半導體裝置以及半導體模塊的制作方法
【技術領域】
本發明涉及一種半導體裝置以及半導體模塊，特別地，涉及具有高耐壓半導體元件的半導體裝置、和應用了該半導體裝置的半導體模塊。
【背景技術】
在以半導體晶圓或半導體芯片的狀態對半導體裝置(被測定物)評價電氣特性時，首先，將半導體裝置載置于半導體評價裝置的卡盤臺的表面。然后，通過真空吸附等，將半導體裝置固定于卡盤臺。然后，通過將接觸探針與半導體裝置的規定的表面電極接觸，進行電氣式的輸入輸出，從而對電氣特性進行評價。
在對沿半導體裝置的縱向(厚度方向)流過大電流的縱向型半導體裝置的電氣特性進行評價時，卡盤臺的表面成為電極。另外，為了將上述的大電流或高電壓施加于半導體裝置，開展了接觸探針的多針化。
在對電氣特性進行評價時將大電流或高電壓施加于半導體裝置的要求日益提高，另一方面，為了削減制造成本，不斷進行用于使各個半導體芯片小型化或者縮小化的開發，不斷地增加每I片半導體晶圓的半導體芯片的數量。
為了避免形成功率半導體元件的元件形成區域(活性區域)變窄，并且實現半導體芯片的小型化，將包圍元件形成區域的終端區域變窄是有效的。作為公開了將上述終端區域的占用面積縮小的半導體裝置的專利文獻的例子，存在專利文獻I(日本特開2014 — 204038號公報)。
與半導體裝置的小型化相伴，作為表面電極而形成的、例如柵極電極或發射極電極等也大多被縮小。特別地，關于柵極電極，有時與半導體裝置的小型化無關地，以使元件形成區域(活性區域)擴大這一點為理由，使柵極電極的占用面積縮小。在將半導體裝置作為半導體模塊而進行組裝時，導線與該柵極電極等連接。如果使柵極電極等的占用面積縮小，則在對該導線進行連接時會發生問題。說明該情況。
如上所述，在對半導體裝置的電氣特性進行評價時，接觸探針與柵極電極等電極的表面接觸。接觸探針的前端部分形成為尖銳的針狀。因此，通過接觸探針的前端部與電極的表面接觸，從而有時會使電極的表面受到損傷，導致電極的表面變粗糙，或者在電極的表面形成與接觸探針的前端部相對應的凹凸。
如果與導線連接的電極的表面變粗糙、或者形成凹凸，則導線和電極的密接性下降。因此，即使是在對電氣特性進行評價時判定為合格品的半導體裝置，在作為半導體模塊而被組裝后，有時也會發生導線脫落等，產生不能進行通電等故障。

【發明內容】

本發明就是為了解決上述問題而提出的，其一個目的在于提供能夠可靠地將導線與電極連接的半導體裝置，另一個目的在于提供應用了上述半導體裝置的半導體模塊。
本發明所涉及的半導體裝置具有半導體基板、元件形成區域、終端區域和第I主面側電極。半導體基板具有彼此相對的第I主面及第2主面。元件形成區域規定于半導體基板的第I主面側。終端區域規定于半導體基板的第I主面側，以包圍元件形成區域的方式而配置。第I主面側電極形成于元件形成區域，包含第I電極，該第I電極配置有第I區域及第2區域。第I區域和第2區域由形成于第I電極的表面處的分隔部件進行了分隔。第I區域形成為具有長邊和短邊的矩形狀。第2區域配置于第I區域的長邊側。
本發明所涉及的半導體模塊是應用了上述半導體裝置的半導體模塊，在該半導體模塊中，導線與第I電極的第2區域連接。
根據本發明所涉及的半導體裝置，第I主面側電極包含第I電極，該第I電極配置有接觸探針所接觸的第I區域以及與導線連接的第2區域，從而能夠將導線可靠地與第I電極連接。
根據本發明所涉及的半導體模塊，能夠防止與第2區域連接的導線脫落等，作為半導體模塊而不能進行通電等故障。
通過結合附圖進行理解的、與本發明相關的以下的詳細說明，使本發明的上述及其它目的、特征、方案以及優點變得明確。
【附圖說明】
圖1是表示本發明的實施方式所涉及的半導體裝置的局部俯視圖。
圖2是在本實施方式中，表示圖1所示的柵極電極及其周邊的局部放大俯視圖。
圖3是在本實施方式中，表示圖2所示的剖視線III 一 III處的局部放大剖視圖。
圖4是在本實施方式中，示意性地表示用于進行半導體裝置的電氣評價的半導體評價裝置的結構的側視圖。
圖5是在本實施方式中，示意性地表示探針基體的結構的側視圖。
圖6是在本實施方式中，表示在半導體評價裝置中接觸探針與半導體裝置接觸的狀態的側視圖。
圖7是在本實施方式中，表示接觸探針與半導體裝置接觸的狀態的局部放大側視圖。
圖8是在本實施方式中，表示對電氣特性進行評價后的柵極電極及其周邊的狀態的局部放大俯視圖。
圖9是在本實施方式中，表示圖8所示的剖視線IX — IX處的局部放大剖視圖。
圖10是在本實施方式中，表示對電氣特性進行評價后的發射極電極及其周邊的狀態的局部俯視圖。
圖11是在本實施方式中，表示第I變形例所涉及的半導體裝置的局部俯視圖。
圖12是在本實施方式中，表示第2變形例所涉及的半導體裝置的局部俯視圖。
圖13是在本實施方式中，示意性地表示應用了半導體裝置的半導體模塊的概念的俯視圖。
【具體實施方式】
(半導體裝置)
首先，說明實施方式所涉及的半導體裝置。關于半導體裝置，特別地，以具有在電力變換裝置等中使用的高耐壓半導體元件的半導體裝置作為對象。如圖1所示，在半導體裝置I中，在半導體基板3的表面(第I主面)側的區域配置有元件形成區域5(活性區域)，該元件形成區域5(活性區域)形成有對電流進行控制的半導體元件。以包圍該元件形成區域5的方式而配置有終端區域7。終端區域7是用于確保電氣耐壓的區域，例如采用保護環構造、RESURF構造或VLD(Variat1n of Lateral Doping)構造等。
在這里，作為在元件形成區域形成的高耐壓半導體元件的一個例子，將IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為例子舉出。在元件形成區域5配置有柵極電極9和發射極電極U。柵極電極9以與終端區域7相鄰的方式配置于終端區域7附近的區域。在IGBT的情況下，在半導體基板3的背面(第2主面)側形成有集電極電極25(參照圖3)。
如圖2及圖3所示，在柵極電極9配置有針抵接區域13和導線區域15。針抵接區域13和導線區域15由形成于柵極電極9的表面處的絕緣體17進行了分隔。針抵接區域13的表面和導線區域15的表面位于相同的高度。
如后所述，接觸探針與針抵接區域13接觸。另外，導線與導線區域15連接。在該導線區域15形成有識別標記19，該識別標記19成為在對導線進行連接時的記號。
針抵接區域13的平面形狀為具有長邊和短邊的長方形(矩形)。在長方形的針抵接區域13的長邊側配置有導線區域15。導線區域15的面積設定得比針抵接區域13的面積大。這是為了在將半導體裝置作為半導體模塊而進行產品化時，使半導體裝置(柵極電極)和導線的電連接長期地穩定。
另外，在接觸探針與針抵接區域13接觸時，接觸探針的前端部在針抵接區域的表面滑動(滑行)。因此，長方形的針抵接區域13以長度方向沿接觸探針的