有機半導體薄膜晶體管及其制作方法
【專利說明】
【技術領域】
[0001]本發明涉及有機半導體薄膜晶體管的技術領域，特別是涉及一種應用于有機半導體薄膜晶體管及其制作方法。
【【背景技術】】
[0002]0TFT(0rganic Thin Film Transistor)是一種使用有機物作為半導體材料的薄膜晶體管，多用于塑料基板，因其具有可卷曲、制程成本低等特點，成為當前最具潛力的下一代柔性顯示器的新型Array板技術。有機薄膜晶體管制作方法相對傳統無機薄膜晶體管更為簡單，其對成膜氣氛的條件及純度的要求都很低，因此其制作成本更低;有機薄膜晶體管有優異的柔韌性，適用于柔性顯示、電子皮膚、柔性傳感器等領域。
[0003]為了降低注入勢皇，0TFT源漏電極的材料一般選擇金或銀等金屬。但金因其價格高昂，并不適合應用于大量生產。銀相對金成本要低廉，但銀表面在被等離子體(plasma)轟擊時，會容易發生氧化導致導電能力急劇下降。
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【發明內容】
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[0004]本發明的目的在于提供一種有機半導體薄膜晶體管以及其制作方法，以解決上述技術問題。
[0005]為實現上述目的，本發明提供一種有機半導體薄膜晶體管，所述有機半導體薄膜晶體管包括基板、數據線、中轉區、源極、漏極、主動層圖案、第一絕緣層、柵極、第二絕緣層以及透明電極。
[0006]所述數據線以及所述中轉區設置于所述基板之上。所述源極以及所述漏極，設置于所述基板、所述數據線以及所述中轉區之上。所述主動層圖案設置于所述數據線、所述中轉區、所述基板、所述源極以及所述漏極之上。所述第一絕緣層，設置于所述數據線、所述中轉區以及所述主動層圖案之上。所述柵極以及掃描線，設置于所述第一絕緣層之上。所述第二絕緣層，設置于所述柵極以及所述第一絕緣層之上。所述透明電極設置于所述第二絕緣層之上并通過貫穿所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層的通孔電性連接所述中轉區。
[0007]在一優選實施例中，所述數據線以及所述中轉區是鈦或鉬。
[0008]在一優選實施例中，所述源極以及所述漏極是銀。
[0009]在一優選實施例中，所述柵極是鋁或銅。
[0010]在一優選實施例中，所述透明電極是氧化銦錫。
[0011 ]為實現上述目的，本發明另提供一種有機半導體薄膜晶體管的制作方法，包括:
[0012]首先，設置基板;接著，沉積第一金屬層于所述基板之上;使用第一掩膜對所述第一金屬層進行蝕刻以形成數據線以及中轉區；接著，沉積第二金屬層于所述基板、所述數據線以及所述中轉區之上;接著，使用第二掩膜對所述第二金屬層進行蝕刻以形成源極以及漏極;接著，涂布有機半導體層于所述數據線、所述中轉區、所述基板所述源極以及所述漏極之上;接著，使用第三掩膜對所述有機半導體層以形成主動層圖案;接著，涂布第一絕緣層于所述數據線以及所述中轉區之上；接著，沉積第三金屬層于所述第一絕緣層之上；接著，使用第四掩膜對所述第三金屬層進行蝕刻以形成柵極以及掃描線;接著，涂布第二絕緣層于所述第三金屬層以及所述第一絕緣層之上;接著，于所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層形成通孔;最后，沉積透明電極于所述第二絕緣層之上并通過所述通孔電性連接所述中轉區。
[0013]在一優選實施例中，所述第一金屬層是鈦或鉬。
[0014]在一優選實施例中，所述第二金屬層是銀。
[0015]在一優選實施例中，所述第三金屬層是鋁或銅。
[0016]在一優選實施例中，所述透明電極是氧化銦錫。
[0017]相較于現有技術，本發明先于所述基板上設置所述數據線以及所述中轉區，接著在所述數據線以及所述中轉區上形成所述源極以及所述漏極，接著再使用所述主動層圖案包覆所述源極以及所述漏極。因為所述主動層圖案包覆所述源極以及所述漏極，所以可以保護所述源極以及所述漏極不受等離子體轟擊而氧化。
【【附圖說明】】
[0018]圖1繪示本發明的有機半導體薄膜晶體管的側視圖；
[0019]圖2-圖14繪示本發明的有機半導體薄膜晶體管的制作方法的流程圖。
【【具體實施方式】】
[0020]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。
[0021]參考圖1，繪示本發明的有機半導體薄膜晶體管100的側視圖。所述有機半導體薄膜晶體管100包括基板110、數據線121、中轉區122、源極131、漏極132、主動層圖案141、第一絕緣層142、柵極151、第二絕緣層152、通孔160以及透明電極171。
[0022]所述數據線121以及所述中轉區122，設置于所述基板110之上。優選地，所述數據線121以及所述中轉區122是鈦或鉬。
[0023]所述源極131以及所述漏極132設置于所述基板110、所述數據線121以及所述中轉區122之上。詳細地，所述源極131以及所述漏極132個別設置于部分的所述數據線121以及所述中轉區122之上。所述源極131以及所述漏極132並未連接。優選地，所述源極131以及所述漏極132可以是銀。
[0024]所述主動層圖案141設置于所述數據線121、所述中轉區122、所述基板110所述源極131以及所述漏極132之上。詳細地，所述主動層圖案141會完整的包覆所述源極131以及所述漏極132，進而達到保護所述源極131以及所述漏極132免于受到等離子體轟擊。優選地，所述主動層圖案141可以是有機半導體。
[0025]所述第一絕緣層142，設置于所述數據線121、所述中轉區122以及所述主動層圖案141之上。詳細地，所述第一絕緣層142必須完整包覆所述數據線121、所述中轉區122以及所述主動層圖案141。一般而言，所述第一絕緣層142可以是有機絕緣體。
[0026]所述柵極151以及掃描線(未圖示)設置于所述第一絕緣層142之上。通過所述第一絕緣層142的隔絕，可以避免所述柵極151以及所述掃描線與所述數據線121、所述基板110所述源極131以及所述漏極132之間形成短路。優選地，所述柵極151可以是鋁或銅。
[0027]所述第二絕緣層152設置于所述柵極151以及所述第一絕緣層142之上。一般而言，所述第二絕緣層142亦可以是有機絕緣體。
[0028]所述透明電極171設置于所述第二絕緣層152之上并通過