本發明涉及(ji)(ji)半導體(ti)制造技術領域(yu)，尤其涉及(ji)(ji)一種鰭狀場效應晶體(ti)管及(ji)(ji)其制備方法。

背景技術：

iii-v族半導(dao)體材(cai)料(liao)，例如砷(shen)化(hua)鎵(jia)(gaas)及(ji)砷(shen)化(hua)銦(inas)具有較高(gao)(gao)(gao)的電子遷移率，因此用以傳導(dao)較高(gao)(gao)(gao)的驅(qu)動電流(liu)(liu)。iii-v族金屬氧化(hua)半導(dao)體場(chang)效(xiao)應晶(jing)體管(iii-vmosfet)的效(xiao)能(neng)已證實具有顯著(zhu)的提升(sheng)，并達到(dao)低柵極漏電流(liu)(liu)、高(gao)(gao)(gao)溝(gou)道遷移率及(ji)高(gao)(gao)(gao)驅(qu)動電流(liu)(liu)。于是，制造具有iii-v族材(cai)料(liao)的高(gao)(gao)(gao)效(xiao)能(neng)mosfets是可行的。

互補式(shi)金氧(yang)半導體(cmos)的(de)(de)微(wei)小(xiao)化衍(yan)生出許(xu)多物(wu)理上的(de)(de)限制以及問題，因(yin)此三維的(de)(de)鰭狀(zhuang)場效應晶體管(finfet)器件結構為一種(zhong)具前景的(de)(de)替代，使晶體管的(de)(de)尺(chi)寸(cun)縮(suo)小(xiao)化超越(yue)10納(na)米的(de)(de)技術節點(dian)。finfet結構可優(you)越(yue)地控制短(duan)溝道(dao)效應，然而，iii-vfinfet的(de)(de)驅動電流仍須改善。

技術實現要素：

本發明的目的在(zai)于，提供一種(zhong)鰭(qi)狀場效應晶體管及其制(zhi)備方法。

為解決(jue)上述技術問題，本發明一種鰭狀場效應晶體管的(de)(de)(de)(de)制備方法，包括：提供襯底(di)(di)；沉(chen)(chen)積淺(qian)溝(gou)槽(cao)(cao)隔(ge)離(sti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)于(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)(gai)襯底(di)(di)上；沉(chen)(chen)積多(duo)個(ge)含(han)氧(yang)介電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和多(duo)個(ge)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)交替(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)于(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)(gai)sti層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上；經(jing)由(you)第(di)一道蝕刻程序形成(cheng)溝(gou)槽(cao)(cao)，該(gai)(gai)(gai)(gai)溝(gou)槽(cao)(cao)連(lian)通于(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)(gai)sti層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和該(gai)(gai)(gai)(gai)些(xie)含(han)氧(yang)介電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和該(gai)(gai)(gai)(gai)些(xie)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)該(gai)(gai)(gai)(gai)交替(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；經(jing)由(you)第(di)二道蝕刻程序選(xuan)(xuan)(xuan)擇性蝕刻該(gai)(gai)(gai)(gai)溝(gou)槽(cao)(cao)的(de)(de)(de)(de)內(nei)側(ce)(ce)壁(bi)的(de)(de)(de)(de)該(gai)(gai)(gai)(gai)交替(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中的(de)(de)(de)(de)該(gai)(gai)(gai)(gai)些(xie)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，使(shi)該(gai)(gai)(gai)(gai)溝(gou)槽(cao)(cao)的(de)(de)(de)(de)該(gai)(gai)(gai)(gai)內(nei)側(ce)(ce)壁(bi)具有(you)多(duo)個(ge)垂直(zhi)堆棧碗形的(de)(de)(de)(de)截面形狀；選(xuan)(xuan)(xuan)擇性外(wai)延生長緩(huan)沖層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)于(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)(gai)溝(gou)槽(cao)(cao)中的(de)(de)(de)(de)該(gai)(gai)(gai)(gai)襯底(di)(di)上；選(xuan)(xuan)(xuan)擇性外(wai)延生長iii-v族材料于(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)(gai)溝(gou)槽(cao)(cao)中的(de)(de)(de)(de)該(gai)(gai)(gai)(gai)緩(huan)沖層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)上；選(xuan)(xuan)(xuan)擇性移除該(gai)(gai)(gai)(gai)些(xie)含(han)氧(yang)介電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和該(gai)(gai)(gai)(gai)些(xie)絕緣層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)該(gai)(gai)(gai)(gai)交替(ti)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)；沉(chen)(chen)積高(gao)介電(dian)(dian)(dian)常(chang)數(shu)介電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)于(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)(gai)sti層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)上表 面和該(gai)(gai)(gai)(gai)iii-v族材料的(de)(de)(de)(de)周(zhou)圍(wei)；及沉(chen)(chen)積導電(dian)(dian)(dian)材料于(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)(gai)高(gao)介電(dian)(dian)(dian)常(chang)數(shu)介電(dian)(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)周(zhou)圍(wei)，以(yi)形成(cheng)柵極。

根據一實施例，沉積(ji)該(gai)淺溝槽隔離(sti)層于該(gai)襯底上(shang)的步驟包括：該(gai)sti層的厚度介于10至100納米(mi)之間。

根(gen)據(ju)一實施(shi)例，沉(chen)積該些(xie)含氧(yang)(yang)介(jie)電(dian)層(ceng)(ceng)和該些(xie)絕(jue)緣層(ceng)(ceng)的(de)該交替層(ceng)(ceng)于該sti層(ceng)(ceng)的(de)步驟(zou)包括(kuo)：該些(xie)含氧(yang)(yang)介(jie)電(dian)層(ceng)(ceng)的(de)材料為(wei)二氧(yang)(yang)化硅(sio2)、氟氧(yang)(yang)化硅(siof)、氮氧(yang)(yang)化硅(sion)、或其組合。

根據一實施例，沉積該些含氧(yang)介電層和該些絕緣層的(de)該交替層于(yu)(yu)該sti層的(de)步驟包(bao)括(kuo)：該些含氧(yang)介電層的(de)厚度(du)分別(bie)為介于(yu)(yu)2至10納米之(zhi)間。

根(gen)據一實施例，沉積該(gai)些(xie)(xie)(xie)含(han)氧介電層(ceng)和該(gai)些(xie)(xie)(xie)絕(jue)緣層(ceng)的該(gai)交(jiao)替層(ceng)于該(gai)sti層(ceng)的步驟包括：該(gai)些(xie)(xie)(xie)絕(jue)緣層(ceng)的材料為磷硅(gui)酸(suan)(suan)鹽玻璃(li)(psg)、硼(peng)硅(gui)酸(suan)(suan)鹽玻璃(li)(bsg)、硼(peng)磷硅(gui)酸(suan)(suan)鹽玻璃(li)(bpsg)、或其組(zu)合(he)。

根(gen)據一實施例，沉積(ji)該(gai)(gai)些含氧(yang)介(jie)電(dian)層(ceng)和該(gai)(gai)些絕緣層(ceng)的該(gai)(gai)交替層(ceng)于(yu)該(gai)(gai)sti層(ceng)的步(bu)驟包(bao)括：該(gai)(gai)些絕緣層(ceng)的厚度分別為介(jie)于(yu)5至10納(na)米之間。

根據一實施例(li)，選擇性外延生長(chang)該(gai)緩沖層(ceng)于該(gai)溝(gou)槽(cao)中(zhong)的該(gai)襯底上的步驟(zou)包括：該(gai)緩沖層(ceng)的材料為砷化鎵(gaas)或硅鍺(sige)。

根據一實施例，選(xuan)擇性外延(yan)生長該(gai)緩沖層(ceng)于該(gai)溝槽(cao)中(zhong)的(de)(de)該(gai)襯底上(shang)的(de)(de)步驟包(bao)括：該(gai)緩沖層(ceng)的(de)(de)厚度(du)介于10至(zhi)100納(na)米(mi)之間。

根據一實(shi)施例，選擇(ze)性外延生(sheng)長該(gai)iii-v族材料(liao)于該(gai)溝槽中的(de)該(gai)緩沖層上的(de)步驟包括(kuo)：該(gai)iii-v族材料(liao)為砷(shen)化(hua)銦鎵(ingaas)、砷(shen)化(hua)銦(inas)或銻化(hua)銦(insb)。

根據(ju)一實施例，經(jing)由該第(di)一道蝕刻程序形(xing)成(cheng)該溝槽的步(bu)驟(zou)包括：該第(di)一道蝕刻程序為采用(yong)干(gan)式蝕刻法(fa)。

根(gen)據(ju)一實施例，經由(you)該(gai)第二道蝕刻(ke)(ke)程序選(xuan)擇(ze)性蝕刻(ke)(ke)該(gai)溝(gou)槽的(de)(de)內(nei)側壁的(de)(de)該(gai)交替層中的(de)(de)該(gai)些絕緣層的(de)(de)步驟(zou)包括：該(gai)第二道蝕刻(ke)(ke)程序為(wei)采用濕式蝕刻(ke)(ke)法。

相(xiang)應的(de)，本發明還提供一種鰭(qi)狀(zhuang)場(chang)效應晶(jing)體管(guan)，該(gai)(gai)(gai)鰭(qi)狀(zhuang)場(chang)效應晶(jing)體管(guan)包(bao)括：襯(chen)(chen)底；淺溝槽隔(ge)離(sti)層，形(xing)成(cheng)于(yu)該(gai)(gai)(gai)襯(chen)(chen)底上(shang)，該(gai)(gai)(gai)sti層具(ju)有(you)溝槽；緩沖層，形(xing)成(cheng)于(yu)該(gai)(gai)(gai)溝槽中的(de)該(gai)(gai)(gai)襯(chen)(chen)底上(shang)；iii-v族(zu)(zu)材(cai)(cai)料(liao)，形(xing)成(cheng)于(yu)該(gai)(gai)(gai)緩沖層上(shang)，且該(gai)(gai)(gai)iii-v族(zu)(zu)材(cai)(cai)料(liao)具(ju)有(you)多個垂直堆(dui)棧碗形(xing)的(de)截(jie)面形(xing)狀(zhuang)；高介(jie)電(dian)常數介(jie)電(dian)層，形(xing)成(cheng)于(yu)該(gai)(gai)(gai)sti層的(de)上(shang)表面和該(gai)(gai)(gai)iii-v族(zu)(zu)材(cai)(cai)料(liao)周圍；及導電(dian)材(cai)(cai)料(liao)，形(xing)成(cheng)于(yu)該(gai)(gai)(gai)高介(jie)電(dian)常數介(jie)電(dian)層的(de)周圍， 以(yi)作為柵極。

本發明(ming)提供(gong)的鰭(qi)狀場(chang)效應晶體管，采用兩次選擇(ze)性(xing)蝕刻與兩次選擇(ze)性(xing)外延(yan)生長以形成多個垂直(zhi)堆棧碗形的iii-v族鰭(qi)狀結構，不僅可簡化制程，亦可以實(shi)現具高遷移率的溝道。

附圖說明

圖(tu)1為本發明一實施(shi)例(li)中制備(bei)鰭狀場效應晶體(ti)管的(de)方法流程圖(tu)；

圖2為(wei)本發明一(yi)實施例中sti層與交錯層形成(cheng)于襯底上的剖面結構示意圖；

圖3為本發明一實施例中于連通(tong)于sti層(ceng)和多個含氧介電層(ceng)和多個絕緣層(ceng)的(de)交(jiao)替層(ceng)的(de)溝槽(cao)的(de)剖(pou)面(mian)結構示意圖；

圖4為本發明一實施例中具有多(duo)個垂(chui)直堆(dui)棧碗形的(de)截面形狀的(de)溝槽的(de)剖面結構示意(yi)圖；

圖5為本發明一實施例中緩沖層形成于溝槽中的襯底上的剖(pou)面結構示意圖；

圖(tu)6為本發明(ming)一實施例中(zhong)iii-v族材(cai)料(liao)形成于溝槽(cao)中(zhong)的緩沖層上的剖面結構示意圖(tu)；

圖7為本發明一實施例中選擇(ze)性移除多個(ge)(ge)含氧介(jie)電層(ceng)和多個(ge)(ge)絕緣層(ceng)的(de)交替層(ceng)的(de)剖(pou)面結構示意圖；

圖8為本發明(ming)一實施例中(zhong)沉(chen)積(ji)高介電(dian)常數介電(dian)層于sti層的(de)(de)上(shang)表面(mian)和iii-v族材料(liao)的(de)(de)周圍的(de)(de)剖面(mian)結構示意圖；

圖9為本發明一實施(shi)例中沉積導電材料于高介(jie)電常數(shu)介(jie)電層的(de)周圍的(de)剖面結構示意圖。

具體實施方式

下面(mian)將結(jie)合示意(yi)圖(tu)對(dui)本(ben)發(fa)明的(de)鰭狀(zhuang)場效應晶體管及其制(zhi)(zhi)備方法(fa)進行(xing)更詳細的(de)描述，其中表示了本(ben)發(fa)明的(de)較佳實(shi)施(shi)例，應該理解本(ben)領(ling)域技(ji)術人員可以修改在此(ci)描述的(de)本(ben)發(fa)明，而(er)(er)仍然(ran)實(shi)現本(ben)發(fa)明的(de)有利(li)效果。因此(ci)，下列(lie)描述應當(dang)被理解為對(dui)于(yu)本(ben)領(ling)域技(ji)術人員的(de)廣泛知(zhi)道，而(er)(er)并不作為對(dui)本(ben)發(fa)明的(de)限制(zhi)(zhi)。

下(xia)文結合(he)附圖(tu)對(dui)本發明的(de)鰭狀(zhuang)場效應(ying)晶(jing)體管及其制備(bei)方(fang)法，圖(tu)1為(wei)制備(bei)鰭狀(zhuang)場效應(ying)晶(jing)體管的(de)方(fang)法流程(cheng)圖(tu)，圖(tu)2～圖(tu)9為(wei)各步驟(zou)中的(de)結構示意圖(tu)，其制備(bei)過 程(cheng)包括如下(xia)步驟(zou)：

執行步驟s1，參考圖2所示，提(ti)供一(yi)襯底(di)100。根(gen)據一(yi)實施例，襯底(di)100為單晶硅(gui)襯底(di)。

執行步驟s2，再次參考圖2所示，沉積淺溝槽(cao)隔離(li)(sti)層(ceng)120于襯底100上。根據一實施例，sti層(ceng)120為二氧化硅。根據一實施例，sti層(ceng)120的厚度(du)介于10至100納米之間。

執行步驟(zou)s3，再(zai)次參考圖(tu)2所示，沉(chen)積(ji)多個含(han)氧介(jie)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)130和(he)多個絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)140的(de)交(jiao)替層(ceng)(ceng)150于(yu)sti層(ceng)(ceng)120上。根據一(yi)(yi)實(shi)(shi)施(shi)(shi)(shi)例，含(han)氧介(jie)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)130的(de)材(cai)料為二(er)氧化(hua)(hua)硅(gui)(sio2)、氟氧化(hua)(hua)硅(gui)(siof)、氮氧化(hua)(hua)硅(gui)(sion)、或(huo)其組合(he)。根據一(yi)(yi)實(shi)(shi)施(shi)(shi)(shi)例，每(mei)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)含(han)氧介(jie)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)130的(de)厚(hou)度(du)為介(jie)于(yu)2至10納米(mi)之間(jian)。根據一(yi)(yi)實(shi)(shi)施(shi)(shi)(shi)例，絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)140的(de)材(cai)料為磷(lin)硅(gui)酸(suan)鹽玻(bo)璃(psg)、硼(peng)硅(gui)酸(suan)鹽玻(bo)璃(bsg)、硼(peng)磷(lin)硅(gui)酸(suan)鹽玻(bo)璃(bpsg)、或(huo)其組合(he)。根據一(yi)(yi)實(shi)(shi)施(shi)(shi)(shi)例，每(mei)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)140的(de)厚(hou)度(du)為介(jie)于(yu)5至10納米(mi)之間(jian)。根據一(yi)(yi)實(shi)(shi)施(shi)(shi)(shi)例，步驟(zou)s2與s3分別(bie)采用化(hua)(hua)學氣相(xiang)沉(chen)積(ji)(cvd)、金屬有機物化(hua)(hua)學氣相(xiang)沉(chen)積(ji)(mocvd)、分子(zi)束外延(mbe)或(huo)原子(zi)層(ceng)(ceng)沉(chen)積(ji)(ald)等方式沉(chen)積(ji)sti層(ceng)(ceng)120、含(han)氧介(jie)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)130與絕緣(yuan)層(ceng)(ceng)140。

執(zhi)行步驟s4，參考(kao)圖3所示，經由(you)第一(yi)(yi)道蝕(shi)刻(ke)(ke)程序(xu)形成一(yi)(yi)溝槽210，溝槽210連通于sti層120和多個(ge)含氧介電層130和多個(ge)絕(jue)緣層140的交替層150。根據一(yi)(yi)實施(shi)例，第一(yi)(yi)道蝕(shi)刻(ke)(ke)程序(xu)為采(cai)用干(gan)式蝕(shi)刻(ke)(ke)法，且采(cai)用的氣體為cl2和ar的混合氣體，然不(bu)以此為限。

執行步驟s5，參考圖(tu)4所示，經由第二道(dao)蝕(shi)刻(ke)程序選擇(ze)性蝕(shi)刻(ke)溝槽(cao)210的(de)(de)內(nei)(nei)側(ce)壁(bi)220的(de)(de)交替層150中的(de)(de)多個絕(jue)緣層140，使(shi)(shi)溝槽(cao)210的(de)(de)內(nei)(nei)側(ce)壁(bi)220具有(you)多個垂(chui)直堆棧碗(wan)形的(de)(de)截面形狀。根據一實(shi)施例，第二道(dao)蝕(shi)刻(ke)程序為采(cai)用(yong)濕(shi)式蝕(shi)刻(ke)法，且使(shi)(shi)用(yong)的(de)(de)溶(rong)液(ye)(ye)為nh3和h2o的(de)(de)混(hun)合溶(rong)液(ye)(ye)、koh溶(rong)液(ye)(ye)或者是tmah溶(rong)液(ye)(ye)(羥化四甲銨，tetramethylazaniumhydroxide)。

執行步驟s6，參考圖(tu)5所示(shi)，選擇性外延生(sheng)長緩沖層(ceng)300于溝槽210中的(de)(de)襯底100上。根(gen)據(ju)一實施例，緩沖層(ceng)300的(de)(de)材料為砷化鎵(jia)(gaas)或硅鍺(sige)。根(gen)據(ju)一實施例，緩沖層(ceng)300的(de)(de)厚(hou)度大致與(yu)sti層(ceng)120的(de)(de)厚(hou)度相(xiang)同(tong)，也就是(shi)介于10至100納米之間。

執行步(bu)驟s7，參考圖6所示，選擇性外延生長iii-v族材(cai)料400于溝槽210 中的緩沖層300上。根(gen)據一實施(shi)例(li)，iii-v族材(cai)料400填滿緩沖層300上的溝槽210。根(gen)據一實施(shi)例(li)，iii-v族材(cai)料400為砷(shen)化(hua)銦鎵(jia)(ingaas)、砷(shen)化(hua)銦(inas)或(huo)銻化(hua)銦(insb)。

執行步驟(zou)s8，參考圖7所示，選擇(ze)性(xing)移(yi)除多(duo)(duo)個含氧介電(dian)層(ceng)130和(he)多(duo)(duo)個絕緣層(ceng)140的交替層(ceng)150，使iii-v族材料400暴(bao)露于sti層(ceng)120上。

執行步驟s9，參考(kao)圖(tu)8所示(shi)，沉積高(gao)介電常數(shu)(high-k)介電層(ceng)500于(yu)sti層(ceng)120的上(shang)表面和iii-v族(zu)材料400的周圍。根據(ju)一實(shi)施(shi)例，高(gao)介電常數(shu)介電層(ceng)500之介電材料，例如tio2、hfo2、zro2等等。

執行步(bu)驟(zou)s10，參考圖9所示，沉(chen)積(ji)導(dao)(dao)電(dian)(dian)材(cai)料(liao)(liao)600于高介電(dian)(dian)常(chang)數(shu)(shu)介電(dian)(dian)層500的周(zhou)圍，以(yi)形成柵極(ji)。根據一(yi)實(shi)(shi)施例，采用微(wei)影與蝕刻(ke)技術以(yi)圖案化定義柵極(ji)。根據一(yi)實(shi)(shi)施例，步(bu)驟(zou)s9與s10分別采用化學氣(qi)相(xiang)沉(chen)積(ji)(cvd)、金屬有機物化學氣(qi)相(xiang)沉(chen)積(ji)(mocvd)、分子束外(wai)延(mbe)或原子層沉(chen)積(ji)(ald)等方式沉(chen)積(ji)高介電(dian)(dian)常(chang)數(shu)(shu)介電(dian)(dian)層500與導(dao)(dao)電(dian)(dian)材(cai)料(liao)(liao)600。根據一(yi)實(shi)(shi)施例，執行步(bu)驟(zou)s10之后，外(wai)延生(sheng)長或植入(ru)源極(ji)/漏極(ji)材(cai)料(liao)(liao)于襯底100上，以(yi)作為鰭狀場效應晶體管的源極(ji)/漏極(ji)。

再次(ci)參考圖9，藉由(you)上(shang)述(shu)方法步驟，本發(fa)明(ming)提(ti)供一(yi)種鰭(qi)狀場(chang)(chang)效應晶體(ti)管1，包括襯(chen)底(di)100、淺(qian)溝(gou)槽(cao)隔離(sti)層(ceng)(ceng)(ceng)120、緩沖(chong)(chong)層(ceng)(ceng)(ceng)300、iii-v族(zu)(zu)材(cai)料(liao)(liao)400、高(gao)介(jie)電(dian)(dian)常(chang)數(shu)介(jie)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)500及導電(dian)(dian)材(cai)料(liao)(liao)600。sti層(ceng)(ceng)(ceng)120形(xing)(xing)成于(yu)(yu)(yu)(yu)襯(chen)底(di)100上(shang)，sti層(ceng)(ceng)(ceng)120具(ju)有(you)溝(gou)槽(cao)210′。緩沖(chong)(chong)層(ceng)(ceng)(ceng)300形(xing)(xing)成于(yu)(yu)(yu)(yu)溝(gou)槽(cao)210′中的(de)襯(chen)底(di)100上(shang)。iii-v族(zu)(zu)材(cai)料(liao)(liao)400形(xing)(xing)成于(yu)(yu)(yu)(yu)緩沖(chong)(chong)層(ceng)(ceng)(ceng)300上(shang)，且iii-v族(zu)(zu)材(cai)料(liao)(liao)400具(ju)有(you)多個(ge)垂直堆棧碗形(xing)(xing)的(de)截面形(xing)(xing)狀。高(gao)介(jie)電(dian)(dian)常(chang)數(shu)介(jie)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)500形(xing)(xing)成于(yu)(yu)(yu)(yu)sti層(ceng)(ceng)(ceng)120的(de)上(shang)表面和iii-v族(zu)(zu)材(cai)料(liao)(liao)400的(de)周圍(wei)。導電(dian)(dian)材(cai)料(liao)(liao)600形(xing)(xing)成于(yu)(yu)(yu)(yu)高(gao)介(jie)電(dian)(dian)常(chang)數(shu)介(jie)電(dian)(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)500的(de)周圍(wei)，以(yi)作為柵極。此外，源(yuan)極/漏極材(cai)料(liao)(liao)可藉由(you)外延(yan)生長或植(zhi)入于(yu)(yu)(yu)(yu)襯(chen)底(di)100上(shang)，以(yi)作為鰭(qi)狀場(chang)(chang)效應晶體(ti)管1的(de)源(yuan)極/漏極。

顯然，本領域的(de)技術人員(yuan)可(ke)以對(dui)本發明(ming)(ming)進行各種改(gai)動(dong)和(he)變(bian)(bian)型(xing)而不脫(tuo)離(li)本發明(ming)(ming)的(de)精神和(he)范圍。這(zhe)樣，倘若本發明(ming)(ming)的(de)這(zhe)些(xie)修改(gai)和(he)變(bian)(bian)型(xing)屬于本發明(ming)(ming)申請專利范圍及其等同(tong)技術的(de)范圍之內，則本發明(ming)(ming)也意圖包含這(zhe)些(xie)改(gai)動(dong)和(he)變(bian)(bian)型(xing)在內。