一種提高半導體激光器可靠性的制備方法
【專利摘要】一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，采用一次刻蝕同時去除半導體激光器脊形臺面以外的歐姆接觸層，并引入非注入區窗口結構。本發明基于P電極與芯片外延層的肖特基接觸原理，通過一次刻蝕工藝同時去除脊形臺面以外的歐姆接觸層和去除腔面處的歐姆接觸層引入非注入區窗口結構，形成肖特基接觸層，達到防止激光器中雙溝區兩側漏電、提器件可靠性以及提高COD閾值的目的。本發明只采用一次光刻工藝，制備工藝簡單，適用范圍廣泛且兼容性強，可以與其它特殊工藝相結合，以進一步提高半導體激光器的性能。
【專利說明】
一種提高半導體激光器可靠性的制備方法
技術領域
[0001]本發明公開了一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，屬于半導體激光器制作的技術領域。技術背景
[0002]自十九世紀六十年代問世以來，半導體激光器已經得到了舉世矚目的迅猛發展。 如今，大功率半導體激光器以其高效率、大功率和高可靠性等優點在栗浦固體激光器、光纖通信、材料加工、醫療、激光打印等方面獲得了廣泛的應用。同時，隨著新應用的不斷擴展， 對于大功率半導體激光器的要求也日益提高。
[0003]其中，如何實現高功率的同時，保證或甚至提高可靠性已經成為當前進一步發展大功率半導體激光器技術產業和市場應用所面臨的關鍵問題。
[0004]對于脊波導邊發射半導體激光器，腔面光學災變損傷(COD-Catastrophic Optical Damage)是限制功率提高的主要因素之一。COD是腔面因附近光功率密度過高導致其發生了不可逆轉的物理性損壞。在半導體激光器的腔面區域，由于解理、氧化等因素存在大量的缺陷，這些缺陷成為光吸收中心和非福射復合中心。一方面，在腔面附近的高光功率密度使腔面附近光吸收增大，而腔面缺陷的存在使光的吸收更為嚴重。光吸收產生的熱量使腔面溫度升高，溫度升高則帶隙減小，因而在腔面區域與激光器內部區域之間形成了一個電勢梯度，引導載流子向腔面區域注入，更重要的是帶隙減小后帶間光吸收增強，兩者都會使腔面區域的載流子濃度升高，增強非輻射復合，使腔面溫度進一步升高。另一方面，大功率半導體激光器較大的注入電流也增強了腔面非輻射復合。正是光吸收、非輻射復合、溫度升高和帶隙減小的正反饋過程使腔面區域的溫度在大功率下快速升高，最終腔面燒毀， 即發生COD。C0D會嚴重影響大功率半導體激光器的性能，限制激光器的最大輸出功率，降低可靠性，縮短使用壽命。如果能提高激光器的腔面光學災變閾值，也就提高了激光器的最大輸出功率，其中一個有效提高器件的C0D閾值方法是在腔面引入非注入區窗口結構，即將窗口區重摻雜的歐姆接觸層去掉，這可以避免注入電流側向擴展到端面處的有源區，降低激光器端面處的非輻射復合速率和溫度。
[0005]影響到半導體激光器可靠性因素之一是激光器件漏電。脊波導半導體激光器采用電流約束結構，獲得低閾值和高輸出功率，如果漏電流增加，這導致器件閾值電流增大、夕卜微分量子效率降低。漏電流的增大通常伴有1-V特性的軟開啟，顯著特點是在IdV/dl-1曲線上小電流處有一拐點(尖峰)，這表示存在一并聯電阻通道。在雙溝脊波導激光器中，除了脊形臺面上方是直接與P電極相接觸的，其余部分均需要淀積Si02或S1xNy膜薄膜與電極絕緣，當設備長出的Si02或S1xNy薄膜絕緣性不夠好時，造成激光器嚴重漏電。原因是常規工藝制程中激光器中雙溝區兩側的GaAs上方覆蓋Si02,而GaAs本身是高摻的，因此如果Si02的絕緣性不夠好，則重摻雜的GaAs與電極間會形成泄漏電流通道，使激光器的閾值電流升高。為防止激光器中雙溝區兩側漏電，一個有效的方法是將激光器中雙溝區兩側重摻雜的GaAs層去掉，形成肖特基接觸層。
[0006]中國專利文獻CN101841124A公布了一種高功率基橫模平板耦合光波導半導體激光器結構，提到通過光刻腐蝕制備光刻腐蝕出雙溝形成脊型臺面。
[0007]中國專利文獻CN101316027A公布了一種量子阱邊發射半導體激光器的制造方法，提到通過一次光刻腐蝕脊形臺面以外的砷化鎵歐姆接觸層，形成雙溝區的外邊緣。
[0008]中國專利文獻CN103647216A公布了一種具有非對稱腔面非注入區窗口結構的半導體激光器，提出采用去除腔面附近高摻雜歐姆接觸層與腔面附近電絕緣介質層鈍化相結合的方法形成腔面非注入區，以提高半導體激光器的C0D閾值。但該專利中提出的“腐蝕除去歐姆接觸層和上限制層的四邊，在歐姆接觸層的中心位置形成脊型臺”，非注入區窗口結構同時去除了歐姆接觸層和上限制層，這樣會引起窗口區的脊波導厚度相對于其它區域的脊波導薄很多，導致脊形波導的折射率的變化，使得半導體激光器的側向光模式發生紊亂， 造成激光器橫模和縱模的改變。
[0009]中國專利文獻CN103401140A公開了一種具有新型腔面非注入區窗口結構的半導體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、具有量子阱結構的有源層、上波導層、上限制層、歐姆接觸層，腐蝕除去歐姆接觸層和上限制層的四邊，在歐姆接觸層的中心位置形成第一脊型臺，歐姆接觸層上下貫通，上限制層上下不貫通；腐蝕去除上限制層未貫通部分的四角，腐蝕后上限制層的四角不貫通；電絕緣介質層覆蓋于上限制層的上表面及第一脊型臺的側面，正面電極覆蓋在電絕緣介質層和第一脊型臺的上表面，背面電極生長在襯底上。本專利為“腐蝕除去歐姆接觸層和上限制層的四邊”，會引起窗口區的脊形波導的折射率的變化。
[0010]中國專利文獻CN103545714A公開了一種具有新型近腔面電流非注入區結構的半導體激光器及制造方法，本發明所采取的技術方案為一種電流非注入區靠近腔面的半導體激光器及制造方法，其由下到上排列順序為襯底、緩沖層、下限制層、下波導層、具有量子阱結構的有源層、上波導層、第二上限制層、刻蝕停止層、第一上限制層、歐姆接觸層、電絕緣介質層；四個分別與激光器兩側腔面相鄰的被暴露出來的凹槽；位于四個凹槽中間的位置并含有一個電流注入區的條形脊型臺；電絕緣介質層覆蓋于除電流注入區之外的歐姆接觸層及凹槽上；歐姆接觸層位于第一上限制層的上方，第一上限制層在刻蝕停止層上方；從半導體激光器腔面附近的歐姆接觸層開始刻蝕凹槽，由于刻蝕停止層的存在，使脊型臺能夠被精確地刻蝕出來；刻蝕后部分第一上限制層側壁和部分刻蝕停止層被暴露出來；正面電極覆蓋于電絕緣介質層和作為電流注入區的歐姆接觸層之上，背面電極覆蓋在襯底上。 本專利的非注入區窗口結構為“腐蝕除去歐姆接觸層和上限制層的四邊”，會引起窗口區的脊形波導的折射率的變化。
[0011]以上文獻中部分專利僅給出去除脊形臺面以外的砷化鎵歐姆接觸層和非注入區窗口結構的其中的一種方法，另外的專利給出的引入非注入區窗口結構的方法會導致脊形波導的折射率的變化，使得半導體激光器的側向光模式發生紊亂，造成激光器橫模和縱模的改變。
【發明內容】
[0012]針對現有技術的不足，本發明提供一種提高半導體激光器可靠性的制備方法。
[0013]本發明的技術方案如下:
[0014]—種提高半導體激光器可靠性的制備方法，采用一次刻蝕同時去除半導體激光器脊形臺面以外的歐姆接觸層，并引入非注入區窗口結構。
[0015]根據本發明優選的，所述提高半導體激光器可靠性的制備方法包括具體步驟如下:
[0016](1)在襯底上依次生長N型下限制層、下波導層、具有量子阱結構的有源區、上波導層、P型上限制層和歐姆接觸層，形成半導體外延片；所述歐姆接觸層為GaAs層；
[0017](2)在所述外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形，去除掉長方形圖形以外的歐姆接觸層，暴露出P型上限制層；以達到去除脊形臺面以外的歐姆接觸層和引入非注入區窗口結構的目的；
[0018](3)在歐姆接觸層上光刻雙溝脊波導圖形，制備脊形臺面；
[0019](4)在外延片表面上淀積電絕緣介質層；
[0020](5)腐蝕去除對應于脊形臺面上的電絕緣介質層，露出脊形臺面；
[0021](6)在所述脊形臺面和電絕緣介質層上制備P面電極；
[0022](7)對襯底進行減薄拋光后在其上制備N面電極，即制作成激光器芯片。
[0023]將制作完成的激光器芯片，沿非注入區窗口區的中間位置解離，形成Bar條，之后再鍍膜、解離成管芯，這樣便在半導體激光器的腔面形成了非注入區窗口結構。
[0024]本發明通過一次刻蝕工藝同時去除脊形臺面以外的歐姆接觸層和引入非注入區窗口結構的方法。該方法能在提高半導體激光器C0D閾值的同時，防止激光器中雙溝區兩側漏電，提高器件可靠性。本發明所述的制備方法簡單易實現，并且能夠應用于非選擇性刻蝕外延層材料結構中。
[0025]根據本發明優選的，所述步驟(2)中，利用濕法腐蝕法或干法刻蝕法去除歐姆接觸層。
[0026]根據本發明優選的，所述步驟(2)中，在所述外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形，其橫向排布周期T1等于半導體激光器芯片的寬度，縱向排布周期T2等于半導體激光器芯片的諧振腔長。本發明所述步驟(2)中，長方形圖形的尺寸依據半導體激光器芯片的特征尺寸、芯片的外延層結構以及工藝需求而設計的。
[0027]根據本發明優選的，當所述歐姆接觸層和P型上限制層兩層結構為非選擇性刻蝕，或者對脊形臺面直接通過干法刻蝕制備時，則長方形圖形的尺寸為:長方形圖形的寬度 L1 <半導體激光器的脊形臺面寬度，長方形圖形的長度L2 =(半導體激光器芯片的諧振腔長-非注入區窗口結構的寬度)。其中，所述兩層結構非選擇性刻蝕是指無法用不同的腐蝕液分別腐蝕歐姆接觸層和P型上限制層。
[0028]根據本發明優選的，當所述歐姆接觸層和P型上限制層兩層結構為選擇性刻蝕， 且脊形臺面通過濕法腐蝕，或者濕法腐蝕與干法刻蝕兩者相結合的方法制備，則長方形圖形的尺寸為:長方形圖形的寬度L1 <(半導體激光器的脊形臺面寬度+脊形臺面兩側雙溝的寬度)，長方形圖形的長度L2 =(半導體激光器芯片的諧振腔長-非注入區窗口結構的寬度)。
[0029]根據本發明優選的，所述步驟(3)中，采用濕法腐蝕或干法刻蝕制備脊形臺面。
[0030]根據本發明優選的，所述步驟(3)中的光刻雙溝脊波導圖形，其脊波導圖形光刻在步驟(2)刻蝕出的長方形圖形的歐姆接觸層中心位置。
[0031]根據本發明優選的，在步驟(1)-(2)中，在外延片上制備量子阱混雜區域的窗口， 通過擴鋅或其它方式對該窗口區的有源區混雜；其中非注入區窗口結構套刻在量子阱混雜區域的窗口中的中心位置上。
[0032]本發明的優點如下:
[0033]本發明通過一次刻蝕工藝同時去除脊形臺面以外的歐姆接觸層和引入非注入區窗口結構，制備工藝簡單、易操作。引入非注入區窗口結構，用于提高半導體激光器C0D閾值；去除脊形臺面以外的歐姆接觸層，用于防止激光器中雙溝區兩側漏電，提高器件可靠性。
[0034]本發明所述的引入非注入區窗口結構，僅去除窗口區的歐姆接觸層，不對其它地方造成破壞，保證了半導體激光器的出光模式。
[0035]本發明所提供的技術方案適用范圍廣泛，既可以用于非選擇性腐蝕的外延材料又適用于選擇性腐蝕的材料。
[0036]本發明工藝兼容性強，可以與其它特殊工藝相結合(如腔面附近電絕緣介質層鈍化)，以進一步提高半導體激光器的性能。【附圖說明】
[0037]圖1為本發明中所述雙溝脊波導半導體激光器剖面結構示意圖；
[0038]圖2為本發明中所述雙溝脊波導半導體激光器正面結構示意圖；
[0039]圖3為本發明中所述在外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形結構示意圖；
[0040]圖4為本發明所述的在制備出的周期性排布的長方形圖形歐姆接觸層上中心位置光刻雙溝脊波導圖形的示意圖；
[0041]圖1-4中，1、P面電極；2、電絕緣介質層；3、歐姆接觸層；4、P型上限制層；5、上波導層；6、有源區；7、下波導層；8、N型下限制層；9、襯底；10、N面電極；11、非注入區窗口結構；12、脊波導；13、脊兩側的雙溝；14、長方形圖形歐姆接觸層；15、非注入區窗口區的中間位置；T1、長方形圖形的橫向排布周期；T2、長方形圖形的縱向排布周期；L1、長方形圖形的寬度；L2、長方形圖形的長度。【具體實施方式】
[0042]下面結合附圖和實施例對本發明做詳細的說明，但不限于此。
[0043]在圖 1-4 中。
[0044]實施例1、
[0045]所選芯片外延層為GaAs/GalnP選擇性腐蝕材料結構的，半導體激光器管芯諧振腔長為1500 y m、寬度為500 y m，脊波導寬度為100 y m，脊條兩側為雙溝寬度均為20 y m，通過濕法腐蝕的方法制雙溝形脊波導。
[0046]—種提高半導體激光器可靠性的制備方法，采用一次刻蝕同時去除半導體激光器脊形臺面以外的歐姆接觸層，并引入非注入區窗口結構；所述提高半導體激光器可靠性的制備方法包括具體步驟如下:
[0047](1)在襯底9上依次生長N型下限制層8、下波導層7、具有量子阱結構的有源區6、 上波導層5、P型上限制層4和歐姆接觸層3,形成半導體外延片；所述歐姆接觸層3為GaAs層；
[0048](2)在所述外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形，去除掉長方形圖形以外的歐姆接觸層，暴露出P型上限制層4 ;以達到去除脊形臺面以外的歐姆接觸層3和引入非注入區窗口結構的目的；其中長方形圖形的長L1為1450 ym、寬L2為120 ym，T2縱向周期為 1500 ym、T1橫向周期為500 ym ;
[0049](3)在歐姆接觸層3上光刻雙溝脊波導圖形，制備脊形臺面；在歐姆接觸層3上中心位置光刻雙溝脊波導圖形，其中脊波導12寬度為lOOym、脊條兩側為雙溝寬度均為 20 ym ;先用磷酸:雙氧水濕法腐蝕脊波導兩側多余的歐姆接觸層，然后再用溴水濕法腐蝕 P型上限制層，達到目的深度；
[0050](4)在外延片表面上淀積電絕緣介質層2:即在外延片表面上PECVD生長Si02電絕緣薄膜；
[0051](5)腐蝕去除對應于脊形臺面上的電絕緣介質層2,露出脊形臺面；
[0052](6)在所述脊形臺面和電絕緣介質層2上制備P面電極1:在電絕緣介薄膜和脊型臺的上表面上蒸發TiAu ;
[0053](7)對襯底9進行減薄拋光后在其上制備N面電極10:對襯底9進行減薄拋光后， 在其上蒸鍍GeNiAu。
[0054]將制作完成的激光器芯片，沿非注入區窗口區的中間位置15解離，形成Bar條，之后再鍍膜、解離成管芯，這樣便在半導體激光器的腔面形成了 25 ym的非注入區窗口結構 11〇
[0055]本發明通過一次刻蝕工藝同時去除脊形臺面以外的歐姆接觸層和引入非注入區窗口結構的方法。該方法能在提高半導體激光器C0D閾值的同時，防止激光器中雙溝區兩側漏電，提高器件可靠性。本發明所述的制備方法簡單易實現，并且能夠應用于非選擇性刻蝕外延層材料結構中。
[0056]所述步驟(2)中，利用濕法腐蝕法或干法刻蝕法去除歐姆接觸層3。
[0057]所述步驟(2)中，在所述外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形，其橫向排布周期T1等于半導體激光器芯片的寬度，縱向排布周期T2等于半導體激光器芯片的諧振腔長。
[0058]實施例2、
[0059]如實施例1所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其區別在于，
[0060]在步驟(1)-(2)中，在外延片上制備量子阱混雜區域的窗口，通過擴鋅或其它方式對該窗口區的有源區混雜；其中非注入區窗口結構11套刻在量子阱混雜區域的窗口中的中心位置上。
[0061]在外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形，其中長方形圖形的長L2為 1450 ym、寬L1為120ym，縱向周期T2為1500 ym、橫向周期T1為500 ym ;腐蝕去除掉長方形圖形以外的歐姆接觸層，暴露出P型上限制層，去除脊形臺面以外的歐姆接觸層和引入非注入區窗口結構11 ;其中非注入區窗口結構11套刻在步驟(1)量子阱混雜窗口中的中心位置上。
[0062]實施例3、
[0063]如實施例1所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其區別在于，所選芯片外延層為GaAs/AlGaAs的非選擇性腐蝕材料結構的，當所述歐姆接觸層和P型上限制層兩層結構為非選擇性刻蝕，或對脊形臺面直接通過干法刻蝕制備，則長方形圖形的尺寸為:長方形圖形的寬度L1 <半導體激光器的脊形臺面寬度，長方形圖形的長度L2 =(半導體激光器芯片的諧振腔長-非注入區窗口結構的寬度)。半導體激光器管芯諧振腔長為 2000 y m、寬度為500 y m，脊波導寬度為200 y m，脊條兩側為雙溝寬度均為30 y m，通過濕法腐蝕的方法制雙溝形脊波導。
[0064](1)在襯底9上依次生長N型下限制層8、下波導層7、具有量子阱結構的有源區6、 上波導層5、P型上限制層4和歐姆接觸層3,形成半導體外延片；所述歐姆接觸層3為GaAs 層；
[0065](2)在所述外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形，去除掉長方形圖形以外的歐姆接觸層，暴露出P型上限制層；以達到去除脊形臺面以外的歐姆接觸層和引入非注入區窗口結構的目的；其中長方形的長L2為1900 ym、寬L1為180 ym，縱向周期T2為 2000 ym、橫向周期T1為500 ym ;
[0066](3)在歐姆接觸層3上光刻雙溝脊波導圖形，制備脊形臺面；在歐姆接觸層上中心位置光刻雙溝脊波導圖形，在歐姆接觸層上中心位置光刻雙溝脊波導圖形，其中脊波導寬度為200um、脊條兩側為雙溝寬度均為30um ;使用ICP刻蝕或濕法腐蝕P型限制層達到目的深度；
[0067](4)在外延片表面上淀積電絕緣介質層2:即在外延片表面上PECVD生長SixNy電絕緣薄膜；
[0068](5)腐蝕去除對應于脊形臺面上的電絕緣介質層2,露出脊形臺面；
[0069](6)在所述脊形臺面和電絕緣介質層2上制備P面電極1:在電絕緣介薄膜和脊型臺的上表面上蒸發TiPtAu ;
[0070](7)對襯底進行減薄拋光后在其上制備N面電極10:對襯底9進行減薄拋光后，在其上蒸鍍GeNiAu。
[0071]將制作完成的激光器芯片，沿非注入區窗口區的中間位置15解離，形成Bar條，之后再鍍膜、解離成管芯，這樣便在半導體激光器的腔面形成了 50 ym的非注入區窗口結構 11〇
[0072]實施例4、
[0073]如實施例1所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其區別在于，所選芯片外延層為GaAs/GalnP選擇性腐蝕材料結構的，當所述歐姆接觸層和P型上限制層兩層結構為選擇性刻蝕，且脊形臺面通過濕法腐蝕，或濕法腐蝕與干法刻蝕兩者相結合的方法制備，則長方形圖形的尺寸為:長方形圖形的寬度L1彡(半導體激光器的脊形臺面寬度+ 脊形臺面兩側雙溝的寬度)，長方形圖形的長度L2 =(半導體激光器芯片的諧振腔長-非注入區窗口結構的寬度)。半導體激光器管芯諧振腔長為1500 ym、寬度為500 ym，脊波導寬度為100 ym，脊條兩側為雙溝寬度均為20 ym，通過濕法腐蝕的方法制雙溝形脊波導。
[0074](1)在襯底9上依次生長N型下限制層8、下波導層7、具有量子阱結構的有源區 6、上波導層5、P型上限制層4和歐姆接觸層3,形成半導體外延片；所述歐姆接觸層為GaAs 層；
[0075](2)在所述外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形，去除掉長方形圖形以外的歐姆接觸層3,暴露出P型上限制層4 ;以達到去除脊形臺面以外的歐姆接觸層和引入非注入區窗口結構的目的；其中長方形的長L2為1450 ym、寬L1為110 ym，縱向周期T2為 1500 ym、橫向周期T1為500 ym ;
[0076](3)在歐姆接觸層3上光刻雙溝脊波導圖形，制備脊形臺面；在歐姆接觸層上中心位置光刻雙溝脊波導圖形，在歐姆接觸層上中心位置光刻雙溝脊波導圖形，其中脊波導寬度為100 y m、脊條兩側為雙溝寬度均為20 y m ;使用ICP刻蝕P型限制層達到目的深度；
[0077](4)在外延片表面上淀積電絕緣介質層2:即在外延片表面上PECVD生長Si02電絕緣薄膜；
[0078](5)腐蝕去除對應于脊形臺面上的電絕緣介質層，露出脊形臺面；
[0079](6)在所述脊形臺面和電絕緣介質層2上制備P面電極1:在電絕緣介薄膜和脊型臺的上表面上蒸發TiPtAu ;
[0080](7)對襯底進行減薄拋光后在其上制備N面電極10,即制作成激光器芯片:制備N 面電極:對襯底9進行減薄拋光后，在其上蒸鍍GeNiAu。
[0081]將制作完成的激光器芯片，沿非注入區窗口區的中間位置15解離，形成Bar條，之后再鍍膜、解離成管芯，這樣便在半導體激光器的腔面形成了 25 ym的非注入區窗口結構 11〇
【主權項】
1.一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，采用一次刻蝕同時去除半 導體激光器脊形臺面以外的歐姆接觸層，并引入非注入區窗口結構。2.根據權利要求1所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，所 述提高半導體激光器可靠性的制備方法包括具體步驟如下:(1)在襯底上依次生長N型下限制層、下波導層、具有量子阱結構的有源區、上波導層、 P型上限制層和歐姆接觸層，形成半導體外延片；所述歐姆接觸層為GaAs層；(2)在所述外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形，去除掉長方形圖形以外的歐姆 接觸層，暴露出P型上限制層；(3)在歐姆接觸層上光刻雙溝脊波導圖形，制備脊形臺面；(4)在外延片表面上淀積電絕緣介質層；(5)腐蝕去除對應于脊形臺面上的電絕緣介質層，露出脊形臺面；(6)在所述脊形臺面和電絕緣介質層上制備P面電極；(7)對襯底進行減薄拋光后在其上制備N面電極，即制作成激光器芯片。3.根據權利要求2所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，將 制作完成的激光器芯片，沿非注入區窗口區的中間位置解離，形成Bar條，之后再鍍膜、解 離成管芯，這樣便在半導體激光器的腔面形成了非注入區窗口結構。4.根據權利要求1所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，所 述步驟(2)中，利用濕法腐蝕法或干法刻蝕法去除歐姆接觸層。5.根據權利要求4所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，所 述步驟(2)中，在所述外延片上光刻出周期性排布的長方形圖形，其橫向排布周期T1等于 半導體激光器芯片的寬度，縱向排布周期T2等于半導體激光器芯片的諧振腔長。6.根據權利要求2所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，當 所述歐姆接觸層和P型上限制層兩層結構為非選擇性刻蝕，或者對脊形臺面直接通過干法 刻蝕制備時，則長方形圖形的尺寸為:長方形圖形的寬度L1 <半導體激光器的脊形臺面寬 度，長方形圖形的長度L2 =(半導體激光器芯片的諧振腔長-非注入區窗口結構的寬度)。7.根據權利要求2所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，當 所述歐姆接觸層和P型上限制層兩層結構為選擇性刻蝕，且脊形臺面通過濕法腐蝕，或者 濕法腐蝕與干法刻蝕兩者相結合的方法制備，則長方形圖形的尺寸為:長方形圖形的寬度 L1 <(半導體激光器的脊形臺面寬度+脊形臺面兩側雙溝的寬度)，長方形圖形的長度L2 =(半導體激光器芯片的諧振腔長-非注入區窗口結構的寬度)。8.根據權利要求2所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，所 述步驟(3)中，采用濕法腐蝕或干法刻蝕制備脊形臺面。9.根據權利要求2所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，所 述步驟(3)中的光刻雙溝脊波導圖形，其脊波導圖形光刻在步驟(2)刻蝕出的長方形圖形 的歐姆接觸層中心位置。10.根據權利要求2所述的一種提高半導體激光器可靠性的制備方法，其特征在于，在 步驟(1)-⑵中，在外延片上制備量子阱混雜區域的窗口，其中非注入區窗口結構套刻在 量子阱混雜區域的窗口中的中心位置上。
【文檔編號】H01S5/34GK105990790SQ201510047404
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年1月29日
【發明人】劉歡, 沈燕, 徐現剛
【申請人】山東華光光電子股份有限公司