低電阻高膨脹半導電單面阻水帶制造方法
【專利說明】低電阻高膨脹半導電單面阻水帶制造方法
[0001]
技術領域
[0002]本發明涉及一種電纜阻水帶制造方法，特別是涉及一種低電阻高膨脹半導電單面阻水帶制造方法。
【背景技術】
[0003]電纜運行中，由于纜芯強大的電流作用，絕緣層內的雜質、氣孔以及內外屏蔽層的凸刺和損壞部位都會由于水的滲入發生水樹現象，使絕緣層內部產生放電甚至擊穿電纜，這就需要一種具有阻水功能的半導電材料來緩沖電場。
[0004]為解決上述問題，目前通常采用半導電阻水帶。雖然起到了半導電屏蔽緩沖電場的作用，但由于有覆蓋層，大大延緩了膨脹過程，阻水效果不理想。而采用單面半導電阻水帶一般體積電阻較大，表面容易積聚電荷，產生放電現象而帶來隱患。

【發明內容】

[0005]本發明的目的在于提供一種低電阻高膨脹半導電單面阻水帶制造方法，本發明制備的阻水帶產品集電場緩沖、機械緩沖和阻水功能于一體，提高了產品的膨脹速度，使得阻水效果更可靠，同時降低了表面電阻和體積電阻，使得電性能增強。
[0006]本發明是通過以下技術方案實現的:
低電阻高膨脹半導電單面阻水帶的制造方法，所述方法包括下列工藝步驟:
(1)基材的制作，按產品的規格要求制成符合要求的基材；
(2)施半導電膠；半導電膠液施于待加工基材的一面上，線速10-30米/min；
(3)施半導電阻水粉；半導電阻水粉自制，在三口瓶中先后加入氫氧化鈉、丙烯酸經中和反應生成丙烯酸鹽；加入由分散劑壬基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、失水山梨醇脂肪酸酯S-40和導電劑爐黑組成的導電性漿料；加入交聯劑聚乙二醇二丙烯酸酯、N，N-亞甲基雙丙烯酰胺，通氮氣30min，置換出反應器內部氧氣，再加入引發劑過硫酸鈉、亞硫酸氫鈉靜態聚合后得到水凝膠；經烘干、粉碎、篩分得半導電高阻水粉。上述半導電阻水粉施于上述步驟(2)所得的產品的一面上，線速10-30米/min。
[0007](4)烘干；將上述步驟(3)所制得的的產品在120_200°C下烘干，整理得低電阻高膨脹半導電單面阻水帶。
[0008]本發明制備的阻水帶半導電材料層附著在基材層的一個表面上，通過粘接、涂覆、浸漬等方式與基材層結合，半導電吸水材料層附著于半導電材料層的另一個表面上，半導電吸水材料層通過粘接、涂覆、浸漬等方式與半導電材料層結合。
[0009]本發明的優點與效果是:
本發明的產品膨脹速度快，阻水效果可靠，降低了產品的表面電阻和體積電阻，提高了電性能，起到屏蔽和緩沖電場的作用，且生產工藝簡單，技術性能穩定，實用性強。
【具體實施方式】
[0010]實施例1
(1)基材的制作:粘合布，單重:40g/m2,厚度0.16mm ；
(2)施半導電膠；通過復合方式涂覆在步驟I的粘合布的一面上，線速15米/min;
(3)施半導電阻水粉；在三口瓶中先后加入3.2Kg的氫氧化鈉、7.2Kg丙烯酸經部分中和反應生成丙烯酸鹽；加入由分散劑壬基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉0.4kg,0.4kg失水山梨醇脂肪酸酯S-40和4Kg導電劑爐黑組成的導電性漿料；加入交聯劑聚乙二醇二丙烯酸酯0.005kg、N，N-亞甲基雙丙烯酰胺0.005kg，通氮氣30min，置換出反應器內部氧氣；再加入引發劑過硫酸鈉0.15kg、亞硫酸氫鈉0.05kg靜態聚合后得到水凝膠；經烘干、粉碎、篩分得半導電高阻水粉。上述半導電阻水粉施于上述步驟(2)所得的產品的一面上，線速15米/
mino
[0011](4)將步驟3所的產品材料在150°C下烘干，整理得低電阻高膨脹半導電單面阻水帶。
[0012]產品性能測試結果如下:
單重:120g/m2厚度:0.30mm
抗張強度:45N/cm延伸率:16%
表面電阻:420 Ω體積電阻:2.4*104Ω.cm
膨脹速度:12mm/lstmin膨脹高度:20mm/3mino
【主權項】
1.低電阻高膨脹半導電單面阻水帶的制造方法:其特征在于，所述方法包括下列工藝步驟: (1)基材的制作，按產品的規格要求制成符合要求的基材； (2)施半導電膠；半導電膠液施于待加工基材的一面上，線速10-30米/min； (3)施半導電阻水粉；半導電阻水粉自制，在三口瓶中先后加入氫氧化鈉、丙烯酸經中和反應生成丙烯酸鹽；加入由分散劑壬基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉、失水山梨村脂肪酸酯S-40和導電劑爐黑組成的導電性漿料；加入交聯劑聚乙二醇二丙烯酸酯、N，N-亞甲基雙丙烯酰胺，通氮氣30min，置換出反應器內部氧氣，再加入引發劑過硫酸鈉、亞硫酸氫鈉靜態聚合后得到水凝膠；經烘干、粉碎、篩分得半導電高阻水粉；所得半導電阻水粉施于上述步驟(2)所制得產品的一面上，線速10-30米/min ； (4)烘干；將上述步驟(3)所制得產品在120-200°C下烘干，整理得低電阻高膨脹半導電單面阻水帶。
【專利摘要】低電阻高膨脹半導單面阻水帶制造方法，涉及一種阻水帶制造方法，低電阻高膨脹半導電單面阻水帶，由基材層、半導電材料層和半導電吸水材料層組成。低電阻高膨脹半導電單面阻水帶的制造方法包括，制作基材，在基材上施半導電膠液和半導電阻水粉、烘干、分切、包裝。本發明制備的產品膨脹速度快，電性能好，且生產工藝簡單，技術性能穩定，實用性強。適用于電纜使用，提高絕緣層、內外屏蔽層的防水滲入，阻水效果理想。
【IPC分類】H01B7/288, H01B7/17
【公開號】CN104934120
【申請號】CN201510311945
【發明人】俞飛, 張俠, 楊宏艷
【申請人】沈陽天榮電纜材料有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年6月9日