊連接的焊接部以及連接所述接觸部和焊接部的結合部，所述中間件的槽孔位于對應于所述接觸部的正對位置上。
[0006]在其中一個實施例中，所述中間件的槽孔為前部寬、后部窄的梯形槽。
[0007]在其中一個實施例中，所述中間件的槽孔為兩個連通的矩形槽，前部的矩形槽寬，后部的矩形槽窄。
[0008]在其中一個實施例中，所述前部的矩形槽的寬度為后部的矩形槽的寬度的1.4倍。
[0009]在其中一個實施例中，所述前部的矩形槽的長度大于所述后部的矩形槽的長度。
[0010]在其中一個實施例中，所述的端子還包括電源或地通路端子，所述中間件在對應所述電源或地通路端子的前部位置設有槽孔。
[0011 ]在其中一個實施例中，所述中間件由金屬板材通過折彎形成，包括平板狀的前部和由前部的端緣通過直角折彎形成的后部，所述后部也設置有對應于相應所述差分信號對端子位置的槽孔。
[0012]在其中一個實施例中，所述中間件的兩側設置有卡扣。
[0013]本實用新型的有益效果在于：本實用新型的USB連接器通過在其中間件上根據阻抗匹配原理設置預定排布的多個槽孔使得其差分信號對端子具有很好的阻抗匹配能力，從而明顯地提尚USB連接器的尚頻性能。
【附圖說明】
[0014]圖I為本實用新型一較佳實施例的的結構示意圖；
[0015]圖2為圖I中僅顯示端子和中間件的位置示意圖；
[0016]圖3為圖I中的中間件的結構示意圖；
【具體實施方式】
[0017]為了便于理解本發明，下面將參照相關附圖對同軸連接器進行更全面的描述。附圖中給出了同軸連接器的首選實施例。但是，同軸連接器可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對同軸連接器的公開內容更加透徹全面。
[0018]除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在同軸連接器的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
[0019]需要指出的是，本實用新型是在USB-IF公布的Universal Serial Bus Type-CCable and Connector Specif ication(Rev. 1.0)標準（以下簡稱“標準”）為基礎進行的改良結構，因此，標準內容中有關連接器的內容也被視為本文中的一部分。
[0020]如圖I所示的本實用新型較佳實施例的具有高頻性能改良中間件的USB連接器00，該USB連接器00為完全按照標準的插座(或母座)接口，用于安裝于印制電路板中，與對方連接器(稱為插頭或公頭，圖中未示出）匹配進行電連接。參照圖I，并結合圖2、圖3所示，按照USB-IF公布的標準中有關插座的規定，該USB連接器00包括外殼、固定于所述外殼內的絕緣本體、固定于所述絕緣本體且呈上下排分布的端子以及固定于所述上、下排端子之間的中間件，由標準可知，所述的端子包括多個差分信號對端子和電源或地通路端子（由于本實用新型是為改善差分信號對端子的高頻性能針對中間件作出的結構改良，因此，在本文整篇不對與中間件改良創新點無關的部分進行進一步描述，如需了解具體參見標準的相關內容即可），僅以差分對端子為例進行舉例說明。
[0021]如圖2，并參見圖3所示，差分信號對端子10包括與對方連接器端子電性接觸的接觸部11、用于與印制電路板錫焊連接的焊接部12以及連接所述接觸部11和焊接部12的結合部13，所述的中間件20是由金屬板材通過折彎形成，包括平板狀的前部21和由前部21的端緣通過直角折彎形成的后部22，所述的中間件20的兩側設置有卡扣23，用于固定于絕緣本體中，所述的中間件20還設置有結合孔24，用于進一步增強中間件與絕緣本體的固定結合力，由圖3可知，所述中間件20根據阻抗匹配原理在對應于所述差分信號對端子10位置設置有多個槽孔210，在本實施例中，所述的槽孔210由前部寬度較寬的矩形槽211和后部的寬度較窄的矩形槽212相互連通為一體形成，所述槽孔210設置于所述接觸部11的正對位置上(即上排端子的正下方或者下排端子的正上方位置），這樣，如果上排端子或下排端子的阻抗偏大時，可以通過將槽孔210的尺寸因應地變小來使阻抗值下拉到預定值，如果上排端子或下排端子的阻抗偏大時，可以通過將槽孔210的尺寸因應地變大來使阻抗值上拉到預定值，從而使差分信號對端子10獲得理想的阻抗匹配效果，實現USB連接器00的高頻性能優化。
[0022]進一步地，所述中間件的后部22在對應于相應所述差分信號對端子位置上設置槽孔210’，所述中間件的前部21的后半部分也在相應位置設置槽孔210”都可以進一步地增加阻抗調節的區間和提尚尚頻指標進一步優化的可能性。
[0023]通過實驗經驗獲知，為實現較佳的高頻性能改良效果，前部的矩形槽211的長度應該設置成大于所述后部的矩形槽212的長度，另外，當該前部的矩形槽211的寬度為后部的矩形槽212的寬度的1.4倍時，阻抗匹配能達到最佳狀態，值得說明的是，所述的槽孔210在位于端子的接觸部11附近的調整變化對高頻性能的影響較大，改善較果最明顯。
[0024]另一方面，為實現結構的簡化及制造便利性，所述中間件也可以在對應所述電源或地通路端子的前部位置設有槽孔210(參見圖2所示）。
[0025]綜上所述，本實用新型的USB連接器通過中間件上設置的多個槽孔的規格對差分信號對端子的阻抗進行優化調整，從而實現高頻性能改善的目的。
[0026]以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
[0027]以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1.一種具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其特征在于，包括外殼、固定于所述外殼內的絕緣本體、固定于所述絕緣本體且呈上下排分布的端子以及固定于所述上、下排端子之間的中間件，所述的端子包括多個差分信號對端子，所述的中間件在對應于所述差分信號對端子位置設有具有阻抗調節能力的槽孔。2.根據權利要求I所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其特征在于，所述的差分信號對端子包括與對方連接器端子電性接觸的接觸部、用于與印制電路板錫焊連接的焊接部以及連接所述接觸部和焊接部的結合部，所述中間件的槽孔位于對應于所述接觸部的正對位置上。3.根據權利要求2所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其特征在于，所述中間件的槽孔為前部寬、后部窄的梯形槽。4.根據權利要求2所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其特征在于，所述中間件的槽孔為兩個連通的矩形槽，前部的矩形槽寬，后部的矩形槽窄。5.根據權利要求4所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其特征在于，所述前部的矩形槽的寬度為后部的矩形槽的寬度的1.4倍。6.根據權利要求4所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其特征在于，所述前部的矩形槽的長度大于所述后部的矩形槽的長度。7.根據權利要求I所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其特征在于，所述的端子還包括電源或地通路端子，所述中間件在對應所述電源或地通路端子的前部位置設有槽孔。8.根據權利要求I所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其特征在于，所述中間件由金屬板材通過折彎形成，包括平板狀的前部和由前部的端緣通過直角折彎形成的后部，所述后部也設置有對應于相應所述差分信號對端子位置的槽孔。9.根據權利要求8所述的具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其特征在于，所述中間件的兩側設置有卡扣。
【專利摘要】本實用新型公開了具有高頻性能改良中間件的USB連接器，其包括外殼、固定于所述外殼內的絕緣本體、固定于所述絕緣本體且呈上下排分布的端子以及固定于所述上、下排端子之間的中間件，所述的端子包括多個差分信號對端子，所述的中間件在對應于所述差分信號對端子位置設有具有阻抗調節能力的槽孔。本實用新型結構具有很好的阻抗匹配能力，從而明顯地提高USB連接器的高頻性能。
【IPC分類】H01R13/6476
【公開號】CN205159669
【申請號】CN201520989220
【發明人】畢偉, 姚淵
【申請人】電連技術股份有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2015年12月3日